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模 拟 电 子 技 术习题答案电工电子教学部.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界各种物理量必要一方面通过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。2. 信号在频域中表达图形或曲线称为信号 频谱 。3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域变换。4. 各种信号各频率分量 振幅 随角频率变化分布，称为该信号幅度频谱。5. 各种信号各频率分量 相位 随角频率变化分布，称为该信号相位频谱。6. 周期信号频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 构成。7. 在时间上和幅值上均是持续信号 称为模仿信号。8. 在时间上和幅值上均是离散信号 称为数字信号。9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、频率响应 和 非线性失真 等重要性能指标是衡量放大电路原则。 11. 放大电路增益事实上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 能力。12. 放大电路电压增益和电流增益在工程上惯用“分贝”表达，其表达式分别是 、。13. 放大电路频率响应指是，在输入正弦信号状况下，输出随 输入信号频率持续变化 稳态响应。14. 幅频响应是指 电压增益模与角频率 之间关系 。15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号相位差与角频率 之间关系 。二、某放大电路输入信号为10pA时，输出为500mV，它增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： 属于互阻放大电路三、某电唱机拾音头内阻为1M，输出电压为1V（有效值），如果直接将它与10扬声器连接，扬声器上电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一种放大电路，它输入电阻Ri=1M，输出电阻Ro=10，电压增益为1，试求这时扬声器上电压。该放大电路使用哪一类电路模型最以便？解：直接将它与10扬声器连接， 扬声器上电压在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示扬声器上电压四、试阐明为什么常选用频率可持续变化正弦波信号发生器作为放大电路实验、测试信号源。用它可以测量放大电路哪些性能指标？答：由于正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再具有任何未知信息。并且任何信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量组合。正由于如此，正弦波信号常作为原则信号用来对模仿电子电路进行测试。用它可以测量放大电路输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压峰峰值分别为10A和25mV，输出端接4k电阻负载，测量到正弦电压信号峰峰值1V。试计算该放大电路电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap，并分别换算成dB数表达。解： 六、某音响系统放大电路幅频响应如图所示，放大电路带宽是多少？半功率点是哪两个点？半功率点处增益较中频区增益下降了多少分贝？折合比例为多少？ 答：带宽 = fH - fL =2104-202104Hz 半功率点指增益较中频区增益下降3dB频率点（即相应fH、fL），其输出功率约等于中频区输出功率一半。增益较中频区增益下降所折合比例为70.7。第二章 运算放大器一、填空题：1抱负运算放大器性能参数均被抱负化，即输入电阻为 无穷大 ，输出电阻为 零 ，开环电压增益为 无穷大 ，输出电压为 接近正负电源值 。2运算放大器有两个工作区。在 线性 区工作时，放大器放大小信号；当输入为大信号时，它工作在 非线性 区，输出电压扩展到 饱和值 。3运算放大器工作在线性区时，具备 虚短 和 虚断 两个特点，凡是线性电路都可运用这两个概念来分析电路输入、输出关系。4反相比例运算电路中集成运放反相输入端为 虚地 点，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对地电压基本上 相等 。5 同相 比例运算电路输入电流等于零，而 反相 比例运算电路输入电流等于流过反馈电阻电流。6 同相 运算电路电压增益Au1； 反相 运算电路电压增益Au0。7反相求和运算电路中集成运放反相输入端为虚地点，流过反馈电阻电流等于各输入端电流 和 。8 同相 比例运算电路输入电阻大，而 反相 比例运算电路输入电阻小。9 反相求和 运算电路可实现函数YaX1bX2cX3，a、b和c均不大于零。