氯仿改性聚(3-己基噻吩)有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿.pdf

文章编号：1008-9357(2023)04-0358-07DOI:10.14133/ki.1008-9357.20230322001氯仿改性聚（3-己基噻吩）有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿蒋倩1,2，孙翠1，郭哲成3，刘雪蓉1，孙启浩1,3，段吉鹏1,2，朱小健1，李润伟1（1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201；2.中国科学院大学,北京100049；3.宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211）摘要：通过旋涂法制备了有机半导体聚（3-己基噻吩）（P3HT）薄膜，在二氯苯溶剂中引入氯仿对 P3HT 薄膜进行改性。以改性的 P3HT 薄膜作为沟道层，以离子凝胶作为电解质层制备了有机电化学晶体管（OECT）。通过原子力显微镜、紫外-可见光谱和拉曼光谱探究了氯仿改性对P3HT 薄膜粗糙度和分子有序度的影响，采用半导体参数仪研究了氯仿改性对材料电学性能的影响。实验结果表明，氯仿改性降低了 P3HT 薄膜的粗糙度，提高了分子排列的有序度。氯仿改性后的 OECT 在0.5V 和1.0V 的电脉冲刺激下呈现显著的神经突触兴奋脉冲电流响应特性，相比于未改性的器件，电导调控幅值分别增加了约 2 倍和 16 倍，且延长了其保持特性。基于氯仿改性 OECT的人工神经突触网络将 MNIST 手写数字识别准确率从 73.6%提高至 92.7%，有望在高性能神经形态计算方面发挥重要作用。关键词：有机电化学晶体管；P3HT；突触可塑性；人工神经网络；神经形态计算中图分类号：TN389文献标志码：APoly(3-hexylthiophene)Based Organic Electrochemical TransistorOptimized with Chloroform and Its Synaptic Function EmulationJIANGQian1,2,SUNCui1,GUOZhecheng3,LIUXuerong1,SUNQihao1,3,DUANJipeng1,2,ZHUXiaojian1,LIRunwei1（1.NingboInstituteofMaterialsTechnologyandEngineering,ChineseAcademyofSciences,Ningbo315201,Zhejiang,China;2.UniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China;3.FacultyofElectricalEngineeringandComputerScience,NingboUniversity,Ningbo315211,Zhejiang,China）Abstract:The organic semiconductor poly(3-hexylthiophene)(P3HT)film prepared by the spin-coating method isoptimizedbydichlorobenzene(o-DCB)solventaddedwithchloroform(CF).Theorganicelectrochemicaltransistor(OECT)isobtainedusingtheoptimizedP3HTfilmasthechannellayerandiongelastheelectrolytelayer.TheeffectofCFontheroughnessandmolecularorderofP3HTfilmisinverstigatedbyatomicforcemicroscopy,UV-visiblespectroscopyand收稿日期：2023-03-22基金项目：国家重点研发计划项目(2021YFA1202600)；国家自然科学基金(92064011、62174164、61974179、U22A2075)；中国科学院青年创新促进会项目(2020297)；浙江省自然科学基金项目(LR23E020001)；宁波市自然科学基金(202003N4029)作者简介：蒋倩(1998)，女，硕士生，主要研究方向为用于神经形态计算的电解质栅控晶体管。E-mail：通信联系人：孙翠，E-mail：；朱小健，E-mail：引用格式：蒋倩,孙翠,郭哲成,刘雪蓉,孙启浩,段吉鹏,朱小健,李润伟.氯仿改性聚（3-己基噻吩）有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿 J.