辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应.pdf

辐射加固L DMO S器件的总剂量辐射效应谢儒彬1,2,葛超洋1,周 锌2,曹利超1,陈浪涛2,吴建伟1,乔 明2(1.中国电子科技集团公司 第5 8研究所,江苏 无锡2 1 4 0 3 5;2.电子科技大学,成都6 1 0 0 5 4)摘 要:基于标准B i p o l a r-CMO S-DMO S(B C D)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射B C D工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMO S器件相比,L DMO S器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题的困扰。本文基于标准0.1 8 m B C D工艺,开展了1 8 V N L DMO S器件总剂量辐射效应研究,提出了一种总剂量辐射加固工艺技术。采用离子注入和材料改性技术工艺,提高了浅槽隔离场区边缘的P型硅反型阈值,从而增强了N L DMO S器件的抗辐射能力。通过对比实验表明,当辐照总剂量为1 0 0 k r a d(S i)时,加固的N L DMO S器件的抗辐射性能明显优于非加固的器件。通过总剂量辐射加固工艺技术的研究,可有效提高器件的抗总剂量辐射能力,避免设计加固造成芯片面积增大的问题。关键词:辐射加固;总剂量效应;浅槽隔离;0.1 8 m;B C D;L DMO S;中图分类号:T L 9 9;T N 2 9文献标志码:A D O I:1 0.1 2 0 6 1/j.i s s n.2 0 9 5 6 2 2 3.2 0 2 3.0 2 0 6 0 3收稿日期:2 0 2 2 0 4 2 1;修回日期:2 0 2 3 0 4 1 5基金项目:微电子预先研究基金资助项目(3 1 5 1 3 0 4 0 1 0 6)作者简介:谢儒彬(1 9 8 8-),男,江苏无锡人,高级工程师,硕士,主要从事抗辐射工艺集成技术研究。E-m a i l:1 8 0 6 8 3 3 2 8 6 21 8 9.c nT o t a l D o s e R a d i a t i o n E f f e c t s o f R a d i a t i o n-H a r d e n e d L DMO S D e v i c e sX I E R u b i n1 2 G E C h a o y a n g1 Z HOU X i n2 C AO L i c h a o1 CHE N L a n g t a o2 WU J i a n w e i1 Q I AO M i n g2 1 T h e 5 8 t h R e s e a r c h I n s t i t u t e o f C h i n a E l e c t r o n i c s T e c h n o l o g y G r o u p C o r p o r a t i o n Wu x i J i a n g s u P r o v i n c e 2 1 4 0 3 5 C h i n a 2 U n i v e r s i t y o f E l e c t r o n i c S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y o f C h i n a C h e n g d u 6 1 0 0 5 4 C h i n a A b s t r a c t B a s e d o n t h e s t a n d a r d p r o c e s s o f 0 1 8 m B i p o l a r-C MO S-DMO S B C D t h e t o t a l d o s e r a d i a t i o n e f f e c t o f 1 8 V N L DMO S d e v i c e s i s s t u d i e d a n d a t o t a l d o s e r a d i a t i o n h a r d e n i n g t e c h n o l o g y w h i c h u s e s i o n i m p l a n t a t i o n a n d m a t e r i a l m o d i f i c a t i o n t e c h n o l o g i e s t o i n c r e a s e t h e P-t y p e s i l i c o n i n v e r s i o n t h r e s h o l d a t t h e e d g e o f t h e S T I f i e l d i s p r o p o s e d s o a s t o e n h a n c e t h e r a d i a t i o n h a r d e n i n g o f N L DMO S d e v i c e s E x p e r i m e n t s h a v e s h o w n t h a t w h e n t h e t o t a l i r r a d i a t