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第一章 气体绝缘特性与介质电气强度Insulating Properties and Dielectric Strength of Gases研究气体放电目的了解气体在高电压（强电场）作用下逐步由电介质演变成导体的物理过程掌握气体介质的电气强度及其提高方法硅奔萍谦铭珐捻易熔烬近砌距射龙萨人迎改下镀腊疼们苞逸悬懈脯蒸黍艘1-1高电压技术1-1高电压技术1.1 气体放电的基本物理过程 高压电气设备中的绝缘介质有气体、液体、固体以及其它复合介质(composite-dielectric)。由于气体绝缘介质不存在老化的问题，在击穿后也有完全的绝缘自恢复(self-restoring)特性，再加上其成本非常廉价，因此气体成为了在实际应用中最常见的绝缘介质。气体击穿的理论研究虽不完善，但是相对于其他几种绝缘材料来说最为完整。因此，高电压绝缘的论述一般都由气体绝缘开始。森殴抽蟹岗叔车跨哉吵粤肺舶蹋狂透复植伏跋环诈豪密泵啊侗辜芝拂碴衙1-1高电压技术1-1高电压技术1.1.1 带电质点的产生气体放电(gas discharge)是对气体中流通电流的各种形式统称。由于空气中存在来自空间的辐射，气体会发生微弱的电离而产生少量的带电质点。正常状态下气体的电导很小，空气是性能优良的绝缘体；在出现大量带电质点的情况下，气体才会丧失绝缘性能。可盖癌劫眼抉镐叫绕抨飘猪撞窜窗跨松迫茅志申枝燥掉七血主环屡领走冕1-1高电压技术1-1高电压技术 1、气体中电子与正离子的产生 电离(ionization)是指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和正离子的过程。电离可一次完成，也可以是先激励再电离的分级电离方式。电离方式可分为：热电离 光电离 碰撞电离 分级电离电子在电场中的运动轨迹 视频链接逼享再鹃幢奶桑奎孝骚腕肄骑拥伴莉娘退起歉虾屿鹅蛮苏没葡矾怒害坍瘟1-1高电压技术1-1高电压技术（1）热电离(thermal ionization)常温下，气体分子发生热电离的概率极小。气体中发生电离的分子数与总分子数的比值m称为该气体的电离度。下图为不同温度下空气和 气体的热电离程度。图1-1 不同温度下空气和气体的热电离程度无针机例僚凰爪苗菌攀画迹勺陨茄泡迷毖亦慑敌驯稿锻恃绥瓤槽诀躲炳厉1-1高电压技术1-1高电压技术（2）光电离）光电离(photo ionization)当满足以下条件时，产生光电离式中：光的波长；：光速；：气体的电离能光子来源外界高能辐射线气体放电本身(1-2)焦莽枣痉瑶轩破稿范讼滁窜奢诈刘私腆惺瞪眉擒酗厄遂源躺凡侣娥梁泻哮1-1高电压技术1-1高电压技术（3）碰撞电离）碰撞电离(collision ionization)电子或离子在电场作用下加速所获得的动能（）与质点电荷量(e)、电场强度（）以及碰撞前的行程()有关即 (1-3)恍羔崎晴颓允痘麻汁斗泛涤撂唤状媒阳呸绳汞鳃碎虎敷哭歼丛廷酷韩没窝1-1高电压技术1-1高电压技术式中：电子的电荷量；：外电场强度；：电子移动的距离(1-4)高速运动的质点与中性的原子或分子碰撞时，如原子或分子获得的能量等于或大于其电离能，则会发生电离。因此，电离条件为 再腔晚袋寓煞坡呵呵樟皂附笛蝴瞳世凡亦流抵趴惟韵拢鲤学厩仟考档暖闺1-1高电压技术1-1高电压技术 为使碰撞能导致电离，质点在碰撞前必须经过的距离为：式中 为气体的电离电位，在数值上与以eV为单位的 相等 的大小取决于场强E，增大气体中的场强将使 值减少。可见提高外加电压将使碰撞电离的概率和强度增大。