用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO／Al背反射电极.doc

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用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO／Al背反射电极.txt机会就像秃子头上一根毛，你抓住就抓住了，抓不住就没了。我和你说了10分钟的话，但却没有和你产生任何争论。那么，我们之间一定有个人变得虚伪无比！过错是短暂的遗憾，错过是永远的遗憾。相遇是缘，相知是份，相爱是约定，相守才是真爱。本文由yahoo814贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。维普资讯第３６卷第６期　２００７年１　２月一　工　晶体　学　报　人　ＪＵＲＮＡＬＯ　ＳＯ　ＦＹＮＴＴＩ　ＣＨＥＣＲＹＳＡＬ　ＴＳＶｏ．６Ｎｏ６１３　．　Ｄｅｅｅ。０７ｃｍｂｒ２０　用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳　电池ＺＯＡ背反射电极　ｎ／Ｉ薛俊明，孙　建，任慧志，刘云周，苓伟，．段　周祯华，张德坤，赵颖，新华　耿（南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室；　光电信息技术科学教育部重点实验室，天津３０７）００１　摘要：本文首先在低温（４￣和低功率下采用ｚ：ｌ１０Ｃ）ｎＡ合金靶直流反应磁控溅射法研制ＺＯ：１明导电膜。然后　ｎＡ透在单结（ｌｓＳＯ／ｉ／或双结（ｌｓＳＯ／ｉ／ｉ／非晶硅电池上沉积约７ｇａ／ｎ　ｐ）ｓｎｇｓ／ｎ　ｐｐｎ）ａｎ０一ｌＯｍ厚的ＺＯ透明导电膜，Ｏｎｎ最　后再用电阻蒸发法沉积Ａ电极。实验获得了较好的ｎ／ｎｌ　ＺＯ界面，实现了ＺＯＡ背电极的增反作用，电池的短　ｎ／１使路电流增加１３Ａｃ　光电转化效率提高１— ％（￣ｍ／ｍ，３绝对效率）小面积电池效率达到９５　，．％。关键词：晶硅电池；ｎ／１非ＺＯＡ复合背电极；背反射；短路电流；转换效率　中图分类号：４４０８　文献标识码：　Ａ文章编号：００９５２０）６１８－５１０ —８Ｘ（０７０ —２３０　Ｓｕｙｏ　ｎｔｄ　ｆＺＯ／Ａ！ＢａｋＲｅｅｔｒｏ　ｃ　ｆｃｏ　ｆＡｍｏｐｏｓＳｌｏ　ｌｒｈｕ　ｉｃｎｉＳｏａ　ｌｓｗｉｈＤＣ－ａｎｅｒｎＳｔｅｉｇｌｒＣｅｌ　ｔ　ｍｇｔｏ　ｐｕｔｒｎ　ｘ　ｕ — ｎ．ＵＮＪａＲＥ　ｉｈ，ＵＹｎｚｏＤＵＡ　ｉｇｗｉ　ＵＥＪｎｍｉｇｓ　ｉｎ，ＮＨｕ— ｉｌ　ｕ－ｈｕ，ｚＩＮＬｎ．ｅ．ＺＨｏＵ　ｅ．ａＺｈｎｈｕ　ｚＨＡＮＧ　．