i o n d o s e i s 1 0 0 k r a d S i t h e r a d i a t i o n h a r d e n i n g p e r f o r m a n c e o f h a r d e n e d N L DMO S d e v i c e s i s s i g n i f i c a n t l y b e t t e r t h a n i t s o r i g i n a l o n e T h e r e s e a r c h o f t o t a l d o s e r a d i a t i o n h a r d e n i n g t e c h n o l o g y c a n e f f e c t i v e l y i m p r o v e t h e t o t a l d o s e r a d i a t i o n r e s i s t a n c e o f d e v i c e s a n d a v o i d t h e p r o b l e m o f c h i p a r e a i n c r e a s e c a u s e d b y d e s i g n h a r d e n i n g 1-306020第1 4卷 第2期2 0 2 3年6月现 代 应 用 物 理MO D E R N A P P L I E D P HY S I C SV o l.1 4,N o.2J u n.2 0 2 3K e y W o r d s r a d i a t i o n h a r d e n i n g t o t a l d o s e e f f e c t s h a l l o w t r e n c h i s o l a t i o n 0 1 8 m B C D L DMO S 抗辐射电源管理芯片主要应用于宇航卫星、航天器及空间站等航天装备中的板载负载点电源系统1,是航天系统所需的主要核心元器件之一。随着航天整机系统不断发展,越来越多的电源系统需供电电源满足宽电压输入范围及大功率驱动能力等性能要求,且需具备一定的抗辐射能力,因此,有必要研究高压抗辐射电源产品。根据工艺不同,高压抗辐射电源产品可分为双极工艺产品和B i p o l a r-CMO S-DMO S(B C D)工艺产品。其中,基于B C D工艺的高压抗辐射电源产品具有较好的集成度和较高的转换效率,可广泛应用于各类航天飞行器、空间站、载人飞船、运载火箭等航天系统装备及宇航用电子设备。总剂量辐射效应是由于器件长期积累的辐射能量,使器件功能和性能参数发生退化的效应。电离辐射会在S i O2材料中产生电子 空穴对,空穴与电子以漂移与扩散的形式运输,电子迁移率高,室温下能快速漂移出氧化层;而空穴则输运较慢,有可能被陷阱中心俘获,同时由于外界电场的作用,空穴向界面处跃迁,被界面处深能级俘获形成界面态,界面态还会形成感生电子。总剂量辐射效应在S i O2层中形成正电荷积累,主要影响的结构为器件的栅氧化层和场氧化层,栅氧化层中积累的正电荷会造成器件的阈值电压漂移,主要表征为NMO S器件阈值负向漂移,PMO S器件阈值正向漂移;在场氧化层中,随着正电荷的积累,形成一个较大的电场,当电场强度达到一定程度时,则会造成S i/S i O2界面处的P型硅反型,导致场区侧壁的寄生管开启,形成漏电通道。因此,需针对场区进行总剂量加固。常规的场区加固工艺主要有2种:一是对浅沟槽隔离(s h a l l o w-t r e n c h i s o l a t i o n,S T I)场区进行离子掺杂注入,从而提高场开启电压,在总剂量辐照后,场区的开启电压退化后也能够达到接近常态特性的要求,该方案工艺难度低,但是会造成器件的击穿电压下降;二是对场区填充材料进行改性,减少净正电荷的积累,与第一种方案相比,难度更大。本文设计的L DMO S器件同时采用了上述2种方案对S T I场区进行加固,确保在提升器件总剂 量辐射能 力的同时减 少对器件 常态特性的影响。1器件结构及加固工艺基于B C D工艺研发的电源产品中,包含B i p o l a r,C MO S,L DMO S等 多 种 类 型 器 件。其 中,由 于L DMO S占据的芯片面积较大,对芯片的功能与性能有着最直接的影响。因此,L DMO S器件的抗辐射性能成为影响产品整体性能的关键因素之一2。针对0.1 8 m工艺C MO S器件的总剂量效应,国内外已有一定的研究34,研究结果表明,工艺尺寸为0.1 8 m时,栅氧的厚度较薄,总剂量效应的影响较小,与大尺寸器件相比,阈值电压的漂移已不明显。但S T I中正电荷累积形成的漏电通道将会显著增加器件的关态漏电 流5。在 之 前 的 研 究67中,基 于0.1 8 m C MO S工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,当辐照总剂量为5 0 0 k r a d(S i)时,加固的NMO S器件阈值电压无明显漂移,漏电流保持在1 0-1 2量级,表明加固设计可有效提高电路的抗总剂量辐射能力。由于L DMO S器件需更高的耐压能力,栅氧厚度比低压器件更厚,且在工艺过程中需更长时间的热过程,过多的热过程会影响到S T I场区掺杂引入杂质的分布,造成器件场区的开启阈值发生变化,因此,整体的抗辐射性能会更差,且加固难度也更大。