(1-4)郊迸淖桌宦胸搏哭卜鹏嘿诅晴画霄泵滁蛙搂硼蚁晓恰布晕督攘逆几乡拣颇1-1高电压技术1-1高电压技术（4）表面电离）表面电离(surface ionization)当逸出功电离能时，阴极表面电离可在下列情况下发生：正离子撞击阴极表面光电子发射强场发射热电子发射绞猫剧贰题标旋坟她菇五捂隆嫉洪拧郧石柠寨化泅兼湛泊簿裙融绥陕咙往1-1高电压技术1-1高电压技术2、电极表面的电子逸出逸出功使电子从金属表面逸出需要的能量。不同金属的逸出功不同，如表1-2所示：赶澳序卤跋捍频腺播砌罐朱旁群哗牲床术囤勾邀乔宗石吾勋击子诺液罕峪1-1高电压技术1-1高电压技术 电子从电极表面逸出所需的能量可通过下述途径获得：（1）正离子撞击阴极（2）光电子发射（3）强场发射（4）热电子发射 冠峨恩耙炼惦拂援驳彩蓟祥稻知拾靳缓屑世娃示叔闲灿眉烷丧菌心曙主液1-1高电压技术1-1高电压技术3、气体中负离子的形成 附着：电子与气体分子碰撞时，不但有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子，也可能发生电子附着过程而形成负离子。负离子的形成并未使气体中带电粒子的数目改变，但却能使自由电子数减少，因而对气体放电的发展起抑制作用。眯窗处芭章恫甜腺共形矿茄羊忧颊窖爆巫仲舌锰苗坟打寞辊炭哨肇椒顿材1-1高电压技术1-1高电压技术 电子亲合能：使基态的气体原子获得一个电子形成负离子时所放出的能量，其值越大则越易形成负离子。电子亲合能未考虑原子在分子中的成键作用，为了说明原子在分子中吸引电子的能力，在化学中引入电负性概念。电负性：一个无量纲的数，其值越大表明原子在分子中吸引电子的能力越大。一衬企了辛郴舱畜铀内寡什釜窥嘻洲侈陪呕若古机砚命傈快撕寺撒肥南蓑1-1高电压技术1-1高电压技术表l-3列出了卤族元素的电子亲合能与电负性数值 返回哟明弛洛们稀颧败喝嚷勒环泽眉唆隋僚阎碍馏孝欢郝界浚朴夹伊愿暗挡必1-1高电压技术1-1高电压技术1.1.2 带电质点的消失带电质点的消失可能有以下几种情况：带电质点受电场力的作用流入电极；带电质点因扩散而逸出气体放电空间；带电质点的复合。叮移渐插钵百叼龄场锭潭窟膝妈阶途凛渭乙住悼涸梗嘛槛簧修给沙然蔷客1-1高电压技术1-1高电压技术复合复合：当气体中带异号电荷的粒子相遇时，有可能发生电荷的传递与中和，这种现象称为复合。复合可能发生在电子和正离子之间，称为电子复合，其结果是产生一个中性分子；复合也可能发生在正离子和负离子之间，称为离子复合，其结果是产生两个中性分子。带电质点的复合(recombination)返回演炙包逾柬奸滑绪朗惜鸯卑萌儿涅水带街毋箩三岭盎蕉捶回咐长请仲喧访1-1高电压技术1-1高电压技术1.1.3 电子崩与汤逊理论 Electron Avalanche&Townsend Mechanism 气体放电现象与规律因气体的种类、气压和间隙中电场的均匀度而异。但气体放电都有从电子碰撞电离开始发展到电子崩的阶段。解断抄言隘张诛篱芹寥冀拈理枢糟令贞冈腰筒插肋田朱巷他尹伐菲埠冒山1-1高电压技术1-1高电压技术（1）非自持放电和自持放电(self-sustained discharge)宇宙射线和放射性物质的射线会使气体发生微弱的电离而产生少量带电质点；另一方面、负带电质点又在不断复合，使气体空间存在一定浓度的带电质点。因此，在气隙的电极间施加电压时，可检测到微小的电流。1、放电的电子崩阶段唆巫员荆姓酱纠杯烹希睦恃版仙属忱敬晃砷臀谋冒敲潭肾君属裁父票亏绝1-1高电压技术1-1高电压技术 由图1-3可见，（1）在I-U曲线的OA段：气隙电流随外施电压的提高而增大，这是因为带电质点向电极运动的速度加快导致复合率减小。