10 微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压； 积分 运算电路可将方波电压转换成三角波电压。二、选取题：1. 既有电路：A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 E. 加法运算电路 选取一种适当答案填入空内。 （1）欲将正弦波电压移相90O，应选用 D 。 （2）欲将正弦波电压叠加上一种直流量，应选用 E 。 （3）欲实现Au100放大电路，应选用 A 。 （4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 C 。 （5） A 中集成运放反相输入端为虚地，而 B 中集成运放两个输入端电位等于输入电压。2. 集成运放在作放大电路使用时，其电压增益重要决定于（ A ）。A. 反馈网络电阻 B. 开环输入电阻 C. 开环电压放大倍数三、计算题：1电路如图所示，其中R1=10k ，R2= R3= R4=51k 。试求：（1）输入电阻Ri；（2）vo与vi之间比例系数。（3）平衡电阻。解：（1） Ri=R1=10k(2) (3) 2电路如图所示，图中集成运放输出电压最大幅值为14V，试将计算成果填如表2.1中。 解：vO1(Rf /R) vI10 vI，vO2(1+Rf /R ) vI11 vI。当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是14V，就是14V。表2.1vI/V0.10.51.01.5vO1/V151014vO2/V1.15.511143求解图示电路中vO与vI之间运算关系。解：图示电路A1构成同相比例运算电路，A2构成差动运算电路。先求解vO1，再求解vO。4一高输入电阻桥式放大电路如图所示，试写出vo= f ()表达式（=R/R）。解： 5图示电路中，A1，A2，A3均为抱负运放。（1）A1，A2，A3分别构成何种基本运算电路；（2）列出vO1，vO2，vO表达式。解：（1）同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。 （2）6试写出图示加法器对vI1、vI2、vI3 运算成果：vO = f (vI1、vI2、vI3)。解：A2输出vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI37在图示电路中，已知输入电压vi波形如图（b）所示，当t0时，电容C上电压vC0。试画出输出电压vo波形。 解： 8设计一反相放大器，电路如图所示，规定电压增益Av=vo/vi=-10，当输入电压vi=-1V时，流过R1和R2电流不大于2mA，求R1和R2最小值。解：第三章 二极管及其基本电路一、填空题：1制作电子器件惯用材料重要采用 硅和锗 。2二极管最重要特性是 单向导电性 。3本征半导体是指 完全纯净、构造完整半导体晶体 。P型半导体中少子是 电子 ，多子是 空穴 ， N型半导体中少子是 空穴 ，多子是 电子 。4半导体中参加导电有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参加导电有 一 种载流子，是 电子 。5当环境温度升高时，二极管反向饱和电流IS将增大，这是由于此时PN结内部 B 。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小6半导体PN结中内电场E，是由 空间电荷区 产生，当将 反向 电压加在PN结两端时，其PN结内电场E增强。PN结 不易 （不易/容易）导通。7二极管导通时，其正向电压应当比门坎电压 高 （高/低），硅管正向导通电压约为 0.7 V，锗管正向导通电压约为 0.2 V。8稳压管是一种 特殊工艺制造面接触型硅二极管 二极管。除了用于限幅电路之外，重要用于稳压电路，其稳压性体当前电流增量 很大 ，只引起很小 电压 变化，此时稳压管应工作于 反向电击穿 区。9发光二极管正常工作时，外加 A 电压；而光电二极管正常工作时，外加 B 电压。A正向 B反向 C击穿10某只硅稳压管稳定电压Vz = 4v，其两端施加电压分别为+5V（正向偏置）和5V（反向偏置）时， 稳压管两端最后电压分别为 D 。A. +5V和-5V B. -5V 和+4V C. +4V和-0.7V D. +0.7V和-4V11PN结结电容涉及 扩散电容 和 势垒电容 。当在PN结两端施加正向电压时，空间电荷区将 变窄 ， 扩散 电容将增大。12发光二极管是将 电能转换成光能 器件；而光电二极管是将 光能转换成电能 器件。二、已知uI5sint (V)，二极管导通电压UD0.7V。试画出uI与uO波形，并标出幅值。三、二极管正向伏安特性曲线如图所示，室温下测得二极管中电流为20mA。试拟定二极管直流电阻RD和动态电阻rd大小。解：由图可见，ID=20mA时UD=0.67V，则直流电阻RD为过ID=20mA处，作一条切线，求切线斜率，可求得动态电阻rd为四、在下面图示电路中，设 uI =12sint（V），试分别画出iD、uD和uO波形（规定期间坐标对齐），并将二极管电流iD峰值和其所承受反向电压峰值标于图中（假定D为抱负二极管）。