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选取题
1. 光通量单位是（ B ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
2. 辐射通量φe单位是（ B ）
A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)
3.发光强度单位是（ A ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
4.光照度单位是（ D ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
5.激光器构成普通由（ A ）构成
A.勉励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器
C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子
6. 硅光二极管在恰当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好线性关系，且
动态范畴较大。恰当偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
7.10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料重要是由于（ A ）
A.传播损耗低 B.可实现任何光传播 C.不浮现瑞利散射 D.空间相干性好
8.下列哪个不属于激光调制器是（ D ）
A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器
9.电光晶体非线性电光效应重要与（ C ）关于
A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量
10.激光调制按其调制性质有（ C ）
A.持续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制
11.不属于光电探测器是（ D ）
A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件
12.CCD 摄像器件信息是靠（ B ）存储
A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子
13.LCD显示屏，可以分为（ ABCD ）
A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型
14.掺杂型探测器是由（ D ）之间电子-空穴对符合产生，勉励过程是使半导体中载流子从平衡状态激发到非平衡状态激发态。
A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带
15.激光具备长处为相干性好、亮度高及（ B ）
A色性好 B单色性好 C 吸取性强 D吸取性弱
16.红外辐射波长为（ D ）.
A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm
17.可见光波长范畴为（ C ）.
A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm
18. 一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m高处，用照度计测得正下方地面照度为30lx，该灯光通量为（ A ）.
A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx
19. 下列不属于气体放电光源是（ D ）.
A .汞灯 B .氙灯 C .铊灯 D .卤钨灯
20.ＬＣＤ是（　Ａ　）
A.液晶显示屏 B.光电二极管 C.电荷耦合器件 D.硅基液晶显示屏
21.25mm视像管，靶面有效高度约为10mm，若可辨别最多电视行数为400，则相称于（ A ）线对/mm.
A.16 B.25 C.20 D.18
22.  光电转换定律中光电流与 ( B ) .                                     
  A 温度成正比   B光功率成正比    C暗电流成正比    D光子能量成正比
23. 发生拉曼—纳斯衍射必要满足条件是(  A )                            
 A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短  
 B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短  
 C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长 
D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短 
24. 光束调制中，下面不属于外调制是  ( C )                                
 A 声光调制   B 电光波导调制  C  半导体光源调制     D 电光强度调制 
25.激光具备长处为相干性好、亮度高及 ( B )
A 多 色性好     B单色性好    C 吸取性强        D吸取性弱 
26.能发生光电导效应半导体是  ( C )                                   
A本征型和激子型    B本征型和晶格型   C本征型和杂质型    D本征型和自由载流子型
27.电荷耦合器件分 ( A )
A 线阵CCD和面阵CCD    B 线阵CCD和点阵CCD  
C 面阵CCD和体阵CCD    D 体阵CCD和点阵CCD 
28. 电荷耦合器件工作过程重要是信号产生、存储、传播和( C ) 
A 计算    B 显示   C 检测    D 输出
29. 光电探测器性能参数不涉及（D）
A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性
30. 光敏电阻与其她半导体电器件相比不具备特点是（B）
A.光谱响应范畴广 B.阈值电流低 C.工作电流大 D.敏捷度高
31. 关于LD与LED下列论述对的是（C）
A. LD和LED均有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射 D .LED可发出相干光
32.光敏电阻光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）
A. =0.5 B. =1 C. =1.5 D. =2
33.硅光二极管重要合用于[D]
A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区
34.硅光二极管重要合用于[D]
A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区
35.光视效能K为最大值时波长是（A ）
A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm
36. 对于P型半导体来说，如下说法对的是 （D）
A 电子为多子 B 空穴为少子
C 能带图中施主能级接近于导带底 D 能带图中受主能级接近于价带顶
37. 下列光电器件，哪种器件正常工作时需加100-200V高反压 （C）