国内外多家机构针对L DMO S器件的辐射问题进行了多方面的研究,包括总剂量效应、单粒子效应、高能中子/质子辐射效应等1,89,其中,针对器件总剂量效应的研究最为广泛,目前比较常用的加固方案仍然是采用版图设计加固1 01 1,如环栅、大头栅等结构,实现对器件边缘漏电通道的完全隔离,减小辐照后器件的关态漏电。但是这种结构必然会造成器件的面积更大,影响芯片的布局与应用。本文基于0.1 8 m B C D工艺,研制了一种具备抗总剂量辐射性能的N L DMO S器件,采用条栅结构,栅 氧 厚 度 约 为1 4 n m,引 入 漂 移 区 上 氧 化 层(M i n i-L O C O S)结构提升器件的耐压能力,通过工艺S T I场区优化进行抗总剂量辐射加固,图1为S I T场区加固示意图。S T I场区加固工艺主要采用材料改性与离子注入的方式,有意识地提高S T I/衬底界面处的P型硅反型阈值,抑制场区寄生结构的开启,阻断电路的漏电通道。S T I场区加固工艺可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免了因版图设计加固而造成的芯片面积增大问题。2-306020 谢儒彬 等:辐射加固L DMO S器件的总剂量辐射效应第2期图1 S T I场区加固示意图F i g.1 S c h e m a t i c d i a g r a m o f r a d i a t i o n-h a r d e n e d S T I本文研制的N L DMO S器件结构剖面如图2所示。器件采用F u l l y I s o l a t e d形式设计,通过埋层(N b u r r y)与深N阱(D-n w e l l)形成器件的电位隔离,以支持衬底非零电位的应用,这对用于高电流、高频开关应用的器件是至关重要的。器件通过N型轻掺杂形成N型漂移区(N-d r i f t),从而提升漏端(D r a i n)耐高压的能力,保证器件的安全工作电压。图2 N L DMO S器件结构剖面F i g.2 C r o s s s e c t i o n o f t h e N L DMO S d e v i c e s t r u c t u r e2实验过程及方法本文采用标准工艺和加固工艺同时制备同一种结 构 的N L DMO S器 件,器 件 宽 长 比W/L为2 0 m/0.2 m,栅氧化层电学厚度为1 4 n m,漂移区上氧化层结构厚度为3 0 n m,工作电压Vg=5 V,Vd=1 8 V,S T I隔离槽厚度为4 0 0 n m,评估器件的常态特性,包括转移特性和输出特性等。图3为标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件常态电学特性曲线。(a)Id-Vg(b)Id-Vd图3标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件常态电学特性曲线F i g.3 N o r m a l e l e c t r i c a l c h a r a c t e r i s t i c c u r v e s o fN L D M O S d e v i c e s f a b r i c a t e d b y s t a n d a r dp r o c e s s a n d h a r d e n e d p r o c e s s表1为标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件常态电学特性对比。由表1可知,加固工艺对器件的常态特性基本没有影响。表1标准工艺与加固工艺N L DMO S器件的常态电学特性对比T a b.1 C o m p a r i s o n b e t w e e n n o r m a l e l e c t r i c a l c h a r a c t e r i s t i c s o f s t a n d a r d a n d h a r d e n e d N L DMO S d e v i c e sD e v i c e t y p eD e v i c e s i z eI t e m sS t a n d a r d p r o c e s sH a r d e n e d p r o c e s s1 8 V N L DMO SW/L=2 0/0.2Vt h/V1.4 91.4 7Id s a t/(Am-1)3 0 9.2 73 1 1.0 4Io f f/(p Am-1)0.0 60.0 4Rd s o n/(mmm2)8.5 98.6 5B Vo f f/V3 3.3 03 3.1 03-306020第1 4卷现 代 应 用 物 理 对上述2种器件进行总剂量辐照实验,实验采用中国科学院新疆理化研究所6 0C o-射线源,辐照剂量率为5 0 r a d(S i)s-1,辐照偏置为ON偏置,即Vg=5 V,Vd=Vs=Vs u b=0,辐 照 总 剂 量 为1 0 0 k r a d(S i)。辐照前后,对样品进行电学特性测试,并监控器件的栅电流,确保样品在辐照过程中栅氧没有发生损伤。3实验数据分析图4为标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件1 0 0 k r a d(S i)辐照前后I-V特性曲线。