五、二极管电路如下图（a）所示，设输入电压波形如图（b）所示，试画出相应输出电vO波形。设二极管为抱负器件。六、二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管为抱负器件。解：（a）D导通，VAO=-6V （b）D截止，VAO=-12V（c）D1导通，D2截止，VAO=0V（d）D1截止，D2导通，VAO=-6V七、已知稳压管稳压值UZ6V，稳定电流最小值IZmin5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。解：八、图示电路中，稳压管2CW16具备下列特性：稳定电压9V，耗散功率容许值250mW，稳压管电流不大于1mA时不能稳压，且动态电阻不不不大于20。试按电路图中所给参数计算：（1） 当RL=1k 时，电流IR、IZ、IL大小；（2） 当电源电压UI变化20%时，UO最多变化几伏？（3） 稳压管在UI和RL变化至何值时功耗最大？其值与否已超过容许值？（U1变化范畴不超过20%，RL可任意变化。）（4） 按照图中参数，分析该电路在IL不不大于何值时将失去稳压能力？解：(1) ，IZ=12.6mA。(2) V(3) 当U变化+20%和RL时稳压管功耗最大。，超过容许值。(4) 当时，失去稳压能力。九、有两只稳压二极管DZ1、DZ2，其稳定电压分别为VZ1=6V、VZ2 =10V，两管正向导通电压降均为0.7V。如果将它们以不同方式串联后接入电路，也许得到几种不同电压值？试画出相应电路图。十、二极管电路如图所示，设二极管均为抱负二极管，vs=10sint（V）。（1）画出负载RL两端电压vo波形。（2）若D3开路，试重画vo波形。（3）若D3被短路，会浮现什么现象？（3）若D3被短路，则在输入电压正半周将使电源短路，烧坏电源。第四章 三极管及其放大电路4.1一、问答题：1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一种BJT？答：不能，由于BJT除了由两个背靠背PN构导致外，还需满足三个内部条件。2. BJT e极、c极能否互换使用？答：不能，由于e极、c极所相应区域掺杂浓度和横截面积均不相似。二、填空题：1. 三极管实现放大三个内部条件是（发射区掺杂浓度最高）、（基区最窄）、（集电区横截面积最大）。2. 三极管具备放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。3. 三极管工作在饱和区时，发射结（正偏）,集电结（正偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）,集电结（反偏）。4. 工作在放大区某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它约为（ 100 ）。 5. 工作在放大状态三极管，流过发射结电流重要是（多子扩散流），流过集电结电流重要是（漂移电流）。（扩散电流/漂移电流）6. 反向饱和电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）关于，而与外加电压（无关）。7测得某放大电路中三极管三个电极A、B、C对地点电位分别为-11、-6、-6.7，则A电极为（ 集电 ）极，B电极为（ 发射 ）极，电极为（ 基极 ）极。三、1从下图所示各三极管电极上测得对地电压数据中，分析各管类型以及它在电路中所处工作状态。（1） 是锗管还是硅管？（2） 是NPN型还是PNP型？（3） 是处在放大、截止或饱和状态中哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）提示：注旨在放大区，硅管，锗管，且0.7V；而处在饱和区时，。解： (a) NPN硅管，工作在饱和状态；(b) PNP锗管，工作在放大状态；(c) PNP锗管，管子b-e结已开路；(d) NPN硅管，工作在放大状态；(e) PNP锗管，工作在截止状态；(f) PNP锗管，工作在放大状态；(g) NPN硅管，工作在放大状态；(h) PNP硅管，工作在临界饱和状态。2测得放大电路中两只晶体管各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子，并分别阐明它们是硅管还是锗管。 3已知两只晶体管电流放大系数分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极电流如图所示。试分别求另一电极电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。四、电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V，=50。试分析UBB为0V、1V、1.5V三种状况下T工作状态及输出电压UO值。 解：（1）当UBB0时，T处在截止状态，UO12V。 （2）当UBB1V时，由于 （3）当UBB3V时，由于 五、(1) 有两只晶体管，一只200，ICEO200A；另一只100，ICEO10A，其他参数大体相似。