A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管
38. 对于光敏电阻，下列说法不对的是： （D）
A 弱光照下，光电流与照度之间具备良好线性关系
B 光敏面作成蛇形，有助于提高敏捷度
C 光敏电阻具备前历效应
D 光敏电阻光谱特性峰值波长，低温时向短波方向移动
39. 在直接探测系统中，(B)
A 探测器能响应光波波动性质，输出电信号间接表征光波振幅、频
率和相位
B 探测器只响应入射其上平均光功率
C 具备空间滤波能力
D 具备光谱滤波能力
40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法对的是（D）
A LD只能持续发光 B LED单色性比LD要好
C LD内部可没有谐振腔 D LED辐射光波长决定于材料禁带宽
41. 对于N型半导体来说，如下说法对的是 （A）
A 费米能级接近导带底 B 空穴为多子
C 电子为少子 D 费米能级接近接近于价带顶
42. 根据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源：（D）
A 光电二极管 B 光电三极管
C 光电倍增管 D 光电池
43. 硅光二极管在恰当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好线性关系，且
动态范畴较大。恰当偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
44. 关于热电探测器，下面说法哪项是不对的(C)
A 光谱响应范畴从紫外到红外几乎均有相似响应
B 响应时间为毫秒级
C 器件吸取光子能量，使其中非传导电子变为传导电子
D 各种波长辐射对于器件响应均有贡献
45. 为了提高测辐射热计电压响应率，下列办法中不对的是 （D）
A 将辐射热计制冷 B 使敏捷面表面黑化
C 将辐射热计封装在一种真空外壳里 D 采用较粗信号导线
46.光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW辐射光，其光通量
为
A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm （D）
47. 下列探测器光－电响应时间，由少数载流子寿命决定： （A）
A 线性光电导探测器 B 光电二极管
C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆
48. 给光电探测器加适当偏置电路，下列说法不对的是 (A )
A 可以扩大探测器光谱响应范畴 B 可以提高探测器敏捷度
C 可以减少探测器噪声 D 可以提高探测器响应速度
49. 下列光源中哪一种光源，可作为光电探测器在可见光区积分敏捷度测量标
准光源： （C）
A 氘灯 B 低压汞灯
C 色温2856K白炽灯 D 色温500K黑体辐射器
50. 克尔效应属于 （A）
A 电光效应 B 磁光效应
C 声光效应 D 以上都不是
51. 海水可以视为灰体。300K海水与同温度黑体比较（A）
A 峰值辐射波长相似 B 发射率相似
C 发射率随波长变化 D 都不能拟定
52. 下列探测器最适合于作为光度量测量探测器 （C）
A 热电偶 B 红外光电二极管
C 2CR113蓝硅光电池 D 杂质光电导探测器
第一章
填空
1. 以黑体作为原则光源，其她热辐射光源发射光颜色如果与黑体在某一温度下辐射光颜色相似，则黑体这一温度称为该热辐射光源色温。
2. 低压钠灯单色性较好，惯用作单色光源。
3. 激光器普通是由工作物质、谐振腔和泵浦源构成。
4. 气体激光器工作物质是气体或金属蒸汽。
5. 半导体激光器亦称激光二极管。
6. 光纤激光器工作物质重要是稀土参杂光纤。
7. 一切能产生光辐射辐射源称为光源。
8. 单位时间内通过某截面所有波长总电磁辐射能又称辐射功率，单位W。
9. 以辐射形式发射、传播或接受能量，单位为 J 。
10. 按入眼感觉强度进行度量辐射能大小称为光能。
11. 单位时间内通过某截面所有光波长光能成为光通量。
12. 发光强度单位为坎德拉。
13. 光照度单位lx。
14. 热辐射光源是使发光物体升温到足够高而发光光源。
15. LD发光光谱重要是由激光器纵模决定。
16. 半导体激光器重要特点就是它具备直接调制能力，从而使它在光通信中得到了广泛应用。
三． 简答
1.可见光波长、频率和光子能量范畴分别是多少？
波长：380~780nm 400~760nm
频率：385T~790THz 400T~750THz
能量：1.6~3.2eV
2. 发光二极管长处？
效率高、光色纯、能耗小、寿命长、可靠耐用、应用灵活、绿色环保。
3. 气体放电光源特点？
效率高、构造紧凑、寿命长、辐射光谱可选取
4. 半导体激光器特点？
体积小、重量轻、易调制、功能低、波长覆盖广、能量转换效率高。
5. 光体放点发光机制？
气体在电场作用下勉励出电子和离子，成为导电体。离子向阴极、电子向阳极运动 ，从电场中得到能量，它们与气体原子或分子碰撞时会勉励出新电子离子，也会使气体原子受激，内层电子跃迁到高能级。受激电子返回基态时，就辐射出光子来。
6. 激光特点？
激光高亮度、高方向性、高单色性和高度时间空间相干性是前述普通光源所望尘莫及，它为光电子技术提供了极好光源。
7. 量子井LD特性？
阈值电流很低、谱线宽度窄，改进了频率Chirp、调制速率高、温度特性好
8. 超高亮度彩色LED应用？
LED显示屏、交通信号灯、景观照明、手机应用、LED显示屏背光源。
9.激光测距长处？
（1） 测距精度高（2）体积小、重量轻（3）辨别率高、抗干扰能力强
10. 激光雷达长处？
（1） 激光高度方向性，使光束发散角很小、辨别能力大大提高。
（2） 抗干扰能力强
（3） 体积小质量轻
11. 简要描述一下黑体光谱辐射出射度与波长和温度关系？
（1） 相应任一温度单色辐射出射度随波长持续变化，且只有一种峰值，相应不同温度曲线不相交。
（2） 单色辐射出射度和辐射出射度均随温度升高而增大。
（3） 单色辐射出射度和峰值随温度升高而短波方向移动。
四；计算
1.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m高处，用照度计测得正下方地面照度为30lx，求出该灯光通量。
Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx
第二章
1、 光辐射调制使用数字或模仿信号变化光波波形 幅度 、频率 或 相位 过程。
2、 光辐射调制有 机械调制 、电光调制 、声光调制 、磁光调制。
3、 加载信号是在激光震荡过程中进行，以调制信号变化激光震荡参数，从而变化激光器输出特性实现调制叫 内调制 。
4、 外调制 是激光形成后来，在光路中放置调制器用调制信号变化调制器收放性能，当激光用过调制器，是某参量受到调制。
5、 光束扫描技术涉及 机械扫描 、电光扫描、电光数字式扫描、声光扫描。
6、什么是光辐射调制？有哪些调制办法？它们有什么特点和应用？
光辐射调制是用数字或模仿信号变化光波波形幅度、频率或相位过程。
光辐射调制办法有内调制和外调制。
内调制：直接调制技术具备简朴、经济、容易实现等长处。但存在波长(频率)抖动。
LD、LED
外调制：调制系统比较复杂、消光比高、插损较大、驱动电压较高、难以与光源集成、偏振敏感、损耗大、并且造价也高。但谱线宽度窄。机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制