功能高分子学报，2023，36（4）：358-364.Citation：JIANGQian,SUNCui,GUOZhecheng,LIUXuerong,SUNQihao,DUANJipeng,ZHUXiaojian,LIRunwei.Poly(3-hexylthiophene)BasedOrganicElectrochemicalTransistorOptimizedwithChloroformandItsSynapticFunctionEmulationJ.JournalofFunctionalPolymers,2023,36（4）:358-364.功能高分子学报Vol.36No.4358JournalofFunctionalPolymers2023年8月Ramanspectroscopy.TheeffectofCFoptimizationontheelectricalpropertiesofthematerialisstudiedwithasemiconductorparametricanalyzer.ResultsshowthatCFintroductionreducestheroughnessofP3HTfilmandimprovestheorderdegreeofP3HTmoleculararrangement.TheCF-optimizedOECTexhibitssignificantsynapticexcitatorypulsecurrentcharacteristicsunderthestimulationof0.5Vand1.0Velectricpulses.ComparedtothedevicewithoutCFoptimization,theamplitudeofconductance regulation is increased by about twice and 16 times,respectively,along with the improved retentionperformance.ThesimulationresultsshowthattheaccuracyoftheneuralnetworkbasedontheCF-optimizedOECTinrecognizingMNIST（ModifiedNationalInstituteofStandardsandTechnology）handwrittendigitsisincreasedfrom73.6%to92.7%.Thisdeviceisexpectedtoplayanimportantroleinlarge-scaleneuromorphiccomputingapplications.Key words:organicelectrochemicaltransistor；P3HT；synapticplasticity；artificialneuralnetwork；neuromorphiccomputing大数据时代的蓬勃发展对计算机算力提出了更高需求，然而，基于冯诺依曼架构的传统计算机处理器和内存单元分离，导致计算效率受限、传输延时和高功耗等问题，使其难以满足时代发展的需求。受人脑高效信息处理方式启发的神经形态计算因具有高效、低延迟和低功耗等优势受到了广泛关注。神经形态计算技术的关键是模拟生物神经突触可塑性，通过可逆调控神经形态器件电导状态可模拟生物突触可塑性，因此神经形态硬件作为类脑芯片的基本单元被相继开发1-3。在众多新型神经形态器件中，由离子型电解质和有机半导体沟道层组成的有机电化学晶体管（OECT）4因具有良好的操作稳定性、耐久性、超低功耗等特点而备受关注。施加在 OECT 栅极上的电压脉冲可以驱动栅介质层中的可移动离子向介质层/有机半导体层界面迁移形成静电效应或电化学掺杂来调控源漏沟道的电导5。器件电导调控的过程类似于神经突触的权重变化，可实现对突触可塑性的模拟。例如，Lenz 等6制备了一种基于二酮吡咯并吡咯-三噻吩供体-受体聚合物（PDPP）的 OECT，成功实现了短时程可塑性（双脉冲易化）和长时程可塑性等突触功能的模拟。然而，大多数沟道层薄膜俘获离子的能力十分有限，电导调控范围较窄，影响了器件可利用电导态数目。聚（3-己基噻吩）（P3HT）是一种聚噻吩有机半导体，其成膜性好且载流子迁移率高7。前期研究表明，通过控制溶液配比、退火温度和成膜速率8-12可改善沟道层表面形貌并提高其结晶有序度，增强沟道层载流子迁移率和离子俘获能力，有望显著提升器件电导调制窗口。本 文 分 别 以 邻-二 氯 苯（o-DCB）和 邻-二 氯 苯/氯 仿（o-DCB/CF）作 为 溶 剂 制 备 得 到 P3HT 薄 膜（o-DCBP3HT 和 o-DCB/CFP3HT）及其器件（o-DCBOECT 和 o-DCB/CFOECT），探索溶剂对 P3HT 薄膜性能和 OECT 电学性能的影响。研究表明，o-DCBP3HT 薄膜具有优异的表面形貌，将其作为沟道层制备的OECT 表现出更大的电导可调窗口和更高的兴奋性突触后电流（EPSC），这归因于氯仿改性导致的 P3HT 薄膜表面粗糙度的降低及 P3HT 分子排列有序度的提高。