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T∕ZZB 0648-2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片.pdf

上传人:sujian****n2011 文档编号:94310 上传时间:2022-07-11 格式:PDF 页数:10 大小:520.26KB
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资源描述

1、 ICS 29.045 H 82 ZZB 浙江制造团体标准 T/ZZB 06482018 200 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片 200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers 2018 - 10 - 19 发布 2018 - 11 - 01 实施 浙江省品牌建设联合会 发 布 目 次 前言 . II 1 范围 . 1 2 规范性引用文件 . 1 3 术语和定义 . 1 4 产品分类 . 1 5 基本要求 . 2 6 技术要求 . 2 7 试验方法 . 4 8 检验规则

2、. 4 9 包装、标志、运输和贮存 . 6 10 订货单(或合同)内容 . 7 11 质量承诺 . 7 前 言 本标准按照GB/T 1.12009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由浙江省浙江制造品牌建设促进会提出并归口。 本标准由浙江省标准化研究院牵头组织制定。 本标准主要起草单位:浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本标准参与起草单位:金瑞泓科技(衢州)有限公司。 本标准主要起草人:许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲。 本标准由浙江省标准化研究院负责解释。200 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片 1 范围

3、 本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺。 本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件, 仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T

4、2828.12012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒

5、测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语及定义适用于本文件。 4 产品分类 本产品为N型直拉硅单晶抛光片,按照晶向分为常用的、两种规格。 5 基本要求 5.1 应满足客户关注的要求,包括表面颗粒、硅片平整度、表面金属杂质等;筛选并确定关键制造过程工艺配方,包括直拉单晶硅工艺技术、CMP(化学机械抛光)工艺技术、化

6、学清洗工艺技术等。 5.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求,具体指标见表 1。 表1 多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质浓度,10-9 0.25 受主杂质浓度,10-9 0.08 少数载流子寿命,s 1 000 碳浓度,atoms/cm3 1.01016 氧浓度,atoms/cm3 基体金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量:1.5 表面金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量:10.5 5.3 应采用 DCS、PLC 等自动化控制系统,以及密闭化、

7、高效节能的生产设备和装置,最终检验生产车间为洁净车间,达到 0.1 m 颗粒十级以上标准。 5.4 应具备第 6 章技术要求中规定所有出厂检验项目的检测能力。 6 技术要求 6.1 物理性能参数 6.1.1 硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表 2 的规定,其他氧含量、碳含量的参数应符合 GB/T 12962 的规定。 表2 硅抛光片物理性能参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 P 电阻率,cm 0.0015 电阻率径向变化, % 10 6.1.2 硅抛光片的直径、 晶向、 参考面晶向、 主参考面和副参考面的位置、 切口尺寸均应符合 GB/T 12965的规定。 6

8、.2 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表3的规定,表3未包含参数或对表3中参数有其他要求时,由供需双方协商确定。 表3 硅抛光片几何参数 项目 指标要求 硅片直径,mm 200 直径允许偏差,mm 0.2 硅片厚度,中心点,m 725 厚度允许偏差,m 10 总厚度变化(TTV),m 3 弯曲度(WARP),m 40 60(背面为多晶加背封) 翘曲度(BOW),m 40 60(背面为多晶加背封) 总平整度(TIR),m 2 局部平整度(SFQR,边缘扩展,PUA100%),m (25 mm25 mm)0.25 6.3 氧化诱生缺陷 氧化诱生缺陷不大于50 个/cm2。 6.4 表面质量 硅抛

9、光片表面质量应符合表4的规定,其中对颗粒的要求可由供需双方协商确定。 表4 抛光片表面质量目检要求 序号 项目 指标要求 正表面 1 划伤 无 2 蚀坑 无 3 雾 无 4 局部光散射体(颗粒)个/片 局部光散射体直径 0.16 m 100 0.2 m 15 0.3 m 7 0.5 m 1 5 区域沾污 无 6 崩边 无 7 裂纹,鸦爪 无 8 凹坑 无 9 沟(槽) 无 10 小丘 无 11 桔皮,波纹 无 12 线痕 无 背表面 13 崩边 无 14 裂纹,鸦爪 无 15 区域沾污 无 16 线痕 无 表4 (续) 序号 项目 指标要求 背表面 17 背表面处理 酸或碱腐蚀,外吸除、背封等

10、处理或由供需双方商定 6.5 边缘轮廓 硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应满足GB/T 12965的要求,且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物。 6.6 表面金属 表面金属(Cr、Fe、Ni、Cu)每种元素应不大于11010 atoms/cm2,表面金属(Na、K、Ca、Al、Zn)每种元素应不大于51010 atoms/cm2。 6.7 其他 硅抛光片的激光刻号、边缘抛光等其他要求,由供需双方协商确定。 7 试验方法 7.1 导电类型测量按照 GB/T 1550 进行。 7.2 电阻率测量按照 GB/T 6616 进行。 7.3 硅片径向电阻率变化按照 GB/T 11073 进行。