你以为应选用哪只管子？为什么？答：应选用100，ICEO10A管子，可使管子在构成放大电路时温度稳定性高。(2) 当温度升高时，三极管（增大），反向饱和电流ICBO( 增大 ) ，UBE( 减小 )，最后导致集电极电流IC（增大）。(3) 三极管安全工作区受哪些极限参数限制？使用时，如果超过某项极限参数，试分别阐明将会发生什么成果。答：三极管安全工作区受PCM、ICM、U(BR)CEO三个极限参数限制。 PCM过大，集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度（硅管150，锗管70）时，BJT性能下降，甚至会烧坏。 ICM过大，BJT不一定会烧坏，但值将过小，放大能力太差。U(BR)CEO过大，使ICEO明显增大，导致集电结浮现雪崩击穿。4.2一、（1）放大电路构成原则有哪些？运用这些原则分析（2）题（2）试分析图示各电路与否可以放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。答：（1）放大电路构成原则：设立适当静态工作点（即保证发射结正偏，集电结反偏）； 保证交流信号畅通无阻。 （2）a. 不能，ui被VBB短路； b. 能； c. 不能，ui不能直接驮载在静态电压之上，其间需加隔直流电容器； d. 不能，发射极回路无电阻会使回路电流过大而烧坏BJT。此外实用电路中交、直流电源不能串联使用，它们电源负极需共地； e. 不能，电容C2将ui短路； f. 不能，无集电极电阻Rc会使输出信号被VCC短路。二、（1）在电子电路中，放大实质是什么？放大对象是什么？负载上获得电压或功率来自何处？（2）为什么要设立Q点？（3）由于放大电路中存在着电抗元件，其交、直流通路不相似，请回答如何画直流通路？如何画交流通路？答：（1）放大实质是对放大器件（即能量控制部件）控制作用。放大对象是交流小信号。负载上获得电压或功率来自直流电源。 （2）设立Q点目是保证输入交流小信号不失真地放大。 （3）直流通路：将电路中耦合和旁路电容作用去掉，即断路。 交流通路：对一定频率范畴内交流信号而言，耦合和旁路电容可视为短路； 对交流信号，电路中内阻很小直流电压源可视为短路；内阻很大直流电流源可视为开路。三、画出图示各电路直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。4.3一、在下图所示电路中，已知晶体管b80，r be1k，Ui20mV；静态时UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。判断下列结论与否对的，凡对在括号内打“”，否则打“”。 （1）（） （2）（） （3）（） （4）（） （5）（） （6）（） （7）（） （8）（）（9）（） (10) （） （11）20mV () （12）60mV () 二、电路如图所示，已知晶体管b50，在下列状况下，用直流电压表测晶体管集电极电位，应分别为多少？设VCC12V，晶体管饱和管压降VCES0.5V。（1）正常状况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路解：（1） （2） （3） （4） （5）三、放大电路直流负载线和交流负载线概念有何不同？什么状况下两条负载线重叠？答：直流负载线：由直流通路拟定，其斜率等于-1/Rc一条直线。交流负载线：由交流通路拟定，其斜率等于一条直线。由于，故交流负载线斜率不不大于直流负载线斜率。当负载RL断路时，交流负载线与直流负载线重叠。四、共发射极放大电路及三极管伏安特性如图所示。（1） 用图解法求出电路静态工作点，并分析这个工作点选得与否适当？（2） 在UCC和三极管参数不变状况下，为了把三极管集射极电压UCEQ提高到5V左右，可以变化哪些电路参数？如何变化？（3） 在UCC和三极管参数不变状况下，为了使ICQ=2mA，UCEQ=2V，应变化哪些电路参数，变化到什么数值？解：(1) ，可知静态工作位置在Q点，不适当； (2) 为了把三极管集电极电压UCEQ提高到5V左右，可以有各种Rc与Rb组合。若将静态工作点设立在Q点，则Rc保持不变，取Rb100k，故 IB90mA。(3) 应将静态工作点设立在Q点，可得：Rc=4K，Rb250K。五、电路如图（a）所示，该电路交、直流负载线绘于图（b）中。试求：（1）VCC、IBQ、ICQ、VCEQ值；（2）电阻Rb、Rc值；（3）输出电压最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流最大幅值是多少？解：（1）VCC=6V，IBQ=20A，ICQ=1mA，VCEQ=3V；（2）Rb VCC/ IBQ=300k，Rc=(VCC- VCEQ)/ ICQ=3 k；（3）Vom=4.5V-3V=1.5V；（4）Ibm20A六、单管放大电路如图所示，已知BJT电流放大系数b50。（1）估算Q点；（2）画出简化H参数小信号等效电路；（3）估算BJT输入电阻rbe和放大电路输入电阻Ri 、输出电阻Ro；（4）如输出端接入4k负载电阻，计算Av=vo / vi和Avs=vo / vs。