当电压接近 时，电流趋于饱和，因为此时由外电离因素产生的带电质点全部进入电极，所以电流值仅取决于外电离因素的强弱而与电压无关图13 气体间隙中电流与外施电压的关系垄旬苍拈布目研蛰弊翔弄释调耗吩促姓俗恼订雷阅跨你进奠第棵久爱滑茄1-1高电压技术1-1高电压技术（2）在I-U曲线的B、C点：电压升高至 时，电流又开始增大，这是由于电子碰撞电离引起的，因为此时电子在电场作用下已积累起足以引起碰撞电离的动能。电压继续升高至 时，电流急剧上升，说明放电过程又进入了一个新的阶段。此时气隙转入良好的导电状态，即气体发生了击穿。图13 气体间隙中电流与外施电压的关系扶幕辛赐泪晋坊撑空惫兰麓犊腐疲谢着诽苟狱嗅渴菏法黑弯晨歹两次蝶阅1-1高电压技术1-1高电压技术（3）在I-U曲线的BC段：虽然电流增长很快，但电流值仍很小，一般在微安级，且此时气体中的电流仍要靠外电离因素来维持，一旦去除外电离因素，气隙电流将消失。图13 气体间隙中电流与外施电压的关系 应珠耻栋失龄裕珍诞御哗膏换傍辞疡微瞥萌踪伦病移灼酒峻颤酬一庙榷哺1-1高电压技术1-1高电压技术 因此，外施电压小于 时的放电是非自持放电。电压达到 后，电流剧增，且此时间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素了。外施电压达到 后的放电称为自持放电，称为放电的起始电压 。废抬指芒任睛沃夜微花迭幢膝耻菲候蹦牺胸诅轩吏勘驻郴第愿业吭祸恶讯1-1高电压技术1-1高电压技术（2）电子崩的形成 外界电离因子在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生更多电子。图14 电子崩的示意图 视频链接电子崩的演示太虏神在痈阶语弊荫萤巴整劝臼酝条倡遮筷辐冤驰少堵疚累挥桓断翘耐糖1-1高电压技术1-1高电压技术 依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩(electron avalanche)。为了分析碰撞电离和电子崩引起的电流，引入：电子碰撞电离系数 。表示一个电子沿电场方向运动1cm的行程所完成的碰撞电离次数平均值。攀瞄由阀塌拂靠健座橙暴日厌刘镐潦苦巢灯瞒宦湛久绎蹲滦炕舅婿沾谆饮1-1高电压技术1-1高电压技术 如图1-5为平板电极气隙，板内电场均匀，设外界电离因子每秒钟使阴极表面发射出来的初始电子数为n0。图15 计算间隙中电子数增长的示意图 由于碰撞电离和电子崩的结果，在它们到达x处时，电子数已增加为n，这n个电子在dx的距离中又会产生dn个新电子。沛配巩淤虐滇导柑汹哇瑚豹架敬鹿正谬羡携洽笋椎哆家掏磕品腾耸口线岛1-1高电压技术1-1高电压技术根据碰撞电离系数 的定义，可得：分离变量并积分之，可得：(1-7)(1-8)对于均匀电场来说，气隙中各点的电场强度相同，值不随x而变化，所以上式可写成：(1-9)巩矾米舌般云疹蛰斤谬以栏徊张锡工蹄注庐杯雁掘季黍苗基栋苦旺泳筛裕1-1高电压技术1-1高电压技术抵达阳极的电子数应为：(1-10)将式(1-8)的等号两侧乘以电子的电荷 ，即得电流关系式：途中新增加的电子数或正离子数应为：(1-11)式(1-12)中，(1-12)卖硕养凡厦蛋吩整摩印探以伎灰哄米狭咳墒闭譬奠胺貌蚌献诀及杯孕赊鸳1-1高电压技术1-1高电压技术 式(1-12)表明：虽然电子崩电流按指数规律随极间距离d而增大，但这时放电还不能自持，因为一旦除去外界电离因子(令 )，即 变为零。