相比于未经氯仿改性的 OECT，改性后的 OECT 可调电导态数目提高了约 16 倍，其人工神经网络对 MNIST（ModifiedNationalInstituteofStandardsandTechnology）手写数字的识别准确率从 73.6%提高至 92.7%。这项研究通过溶剂优化 P3HT 薄膜形貌与结晶度,提高了器件电导调制窗口，为研制高性能 OECT 器件提供了新的思路。1 实验部分 1.1 原料和试剂P3HT：重均分子量 2.51045.0104，立构规整度 90%100%，上海阿拉丁生化科技股份有限公司；聚（偏二氟乙烯-co-六氟丙烯）（P（VDF-HFP）：w98%，上海麦克林生化科技有限公司；1-乙基-3-甲基咪唑双(三氟甲基磺酰基)亚胺（EMITFSA）：w98%，安徽泽升科技有限公司；o-DCB：w99%，上海阿拉丁生化科技股份有限公司；氯仿（CF）：分析纯，国药集团化学试剂有限公司；丙酮（AC）：分析纯，国药集团化学试剂有限公司。1.2 器件制备基于 P3HT 的 OECT 制备流程如图 1 所示。第4期蒋倩，等：氯仿改性聚（3-己基噻吩）有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿359第 1 步为电极生长：实验采用 Si 基片作为器件衬底，并依次在丙酮、酒精和去离子水中对 Si 基片进行超声清洗；然后将具有电极图案的金属掩模版覆盖在衬底上，通过电子束蒸镀沉积厚度为 50nm 的 Au 作为晶体管的栅极、源极和漏极，平面共栅结构可以同时使电极图案化；晶体管沟道长为 1600m，宽为 100m。第 2 步为沟道层薄膜的制备：首先将 P3HT 粉末溶于 o-DCB/CF（体积比为 21）混合溶剂中，并在磁力搅拌器 40 油浴下搅拌 2h 获得 P3HT 溶液(104mg/L)；然后利用匀胶机将滴涂在源漏沟道之间的 P3HT 溶液以1500r/min 的转速旋涂 30s；最后在 70 下连续固化 1h，制备得到 P3HT 沟道层薄膜。第 3 步为电解质层离子凝胶膜的制备：首先将 P(VDF-HFP)、离子液体 EMITFSA 和丙酮以质量比147 置于磁力搅拌器，在 40 下以 500r/min 的转速搅拌 4h 共溶于丙酮中；然后将其旋涂在玻璃基片上铺展成膜，为了去除残留的溶剂，将旋涂所得的离子凝胶膜放入 80 的真空干燥箱中 24h；最后用干净的刀片将其切割成合适的形状和尺寸，再转移至器件表面并连通源漏沟道和栅极以完成晶体管制造13。1.3 样品表征使用美国 Keithley 公司 Lake-shore 探针台搭配 4200A 半导体参数分析仪对 OECT 的电学性能进行表征，室温大气环境；用德国 Bruker 公司 Dimension3100 原子力显微镜（AFM）对 P3HT 薄膜的形貌进行表征；用美国 Perkin-Elmer 公司 Lambda950 紫外-可见-近红外分光光度计获取 P3HT 薄膜的紫外-可见（UV-Vis）光谱；用英国 Renishaw 公司 InViaReflex 拉曼光谱仪获取 P3HT 薄膜的拉曼光谱。2 结果与讨论 2.1 P3HT 薄膜的表面形貌为了研究溶剂对 P3HT 薄膜的影响规律，通过 AFM 观察了基于不同溶剂配制的 P3HT 薄膜的微观形貌。图 2(a，b)分别显示了 o-DCBP3HT 和 o-DCB/CFP3HT 的 AFM 形貌。可以清晰地观察到，o-DCBP3HT的表面起伏较大，平均粗糙度（Ra）为 3.87nm。相比之下，o-DCB/CFP3HT 的表面平整，起伏较小，其平均粗糙度（0.82nm）比o-DCBP3HT 的相应值更小。o-DCBP3HT 和 o-DCB/CFP3HT 的光学显微图像如图 2（c）所示，可以观察到 o-DCBP3HT 表面存在较大的颗粒团聚且分布不均，而 o-DCB/CFP3HT 表面颗粒分布均匀。以上结果表明，氯仿改性后的 P3HT 薄膜表面更加平整，表面颗粒的均一性提高，薄膜质量得以改善。更加平整均匀的有机半导体薄膜有利于其和电极的完好接触，促进载流子的传输，从而获得更好的器件性能14。2.2 P3HT 薄膜的紫外-可见光谱及拉曼光谱进一步地，本文对基于不同溶剂制备的 P3HT 薄膜的光谱特性进行表征，以探究氯仿改性对 P3HT 薄膜分子排列有序性的影响。氯仿改性前后 P3HT 薄膜的紫外-可见光谱如图 3(a，b)所示，o-DCBP3HT 于611nm 处存在肩峰，499nm(Peak1)、561nm(Peak2)处存在 2 个吸收峰，氯仿改性后，499、561nm 处的 2 个吸收峰分别红移至 509nm 和 565nm，说明 P3HT结晶度提高，分子链的有序性提升15。