解：（1）IBQ40A，ICQ=2mA，VCEQ=4V；（2）（3）rbe=863，Ri=Rb / rberbe，Ro= Rc=4 k；（4） 4.4一、引起放大电路静态工作点不稳定重要因素是什么？答：电源电压波动、元件参数分散性及元件老化、环境温度变化等。其中环境温度变化影响最大。二、电路如图所示，其偏置电路中热敏电阻Rt具备负温度系数，问能否起到稳定工作点作用？答：（a）能起到稳定工作点作用， （b）不能起到稳定工作点作用，三、电路如图所示，晶体管b60，。（1）求解Q点；（2）画出微变等效电路，并求、Ri和Ro； （3）设Us10mV（有效值），求UI、UO；若C3开路，求UI、UO 、Ri和Ro。解：（1）Q点： （2）微变等效电路： （3）设US10mV（有效值），则 若C3开路，则 四、电路如下图 (a)所示，已知晶体管=100，=100，UBEQ=0.7V。(1）试估算该电路静态工作点（ICQ，UCEQ）；(2）画出电路微变等效电路（C1，C2，Ce足够大）；(3）求该电路电压增益Au； (4）求输入电阻Ri 和输出电阻Ro；(5）当浮现下图 (b)所示失真时，请问是何种失真？若调节Rb2应当将其增大还是减小？解：(1）估算电路静态工作点(2）画微变等效电路 (3） (4） (5） 饱和失真，Rb2增大。4.5一、电路如图所示，晶体管b80，rbe=1k。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL和RL3k时电路和Ri； （3）求出Ro。解：（1）IBQ32.3A，IEQ2.61 mA，UCEQ7.17V；（2）（3）二、共基电路如图所示。射极电路里接入一恒流源，设b49，Rs0，RL。试拟定电路电压增益、输入电阻和输出电阻。解：三、按规定填写下表电路名称连接方式（e、c、b）性能比较（大、中、小）公共极输入极输出极RiRo 其他共射电路ebc大大中大针对固定式偏置电路共集电路cbe小大大小共基电路bec大小小大频带宽4.6一、判断图4.6.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别构成哪种基本接法放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。答：（a）共射共基；（b）共射共射；（c）共集共基。4.7一、选取对的答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位变化，可以得到它频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，变化频率 B.输入电压频率不变，变化幅值 C.输入电压幅值与频率同步变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降因素是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值降因素是 A 。 A.耦合电容和旁路电容存在 B.半导体管极间电容和分布电容存在。 C.半导体管非线性特性 D.放大电路静态工作点不适当 （3）当信号频率等于放大电路fL 或fH时，放大倍数值约下降到中频时 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB （4）对于单管共射放大电路，当f fL时，与相位关系是 C 。 A.45 B.90 C.135 当f fH时，与相位关系是 C 。 A.45 B.135 C.225二、已知某共射放大电路波特图如下图所示，试写出表达式并拟定电路中频增益Ausm、上限频率fH、下限频率fL。题4.7.2图解：Ausm=100 ， fH2.5105Hz ， fL10Hz三、已知某放大电路增益表达式为，试画出其波特图。并拟定电路中频增益Ausm、上限频率fH、下限频率fL。解：Ausm=32 ， fH=105Hz ， fL=10Hz第五章 场效应管放大电路一、填空题：1 FET有两种重要类型即（MOSFET） 和（JFET），FET是运用（电场效应）来控制其电流大小半导体器件。2在MOSFET中，从导电载流子带电极性来看，有（N沟道）管和（P沟道）管之分；而按照导电沟道形成机理不同NMOS管和PMOS管又各有（增强）型和（耗尽）型两种。因而，MOSFET有四种：（增强型N沟道管）、（增强型P沟道管）、（耗尽型N沟道管）和（耗尽型P沟道管）。3结型场效应管发生预夹断后，管子将进入（恒流）区工作。4增强型PMOS管启动电压（不大于零）。5当场效应管漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它低频跨导gm将（增大）。6 当UGS0V时，可以工作在恒流区场效应管有（结型管）、（耗尽型MOS管）。二、判断下列说法与否对的，用“”和“”表达判断成果填入空内。1结型场效应管外加栅-源电压应使栅-源间耗尽层承受反向电压，才干保证栅极电流iG0。