表面成分分析方法.ppt

单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,C,*,单击此处编辑母版标题样式,第二篇 表面成分分析方法,电子探针显微分析方法,1,X,射线光电子能谱分析方法,2,X,射线衍射分析方法,3,红外,/,拉曼光谱分析技术,4,1,C,常用表面（层）成分分析谱仪用途,分析方法名称,简 称,主 要 用 途,电子探针谱仪,EPMA,分析表层成分；研究各种元素在表层的分布；,X,射线荧光光谱仪,XRF,分析表层成分；研究各种元素在表层的分布,俄歇电子能谱,AES,分析表面成分；研究各种元素在表面的分布,X,射线光电子能谱,XPS,分析表面成分；研究表面吸附和表面电子结构,离子散射谱,ISS,分析表面成分；尤其适合研究表面偏析和吸附,次级离子质谱,SIMS,分析表面成分；可研究化合物组分及分子结构,红外吸收谱,IR,分析表面成分；研究表面原子振动,拉曼散射谱,RAMAN,分析表面成分；研究表面原子振动,紫外光电子谱,UPS,分析表面成分；更适合于研究价电子状态,角分解光电子谱,ARPES,分析表面成分；研究表面吸附原子的电子结构,激光探针（光谱及质谱）,分析表层成分；具有深度分析功能；,2,C,电子探针显微分析的特点,电子探针仪器构造和工作原理,电子探针分析方法原理,电子探针的试样要求,电子探针主要分析技术,第五章 电子探针显微分析,3,C,电子探针,X,射线显微分析（简称电子探针显微分析）（,Electron Probe Microanalysis,，简称,EPMA,）是一种显微分析和成分分析相结合的微区分析，它特别适用于分析试样中微小区域的化学成分，因而是研究材料组织结构和元素分布状态的极为有用的分析方法。,电子探针镜筒部分的结构大体上和扫描电子显微镜相同，只是在检测器部分使用的是,X,射线谱仪，专门用来检测,X,射线的特征波长或特征能量，以此来对微区的化学成分进行分析。,4,C,5-1,电子探针显微分析的特点,电子探针的应用范围越来越广，特别是材料显微结构工艺性能关系的研究，电子探针起了重要作用。电子探针显微分析有以下几个特点：,显微结构分析,元素分析范围广,定量分析准确度高,不损坏试样、分析速度快,微区离子迁移研究,5,C,一.显微结构分析,电子探针是利用0.5,1m,的高能电子束激发所分析的试样，通过电子与试样的相互作用产生的特征,X,射线、二次电子、吸收电子、背散射电子及阴极荧光等信息来分析试样的微区内(,m,范围内)成份、形貌和化学结合状态等特征。,电子探针成分分析的空间分辨率（所能分析的最小区域）是几个立方,m,范围，微区分析是它的一个重要特点之一,它能将微区化学成份与显微结构对应起来，是一种显微结构的分析。,而一般化学分析、,X,光荧光分析及光谱分析等，是分析试样较大范围内的平均化学组成，也无法与显微结构相对应,不能对材料显微结构与材料性能关系进行研究。,6,C,二.元素分析范围广,电子探针所分析的元素范围一般从硼(,B),铀,(,)，,因为电子探针成份分析是利用元素的特征,X,射线，而氢和氦原子只有,K,层电子，不能产生特征,X,射线，所以无法进行电子探针成分分析。锂(,Li),和铍(,Be),虽然能产生,X,射线，但产生的特征,X,射线波长太长，通常无法进行检测，,少数电子探针用大面间距的皂化膜作为衍射晶体已经可以检测,Be,元素。,7,C,三.定量分析准确度高,电子探针是目前微区元素定量分析最准确的仪器。电子探针的检测极限(能检测到的元素最低浓度)一般为,（0.010.05）%，,不同测量条件和不同元素有不同的检测极限，但由于所分析的体积小，所以检测的绝对感量极限值约为10-14,g，,主元素定量分析的相对误差为,(1,3)%，,对原子序数大于11 的元素，含量在10%以上时，其相对误差通常小于,2%。,8,C,四.不损坏试样、分析速度快,现在电子探针均与计算机联机，可连续自动进行多种方法分析，并自动进行数据处理和分析，对含,10种元素以下,的试样定性、定量分析，新型电子探针在30,min,左右可以完成，如果用,EDS,进行定性、定量分析，几分钟即可完成。