这是因为 o-DCB 是Step 1ElectrodefabricationMask templateElectron beam evaporationSi substrateP3HT,o-DCB/CFSpinSpinCutTransferP(VDF-HFP),EMITFSA,ACIon gelStep 3Electrolyte layerfabricationStep 2Channel layerfabrication图1基于P3HT的OECT制备流程图Fig.1FlowchartofP3HT-basedOECTdevicefabrication360功能高分子学报第36卷一种高沸点溶剂，退火后仍有部分残留在 P3HT 内，影响载流子迁移，而加入低沸点溶剂氯仿可以在增加P3HT 自组装成膜时间的同时避免溶剂残留，从而使得 P3HT 分子排列的有序性增加，产生更长的-共轭，形成良好的互穿网络结构11。以上结果说明氯仿改性后的 P3HT 薄膜分子排列更有序,分子链相互作用增强，载流子迁移率也随之提高15,16。400499(Peak 1)561(Peak 2)o-DCBFitted curve6111.0(a)0.50500600Wavelength/nmNormalized absorbance700800400o-DCB/CFFitted curve6105655091.0(b)0.50500600Wavelength/nmNormalized absorbance7008001 3501 3781 448o-DCBo-DCB/CF(c)1 400Wave number/cm11 4501 5001 3501 3771 446(d)1 400Wave number/cm11 4501 500图3(a)o-DCBP3HT和(b)o-DCB/CFP3HT的紫外-可见光谱；(c)o-DCBP3HT和(d)o-DCB/CFP3HT的拉曼光谱Fig.3UV-Visspectraof(a)o-DCBP3HTand(b)o-DCB/CFP3HT;Ramanspectraof(c)o-DCBP3HTand(d)o-DCB/CFP3HT基于不同溶剂制备的 P3HT 薄膜在 13501500cm1范围内的拉曼光谱如图 3(c，d)所示。1375cm1和 1450cm1附近的拉曼峰分别代表噻吩环内 CC 骨架拉伸和平面内环骨架上对称 C=C 拉伸振动，两者都对 P3HT 分子的 电子离域（共轭长度）显示出高敏感性17。氯仿改性后的 P3HT 薄膜对称 C=C 伸缩振动的拉曼峰峰位向低波数移动，表明氯仿改性有助于区域规整的 P3HT 呈现高度-分子堆积，导致其在长波长处吸收峰以及载流子迁移速率增加，从而使得 P3HT 更趋于形成有序相，获得更高的导电率。拉曼谱图结果23.4 nm23.4 nm17.9 nm2.8 nm20 m151055101520 mRa=3.87 nmRa=0.82 nm23.4 nm23.4 nm17.9 nm2.8 nm20 m151055101520 mHeight sensorHeight sensor(a)(c)(b)o-DCBo-DCB/CFo-DCBo-DCB/CF4 m4 m图2(a)o-DCBP3HT和(b)o-DCB/CFP3HT的AFM图像；(c)两种P3HT薄膜的光学显微镜照片Fig.2AFMimagesof(a)o-DCBP3HTand(b)o-DCB/CFP3HT;(c)OpticalmicroscopeimagesofthetwoP3HTfilms第4期蒋倩，等：氯仿改性聚（3-己基噻吩）有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿361进一步证明氯仿改性有助于获得高质量的 P3HT 薄膜。2.3 基于 P3HT 的 OECT 的电学性能为了进一步验证氯仿改性的 P3HT 有机半导体薄膜可以提高器件的电学性能，本文以 o-DCB/CFP3HT作为沟道层、离子凝胶作为电解质层制备了共平面栅极结构的 OECT 器件(o-DCB/CFOECT)，同时以o-DCBP3HT 制备的 OECT 器件(o-DCBOECT)作为对照组。基于 P3HT 薄膜的 OECT 器件结构如图 4(a)所示，栅极分布在源漏沟道一侧作为突触前端，源漏沟道作为突触后端。在栅极上施加扫描区间为1.0V1.0V1.0V 的电压（Vg），源漏电极间施加0.5V 的恒压（Vds）来监测栅极调控下沟道电流（Ids）的变化，获得基于氯仿改性前后 P3HT 薄膜的 OECT 转移特性曲线，如图 4(b，c)所示，器件均在负栅极电压下实现电导调制，并在 Vg的正向和反向扫描之间观察到回滞现象。o-DCBOECT 显示出较小的回滞窗口，这主要归因于 P3HT 薄膜质量不佳，导致 TFSA离子难以掺杂进入P3HT 中，且在去除栅极电压后容易自发扩散回电解质中。与 o-DCBOECT 相反，o-DCB/CFOECT 获得了明显的回滞，即其电导调制窗口更大，这是由于改性后的 P3HT 薄膜有利于载流子迁移，电解质中的 TFSA离子易于注入沟道 P3HT 薄膜并被稳定地保留在沟道中，从而获得更多可调制的中间电导态，可被应用于更准确的生物突触可塑性模拟。为了评估基于氯仿改性 P3HT 薄膜制备的 OECT 在生物突触功能模拟应用中的性能，本文探究了 OECT对栅极电压脉冲的电流响应特性。