7、阐明运用法拉第电磁旋光效应进行磁光强度调制原理。
磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。
法拉第效应：光波通过磁光介质、平行于磁场方向传播时，线偏振光偏振面发生旋转现象。
电路磁场方向在YIG棒轴向，控制高频线圈电流，变化轴向信号磁场强度，就可控制光振动面旋转角，使通过光振幅随角变化而变化，从而实现光强调制。
8. 什么是内调制？
加载信号是在激光振荡过程中进行，以调制信号变化激光振荡参数从而变化激光器输出德行实现调制。
9. 什么是外调制？
激光形成后来，在光路放置调制器，用调制信号变化调制器物理性能，当激光通过外调制器将使某参量受到调制。
9. 半导体光源编码长处？
（1） 由于数字光信号在信道上传播，引进噪声和失真，可采用间接中继器办法去掉，故抗干扰能力强。
（2） 对数字光纤通信系统线性规定不高可充分运用光源发光功率。
（3） 数字光通信设备便于和脉冲编码电话中断、脉冲编码彩电终端、计算机终端相连接，从而构成即能传播电话，又能传播计算机数据多媒体综合通信系统。
第三章
一、填空
1. 光探测器物理效应重要是 光热效应 和 光电效应 。
2. 光电效应分为 光电导效应 、 光伏效应 、光电发射效应 。
3. 微光机电系统特点，是功能系统 微型化 、集成化 、智能化 。
4. 光电池基本特性有 光照特性 、伏安特性 、光谱特性 、频率特性 、温度特性 。
5. 光探测器是将 光信号 转变为 电信号 核心器件。
6. 光电效应分为 光电导效应 、光伏效应 、光电发射效应 。
7. 光探测器固有噪声重要有：热噪声、1/f噪声、温度噪声、产生-复合噪声、散粒噪声。
8. 光电三极管基本特性有光照特性、伏安特性、温度特性、频率特性。
9. 光热探测器有热敏电阻和热释电探测器。
10. 光电探测器有光电导器件、结型光电器件、光电发射器件

