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单管共射放大电路的设计方法(译自University of Pennsylvania "The Common Emitter Amplifier"一
近做单管,发现课本里讲的大多都是分析方法,对于如何设计这种带有逆向思维的描述少之又少,问问百度知道不,可却也没几个合适的。不巧被我找到了个宾夕法尼亚大学的教程。从设计出发为我们增加了很多的难点。在平时解题的时候都是先求出静态工作点,然后在确定集电极射极回路的其他参数。然而放到设计的时候,应该按照什么顺序设计电路搞得我一头雾水。这只是简单的单管啊。下面我小翻译下这篇文章,与君共勉之。
单管共射放大电路的设计(Common Emitter BJT Amplifier Design)
设计前的需要注意的一些事项
1.设计时应该有发射极电阻(减小温度影响)
2.(1+beta)Re>>Rb 这里的Rb是基极电阻的总和R1||R2(稳定基极电位,此时IB远小于I1)
3.相对于信号源内阻,Rb过小会影响信号的输入,使其减小(减小电源内耗)
4.Rb增大的前提是相应的提高Re,但为此付出的代价是放大倍数的减小。
Gain=-Rc/Re 放大倍数与Re成反比(可在Re处加旁路电容,消除此影响)
5.对Re的交流旁路能够增加放大倍数,但是需要选择较大的旁路电容(容抗大小的选取和信号源的频率有关)
6.设计时我们应当多运用一些有用的经验估值
我们先讨论一下偏置和放大倍数设计时的矛盾关系
对于偏置电路(Bais):在(1+beta)Re>>Rb的条件下 ,Ie是由Ve和Vb共同决定的。这就意味着:Re越大偏置电路越稳定;另一方面Re越小放大倍数越大
对于电压增益(Gain):我们尽可能想得到大的Gain所以就得使得Re比较小。
讨论一下设计Bais和Gain时相互作用关系
我们想让Rb足够大以获得更多的信号(Rb相对Rs大一个数量级),而又受到了Re的牵连。所以对于Rb的选择我们有:
Rb>=10Rs 和 (1+beta)Re>=10Rb
另一方面我们想让静态工作点维持在电源电位一半的最佳位置。(过大会饱和失真,过小会截止失真)即Vcg=Vcc-IcRc 或者说我们让集电极-射极电压Vce,发射极电阻电压VRe,集电极电阻电压VRc满足(1:1:1)的这么一个规则,原文叫做"(1/3,1/3,1/3)Role"。此时Rc也就影响了bais和gain了。
好吧,下面我们开始具体设计这个放大电路
我们假定我们要达到的电气规格(electrical specification)是这样的:
Vsig-max=0.1V 信号电压最大值0.1v 信号源内阻Rs : 50Ω
电源电压Vcc : 12V 电压增益Av : 10
设计第一步 选择Re和Rb
之前说了Rb的选择应该与信号源内阻有关,于是我们选定Rb >> 10Rs 即Rb=100*50=5k。换做5%的标准为:
Rb=4.7k
而Re的选择与Rb有关,前面讨论过了(1+beta)Re >=10Rb。Re=10*Rb/beta=500 (我们假定贝塔100的管子)
Re=470
设计第二步 设置Rc
电气特性要求电压增益为10,那么根据Av=-Rc/Re很容易求得Rc=4.7k
Rc=4.7k
设计第三步 设计静态工作点(忽略Ib)
由于信号电压峰值0.1V,考虑的温度对静态工作点的影响。Ic的取值我们应该更多的考虑温度对工作点的影响。于是我们留出足够的余量:VRc=1/3Vcc=3.3V,我们这里选择4.7V。所以Ic=1mA
此时静态工作点的Ib电位应该就是IcRe+0.7=0.47+0.7=1.17V
这样我们就确定了静态工作点:Ic=1mA Vb=1.17V
设计第四步 偏置电路的分压网络
分压网络的总压是Vcc,总电阻是Rb我们已经得到。那么对于Rb1,Rb2我们很容易求出:
R1=50k=47k R2=5222=5.1k
自此整个电路设计就完成了
注意事项:
1、 为使Q点稳定,I1愈大于IB以及VB愈大于VBE愈好,但为兼顾其他指标,对于硅管一般选取:I1=(5---10)IB,VB=(3---5)V
2、 RC的作用:将IC的变化转变为UCE的变化
3、 rbe的估算:rbe=200+(1+beta)VT(mV)/IE(mA),条件是:当室温为(300K)时,VT=26Mv,且IE在(0.1mA---5mA)的范围内
4、 电容估算公式:
C1>=(3~10)/[2πf(Rs+rbe)]
C2>=(3~10)/[2πf(RC+RL)]
CE>=(1~3)/{2πf [RE//(Rs+rbe)/(1+β)]}
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