由图4(a)和图4(c)可见,当辐照总剂量为1 0 0 k r a d(S i),标准工艺器件的关态漏电流已达到1 0-6量级,且存在明显的阈值漂移现象;由图4(b)和图4(d)可见,当辐照总剂量为1 0 0 k r a d(S i)时,加固后的N L DMO S关态漏电流仍然处于1 0-1 2量级,器件I-V特性曲线与辐照前基本一致,没有明显的阈值漂移问题。实验结果表明,加固后的NMO S器件抗总剂量辐射能力至少达到了1 0 0 k r a d(S i)水平,抗辐射性能显著提高。MO S晶体管的跨导定义为相对于栅电压的漏电流的变化,表示为G=IdVg(1)跨导有时也称晶体管的增益,是表征MO S电路线性区特性的一个重要参数,当器件宽长比一定时,直接反映了S i/S i O2界面或界面附近缺陷的散射作用对沟道载流子有效迁移率的影响。图5为加固工艺N L DMO S器件总剂量辐照前后跨导随沟道电压的变化关系。由图5可见,加固工艺制备的N L DMO S器件的跨导在辐照前后几乎没有变化,说明迁移率没有变化,辐照过程中在栅氧化层界面处没有产生明显的界面态。(a)S t a n d a r d p r o c e s s(Vd=0.1 V)(b)H a r d e n e d p r o c e s s(Vd=0.1 V)(c)S t a n d a r d P r o c e s s(Vd=1 8 V)(d)H a r d e n e d P r o c e s s(Vd=1 8 V)图4标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件1 0 0 k r a d(S i)辐照前后I-V特性曲线F i g.4Id-Vg c h a r a c t e r i s t i c c u r v e s o f s t a n d a r d a n dh a r d e n e d N L DMO S d e v i c e s a t 1 0 0 k r a d(S i)d o s e s图5加固工艺N L DMO S器件总剂量辐照前后跨导随沟道电压的变化关系F i g.5G v s.Vg f o r h a r d e n e d N L DMO S d e v i c e s b e f o r e a n d a f t e r t o t a l d o s e i r r a d i a t i o n4-306020 谢儒彬 等:辐射加固L DMO S器件的总剂量辐射效应第2期表2为标准工艺和加固工艺N L DMO S器件辐照前后的器件电学特性对比。由表2可知,标准工艺器件辐照后,除关态漏电明显增加以外,阈值电压减小了0.2 V,饱和电流增加了2 0 Am-1;同样的,加固工艺器件辐照后,关态漏电流和阈值电压都没有明显变化,而饱和电流却增加了1 0 Am-1。通 过 对 比 分 析 发 现,尽 管 加 固 工 艺 制 备 的N L DMO S器件的阈值电压没有发生明显变化,但饱和电流依然增大了。因此,分析认为,器件饱和电流的变化不仅仅受到阈值电压的影响,同时也受总剂量 辐 射 效 应 的 影 响。B o r e l等1 2研 究 表 明,N L DMO S器件在受到总剂量辐照后,场区氧化层中的正电荷积累会影响到器件漂移区的浓度分布,进而造成器件的饱和电流增大。但B o r e l等研究的L DMO S器件采用了M i n i-S T I的结构来提升漂移区的耐压能力,总剂量辐照在M i n i-S T I中形成了大量的正电荷积累,因此,饱和电流受到总剂量效应的影响较 为 明 显。本 文 中L DMO S器 件 中 并 没 有M i n i-S T I结构,但器件漂移区表面依然存在S i O2介质层,受总剂量效应的影响较小,因此饱和电流的变化量也较小。针对N L DMO S器件进行了多组样品的重复试验,器件结构与本文图1所示结构一致,辐照总剂量为0,1 0 0,1 5 0,2 0 0 k r a d(S i)时,辐照前后器件饱和电流Id s a t随总剂量的变化关系如图6所示。由图6可见,辐照后,N L DMO S器件的饱和电流确实会有轻微的增大。结合之前的分析结果,饱和电流的增大与漂移区中杂质浓度的分布有关。器件漂移区上覆盖有氧化层,在辐照偏置下,S i O2材料中激发出电子 空穴对,在氧化层电场的影响下,电子迅速迁移,氧化层内留下空穴,形成正电荷陷阱。正电荷陷阱在漂移区表面感生出电子,在漂移区表面形成积累区,造成漂移区的杂质浓度增加,因此器件的饱和电流发生了细微增大的现象。但随着总剂量的增加,氧化层中积累的正电荷达到饱和,饱和电流的增大也逐步趋于平缓,最终达到稳定状态。为进一步确认总剂量辐射效应对器件的影响,同样分析了辐照前后N L DMO S器件导通电阻Rd s o n随总剂量的变化关系,如图7所示。由图7可见,器件的导通电阻随着总剂量的增加逐步减小,但变化量很小,这也与器件饱和电流变化较小的情况相一致,也从侧面说明,N L DMO S器件的漂移区的杂质浓度发生了细微变化。