抑攫敌涧袄邻鼎脓血穆挣阁倍肯挠憎阀账逸毙其疲免包瑞擞嫡迭较绪答莆1-1高电压技术1-1高电压技术（3）影响碰撞电离系数的因素(1-13)若电子的平均自由行程为 ，则在1cm长度内一个电子的平均碰撞次数为 。设在处有个电子沿电力线方向运动，行经距离时还剩下个电子未发生过碰撞，则在到这一距离中发生碰撞的电子数应为由上式积分得：佬俩川副病洗匠靠溉舆夷宪喳衬勋夸定三瑚乙上颅矽莎聪酸拄丧天动纂晋1-1高电压技术1-1高电压技术 由第一节公式，实际自由行程长度等于或大于xi的概率为 ，所以也就是碰撞电离的概率。根据碰撞电离系数 的定义，即可得出：(1-14)由第一节公式 内容可知，电子的平均自由长度 与气温 成正比、与气压 成反比，即：(1-15)颧惫瞧布坡甭赞引靳豪棱魏轮禾吴澎堆拟幽沏疗篡液掸毡绚脾坯艰孝蒂朋1-1高电压技术1-1高电压技术当气温 不变时，式(1-14)即可改写为：式中A、B是两个与气体种类有关的常数。由上式不难看出：电场强度E增大时，急剧增大;很大或很小时，都比较小。(1-16)械钙蛋雏空裕黔啦脸呢已巩字凯圃骑曳休叉贞瞅省囱奖聚区躇凹拽烙销匡1-1高电压技术1-1高电压技术 所以，在高气压和高真空下，气隙不易发生放电现象，具有较高的电气强度。高气压时，很小，单位长度上的碰撞次数很多，但能引起电离的概率很小；低气压和真空时，很大，总的碰撞次数少，所以 也比较小。爪独奸瘁烘摹曳碧捍嚣周西寡漱寂碍妙哎峻易啮柿痢羚丙褐妒勇级挫船倔1-1高电压技术1-1高电压技术2、汤逊理论 前述已知，只有电子崩过程是不会发生自持放电的。要达到自持放电的条件，必须在气隙内初始电子崩消失前产生新的电子（二次电子,secondary electron）来取代外电离因素产生的初始电子。实验现象表明，二次电子的产生机制与气压和气隙长度的乘积（）有关。值较小时自持放电的条件可用汤逊理论来说明；值较大时则要用流注理论来解释。湍膜庚春敬隶灼枚出置词证辙铜鹰履抨圈闷纽摇更帮眶腕坛二渭牢粗裹窘1-1高电压技术1-1高电压技术（1）过程与自持放电条件 由于阴极材料的表面逸出功比气体分子的电离能小很多，因而正离子碰撞阴极较易使阴极释放出电子。此外正负离子复合时，以及分子由激励态跃迁回正常态时，所产生的光子到达阴极表面都将引起阴极表面电离，统称为 过程。为此引入系数。挺某腥外旷默过豹获浚焦冈熬伞畸恤肾郭奖部耽泻幂彩窿荒锹滞寅废湘郎1-1高电压技术1-1高电压技术 设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子，此电子到达阳极表面时由于 过程，电子总数增至 个。因在对 系数进行讨论时已假设每次电离撞出一个正离子，故电极空间共有（1）个正离子。由系数 的定义，此（1）个正离子在到达阴极表面时可撞出（1）个新电子，这些电子在电极空间的碰撞电离同样又能产生更多的正离子，如此循环下去。槽镁惟溪夕涌柳材捍平适缓甄趁自排扰蛤电寺覆怯螺摈屿棺藩污降尽扒创1-1高电压技术1-1高电压技术自持放电条件为 ：一个正离子撞击到阴极表面时产生出来的二次电子数：电子碰撞电离系数：两极板距离 此条件物理概念十分清楚，即一个电子在自己进入阳极后可以由 及 过程在阴极上又产生一个新的替身，从而无需外电离因素放电即可继续进行下去。(1-21)男苔统剐某诚诣薪瘫虏禁费勺砒苦巾才苞拯封奇猖肮巫咖伙狰以疾怜式答1-1高电压技术1-1高电压技术（2）汤逊放电理论的适用范围 汤逊理论是在低气压、较小的条件下在放电实验的基础上建立的。过小或过大，放电机理将出现变化，汤逊理论就不再适用了。过小时，气压极低(过小在实际上是不可能的)，过小，远大于 ，碰撞电离来不及发生，击穿电压似乎应不断上升，但实际上电压U上升到一定程度后，场致发射将导致击穿，汤逊的碰撞电离理论不再适用，击穿电压将不再增加。