对表面不平的大试样进行元素面分析时，还可以自动聚焦分析。,电子探针分析过程中一般,不损坏试样,，试样分析后，可以完好保存或继续进行其它方面的分析测试，这对于文物、古陶瓷、古硬币及犯罪证据等的稀有试样分析尤为重要。,9,C,五.微区离子迁移研究,多年来，还用电子探针的入射电子束注入试样来诱发离子迁移，研究了固体中微区离子迁移动力学、离子迁移机理、离子迁移种类、离子迁移的非均匀性及固体电解质离子迁移损坏过程等，已经取得了许多新的结果。,10,C,5-2,电子探针仪的构造和工作原理,电子探针仪的构造和扫描电镜相似,11,C,一、电子探针的仪器构造,电子探针的主要组成部份为:,1.电子光学系统,2.,X,射线谱仪系统,3.试样室,4.电子计算机,5.扫描显示系统,6.真空系统等,12,C,1.电子光学系统,电子光学系统包括电子枪、电磁透镜、消像散器和扫描线圈等。其功能是产生一定能量的电子束、足够大的电子束流、尽可能小的电子束直径，产生一个稳定的,X,射线激发源。,（,a）,电子枪,电子枪是由阴极（灯丝）、栅极和阳极组成。它的主要作用是产生具有一定能量的细聚焦电子束(探针)。从加热的钨灯丝发射电子，由栅极聚焦和阳极加速后，形成一个10,m100m,交叉点（,Crossover)，,再经过二级会聚透镜和物镜的聚焦作用，在试样表面形成一个,小于1,m,的电子探针,。电子束直径和束流随电子枪的加速电压而改变，加速电压可变范围一般为1,30kV。,13,C,（,b）,电磁透镜,电磁透镜分会聚透镜和物镜，靠近电子枪的透镜称会聚透镜，会聚透镜一般分两级，是把电子枪形成的10,m100m,的交叉点缩小1100 倍后，进入试样上方的物镜，物镜可将电子束再缩小并聚焦到试样上。为了挡掉大散射角的杂散电子，使入射到试样的电子束直径尽可能小，会聚透镜和物镜下方都有光阑。,14,C,二、,X,射线谱仪,常用的,X,射线谱仪有两种：,一种是利用特征,X,射线的波长不同来展谱，实现对不同波长,X,射线分别检测的波长色散谱仪，简称,波谱仪,（,Wavelength Dispersive Spectrometer,，简称,WDS,）,另一种是利用特征,X,射线能量不同来展谱的能量色散谱仪，简称,能谱仪,（,Energy Dispersive Spectrometer,，简称,EDS,）。,15,C,1,、波谱仪,（,WDS,）,的结构和工作原理,X,射线波谱仪的谱仪系统,也即,X,射线的分光和探测系统是由分光晶体、,X,射线探测器和相应的机械传动装置构成,.,16,C,分光和探测原理,X,射线的分光和探测原理,:,特征,X,射线就能看成具有固定波长的电磁波，不同元素就对应不同的特征,X,射线波长，如果不同,X,射线入射到晶体上，就会产生衍射，根据,Bragg,公式：,可以选用已知面间距,d,的合适晶体分光，只要测出不同特征射线所产生的衍射角2,，,就可以求出其波长,，,再根据公式就可以知道所分析的元素种类，特征,X,射线的强度是从波谱仪的探测器(正比计数管)测得。根据以上原理制成的谱仪称为波长色散谱仪(,WDS)。,如果我们把分光晶体作适当地弹性弯曲，并使射线源、弯曲晶体表面和检测器窗口位于同一个圆周上，这样就可以达到把衍射束聚焦的目的。,17,C,聚焦圆,下图是两种,X,射线聚焦的方法。第一种方法称为约翰,(Johann),型聚焦法（图,a,），虚线圆称为罗兰圆（,Rowland circle,）或聚焦圆，是一种近似的聚焦方式,。,另一种改进的聚焦方式叫做约翰逊,(Johansson),型聚焦法，也叫做完全聚焦法（图,b,）。,18,C,回转式波谱仪和直进式波谱仪,在电子探针中，一般点光源,S,不动，改变晶体和探测器的位置，达到分析检测的目的。根据晶体及探测器运动方式，可将谱仪分为回转式波谱仪和直进式波谱仪等。,19,C,回转式波谱仪,聚焦圆的中心,O,固定，分光晶体和检测器在圆周上以,1,：,2,的角速度运动来满足布拉格衍射条件。