二、简答
1、 什么是光电器件光谱特性？

答：光电器件对功率相似而波长不同入射光响应不同，即产生光电流不同。光电流或 输出电压与入射光波长关系称为光谱特性。

2、 何谓“白噪声”？何谓“1/f噪声”？要减少电阻热噪声应采用什么办法？

答：功率谱大小与频率无关噪声，称白噪声。功率谱与f成反比，称1/f 噪声。
办法：1.尽量选取通带宽度小电阻2.尽量选取电阻值小电阻3.减少电阻周边环境
温度

3、 应如何理解热释电效应？热释电探测器为什么只能探测调制辐射？

答：热电晶体自发极化矢量随温度变化，从而使入射光可引起电容器电容变化现象成为
热释电效应。
由于热释电信号正比于器件温升随时间变化率，因而它只能探测调制辐射。

4、 光探测器光热效应是什么？

答：当光照射到抱负黑色吸取体上时，黑体将吸取所有波长所有光能量，并转换为为
热能，称为光热效应。

5、 什么是光电导效应？

答：当半导体材料受光照时，由于对光子吸取引起载流子浓度变化，因而导致材料
电导率发生变化，这种现象称为光电导效应。

6、 什么是光电发射效应？

答：某些金属或半导体受到光照时，若入射光子能量足够大，则它与物质中电子互相
作用，致使电子逸出电子表面，这种现象称为光电发射效应。

7、 光探测器性能参数有哪些？

答：光电特性和光照特性、光谱特性、等效噪声功率和探测率、响应时间与频率特性。

8、 光敏电阻重要特性有哪些？

答：光电特性、光谱特性、频率特性、伏安特性、温度特性、前历效应、噪声

9、 光敏电阻与其她半导体光器件相比，有哪些特点？

答：光谱响应范畴宽；工作电流大；所测光强范畴宽；敏捷度高；偏置电压低，无极性之分

10、 热电探测器与光电探测器相比较，在原理上有何区别？

答：光电探测器工作原理是将光辐射作用视为所含光子与物质内部电子直接作用，而热电探测器是在光辐射作用下，一方面使接受物质升温，由于温度变化而导致接受物质电学特性变化。光电探测器响应较快，噪声小；而热电探测器光谱响应与波长无关，可以在室温下工作。

11、 为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显光电效应？结型光电器件必要工作在哪种偏置状态?

答：由于p-n结在外加正向偏压时，虽然没有光照，电流也随着电压指数级在增长，因此有光照时，光电效应不明显。p-n结必要在反向偏压状态下，有明显光电效应产生，这是由于p-n结在反偏电压下产生电流要饱和，因此光照增长时，得到光生电流就会明显增长。

12、 什么是光电效应和光热效应？

答：当光电器件上电压一定期，光电流与入射于光电器件上光通量关系I=F( Ф) 称
为光电特性，光电流与光电器件上光照度关系I=F(L) 称为光照特性。
第四章
4.1简述PbO视像管基本构造和工作过程。

光学图像投射到光电阴极上，产生相应光电子发射，在加速电场和聚焦线圈所产生磁场 共同作用下打到靶上，在靶扫描面形成与图像相应电位分布最后，通过电子束扫描把电 位图像读出，形成视频信号，

4.2摄像器件参量——极限辨别率、调制传递函数和惰性是如何定义？
辨别率表达可以辨别图像中明暗细节能力。极限辨别率和调制传递函数（MTF）
极限辨别率：人眼能辨别最细条数。用在图像（光栅）范畴内所能辨别等宽度黑白线条数表达。也用线对/mm表达。
MTF：能客观地表达器件对不同空间频率目的传递能力。