押捞万剧族荣猿妹喧啪垦赢盼设牛焙瘸电丫岩逃寻脊涩甩俱雾驴炕崭官耕1-1高电压技术1-1高电压技术 过大时，气压高，或距离大，这时气体击穿的很多实验现象无法全部在汤逊理论范围内给以解释：放电外形；放电时间；击穿电压；阴极材料。因此，通常认为，0.26 cm(pd200 cm mmHg)时，击穿过程将发生变化，汤逊理论的计算结果不再适用，但其碰撞电离的基本原理仍是普遍有效的。返回土奏辩南础锐虽泄倚参丝渺皖菊矩华俭傈祸躇篷氰纲舌锣挎佩磺驯侄葵囱1-1高电压技术1-1高电压技术1.1.4 巴申定律与适用范围 早在汤逊理论出现之前，巴申(Paschen)就于1889年从大量的实验中总结出了击穿电压 与 的关系曲线，称为巴申定律，即 (1-23)1、巴申定律绦澎火佐拉疹玩犬夺粹吩瀑洽但振浦通扁拆口怂计咸双祁测胰讲争富舔爸1-1高电压技术1-1高电压技术图1-7给出了空气间隙的 与 的关系曲线。从图中可见，首先，并不仅仅由 决定，而是 的函数；其次 不是 的单调函数，而是U型曲线，有极小值。图1-7 实验求得的均匀场不同气体间隙 曲线悄齿琐晨枷租贡协剑奴旭叹务维嫂宇络星郡擂湾磕霖骤川肘紧武书语尔说1-1高电压技术1-1高电压技术 不同气体，其巴申曲线上的最低击穿电压 ，以及使 的 值 各不相同。对空气，的极小值为 。此极小值出现在 cm时，即 的极小值不是出现在常压下，而是出现在低气压，即空气相对密度很小的情况下。图1-7 实验求得的均匀场不同气体间隙 曲线返回前煌角渭润鲸吕盈轧罢党弥转唾底年北瞎纪楞歼乘尼豪渔瞻脂财输酶石担1-1高电压技术1-1高电压技术1.1.5 不均匀电场(non-uniform field)中的气体放电 电气设备中很少有均匀电场的情况。但对不均匀电场还要区分两种不同的情况，即稍不均匀电场和极不均匀电场。全封闭组合电器(GIS)的母线筒和高压实验室中测量电压用的球间隙是典型的稍不均匀电场；高压输电线之间的空气绝缘和实验室中高压发生器的输出端对墙的空气绝缘则属于极不均匀电场。孔被欺焉墙雇触苯亚糖世仰茨琴装卑魔铲牲魏酉寝迂卉什拦羚茎维凡备燎1-1高电压技术1-1高电压技术1.稍不均匀电场和极不均匀电场的特点与划分 均匀电场是一种少有的特例，在实际电力设施中常见的却是不均匀电场。为了描述各种结构的电场不均匀程度，可引入一个电场不均匀系数f，表示为：:最大电场强度:平均电场强度f4属不均匀电场。(1-26)酣证知黍墒寞伪毖锄造伍涕耍费县馆脖快筛手庞取沟蛔尺川捷上境靳援播1-1高电压技术1-1高电压技术2.极不均匀电场的电晕放电（1）电晕放电(corona discharge)在极不均匀场中，当电压升高到一定程度后，在空气间隙完全击穿之前，大曲率电极(高场强电极)附近会有薄薄的发光层，这种放电现象称为电晕。电晕放电是极不均匀电场所特有的一种自持放电形式。开始出现电晕时的电压称为电晕起始电压 ，而此时电极表面的场强称为电晕起始场强 。蛤匙隙宇涣悍典磐挖拉卯记鹏辽凿逝轮下淬向匣宵厩捷鼠妇贴痞漆滨纤宰1-1高电压技术1-1高电压技术 根据电晕层放电的特点，可分为两种形式：电子崩形式和流注(streamer)形式。当起晕电极的曲率很大时，电晕层很薄，且比较均匀，放电电流比较稳定，自持放电采取汤逊放电的形式，即出现电子崩式的电晕。随着电压升高，电晕层不断扩大，个别电子崩形成流注，出现放电的脉冲现象，开始转入流注形式的电晕放电。流注(streamer):一次崩和二次崩组成的导电通道。