,这种谱仪结构简单，但由于分光晶体转动而使,X,射线出射方向变化很大，在样品表面不平度较大的情况下，由于,X,射线在样品内行进的路线不同，往往会造成分析上的误差。,20,C,直进式谱仪,直进式谱仪的特点是分光晶体从点光源,S,向外沿着一直线运动，,X,射线出射角不变，晶体通过自转改变,角。聚焦圆的中心,O,在以,S,为中心，,R,为半径的圆周上运动。,这种谱仪结构复杂，但,X,射线照射晶体的方向固定，使,X,射线穿出样品表面过程中所走的路线相同，也就是吸收条件相同。,21,C,分光晶体,分光晶体是专门用来对,X,射线起色散（分光）作用的晶体，它应具有良好的衍射性能、强的反射能力和好的分辨率。在,X,射线谱仪中使用的分光晶体还必须能弯曲成一定的弧度、在真空中不发生变化等。,各种晶体能色散的,X,射线波长范围，取决于衍射晶面间距,d,和布拉格角,的可变范围，对波长大于,2d,的,X,射线则不能进行色散。,22,C,分光晶体,谱仪的,角有一定变动范围，如,15,-65,；每一种晶体的衍射晶面是固定的，因此它只能色散一段波长范围的,X,射线和适用于一定原子序数范围的元素分析。,目前，电子探针仪能分析的元素范围是原子序数为,4,的铍（,Be,）到原子序数为,92,的铀（,U,）。其中小于氟（,F,）的元素称为轻元素，它们的,X,射线波长范围大约在,18-113,。,23,C,表列出了波谱仪常用分光晶体的基本参数和可检测范围。,表中,STEPb(C18H35O2)2,为硬脂酸铅，,TAP(C8H5O4TI),为邻苯二甲酸氢铊，,PET(C5H12O4),为异戊四醇，,LiF,为氟化锂晶体。,24,C,X,射线探测器,作为,X,射线的探测器，要求有高的探测灵敏度，与波长的正比性好和响应时间短。,波谱仪使用的,X,射线探测器有流气正比记数管、充气正比记数管和闪烁计数管等。,探测器每接受一个,X,光子输出一个电脉冲信号。,25,C,X,射线记数和记录系统,X,射线探测器（例如正比计数管）输出的电脉冲信号经前置放大器和主放大器放大后进入脉冲高度分析器进行脉冲高度甄别。由脉冲高度分析器输出的标准形式的脉冲信号，需要转换成,X,射线的强度并加以显示，可用多种显示方式。,脉冲信号输入计数器，提供在仪表上显示计数率,(cps),读数，或供记录绘出计数率随波长变化（波谱）用的输出电压；此电压还可用来调制显像管，绘出电子束在试样上作线扫描时的,X,射线强度（元素浓度）分布曲线。,26,C,2,、能谱仪,（,EDS,）,的结构和工作原理,能谱仪的主要组成部分如图所示，由探测器、前置放大器、脉冲信号处理单元、模数转换器、多道分析器、小型计算机及显示记录系统组成，它实际上是一套复杂的电子仪器。,27,C,能谱仪的工作原理,由试样出射的具有各种能量的,X,光子相继经,Be,窗射入,Si(Li),内，在,I,区产生电子,-,空穴对。每产生一对电子,-,空穴对，要消耗掉,X,光子,3.8 eV,的能量。因此每一个能量为,E,的入射光子产生的电子,-,空穴对数目,N,E/3.8,。,加在,Si(Li),上的偏压将电子,-,空穴对收集起来，每入射一个,X,光子，探测器输出,个微小的电荷脉冲，其高度正比于入射的,X,光子能量,E,。,28,C,能谱仪的工作原理,电荷脉冲经前置放大器，信号处理单元和模数转换器处理后以时钟脉冲形式进入多道分析器。,多道分析器有一个由许多存储单元（称为通道）组成的存储器。与,X,光子能量成正比的时钟脉冲数按大小分别进入不同存储单元。,每进入一个时钟脉冲数，存储单元记一个光子数，因此通道地址和,X,光子能量成正比，而通道的计数为,X,光子数。,最终得到以通道（能量）为横坐标、通道计数（强度）为纵坐标的,X,射线能量色散谱，并显示于显像管荧光屏上。,下图为,NaCl,的扫描形貌像及其能量色散谱。