图6辐照前后器件饱和电流随总剂量的变化关系F i g.6 D e v i c e s a t u r a t i o n c u r r e n t v s.t o t a l d o s e b e f o r e a n d a f t e r i r r a d i a t i o n图7辐照前后器件导通电阻随总剂量的变化关系F i g.7 D e v i c e o n-r e s i s t a n c e v s.t o t a l d o s e b e f o r ea n d a f t e r i r r a d i a t i o n表2标准工艺与加固工艺N L DMO S器件辐照前后的电学特性对比T a b.2 C o m p a r i s o n o f e l e c t r i c a l p r o p e r t i e s o f s t a n d a r d a n d h a r d e n e d N L DMO S d e v i c e sb e f o r e a n d a f t e r i r r a d i a t i o n D e v i c e t y p eP r o c e s s t y p eI t e m sP r e1 0 0 k r a d(S i)D e v i a t i o n1 8 V N L DMO SW/L=2 0 m/0.2 mS t a n d a r d p r o c e s sVt h/V1.4 61.2 6-0.2Id s a t/(Am-1)3 0 53 2 52 0H a r d e n e d p r o c e s sVt h/V1.4 11.4 10Id s a t/(Am-1)2 9 93 0 91 05-306020第1 4卷现 代 应 用 物 理4结论本文基于0.1 8 m B C D工艺,开发了一种具备抗总剂量辐射性能的N L DMO S器件,通过工艺加固措施提升了器件的抗总剂量辐射能力。对N L DMO S器件的抗辐射特性及常态特性进行测试分析,得出:(1)采用S T I场区加固工艺制备的N D LMO S器件,当总剂量为1 0 0 k r a d(S i)时,器件的阈值电压无明显漂移,且关态漏电维持在1 0-1 2量级,电学特性与辐照前几乎一致,说明本文所采用的加固工艺可有效提升器件的抗总剂量辐射水平;(2)标准工艺与加固工艺制备的N L DMO S器件电学特性表征一致,说明加固工艺对器件的常态特性基本没有影响;(3)总剂量辐射效应在器件漂移区上的氧化层中引入了正电荷积累,造成器件的N-d r i f t区表面掺杂浓度发生变化,因此器件在1 0 0 k r a d(S i)辐照后饱和电流增加了1 0 2 0 Am-1,导通电阻相应减小0.3 0.5 m mm2。该现象在标准工艺与加固工艺中均有出现,说明器件漂移区上的氧化层未在本文加固工艺的考虑中,后续将针对该氧化层的特性做进一步的研究。参考文献 1 D O D D P E S HAN E Y F E L T M R D R A P E R B L e t a l D e v e l o p m e n t o f a r a d i a t i o n-h a r d e n e d l a t e r a l p o w e r MO S F E T f o r P O L a p p l i c a t i o n s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 0 9 5 6 6 3 4 5 6 3 4 6 2 2 F E R NAN D E Z-MA R T I N E Z P P A L OMO F R D I E Z S e t a l S i m u l a t i o n o f t o t a l i o n i s i n g d o s e o n l d m o s d e v i c e s f o r h i g h e n e r g y p h y s i c s a p p l i c a t i o n s C 1 2 t h E u r o p e a n C o n f e r e n c e o n R a d i a t i o n a n d I t s E f f e c t s o n C o m p o n e n t s a n d S y s t e m s S e v i l l e S p a i n 2 0 1 1 3 8 4 3 8 9 3 F A C C I O F C E R V E L L I G R a d i a t i o n-i n d u c e d e d g e e f f e c t s i n d e e p s u b m i c r o n CMO S t r a n s i s t o r s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 0 5 5 2 6 2 4 1 3 2 4 2 0 4 J OHN S T ON A H S W I MM R T A L L E N G R e t a l T o t a l d o s e e f f e c t s i n CMO S t r e n c h i s o l a t i o n r e g i o n s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 0 9 5 6 4 1 9 4 1 1 9 4 9 5 HUGHE S H L B E N E D E