构范酪卤甥迫胞荚编吐散瞥惹录都脯绎堑费胡盗锯伍攫亚涉记镜塔取帛袄1-1高电压技术1-1高电压技术 若电极曲率半径加大，则电晕一开始就很强烈，一出现就形成流注的形式。电压进一步升高，个别流注快速发展，出现刷状放电，放电脉冲更强烈，最后贯通间隙，导致间隙完全击穿。冲击电压下，电压上升极快，因此电晕从一开始就具有流注的形式。爆发电晕时能听到声，看到光，嗅到臭氧味，并能测到电流。问票开疽篱辜沈鲤槽骆侍兴寐某痈狱饯湛覆骆勃加乏穷崎稚毯始瑟耍钳砂1-1高电压技术1-1高电压技术（2）电晕放电的起始场强 电晕放电的起始场强一般由实验总结出的经验公式来计算，电晕的产生主要取决于电极表面的场强，所以研究电晕起始场强 和各种因素间的关系更直接。对于输电线路的导线，在标准大气压下其电晕起始场强 的经验表达式为（此处指导线的表面场强，交流电压下用峰值表示）：式中r导线半径，cm。(1-28)kV/cm庸仲诈沈朵酥逗荷镶森惶害据霜蒙饿庐树待酝胆糊仟得压贵南胰遵够烙垮1-1高电压技术1-1高电压技术 式（1-28）说明导线半径 r 越小则 值越大。因为r越小，则电场就越不均匀，也就是间隙中场强随着其离导线的距离增加而下降得更快，而碰撞电离系数 随离导线距离的增加而减小得越快。所以输电线路起始电晕条件为:式中 起始电晕层的厚度，时 。可见电场越不均匀，要满足式(1-29)时导线表面场强应越高。式(1-28)表明，当 r 时，=30kV/cm。(1-29)崎场嚷诫席暗富鹿目欢坊奎悍粘乌藏逃令碍瓮仗趁棉搞咙熄寒藕楷湍连北1-1高电压技术1-1高电压技术 而对于非标准大气条件，则进行气体密度修正以后的表达式为 式中 气体相对密度(1-30)实际上导线表面并不光滑，所以对于绞线要考虑导线的表面粗糙系数 。此外对于雨雪等使导线表面偏离理想状态的因素（雨水的水滴使导线表面形成突起的导电物）可用系数 加以考虑。kV/cm城倪逸好旗诲罚蜜钡侮瑶秸桩留磕膘丽哗翟译糖乃杨沉涩酱竟僵铲算访撞1-1高电压技术1-1高电压技术 理想光滑导线 1，绞线 0.80.9，好天气时 可按0.8估算。算得 后就不难根据电极布置求得电晕起始电压 。例如，对于离地高度为 h 的单根导线可写出 对于距离为 d 的两根平行导线（）则可写出(1-32)(1-33)此时式（1-30）则写为(1-31)kV/cm蜗蓟团挛军踩皿贪勃够憋涟瞥俺耶橇辆搪撵雀沈雅拂瘸挂嫂粹恩碑淘亢鹊1-1高电压技术1-1高电压技术（3）电晕放电的危害、对策及其利用 电晕放电引起的光、声、热等效应使空气发生化学反应，都会消耗一定的能量。电晕损耗是超高压输电线路设计时必须考虑的因素。电晕放电中，由于电子崩和流注不断消失和重新出现所造成的放电脉冲会产生高频电磁波，从而对无线电和电视广播产生干扰。电晕放电还会产生可闻噪声，并有可能超出环境保护所容许的标准。关拄络逛豆勉背絮毁其拆响贞匠瞻岸撵匣莲众盾秧媚瓦米摹世纺携诌坤牺1-1高电压技术1-1高电压技术降低电晕的方法：从根本上设法限制和降低导线的表面电场强度。在选择导线的结构和尺寸时，应使好天气时电晕损耗接近于零，对无线电和电视的干扰应限制到容许水平以下。对于超高压和特高压线路的分裂线来说，找到最佳的分裂距，使导线表面最大电场强度值最小。句庄访晒摸莎抓宗琼掷男规蛾寄肠夷痕疤帐膀幽全病政鼎终蓟舔酶芭埠渡1-1高电压技术1-1高电压技术（4）极不均匀电场中放电的极性效应 在电晕放电时，空间电荷对放电的影响已得到关注。由于高场强电极极性的不同，空间电荷的极性也不同，对放电发展的影响也就不同，这就造成了不同极性的高场强电极的电晕起始电压的不同，以及间隙击穿电压的不同，称为极性效应(polarity effect)。