DB61∕T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则(陕西省).pdf

ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省地方标准 DB 61/ T 5122011 太阳电池用单晶硅片检验规则 2011 - 04 - 20 发布 2011 - 05 - 01 实施 陕西省质量技术监督局 发 布 DB61/ T 5122011 I 前 言 本标准参考 SEMI M62008太阳光伏电池用硅片规范 、GB/T 129652005硅单晶切割片和研磨片 ，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、 陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、 陕西华山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。 DB61/ T 5122011 1 太阳电池用单晶硅片检验规则 1 范围 本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。 本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件， 仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 15501997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 15532009 硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 15552009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 66182009 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T 66192009 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 SEMI MF15352007 微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 线痕 saw mark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 径向电阻率变化 radial resistivity tolerance 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数表示。又称径向电阻率梯度。 3.3 晶片厚度 thickness of slices DB61/ T 5122011 2 晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。 3.4 总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。 4 技术要求 4.1 表面质量 表面质量要求见表1。 表1 硅片表面质量 项目 最大缺陷限度 备注 线痕 20 m 外缘 1 mm 范围除外。 表面沾污 无 边缘 每片 2 个，圆周弦长最大到 0.1 mm，深 0.1 mm 不接受贝壳状崩边。 崩边/缺口 裂缝/鱼尾纹 无 4.2 机械性能 4.2.1 规格及尺寸 一般为准正方形硅片，规格125 mm125 mm型、156 mm156 mm型，如图1所示。尺寸要求见表2，或者根据实际使用，供需双方商定。 图1 DB61/ T 5122011 3 表2 硅片尺寸 规 格 A（边长） /mm B（标称直径） /mm C（弦长）a /mm D（倒角投影）a /mm E （相邻面垂直度） 6 1250.3 1500.3 82.9 21.05 900.3 6.5 1250.3 1650.3 107.7 8.66 8 1560.3 2000.3 125.1 15.43 注：标称直经是指准方形单晶硅棒滚圆后的直径。亦可由供需双方协商确定。 a 为参考尺寸。 4.2.2 硅片厚度和总厚度变化 硅片厚度应在140 m240 m的范围，用户有特殊要求时，由供需双方商定。总厚度变化（TTV）不大于30 m。 4.2.3 弯曲度 硅片弯曲度不大于30 m。 4.2.4 翘曲度 硅片翘曲度不大于75 m。 4.3 电性能要求 4.3.1 电阻率 硅片电阻率要求见表3。 4.3.2 径向电阻率变化 硅片径向电阻率变化要求见表3。 表3 电性能参数 导电类型 电阻率/ cm 径向电阻率变化/% 少数载流子寿命 / s 晶向及偏离度 P 一档 二档 15 10 1 0.51 13 N 1.520 20 50100 1 注：本表中少数载流子寿命值是经过钝化的测试值。 4.3.3 导电类型 硅单晶导电类型要求见表3。 4.3.4 少数载流子寿命 硅单晶少数载流子寿命要求见表3。 4.4 晶体完整性 DB61/ T 5122011 4 硅单晶晶体完整性由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。 4.5 晶向及偏离度 硅单晶晶向及偏离度要求见表3。 5 试验方法 5.1 表面质量 在检验面光照度不小于800 Lx、硅片距双眼约30 cm50 cm距离条件下，用游标卡尺（精度0.02 mm）测量或目测。 5.2 规格及尺寸 规格及尺寸用游标卡尺（精度0.02 mm）、直角尺、塞尺等测量。 5.3 硅片厚度和总厚度变化 硅片厚度和总厚度变化按GB/T 66182009的3.2扫描式测量。 5.4 弯曲度 硅片弯曲度按GB/T 66192009的方法2非接触式测量。 5.5 翘曲度 硅片翘曲度测量按GB/T 6620规定的方法进行。 5.6 电阻率 硅片电阻率测量按GB/T 6617规定的方法进行。 5.7 径向电阻率变化 硅片径向电阻率变化测量按GB/T 11073规定的方法进行。 5.8 导电类型 硅单晶导电类型测试按GB/T 15501997的方法A热探针、热电势导电类型测试方法进行。 5.9 少数载流子寿命 少数载流子寿命测试按GB/T 15532009附录A高频光电导衰减法或SEMI MF 15352007规定的方法进行。 5.10 晶体完整性 硅单晶晶体完整性测试按GB/T 1554规定的方法进行。 5.11 晶向及偏离度 硅单晶晶向及偏离度测试按GB/T 15552009的方法1X射线衍射定向法进行。 DB61/ T 5122011 5 6 检验规则 6.1 组批 硅片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的硅片组成。 6.2 抽样 按GB/T 2828.1规定的一次抽样方案， 其它项目如表4所示， 或由供需双方协商确定的抽样方案进行。 6.3 出厂检验 出厂检验项目包括硅片表面质量、规格及尺寸、厚度和总厚度变化、电阻率、径向电阻率变化（见表4）。产品应经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。 6.4 型式检验 型式检验包括本标准规定的全部检验项目 （见表4） ， 型式检验每年应进行1次。 有下列情况之一时，亦应进行型式检验： a) 新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时； b) 正常生产而原材料、工艺、关键设备等有较大改变，可能影响产品质量时； c) 产品停产半年以上，恢复生产时； d) 供需双方发生产品质量争议需要仲裁时； e) 国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时。 表4 检验项目及合格质量水平 序号 检验项目 型式检验 出厂检验 技术要求 试验方法 检验水平 合格质量限(AQL) 1 硅片表面质量 4.1 5.1 II 2.5 2 规格及尺寸 4.2.1 5.2 II 1.0 3 硅片厚度和总厚度变化 4.2.2 5.3 4 硅片弯曲度 4.2.3 5.4 5 硅片翘曲度 4.2.4 5.5 6 硅片电阻率 4.3.1 5.6 7 硅片径向电阻率变化 4.3.2 5.7 8 硅单晶导电类型a 4.3.3 5.8 9 硅单晶少数载流子寿命 4.3.4 5.9 S-2 1.0 10 硅单晶晶体完整性a 4.4 5.10 11 硅单晶晶向及偏离度a 4.5 5.11 注：为必检项目；为选检项目。 a由硅棒技术要求来保证。 6.5 判定规则 6.5.1 硅片出厂检验按 GB/T 2828.1 规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量限(AQL)见表 4。 DB61/ T 5122011 6 出厂检验的项目全部合格，则该检验批合格，产品可交付，否则出厂检验不合格，产品不能交付。抽检不合格的产品批，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可重新组批、提交检验。 6.5.2 硅片型式检验按 GB/T 2828.1 规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量水平(AQL)见表 4。型式检验所有项目全部合格，则判定型式检验合格，否则型式检验不合格。若型式检验不合格，则判定本批产品不合格，针对不合格批产品，查明原因、采取纠正措施后，重新进行型式检验。 _