,29,C,30,C,波谱仪和能谱仪的比较,比较内容,WDS,EDS,分析方式,用几块分光晶体,顺序进行分析,用,Si(Li)EDS,进行多元素同时分析,元素分析范围,4,Be,92U,4Be,92U,定量分析速度,慢,快,分辨率,高（,5,eV,）,低（,130,eV,）,检测极限,10,-2,(%),10,-1,(%),定量分析准确度,高,低,X,射线收集效率,低,高,峰背比（,WDS/EDS）,10,1,31,C,波谱仪和能谱仪的比较,综上所述，波谱仪分析的元素范围广、探测极限小、分辨率高，适用于精确的定量分析。其,缺点,是要求试样表面平整光滑，分析速度较慢，需要用较大的束流，从而容易引起样品和镜筒的污染。,能谱仪虽然在分析元素范围、探测极限、分辨率、,谱峰重叠严重，定量分析结果一般不如波谱等,方面不如波谱仪，但其分析速度快（,元素分析时能谱是同时测量所有元素）,，可用较小的束流和微细的电子束，对试样表面要求不如波谱仪那样严格，因此,特别适合于与扫描电子显微镜配合使用,。,目前扫描电镜与电子探针仪可同时配用能谱仪和波谱仪，构成扫描电镜,-,波谱仪,-,能谱仪系统，使两种谱仪优势互补，是非常有效的材料研究工具。,32,C,33,C,三、试样室,用于安装、交换和移动试样。试样可以沿,X、Y、Z,轴方向移动，有的试样台可以倾斜、旋转。现在试样台已用光编码定位，准确度优于1,m，,对表面不平的大试样进行元素面分析时，,Z,轴方向可以自动聚焦。,试样室可以安装各种探测器，例如二次电子探测器、背散射电子探测器、波谱、能谱、及光学显微镜等。光学显微镜用于观察试样(包括荧光观察)，以确定分析部位，利用电子束照射后能发出荧光的试样（如,Zr02），,能观察入射到试样上的电子束直径大小。,34,C,四、电子计算机及扫描显示系统,扫描显示系统是将电子束在试样表面和观察图像的荧光屏（,CRT）,进行同步光栅扫描，把电子束与试样相互作用产生的二次电子、背散射电子及,X,射线等信号，经过探测器及信号处理系统后，送到,CRT,显示图像或照相纪录图像。,以前采集图像一般为模拟图像，现在都是数字图像，数字图像可以进行图像处理和图像分析。,35,C,五、真空系统,真空系统是保证电子枪和试样室有较高的真空度，高真空度能减少电子的能量损失和提高灯丝寿命，并减少了电子光路的污染。真空度一般为0.01,0.001Pa，,通常用机械泵油扩散泵抽真空。油扩散泵的残余油蒸汽在电子束的轰击下，会分解成,碳的沉积,物，,影响超轻元素的定量分析结果，特别是对碳的分析影响严重,。用,液氮,冷阱冷却试样附近的冷指，或采用无油的涡轮分子泵抽真空，可以减少试样碳污染。,36,C,5-3,电子探针分析的基本原理,1,、利用能量足够高的一束细聚焦电子束轰击样品表面；,2,、在一个有限的深度和侧向扩展的微区体积内，激发产生特征,X,射线讯号；,3,、,X,射线讯号的波长（或能量）和强度是表征该微区内所含元素及浓度的重要信息。,发生跃迁的条件：,Eo,Ec,（,Eo,为入射电子能量，,Ec,为某元素原子的内层电子临界电离激发能,),37,C,元素,符号,Z,K,1,E,E,22,23,24,25,26,27,28,29,30,31,32,33,34,35,36,37,38,39,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,As,Se,Br,Kr,Rb,Sr,Y,2.749,2.504,2.290,2.102,1.936,1.789,1.658,1.541,1.435,1.340,1.254,1.177,1.106,1.041,-,-,-,-,4.511,4.952,5.415,5.899,6.404,6.930,7.478,8.048,8.639,9.252,9.886,10.53,11.21,11.91,-,-,-,-,27.42,24.25,21.64,19.45,17.59,15.97,14.56,13.34,12.25,11.29,10.44,9.671,8.99,8.375,7.817,7.318,6.863,6.449,0.452,0.511,0.573,0.637,0.705,0.776,0.852,0.930,1.012,1.098,1.188,1.282,1.379,1.480,1.586,1.694,1.807,1.923,L,1,特征,X,射线的波长和能量表,38,C,定性分析的基础是,Moseley,关系式:,式中,为元素的特征,X,射线频率，,Z,为原子序数，,K,与,均为常数，,C,为光速。