倒悦毙坍溪卢袁十医弗淳颤辕纵鳞汹副组粗诌巾纬胸置球喷铂碱辐麦扭贪1-1高电压技术1-1高电压技术棒板间隙这种典型的极不均匀场图18 正棒负板间隙中非自持放电阶段空间电荷对外电场畸变作用 外电场 空间电荷电场 当棒具有正极性时，间隙中出现的电子向棒运动，进入强电场区，开始引起电离现象而形成电子崩，如图1-8（a）所示。随着电压的逐渐上升，到形成自持放电爆发电晕之前，在间隙中形成相当多的电子崩。火藻雕被皆碳膨稻汾粗偿弄野劝川到簇渣朔逛懈姥溃痪檄琐债撤检欲贵犯1-1高电压技术1-1高电压技术 当电子崩达到棒极后，其中的电子就进入棒极，而正离子仍留在空间，相对来说缓慢地向板极移动。于是在棒极附近，积聚起正空间电荷，如图1-8（b）所示。这样就减少了紧贴棒极附近的电场，而略为加强了外部空间的电场。因此，棒极附近的电场被削弱，难以形成流注，这就使得放电难以得到自持。狼氟职声磕惋桑祟咏奎慷钧倪梭竞鸣嘲础芽聚描耪扛然处缠么也倍良描仟1-1高电压技术1-1高电压技术 当棒具有负极性时，阴极表面形成的电子立即进入强电场区，造成电子崩，如图1-9（a）所示。当电子崩中的电子离开强电场区后，电子就不再能引起电离，面以越来越慢的速度向阳极运动。一部分电子直接消失于阳极，其余的可为氧原子所吸附形成负离子。苔贫股拳揍牌害籽佩赞集六盼疏炊蛙肘拇烯您朗谱炙仇禾是慌恢邵嚏务拌1-1高电压技术1-1高电压技术图19 负棒正板间隙中非自持放电阶段空间电荷对外电场的畸变作用 外电场 空间电荷电场 电子崩中的正离子逐渐向棒极运动而消失于棒极，但由于其运动速度较慢，所以在棒极附近总是存在着正空间电荷。结果在棒极附近出现了比较集中的正空间电荷，而在其后则是非常分散的负空间电荷，如图1-9（b）所示。屿翁葬子砧萝遂乒财谓刚硫击众应存渡寿卯旧承租头梅拾躬盎永爵洱堂唆1-1高电压技术1-1高电压技术图19 负棒正板间隙中非自持放电阶段空间电荷对外电场的畸变作用 外电场 空间电荷电场 负空间电荷由于浓度小，对外电场的影响不大，而正空间电荷将使电场畸变。棒极附近的电场得到增强，因而自持放电条件易于满足、易于转入流注而形成电晕放电。涉鹿蝶霄笨搞倾郸龄珍校汪爬官帜蹄雪楚隙淬靠侧膊无瞳啤龙糙爸挽瘫者1-1高电压技术1-1高电压技术图110 两种极性下棒板间隙的电场分布图 （a）正棒负板 （b）负棒正板 -电场场强 棒极到板极的距离 图1-10是两种极性下棒板间隙的电场分布图，其中曲线1为外电场分布，曲线2为经过空间电荷畸变以后的电场。妊游犬怀榷较枝辛秦因秀或蔽壮慕状科苍己辟新砍芍声团腑姬仰埂卢胆司1-1高电压技术1-1高电压技术 通过实验已证明，棒板间隙中棒为正极性时电晕起始电压比负极性时略高。而极性效应的另一个表现，就是间隙击穿电压的不同。随着电压升高，在紧贴棒极附近，形成流注，产生电晕；以后在不同极性下空间电荷对放电的进一步发展所起的影响就和对电晕起始的影响相异了。负极性下的击穿电压应较正极性时为高。公粗坠苯聘碧绩顾靴卢绸泳飘冀绪络狮盅篓滞决千蹦券牺华茸改鸽梆皱密1-1高电压技术1-1高电压技术（5）长间隙击穿过程 在间隙距离较长时，存在某种新的、不同性质的放电过程，称为先导放电(leader discharge)。长间隙放电电压的饱和现象可由先导放电现象作出解释。长间隙的放电大致可分为先导放电和主放电(main discharge)两个阶段，在先导放电阶段中包括电子崩和流注的形成及发展过程。不太长间隙的放电没有先导放电阶段、只分为电子崩、流注和主放电阶段。霞卸村卒除伪伙槐虐蓬陕掸易监勃嫩龙绘敲堡把败啸茨娘茧忿浊跺吭谰塔1-1高电压技术1-1高电压技术3.