11、 7.4 硅单晶直径及允许偏差的测量按照 GB/T 14140 进行。 7.5 硅单晶晶向及晶向偏离度的测量按照 GB/T 1555 进行。 7.6 厚度和总厚度变化的测量按照 GB/T 29507 进行。 7.7 弯曲度测量按照 GB/T 6619 进行。 7.8 翘曲度测量按照 GB/T 32280 进行。 7.9 硅抛光片的平整度和局部平整度测量按照 GB/T 29507 进行。 7.10 抛光片氧化诱生缺陷按照 GB/T 4058 进行。 7.11 表面质量检验按照 GB/T 6624 进行。 7.12 局部光散射体(微小颗粒沾污)按照 GB/T 19921 进行。 7.13 表面金属

12、沾污的测量按照 GB/T 24578 进行,或按照供需双方协商的方法进行。 8 检验规则 8.1 检验分类 检验分为出厂检验和型式检验。 8.2 出厂检验 8.2.1 组批 产品以成批的形式提交验收,每批应由同一批号、相同规格的硅抛光片组成,每批硅抛光片应不少于25 片。 8.2.2 检验项目 8.2.2.1 每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量(除局部光散射体外)进行检验。 8.2.2.2 导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定。 8.2.3 取样 8.2.3.1 非破坏性检验

13、项目的检验取样按 GB/T 2828.12012 一般检查水平、正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案。 8.2.3.2 破坏性检验项目的检验取样按 GB/T 2828.12012 特殊检查水平 S-2、正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案。 8.2.4 检验结果的判定 8.2.4.1 导电类型检验若有一片不合格,则该批产品为不合格,其他检验项目的接收质量限(AQL)见表 5。 表5 接收质量限 序号 项目 接收质量限(AQL) 1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 厚度 1.0 4 总厚度变化 1.0 5 弯曲度 1.0 6 翘曲度 1.0 7

14、 总平整度 1.0 8 局部平整度 1.0 9 表面质量 区域沾污 1.0 划伤, 蚀坑 1.0 崩边, 裂纹、鸦爪 累计 1.0 凹坑,沟(槽)、小丘,桔皮、波纹 累计 1.0 线痕 累计 1.0 累计 2.0 8.2.4.2 氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定。 8.2.4.3 抽检不合格的产品,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格品可以重新组批。 8.3 型式检验 8.3.1 条件 有下列情况之一时,必须进行型式检验: a) 新产品或老产品转厂生产试制的定型鉴定; b) 产品结构、工艺、原材料有重大改变并可

15、能影响到产品性能时; c) 产品停产半年以上,重新恢复生产时; d) 出厂检验结果和最近一次型式检验结果有较大差异时; e) 质量监督机构提出型式检验要求时。 8.3.2 项目 型式检验的项目为本标准第6章的全部要求。 8.3.3 抽样规则 型式检验的样本: a) 针对电阻率范围、径向电阻率变化、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、目检表面质量、局部平整度、局部光散射体(颗粒)等项目,应从出厂检验合格的产品中抽取,每次随机抽取样品总量的 5,单次抽样不小于 25 片; b) 针对直径、晶向及晶向偏离度、参考面位置和晶向、切口尺寸、边缘轮廓、导电类型、氧化诱生缺陷、表面金属含量等项目,应

16、从出厂检验合格的产品中每次随机抽取,1 片/加工批次。 9 包装、标志、运输和贮存 9.1 包装 硅抛光片的包装按YS/T 28的相关内容执行或由供需双方协商,每批产品应有质量证明书,内容可包括: a) 供方名称; b) 产品名称; c) 规格; d) 产品批号; e) 产品片数(盒数); f) 各项参数检验结果和检验部门的印记; g) 出厂日期。 9.2 标志 硅抛光片的包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识,并标明: a) 供方名称; b) 产品名称; c) 规格; d) 产品件数或数量。 9.3 运输和贮存 产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施,产品应贮存在清洁、干燥的环境中。 10 订货单(或合同)内容 本文件所列产品的订货单(或合同)可参照GB/T 32279规定,或由供需双方协商确定。 11 质量承诺 11.1 在本文件的包装方式条件,以及在上述要求的储存环境条件下,质保期为 12 个月,质保期内,在正常使用情况下如出现质量问题,提供免费换货服务。 11.2 对客户提出的咨询或投诉,在 24 h 内作出响应;在 48 h 内为客户提供合理范围内的服务或解决方案。 11.3 出货后 5 年内,客户有任何相关资料需要,承诺一个工作日内回复相关资料。

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