当,1,时，,与,Z,的关系式可写成:,由式可知，组成试样的元素(对应的原子序数,Z),与它产生的特征,X,射线波长(,),有单值关系，即,每一种元素都有一个特定波长的特征,X,射线与之相对应,，它不随入射电子的能量而变化。如果用,X,射线波谱仪测量电子激发试样所产生的特征,X,射线波长的种类，即可确定试样中所存在元素的种类，这就是定性分析的基本原理。,一、定性分析的基本原理,39,C,能谱定性分析主要是根据不同元素之间的特征,X,射线能量不同，即,Eh，h,为普朗克常数，,为特征,X,射频率，通过,EDS,检测试样中不同能量的特征,X,射线，即可进行元素的定性分析，,EDS,定性速度快，但由于它分辨率低，不同元素的特征,X,射线谱峰往往,相互重叠,，必须正确判断才能获得正确的结果，分析过程中如果谱峰相互重叠严重，可以用,WDS,和,EDS,联合分析，这样往往可以得到满意的结果。,40,C,二、定量分析的基本原理,试样中,A,元素的相对含量,C,A,与该元素产生的特征,X,射线的强度,I,A,(X,射线计数)成正比:,C,A,I,A,，,如果在相同的电子探针分析条件下，同时测量试样和已知成份的,标样中,A,元素的同名,X,射线(如,K,线)强度，经过修正计算，就可以得出试样中,A,元素的相对百分含量,C,A,:,式中,C,A,为某,A,元素的百分含量，,K,为常数，根据不同的修正方法,K,可用不同的表达式表示，,I,A,和,I(,A,),分别为试样中和标样中,A,元素的特征,X,射线强度，同样方法可求出试样中其它元素的百分含量。,41,C,5-4,电子探针的试样要求,1,、试样尺寸,所分析的试样应为块状或颗粒状，其最大尺寸要根据不同仪器的试样架大小而定。,定量分析的试样要,均质,，厚度通常应大于5,m。,例如对,JCXA-733,电子探针仪，最大试样尺寸为,32mm,25mm。EPMA-8705,电子探仪所允许的最大试样尺寸为102,mm,20mm。,由于电子探针是微区分析，定点分析区域是几个立方微米，电子束扫描分析和图像观察区域与放大倍数有关，但最大也不会超过5,mm。,所以均匀试样没有必要做得很大，有代表性即可。,如果试样均匀，在可能的条件下，试样应尽量小，特别对分析不导电试样时，小试样能改善导电性和导热性能。,42,C,2,、具有较好的电导和热导性能,金属材料一般都有较好的导电和导热性能，而硅酸盐材料和其它非金属材料一般电导和热导都较差。后者在入射电子的轰击下将产生电荷积累，造成电子束不稳定，图像模糊，并经常放电使分析和图像观察无法进行。试样导热性差还会造成电子束轰击点的温度显著升高，往往使试样中某些低熔点组份挥发而影响定量分析准确度度,。,因此,对于硅酸盐等非金属材料必须在表面均匀喷镀一层20,nm,左右的碳膜、铝膜或金膜等来增加试样表面的导电和导热性能。,43,C,3,、试样表面光滑平整,试样表面必须抛光，在100 倍反光显微镜下观察时，能比较容易地找到50,m,50m,无凹坑或擦痕的分析区域。因为,X,射线是以一定的角度从试样表面射出，如果试样表面凸凹不平，就可能使出射,X,射线受到不规则的吸收，降低,X,射线测量强度，下图表明试样表面台阶引起的附加吸收。,44,C,试样表面台阶引起的附加吸收,45,C,4,、试样制备方法,粉体,可以直接撒在试样座的双面,碳导电胶,上，用表面平的物体，例如玻璃板压紧，然后用洗耳球吹去粘结不牢固的颗粒。当颗粒比较大时，例如大于5,m，,可以寻找表面尽量平的大颗粒分析。也可以将粗颗粒粉体用环氧树脂等镶嵌材料混合后，进行粗磨、细磨及抛光方法制备。,46,C,对于小于5,m,小颗粒，严格讲不符合定量分析条件，但实际工作中有时可以采取一些措施得到较好的分析结果。