（ ）2若耗尽型N沟道MOS管UGS不不大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）3增强型MOSFET由于栅极与源极、漏极均无电接触，故称绝缘栅极。那么，耗尽型MOSFET栅极将是不绝缘。（ ）4启动电压是耗尽型FET参数，而夹断电压是增强型MOSFET参数。（ ）三、绝缘栅场效应管漏源特性曲线如图题（a）（d）所示。阐明图（a）（d）曲线相应何种类型场效应管。依照图中曲线粗略地预计：启动电压UT、夹断电压UP和漏极电流IDSS或IDO数值。解： 图(a)：增强型N沟道MOS管，UT 3V，IDO3mA； 图(b)：增强型P沟道MOS管，UT -2V，IDO2mA； 图(c)：耗尽型型P沟道MOS管，UP 2V，IDSS2mA； 图(d)：耗尽型型N沟道MOS管，UP -3V，IDSS3mA。四、试写出如下FET符号所代表管子类型。五、已知场效应管输出特性曲线如图所示，画出它在饱和区转移特性曲线。解：在场效应管饱和区作横坐标垂线，读出其与各条曲线交点纵坐标值及UGS值，建立iDf（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图（b）所示。六、测得某放大电路中三个MOS管三个电极电位如下表所示，它们启动电压也在表中给出。试分析各管工作状态(截止区、饱和区、可变电阻区），并填入表内。解：由于三只管子均有启动电压，因此它们均为增强型MOS管。依照表中所示各极电位可判断出它们各自工作状态。管 号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态（N沟道管）T14513饱和区（P沟道管）T243310截止区（P沟道管）T34605可变电阻区七、四个FET转移特性分别如下图所示，其中漏极电流i D假定正方向是它实际方向。试问它们各是哪种类型FET？解： P沟道JFET N沟道耗尽型FET P沟道耗尽型FET N沟道增强型FET八、改正下图所示各电路中错误，使它们有也许放大正弦波电压信号。规定保存电路共源接法。 解：对照下图电路 （a）源极加电阻Rs。 （b）漏极加电阻Rd。 （c）也许放大正弦波电压信号 。 （d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD。 九、图示曲线为结型场效应管转移特性。试问：(1) IDSS、UP值为多大？(2) 依照给定曲线，估算当ID=1.5mA和ID=3.9mA时，gm约为多少？(3) 依照gm定义：，计算UGS= -1V和UGS= -3V时相相应gm值。解： (1) IDSS=5.5mA，UP=-5V；(2) ID=1.5mA时， ，ID=3.9mA时，； (3) 由可得UGS =-1V时，gm1.76mS， UGS =-3V时，g m0.88mS。十、已知下图(a)所示电路中场效应管转移特性和输出特性分别如图（b）（c）所示。（1） 运用图解法求解Q点；（2） 运用小信号等效电路求解Au、Ri和Ro（其中gm=1mS）。解：（1）在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。如下面解图（b）所示。在输出特性中作直流负载线uDSVDDiD(RdRS)，与UGSQ2V那条输出特性曲线交点为Q点，UDSQ3V。如下面解图（c）所示。 （2）一方面画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 十一、已知电路参数如下图所示，场效应管工作点上互导gm=1mS。（1）画出该电路小信号等效电路；（2）求电压增益Au；（3）求放大电路输入电阻Ri。 解：（1） （2）（3）十二、源极输出器电路如图所示，已知场效应管工作点上互导gm=0.8mS,其他参数如图中所示。画出该电路小信号等效电路；求电压增益Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 解： 第六章 模仿集成电路一、填空题：1将二极管、晶体管或场效应管、电阻等元器件及连接导线同步制作在 一块半导体硅基片 上，构成一种具备某种功能完整电路，这就是 集成电路 。2零漂是指 输入端短路时，输出端还存在缓慢变化信号电压，即输出电压偏离本来起始值而 上下漂动 。3放大电路输出级应有一定带负载能力，其输出电阻要 小 ，动态范畴要 大 。4集成运放内部电路普通包括四个基本构成某些，即 输入级 、 中间级 、 输出级 和 偏置电路 。5集成运算放大器与分立元件放大电路相比，虽然工作原理基本一致，但在电路构造上具备自己突出特点，如放大器之间都采用 直接 耦合方式，这样做是由于 集成工艺无法集成大电容 。6为了抑制漂移，集成运算放大器输入级普通采用 差分 放大电路，并运用恒流源或长尾电阻引入一种共模负反馈，以提高 共模抑制比 ，减小 零点漂移 。7电流源电路是模仿集成电路基本单元电路，其特点是 电流变化 小， 动态输出电阻 很大，并具备温度补偿作用。常作为放大电路有源负载或为放大电路提供稳定 直流偏置 。8共模信号是夹杂在输入信号中需要 抑制 信号，共模电压增益越 小 （大或小），阐明放大电路性能越好。9共模抑制比计算公式为 ，它描