惰性：指输出信号变化相对于光照度变化有一定滞后。因素：靶面光电导张弛过程和电容电荷释放惰性。
4.3以双列两相表面沟道CCD为例，简述CCD电荷产生、存储、转移、输出基本原理。
以表面沟道CCD为例，简述CCD电荷存储、转移、输出基本原理。CCD输出信号有什么特点？
答：构成CCD基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。正如其他电容器同样，MOS电容器可以存储电荷。如果MOS构造中半导体是P型硅，当在金属电极（称为栅）上加一种正阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处电势（称为表面势或界面势）发生相应变化，附近P型硅中多数载流子——空穴被排斥，形成所谓耗尽层，如果栅电压VG超过MOS晶体管启动电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里势能较低，咱们可以形象化地说：半导体表面形成了电子势阱，可以用来存储电子。当表面存在势阱时，如果有信号电子（电荷）来到势阱及其邻近，它们便可以汇集在表面。随着电子来到势阱中，表面势将减少，耗尽层将减薄，咱们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。势阱中可以容纳多少个电子，取决于势阱“深浅”，即表面势大小，而表面势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。如果没有外来信号电荷。耗尽层及其邻近区域在一定温度下产生电子将逐渐填满势阱，这种热产生少数载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下产生载流子。因而，电荷耦合器件必要工作在瞬态和深度耗尽状态，才干存储电荷。
以典型三相CCD为例阐明CCD电荷转移基本原理。三相CCD是由每三个栅为一组间隔紧密MOS构造构成阵列。每相隔两个栅栅电极连接到同一驱动信号上，亦称时钟脉冲。三相时钟脉冲波形如下图所示。在t1时刻，φ1高电位，φ2、φ3低电位。此时φ1电极下表面势最大，势阱最深。假设此时已有信号电荷（电子）注入，则电荷就被存储在φ1电极下势阱中。t2时刻，φ1、φ2为高电位，φ3为低电位，则φ1、φ2下两个势阱空阱深度相似，但因φ1下面存储有电荷，则φ1势阱实际深度比φ2电极下面势阱浅，φ1下面电荷将向φ2下转移，直到两个势阱中具备同样多电荷。t3时刻，φ2仍为高电位，φ3仍为低电位，而φ1由高到低转变。此时φ1下势阱逐渐变浅，使φ1下剩余电荷继续向φ2下势阱中转移。t4时刻，φ2为高电位，φ1、φ3为低电位，φ2下面势阱最深，信号电荷都被转移到φ2下面势阱中，这与t1时刻状况相似，但电荷包向右移动了一种电极位置。当通过一种时钟周期T后，电荷包将向右转移三个电极位置，即一种栅周期（也称一位）。因而，时钟周期变化，就可使CCD中电荷包在电极下被转移到输出端，其工作过程从效果上看类似于数字电路中移位寄存器。

电荷输出构造有各种形式，如“电流输出”构造、“浮置扩散输出”构造及“浮置栅输出”构造。其中“浮置扩散输出”构造应用最广泛，。输出构造涉及输出栅OG、浮置扩散区FD、复位栅R、复位漏RD以及输出场效应管T等。所谓“浮置扩散”是指在P型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小块n+区域，当扩散区不被偏置，即处在浮置状态工作时，称作“浮置扩散区”。
电荷包输出过程如下：VOG为一定值正电压，在OG电极下形成耗尽层，使φ3与FD之间建立导电沟道。在φ3为高电位期间，电荷包存储在φ3电极下面。随后复位栅R加正复位脉冲φR，使FD区与RD区沟通，因 VRD为正十几伏直流偏置电压，则 FD区电荷被RD区抽走。复位正脉冲过去后FD区与RD区呈夹断状态，FD区具备一定浮置电位。之后，φ3转变为低电位，φ3下面电荷包通过OG下沟道转移到FD区。此时FD区（即A点）电位变化量为：

式中，QFD是信号电荷包大小，C是与FD区关于总电容（涉及输出管T输入电容、分布电容等）。

CCD输出信号特点是：信号电压是在浮置电平基本上负电压；每个电荷包输出占有一定期间长度T。；在输出信号中叠加有复位期间高电平脉冲。据此特点，对CCD输出信号进行解决时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。
4.4 CCD驱动脉冲工作频率上、下限受哪些条件限制，应当如何估算？

4.5双列两相CCD驱动脉冲φ1、φ2、SH、RS起什么作用？它们之间位有关系如何？为什么？
1、2：驱动脉冲1、驱动脉冲2，将模仿寄存器中信号电荷定向转移到输出端形成序列脉冲输出。
SH：转移栅控制光生电荷向CCDA或CCDB转移。
RS：复位脉冲，使复位场效应管导通，将剩余信号电荷卸放掉，以保证新信号电荷接受。