o-DCBOECT 和 o-DCB/CFOECT 在不同幅值的单个栅极电压脉冲刺激（脉宽 Tp=50ms）下产生的 EPSC 如图 4(d，e)所示，o-DCBOECT 在0.5V 和1.0V 电压脉冲下引起的EPSC 分别为 0.96nA 和 3.08nA，而 o-DCB/CFOECT 在相同幅值的刺激下可达 2.08nA 和 49.94nA。EPSC的结果表明器件在不同幅值的脉冲刺激下，EPSC 幅值均迅速增加，然后再逐渐衰减，并且 EPSC 幅值均随栅极电压增大而增大。然而，在相同的电压条件下，o-DCB/CFOECT 具有更大的 EPSC 幅值，分别约为 o-DCBOECT 的 2 倍和 16 倍。这是由于 o-DCB/CFP3HT 具有更平整的表面形貌，有利于载流子的迁移，因此产生了更高的沟道电流。本文对1.0V 栅极电压脉冲后 o-DCBOECT 和 o-DCB/CFOECT 的 EPSC 衰减过程进行拟合，得到的弛豫时间常数（）分别为 0.085s 和 0.317s（图 4（f），表明 o-DCB/CFOECT 具有更好的电导调控稳定性。这是因为改性前的 P3HT 薄膜质量较差，当施加栅极电压时，离子凝胶中的 TFSA离子难以渗入 P3HT 薄膜中，因此 EPSC 会在短时间内衰减回初始状态。相比之下，改性后的 P3HT 薄膜结晶度增加，大量 TFSA离子渗透至 P3HT 薄膜，即使去除栅极电压，被束缚的离子也难以自发扩散回到电解质中，从而导ElectrolyteSi substrateAu30(b)o-DCB(a)20|Ids|/AIds1/2/mA1/2Ids1/2/mA1/2101.0 0.50VVds=0.5 VVds=0.5 Vg/VVg/VVg=1.0 V0.51.006452301P3HT30(c)o-DCB/CF20|Ids|/A101.0 0.50Vg/V0.51.0064523015(d)o-DCBIds/nA00.5 V0.96 nA3.08 nA1.0 Vt/st/s0432115 10 15 20 0 5 10 15 20Vg/V50(e)o-DCB/CFIds/nA00.5 V2.08 nA49.94 nA1.0 Vt/st/s04021015 10 15 20 0 5 10 15 200.3(f)0.2/s0.1o-DCB0.085o-DCB/CF0.31700.4图4(a)基于P3HT的OECT结构示意图；(b)o-DCBOECT和(c)o-DCB/CFOECT的转移特性曲线；(d)o-DCBOECT和(e)o-DCB/CFOECT在0.5V和1.0V电脉冲刺激下的EPSC；(f)两种OECT在1.0V电压脉冲刺激下的弛豫时间常数Fig.4(a)SchematicdiagramofOECTbasedonP3HT;Transfercharacteristiccurvesof(b)o-DCBOECTand(c)o-DCB/CFOECT;EPSCof(d)o-DCBOECTand(e)o-DCB/CFOECTunder0.5Vand1.0Velectricalpulsestimulation;(f)Relaxation-timeconstantsofthetwoOECTsunder1.0Velectricalpulsestimulation362功能高分子学报第36卷致了更长的衰减时间9。以上结果表明，氯仿改性后的 P3HT 薄膜显著增加了器件电导的可调范围并提高了器件电导的保持特性。最后，本文基于不同 P3HT 薄膜制备的 OECT 构建了监督学习的人工神经网络，用于 MNIST 手写数字准确性识别。这种监督学习包括多层感知人工神经网络的离线训练、突触晶体管的权重更新和手写数字模式识别的测试18。图 5(a)所示为用于训练和推理的人工神经网络结构示意图，包含 784 个输入神经元（对应具有 2828 像素的手写数字 09）、784 个隐藏神经元以及 10 个输出神经元（对应 10 个数字）。在训练过程中，根据器件的电导调制窗口范围，我们限定了可用于训练的电导态数目。o-DCBOECT 由于较小的电导调制窗口，仅设置了 3 个可用于训练的电导态，而 o-DCB/CFOECT由于具有更大的电导调制窗口和更优异的电导保持特性，可用于训练的电导态增加至 49 个。图 5(b，c)的色彩混淆矩阵分别显示了基于 o-DCBOECT和 o-DCB/CFOECT 的人工神经网络的分类结果，像素亮度表示相应结果的准确性。在经过 60 次训练后，基于 o-DCBOECT 的神经网络可以识别 73.6%的手写数字，而基于 o-DCB/CFOECT的人工神经网络可将准确率提高到 92.7%（图 5（d）。这一结果证明，氯仿改性后的 P3HT 薄膜可有效拓宽 OECT 的电导调制范围，更多的可调电导态与稳定的电导保持特性有利于提高其在神经形态计算过程中的准确率与容错率。因此，基于氯仿改性的 P3HT 薄膜制备的 OECT 有望在复杂突触功能模拟和神经形态计算中发挥重要作用。