T T O J M R a d i a t i o n e f f e c t s a n d h a r d e n i n g o f MO S t e c h n o l o g y D e v i c e s a n d c i r c u i t s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 0 3 5 0 3 5 0 0 5 2 1 6 谢儒彬 吴建伟 陈海波 等 S T I场区加固NMO S器件总剂量效应 J 太赫兹科学与电子信息学报 2 0 1 6 1 4 5 8 0 5 8 1 0 X I E R u-b i n WU J i a n-w e i CHE N H a i-b o e t a l T o t a l i o n i z i n g d o s e e f f e c t o n NMO S t r a n s i s t o r s w i t h r a d i a t i o n-h a r d i n S T I J J o u r n a l o f T e r a h e r t z S c i e n c e a n d E l e c t r o n i c I n f o r m a t i o n T e c h n o l o g y 2 0 1 6 1 4 5 8 0 58 1 0 7 WU J W YU Z G HONG G S e t a l A m e t h o d f o r s t r e n g t h e n i n g t h e t o t a l i o n i z i n g d o s e o f 0 1 8 m b u l k CMO S p r o c e s s C P r o c e e d i n g s o f t h e 2 0 1 8 I n t e r n a t i o n a l C o n f e r e n c e o n R a d i a t i o n E f f e c t s o f E l e c t r o n i c D e v i c e s I C R E E D 2 0 1 8 8 D I E Z S U L L A N M P E L L E G R I N I G e t a l R a d i a t i o n s t u d i e s o f p o w e r L DMO S d e v i c e s f o r h i g h e n e r g y p h y s i c s a p p l i c a t i o n s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 1 0 5 7 6 3 3 2 23 3 2 8 9 F E L I X J A S HAN E Y F E L T M R S C HWANK J R e t a l E n h a n c e d d e g r a d a t i o n i n p o w e r MO S F E T d e v i c e s d u e t o h e a v y i o n i r r a d i a t i o n J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 0 7 5 4 6 2 1 8 1 2 1 8 9 1 0 K UMA R M J A G P A L U B H I S B A S R A S e t a l T o t a l i o n i z i n g d o s e h a r d n e s s a n a l y s i s o f t r a n s i s t o r s i n c o mm e r c i a l 1 8 0 n m CMO S t e c h n o l o g y J M i c r o e l e c t r o n i c s J o u r n a l 2 0 2 1 1 1 5 1 0 5 1 8 2 1 1 王丹辉 赵元富 岳素格 等 高压L DMO S总剂量辐射效应研究 J 微电子学与计算机 2 0 1 5 3 2 1 0 8 28 6 WAN G D a n-h u i Z HAO Y u a n-f u YU E S u-g e e t a l T o t a l d o s e r a d i a t i o n e f f e c t s s t u d i e s o f h i g h v o l t a g e L DMO S J M i c r o e l e c t r o n i c s&C o m p u t e r 2 0 1 5 3 2 1 0 8 2 8 6 1 2 B O R E L T F UR I C S L E DU C E e t a l T o t a l i o n i z i n g d o s e e f f e c t i n L DMO S o x i d e s a n d d e v i c e s J I E E E T r a n s N u c l S c i 2 0 1 9 6 6 7 1 6 0 6 1 6 1 1 6-306020 谢儒彬 等:辐射加固L DMO S器件的总剂量辐射效应第2期