4.6.某双列两相2048像元线阵CCD，其转移损失率为，试计算其电荷转移效率和电荷传播效率。
解：
转移次数
%

4.7 TCD1200D中心距为14μm，它能辨别最小间距是多少？它极限辨别率如何计算？
它能辨别最小间距是14μm。

4.8简述变像管和图像增强器基本工作原理，指出变像管和图像增强器重要区别。
亮度很低可见光图像或者人眼不可见光学图像经光电阴极转换成电子图像；
电子光学系统将电子图像聚焦成像在荧光屏上，并使光电子获得能量增强；
荧光屏再将入射到其上电子图像转换为可见光图像。
变像管：接受非可见辐射图像并转换成可见光图像直视型光电成像器件：红外变像管、紫外变像管和X射线变像管等，功能是完毕图像电磁波谱转换。
像增强器：接受薄弱可见光图像直视型光电成像器件：级联式像增强器、带微通道板像增强器、负电子亲和势光阴极像增强器等，功能是完毕图像亮度增强。
第五六七章
填空
1. 光盘存储可分为三种类型：只读型、可录型、可擦重写型。
2. 光磁盘存储器是用磁性材料作为记录介质，用激光作为记录、读出和擦除手段存储器。
3. 某些有机化合物存在固态和液态之间和液态之间中间态，既具备液态流动性，又具备晶体各向异性，称为液晶。
4. 液晶分子排列类型有：近晶相、向列相、胆甾相。
5. 等离子体显示板是运用气体放电产生发光现象平板显示屏。
6. DLP投影机有三片式、单片式、双片式不同档次产品。
7. 光电子技术在信息技术方面应用有：光通信、互联网、手机、光显示、光传感、光存储、计算机系统。
8. 激光老式加工技术有：激光切割、激光打孔、激光焊接、激光表面热解决、激光打标。
简答
1. 光存储器有哪些长处？
答：1存储密度高；2非接触式读、写信息;3存储寿命长；4信息信噪比高；5信息位价格低。
2.光盘特性参数有哪些？
答：1光盘类型；2光盘直径；3存储密度；4存储容量；5数据传播速率；6存取时间；7信噪比；8误码率；9存储每位信息价格。
3. CD只读光盘加工有哪些过程？
答：主盘制备工序；2副盘制备工序；3注塑复制工序；4溅射镀铝工序；5甩胶印刷工序。
4.光盘发展经历了哪几代？每一代特点是什么？
答：自美国ECD及IBM公式共同研制出第一片光盘以来，光盘经历了四代：
⑴只读存储光盘
这种光盘中数据是在光盘生产过程中刻入，顾客只能从光盘中重复读取数据。这种光盘制造工艺简朴，成本低，价格便宜，其普及率和市场占有率最高。
⑵一次写入多次读出光盘
这种光盘具备写、读两种功能，写入数据后不可擦除。
⑶可擦重写光盘
顾客除了可在这种光盘上写入、读出信息外，还可以将已经记录在盘上信息擦除掉，然后再写入新信息；但擦与写需要两束激光、两次动作才干完毕。
⑷直接重写光盘
这种光盘上实现功能与可擦重写重写光盘同样，所不同是，此类光盘可用同一束激光、通过一次动作就擦除掉旧信息并录入新信息。
5.光信息存储有哪些新技术？
持续光谱烧孔和三维光信息存储、电子俘获光存储技术、全息信息存储、光致变色存储。
6. 有机电致发光由哪五个环节完毕？
答：1载流子注入；2载流子迁移；3载流子复合；4激发子迁移；5跃迁辐射。
7. 简述OLED显示屏长处。
答：（1）发光亮度可达几百至上万坎德拉每平方米，普通电视是100坎德拉每平方米。
（2） 低电压驱动，十几至几伏，功耗低。
（3） 有机材料易得，具备广泛可选取性，诸多有机物都可实现红绿蓝发光。而无机材料难生长，特别是蓝光材料。
（4） 制备工艺简朴
（5） 易实现彩色化
8.等离子体显示有什么特点？
答：长处