3 结论（1）通过在二氯苯溶剂中引入氯仿，实现了对 P3HT 薄膜的质量优化。相比于由二氯苯溶剂制备的 P3HT薄膜，氯仿改性后的 P3HT 薄膜表面粗糙度降低（Ra=0.82nm），分子有序度提高。（2）以氯仿改性的 P3HT 薄膜作为沟道层制备的共平面 OECT 器件表现出典型的兴奋性脉冲电流响应特性，其电导调制窗口及调制幅值明显增加。基于氯仿改性后的 OECT 构建的人工神经网络对 MNIST 手写数字识别准确率可达 92.7%。参考文献：KIMSJ,JEONGJS,JANGHW,YIH,YANGH,JUH,LIMJA.Dendriticnetworkimplementableorganicneurofibertransistors101234567890 1 2 3 4True labelPredict label5 6 7 8 901234567890 1 2 3 4True labelPredict label5 6 7 8 91.00.80.60.40.20100806040200o-DCBAccuracy rate/%o-DCB/CF73.6%92.7%Input layer784Hidden layer7842828Output layer10Output(a)(b)o-DCB(c)o-DCB/CF(d)图5(a)基于P3HT的OECT神经网络的MNIST图像识别；基于(b)o-DCBOECT和(c)o-DCB/CFOECT的识别混淆矩阵图；(d)两种OECT网络的识别准确率对比Fig.5(a)AneuralnetworkbasedonP3HTOECTforMNISTimagerecognition;Identificationconfusionmatrixdiagrambasedonthe(b)o-DCBOECTand(c)o-DCB/CFOECT;(d)ComparisonoftherecognitionaccuracyforthenetworksbasedonthetwoOECTs第4期蒋倩，等：氯仿改性聚（3-己基噻吩）有机电化学晶体管及其神经突触功能模仿363withenhancedmemorycyclicenduranceforspatiotemporaliterativelearningJ.AdvancedMaterials，2021，33（26）：2100475.KIMY,CHORTOSA,XUW,LIUY,OHJY,SOND,KANGJ,FOUDEHAM,ZHUC,LEEY,NIUS,LIUJ,PFATTNERR,BAOZ,LEETW.AbioinspiredflexibleorganicartificialafferentnerveJ.Science，2018，360（6392）：998-1003.2DAIS,ZHAOY,WANGY,ZHANGJ,FANGL,JINS,SHAOY,HUANGJ.Recentadvancesintransistor-basedartificialsynapsesJ.AdvancedFunctionalMaterials，2019，29（42）：1903700.3RIVNAYJ,INALS,SALLEOA,OWENSRM,BERGGRENM,MALLIARASGG.OrganicelectrochemicaltransistorsJ.NatureReviewsMaterials，2018，3（2）：17086.4竺立强.电解质调控场效应晶体管及其人造突触器件应用J.中国材料进展，2017，36（10）：742-755.ZHULQ.Electrolytegatedfield-effecttransistorsandartificialsynapticdeviceapplicationsJ.MaterialsChina，2017，36（10）：742-755.5LENZ 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P3HT/PCBM 异质结活性层光电转换效率的影响 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Organic Electrochemical Transistor Optimized with Chloroform and Its Synaptic Function EmulationJIANG Qian,SUN Cui,GUO Zhecheng,LIU Xuerong,SUN Qihao,DUAN Jipeng,ZHU Xiaojian,LI RunweiJournal of Functional Polymers,2023,36(4):358-364.The organic semiconductor poly(3-hexylthiophene)(P3HT)film was optimized by adding chloroform(CF)to the dichlorobenzene(o-DCB)solvent