高压超结mos管7A700V SVS70R600DE3参数规格书_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 1 页 7A, 700V 超结 MOS功率管 描述 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。 此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 特点 7A，700V，RDS(on)(typ.)=0.5VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 较强的雪崩能力 较强的 dv/dt 能力 较高的峰值电流能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 700 V VGS(th) 2.54.5 V RDS(on),max. 0.6 ID.pulse 28 A Qg.typ. 17 nC 1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-252-2L13TO-263-2L13TO-220F-3L312TO-251J-3L123 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS70R600DE3TR TO-252-2L 70R60DE3 无卤 编带 SVS70R600SE3TR TO-263-2L 70R600SE3 无卤 编带 SVS70R600MJE3 TO-251J-3L 70600MJE3 无卤 料管 SVS70R600FE3 TO-220F-3L 70R600FE3 无卤 料管 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - 700 - - V 栅源电压（静态） VGS - -30 - 30 V 栅源电压（动态） VGS AC(f1 Hz) -30 - 30 V 漏极电流 ID TC=25C - - 7 A TC=100C - - 4.4 A 漏极脉冲电流（注 1） IDM TC=25C - - 28 A 耗散功率(TO-252-2L)（TO-251J-3L） （注 2） PD TC=25C - - 71 W 耗散功率(TO-263-2L)（注 2） PD TC=25C - - 86 W 耗散功率(TO-220F-3L)（注 2） PD TC=25C - - 31 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=79mH，VDD=100V，RG=25， 开始温度TJ=25C - - 259 mJ 单脉冲电流 IAS - - - 2.4 A 体二极管 dv/dt VDS=0400V，ISD= IS，TJ=25C - - 15 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性 dv/dt VDS=0480V - - 50 V/ns 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存温度范围 Tstg - -55 - 150 C 连续二极管正向电流 IS TC=25C，MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结 - - 7 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 28 A 最大二极管整流速度 di/dt VDS=0400V，ISD= IS，TJ=25C - - 250 A/s 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 3 页 热特性 表 1. TO-252-2L(SVS70R600DE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 1.75 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.0 C/W 焊接温度（SMD） Tsold 回流焊：101 sec，3times 波峰焊：20-10 sec, 1time - - 260 C 表 2. TO-263-2L(SVS70R600SE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 1.45 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.5 C/W 焊接温度（SMD） Tsold 回流焊：101 sec，3times 波峰焊：20-10 sec, 1time - - 260 C 表 3. TO-251J-3L(SVS70R600MJE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 1.75 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.0 C/W 焊接温度（直插式） Tsold 20-15sec，1time - - 260 C 表 4. TO-220F-3L(SVS70R600FE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 4.0 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.5 C/W 焊接温度（直插式） Tsold 20-15sec，1time - - 260 C 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 4 页 电气参数(除非特殊说明，TJ=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 700 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=700V，VGS=0V，TJ=25C - - 1.0 A VDS=700V，VGS=0V，TJ=125C - 1.0 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V，VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250A 2.5 - 4.5 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=3.5A - 0.5 0.6 栅极电阻 RG f=1MHz - 8.8 - 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz，VGS=0V， VDS=100V - 694 - pF 输出电容 Coss - 30 - 反向传输电容 Crss - 0.6 - 开启延迟时间 td(on) VDD=350V，VGS=10V，RG=24，ID=7.0A (注 3,4) - 18 - ns 开启上升时间 tr - 31 - 关断延迟时间 td(off) - 38 - 关断下降时间 tf - 25 - 栅极电荷量 Qg VDD=560V，VGS=10V， ID=7.0A (注 3,4) - 17 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 6.5 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 7.1 - 栅极-平台电压 Vplateau - 7.5 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 源-漏二极管压降 VSD IS=7.0A，VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=7.0A，VGS=0V dIF/dt=100A/s (注 3) - 252 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 2.8 - C 反向恢复峰值电流 Irrm - 20 - A 注：注： 1. 脉冲时间5s； 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少： 0.57W/C(TO-252-2L)(TO-251J-3L)/0.69 W/C(TO-263-2L)/ 0.25 W/C(TO-220F-3L)； 3. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 传输特性漏极电流 ID(A)1502410漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)21046栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(on)(m)漏极电流 ID(A)图 4. 导通电阻vs.漏极电流60.110100注：1.250s 脉冲测试2.TJ=25 C80.30150.890.70.63注：TJ=25 C6830图 2. 输出特性漏极电流 ID(A)802410漏源电压 VDS(V)6注：1.250s 脉冲测试2.TJ=125 C8401漏源导通电阻 RDS(on)(m)栅源电压 VGS(V)图 5. 导通电阻vs.栅源电压04103.071.50.52.558注：ID=3.5A692.0TJ=25 CTJ=150 C栅源开启电压 VGS(th)(V)结温 TJ( C)图 6. 开启电压vs.温度特性1-10020065024-50100注：ID=250A0150366注：1.250s脉冲测试2.VDS=10V0.512-55 C25 C150 CVGS=20VVGS=10V0.41.0VGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=10VVGS=15V9VGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=10VVGS=15V2125 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 6 页 典型特性曲线(续) 0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压 BVDSS（标准化）结温 TJ( C)图 10. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻 RDS(ON)（标准化）图 11. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ ( C)1.2150注：1. VGS=0V2. ID=250A0.01.02.0-100-500501002003.01501.5注：1. VGS=10V2. ID=3.5A0.52.50.00.20.60.81.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图 7. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度0.11100101.0注：1.250s脉冲测试2.VGS=0V图 8. 电容特性图 9. 电荷量特性电容(pF)0200300600漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)00318总栅极电荷 Qg(nC)VDS=520VVDS=325VVDS=130V0.1100002468101291010001006注：ID=7.0A100400500注：1. VGS=0V2. f=1MHz150.4-55 C25 C150 CCissCossCrss1Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd1210-210-1100101100101102103102漏极电流 - ID(A)此区域工作受限于 RDS(ON)注:TC=25 C图 12-1. 最大安全工作区域(SVS70R600D/MJE3)漏源电压- VDS(V)DC10ms1ms100s10s 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 7 页 典型特性曲线(续) 耗散功率 - PD(W)温度 - TC ( C)图 13-1. 耗散功率VS.温度(SVS70R600D/MJE3)0100604020800507512517515025耗散功率 - PD(W)温度 - TC ( C)图 13-2. 耗散功率VS.温度(SVS70R600SE3)10-210-1100101100101102103102漏极电流 - ID(A)此区域工作受限于 RDS(ON)注:TC=25 C图 12-2. 最大安全工作区域(SVS70R600SE3)漏源电压- VDS(V)DC10ms1ms100s10s0204060801000255075100125150175耗散功率 - PD(W)温度 - TC ( C)图 13-3. 耗散功率VS.温度(SVS70R600FE3)01001510535050751251751502510-210-1100101100101102103102漏极电流 - ID(A)此区域工作受限于 RDS(ON)注:TC=25 C图 12-3. 最大安全工作区域(SVS70R600FE3)漏源电压- VDS(V)DC10ms1ms100s10s202530 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 8 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 9 页 封装外形图 TO-252-2L 单位：毫米 Eject pin（note1）Ac2A1cLHbeL4L1DEb3 AA1bb3cc2DEeHLL42.102.302.500.660.760.895.105.335.460.450.650.450.655.806.106.406.306.606.909.6010.1010.601.401.501.700.600.801.002.30TYPL12.90REF0.1270MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOL TO-263-2L 单位：毫米 A1c2HLAcEL1Db1bL2ee AA1bcDEL1LL24.304.574.720.710.810.910.300.608.509.359.8010.452.002.302.741.751.121.271.42H14.7015.75c21.171.271.37e2.54BSC00.100.25MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_1.00_ 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 10 页 封装外形图 TO-251J-3L 单位：毫米 AcA1cbeLL1DL2b5b4ETOP E-MARK1.30 0.2 AA1bb5cDEeL1LL22.182.302.390.891.001.140.560.891.050.460.615.976.106.276.356.606.732.29 BCS0.891.278.899.309.650.951.50b44.955.335.46MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ TO-220F-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.983.503.403.003.183.553.053.30MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 士兰微电子 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 http: / 共 11 页 第 11 页 重重要注意事项要注意事项： 产品名称： SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.2 修改记录： 1. 添加 SVS70R600MJE3 和 SVS70R600FE3 2. 更新 SVS70R600DE3 和 SVS70R600MJE3 打印名称 3. 更新 TO-263-2L 外形图 版 本： 1.1 修改记录： 1. 添加 SVS70R600SE3 2. 删除图 14 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。和完整。 我司产品属于消费类和我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。或民用类电子产品。 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 转售、应用、出口时请遵守中国、美国转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 我司网站我司网站 http: /