,对粉体量少只能用电子探针分析时，要选择粉料堆积较厚的区域，以免激发出试样座成分,。,为了获得较大区域的平均结果，往往用扫描的方法对一个较大区域进行分析。要得到较好的定量分析结果，最好将粉体用压片机压制成块状，此时标样也应用粉体压制。,对细颗粒的粉体分析时，特别是对团聚体粉体形貌观察时，需将粉体用酒精或水在超声波机内分散，再用滴管把均匀混合的粉体滴在试样座上，待液体烘干或自然干燥后，粉体靠表面吸附力即可粘附在试样座上。,47,C,块状试样,，特别是测定薄膜厚度、离子迁移深度、背散射电子观察相分布等试样，,可以用环氧树脂等镶嵌后，进行研磨和抛光,。,较大的块状试样也可以直接研磨和抛光，但容易产生倒角，会影响薄膜厚度及离子迁移深度的测定，对尺寸小的试样只能镶嵌后加工。,对多孔或较疏松的试样，例如有些烧结材料、腐蚀产物等，需采用真空镶嵌方法。将试样用环氧树脂胶浸泡，放入低真空容器内抽气，然后在60,C,恒温烘箱内烘烤4,h，,即可获得坚固的块状试样。这可以避免研磨和抛光过程中脱落，同时可以避免抛光物进入试样孔内引起污染。,48,C,对,不导电的试样,，例如陶瓷、玻璃、有机物等，在电子探针的图像观察、成分分析时，会产生放电、电子束漂移、表面热损伤等现象。使分析点无法定位、图像无法法聚焦。大电子束流时，例如106,A，,有些试样电子束轰击点会产生起泡、熔融。为了使试样表面具有导电性，必须,在试样表面蒸镀一层金或者碳等导电膜,，镀膜后应马上分析，避免表面污染和导电膜脱落。,49,C,一般形貌观察时，蒸镀小于10,nm,厚的金导电膜。,金导电膜具有导电性好、二次电子发射率高、在空气中不氧化、熔点低，膜厚易控制等优点，可以拍摄到质量好的照片。,成分定性、定量分析，必须蒸镀碳导电膜。,碳为超轻元素，对所分析元素的,X,射线吸收小，对定量分析结果影响小。蒸镀碳只能用真空镀膜仪。镀膜要均匀，厚度控制在20,nm,左右，为了保证试样与标样镀膜厚度相同，标样和试样应该同时蒸镀。,50,C,谱图分析,：对所选任意区域进行全谱分析（定性、相对定量、无标样定量分析）,微区分析,：点扫描,/,线扫描,/,面扫描,/,阵列扫描分析,定点分析,：对样品表面选定微区作定点的全谱扫描定性分析；,线扫描分析,：电子束沿样品表面选定的直线轨迹作所含元素浓度的线扫描分析；,面扫描分析,：电子束在样品表面选定的区域作面扫描，以特定元素的,X,射线讯号调制阴极射线管荧光屏亮度，给出该元素浓度分布的扫描图像；,定量分析,：相对定量,/,无标样定量,/,定量面分布分析,5-5,电子探针主要分析技术,EPMA,分析样品类型：优势领域,-,表面,/,表层,/,界面,/,薄膜,EDX(EPMA),定性,/,定量分析技术,51,C,1.点分析,将电子探针固定在试样感兴趣的点上，进行定性或定量分析。该方法用于显微结构的成份分析，如，对材料晶界、夹杂、析出相、沉淀物、奇异相及非化学计量材料的组成等研究。,Element,Wt%,At%,OK,48.30,59.00,MgK,44.55,35.81,AlK,07.15,05.18,Matrix,Correction,ZAF,52,C,2.线分析,电子束沿一条分析线进行扫描(或试样扫描)时，能获得元素含量变化的线分布曲线。如果和试样形貌像(二次电子像或背散射电子像)对照分析,能直观地获得元素在不同相或区域内的分布。,53,C,3.面分析,将电子束在试样表面扫描时，元素在试样表面的分布能在,CRT,上以亮度分布显示出来（定性分析）。,10m,Mg,Zr,P,O,F,54,C,4.,微区分析,55,C,Element,Wt%,At%,CK,08.26,12.99,OK,40.74,48.10,NaK,02.44,02.00,MgK,37.89,29.44,AlK,10.68,07.47,Matrix,Correction,ZAF,全谱扫描,区域扫描,Element,Wt%,At%,OK,46.92,58.15,MgK,35.27,28.76,AlK,17.81,13.09,Matrix,Correction,ZAF,56,