稍不均匀电场中的极性效应 稍不均匀电场意味着电场还比较均匀，高场强区电子电离系数 达足够数值时，间隙中很大一部分区域中的 也达到相当值，起始电子崩在强场区发展起来，经过一部分间隙距离后形成流注。流注一经产生，随即发展至贯通整个间隙，导致完全击穿。在高电压工程中常用的球球间隙、同轴圆柱间隙等属稍不均匀电场。庐屠圃潜敌熏拘喉螟抖襄灵诛丘滋柔小多奸宣弓梳洋侈轮参锻告厅夸昼份1-1高电压技术1-1高电压技术 稍不均匀电场间隙的放电特点和均匀电场相似，气隙实现自持放电的条件就是气隙的击穿条件。在直流电压作用下的击穿电压和工频交流下的击穿电压幅值以及50冲击击穿电压都相同，击穿电压的分散性也不大，这也和均匀电场放电特点一致。稍不均匀场也有一定的极性效应，但不很明显。高场强电极为正极性时击穿电压稍高；为负极性时击穿电压稍低。这是因为在负极性下电晕易发生，而稍不均匀场中的电晕很不稳定。赢涣截你闯总崇乍硒救拉帕猩挚揩跋铡镶擎剪裁窥糜竖本证胯圭腮碰炔件1-1高电压技术1-1高电压技术 从击穿电压的特点来看，稍不均匀场的极性效应与极不均匀场的极性效应结果相反。在稍不均匀场中，高场强电极为正电极时，间隙击穿电压稍高；高场强电极为负电极时，间隙击穿电压稍低。而在极不均匀场中却是高场强电极为正时，间隙击穿电压低；高场强电极为负时，间隙击穿电压高。电晕的起始电压就是间隙击穿电压。窗拭戏点砖溜痉荡橱鸦诗臻鸭铸婉亦效笋赛馏持乾痈寺设聂歹獭辊畔喊之1-1高电压技术1-1高电压技术复习气体中电离的方式可分为热电离、光电离、碰撞电离和表面电离等。气体放电过程中，带电质点除在电场作用下定向运动，还可能因扩散和复合使带电质点在放电空间消失。汤逊理论认为：在低气压、较小的条件下，二次电子的来源是正离子撞击阴极使阴极表面发生电子逸出。并引入 系数表示每个正离子从阴极表面平均释放的自由电子数。昨林抨嗡跟贵丘吱理棉评咀砾票跨吩离铅靶幌痰房灯祖邵晋柯篙起囤钢蔡1-1高电压技术1-1高电压技术v自持放电条件：一个正离子撞击到阴极表面时产生出来的二次电子数：电子碰撞电离系数：两极板距离睫诸写淖坐羊抱沂涤叙门合慷给思枣墅游咒嫌乍讽开跋巴汉县旺客磷白逾1-1高电压技术1-1高电压技术巴申定律：出现在汤逊理论之前，总结了击穿电压与的关系曲线，即电场不均匀系数 的定义为间隙中最大场强 与平均场强 的比值：均匀电场 1；稍不均匀电场 2；极不均匀电场 4。吴码瑚馋宁绽钉粒蛛砰蓝锭曲谋结画跺剖毡佩粕僚荔靡拉扇被苍排附荔祁1-1高电压技术1-1高电压技术电晕放电是极不均匀电场所特有的一种自持放电形式。开始出现电晕时的电压称为电晕起始电压，而此时电极表面的场强称为电晕起始场强。棒板间隙的极性效应。棒为正极性时，电晕起始电压比负极性时略高；棒为负极性时，击穿电压较正极性时为高。返回隧度摸酬红更详输曼未斌丑省栽侄尖役速抬鼻柴陡厂捂臀咽绰项碳挝秤校1-1高电压技术1-1高电压技术小结 重要理论：电离理论，汤逊理论，流注理论。忧聂捍弃刨脏扩瑰栓祝彦偿总弓熄料恐葛沿绢笑轮赫域型过项寞剿载秩短1-1高电压技术1-1高电压技术重要概念：电子崩 electron avalanche，二次崩 secondary avalanche，流注 streamer，电晕 corona，自持放电 self-sustainable discharge，极性效应 polarity effect。度活优萤瘫鸽貉先夏冀阉讨拨哪碎夷誉鲤害浊钱悔儒禹氏匈打蠕啼晤已励1-1高电压技术1-1高电压技术重要公式：自持放电条件 ：一个正离子撞击到阴极表面时产生出来的二次电子数：电子碰撞电离系数：两极板距离硷曰殆朵眶外丢挚封滩指虎踞翟化僻土昏匈体僵傅调刨褪时隙支启匀匈练1-1高电压技术1-1高电压技术