（1）等离子体显示为自发光型显示，发光效率与亮度较高，视角大。由于等离子体显示单元具备很强开关特性，能得到较高图像对比度。
（2）显示质量好，灰阶可超过256级，色彩丰富，辨别率高，响应快，响应时间仅数ms。
（3）有存储特性，使得在大屏幕显示时能得到较高亮度，因而制作高辨别率大型PDP成为也许。
（4）刚性构造，耐震动，机械强度高，寿命长。
（5）制造工艺简朴，投资小。
缺陷
工作电压较高，不适当在低气压环境下工作（防止填充气体膨胀）。
9. DLP投影显示技术优势有哪些？
答：（1）完全数字化显示，这是ＤＬＰ独有特色。
（２） 反射显示，光能运用率高。
（３） 先进图像质量。
（４） 可靠性很高，系统寿命长。
10. 硅基液晶显示屏ＬＣＯＳ特点。
答：ＬＣＯＳ为反射式技术，光能运用率远高于ＬＣＤ；耗电少，亮度高，辨别率高，响应快；ＣＭＯＳ电路是成熟技术，成本低。
11. 激光加工长处。
答：（1）加工对象范畴广。
（2） 由于是非接触加工，加工中无加工助力，工件无机械变形，切热变形极小。
（3） 激光能聚焦到微米量级，既可进行微区加工，也可进行选取性加工，其精度是其她加工办法难以比拟。
（4） 节约能源和材料消耗。
（5） 激光加工公害较小。
（6） 可进行远距离遥控加工。
（7） 激光加工与计算机数控技术结合。
（8） 特别是先进飞秒激光加工技术，可以实现亚微米、纳米尺度高精习加工，甚至可以对细胞，基因进行加工。
12. 飞秒激光加工脉冲持续时间只有飞秒量级，从主线上避免了热款三存在和影响。较老式激光加工有哪些优势？
（1） 加工过程非热熔性
（2） 加工精准、质量高。
（3） 可加工任何材料。
（4） 加工能量低耗性。
13. 激光武器长处。
答：（1）命中率高；（2）机动灵活；（3）无放射性污染；（4）不受电磁干扰；（5）效费比高。
14. 激光制导特点。
答：精度高，抗干扰能力强，制导系统体积小，重量轻。但受天气影响大，因素在于大雨、浓雾使激光传播受到限制。
第八章
1.请简要列举光子晶体光纤应用。
答：光纤通信，光子晶体光纤激光器，PCF超持续光谱应用，PCF传感应用。
2.光子晶体重要应用
答：光子晶体激光器和LED；高性能反射镜；光子晶体超棱镜，超透镜，光子晶体偏振器；光子晶体光波导；光子晶体全光开关。
3.周期性构造材料与否存在光子禁带重要取决于哪三个因素？
答：两种介质介电常数（或折射率）差；介电填充率比；晶体构造
4.纳米光电子材料种类
答：半导体量子阱，量子线，量子点；金属纳米材料；碳纳米管；硅纳米线
5.纳米传感器及纳米光机电系统开发应用
答：纳米探针；纳米细胞探测器，纳米光机电系统
6.碳纳米管长处
答：碳纳米管很轻，材料密度低，强度高、碳纳米管场发射特性优秀。
7. 纳米构造LED器件长处
答：高发光量子效率、宽光谱范畴光发射、色饱和度优于LCD和OLED、低激发能量态、可以通过热激发、加电显示时器件耗电更低、具备光化学和热高稳定性、制备工艺简朴、适合旋涂法、喷雾沉积，压印光刻，可制作柔性大面积器件
8. 纳米光存储种类
答：金属纳米棒光存储、一万GB超级DVD
9. 光子晶体分类
答：一维光子晶体，二维光子晶体，三维光子晶体
10. 光子晶体能带效应
答：超校直效应、超棱镜效应、超透镜效应、复折射效应
计算题
1、 探测器D*=cm·/W,探测器光敏器直径为0.5cm，用于f=Hz光电仪器中，它能探测最小辐射功率为多少？

解：

2、 一块半导体样品，有光照时电阻为50欧姆，无光照时电阻为5000欧姆，求该样品光
电导。

解：G光=G亮-G暗=1/50-1/5000=0.0198（s）该样品光电导即为所求。