ｕ　ＺＨＡｏ　ＤｅｋｎＹ　ｇ　ＧＥＮＧ　ｎ．ｕ　Ｘｉｈａ（ｎｔｕｅｏ　ｈｔ—ｌｃｏｉＴｉＦｌ　ｅｉｓａｄＴｃｎｌｇ．ａｋｉｎｖｒｔ：ｅ　ａｏａｏｙｏ　Ｉｓｔｔ　ｆｏｅｅｔｎｃｈｎｉＤｖｅ　ｎ　ｅｈｏｏｙＮａ　ｉｓｙＫｙＬｂｒｔ　ｆｉＰｏｒ　　ｍｃｎＵｅｉｒＰｏｏｅｅｔｎｃＴｉ　ｉ　ｅｉｓａｄＴｃｎｌ　ｆｉｊ；ｅ　ａｏａｒｏ　ｐｏｌｔｎｃｈｔ—ｌｒｉｈｎＦｌＤｖｅ　ｎ　ｅｈｏｏｏ　ａｉＫｙＬｂｒｔｙｆｔｅｒｉｃｏ　ｍｃｙｇＴｎｎｏ　Ｏｅｃｏ　ＩｆｒｔｎＳｉｎｅａｄＴｃｎｌｇ，Ｍｉｉｔｙｏ　ｄｃｔｎｎｏｍａｉ　ｃｅｃ　ｏｎ　ｅｈｏｏｙｎｓｒ　ｆＥｕａｉｏ，Ｔａｊ　００ｌＣｉａ　ｉｉ３０７，ｈｎ）ｎｎ（ｅｅｅ　　ｅｒａｙ２０，ｃｐｅ　０Ｊｌ　０７　Ｒｃｉｄ８Ｆｂｕｒ０７ａｃｔ２　ｕｙ２０）ｖ　ｅｄＡｂｔａｔＴｈ　Ｚｓｒｃ：ｅｎＯ：　ｒｎｐｒｎ　ｔｎｆｌ　ｒ　ｒｐｒｄｙＡ１ｔａｓａｅｔｈｉ　ｍｓｗｅｅｐｅａｅ　ｂ　ＤＣ— ｇｅｒｎｐｔｒｎ　ｓｎ　ｉｍａｎｔｏ　ｓｕｔｉｇｕｉｇＺｎ：　ｅＡ１ａｏ　ｒｅａｔｅｏ　ｍｅａｕｅｏ　０１．ｆｒｉｌｊｎｔｎ（ｌｓＳＯ／ｉ／ｎ　ｎｅ（ｌｓ　ｌｙｔｇｔｔｈ　ｗｔｐｒｔｒｆ４＂Ａｔ　ｎｅｕｃｏｇｓｎ２ｐｎ）ａｄｔｄｍｇｓｌａ　　ｌｅ　１３ｅｓｇ　ｉａ／ａａ／ＳＯ／ｉ／ｉ）ａｒｈｕ　ｉｃｎｓｌ　ｅｓｗｒ　ｒｐｒｄＴｅ　ｅｅｃｖｒｄｗｔ　ｈｃｎｓｏ　０　ｎ２ｐｎｐｎ／ｍｏｐｏｓｓｉ　ｏａｃｌ　ｅｅｐｅａｅ．ｈｙｗｒｏｅｅ　ｉｔｉｅｓｆ７ — ｌｏｒｌ　ｈｋ　１０ｎＺｎｔｉ　ｌ．ＴｅＡ１ｅｅｔｏｅ　ｒ　ｖｐｒｔｄｆｎｌｙｈｅｈｇ　ｅｏｍａｃ　ｎｔｒａｅｏ　　／０ｍ　Ｏ　ｈｎｆｍｓｈ　　ｌｃｒｄｓｗｅｅｅａｏａｅ　ａｌ．Ｔ　ｉｈｐｒｒｎｅｉｅｃ　ｆｎ　ｉｉｆｆＺｎｗａ　ｃｉｖｄ．ＴｅｅａｃｄｒｆｅｔｎｅｆＺＯ　ｓａｈｅｅｈ　ｎｈｎｅ　ｅｃａｃ　ｏ　ｎＯ／Ａ１ｒａ　ｌｃｒｄｅｗａ　ｅｉｅｌ　ｅｒｅｅｔｏ　ｓｒａｚｄ，ｗｈｉｈｍａｅｔｅｌｃ　ｄ　ｈ　ｓｏｔｃｒｅｃ　ｆｔｅｃｌｓｉｃｅｓｄｂ　 — ｈｒ　ｕｒｎｙｏ　ｈ　ｅｌ　ｎｒａｅ　ｙ１３ｍＡ／ｃｍ　．ｔｅｅｃｅｃ　ｆｔ　ｅｌ　ｎｒａｅ　ｙ１３．Ａｓａｈ　ｆｉｎｙｏ　ｉｈｅｃｌｓｉｃｅｓｄｂ　．％　　ｒｓｌ　ｈ　ｉｈｅｃｅｃ　ｆ９．ｅｕｔｔｅｈｇ　ｆｉｎｙｏ　５％ｗａ　ｃｉｖｄｆｒｓｎｌ　ｕｃｉｎａｄｔｎｅｓｌｒｃｌｓ　ｉｓａｈｅｅ　ｏ　ｉｇｅｉｎｔｏ　ｎ　ａｄｍ　ｏａ　ｅｌ．Ｋｅ　ｒｓ：ｍｏｐｏｓｉｉｏ　ｓｌｒｅｌ；Ｚｎｙｗｏｄａｒｈｕ　ｓｌｃｎｏａ　ｃｌｓＯ／Ａ１ｅｌｅｅｔｏ　ｒａ＂ｌｃｒｄｅ；ｂｃ　ｒｆｅｔｎｃａｋｅｌｃａｅ；ｓｏ　ｃｒｅｃ　ｈｒｕｎｙ；ｔｃｎｅｓｏ　ｆｃｅｙｏｖｒｉｎｅｉｎｃ　ｉ收稿日期：０７０－８修订日期：０７７２　２０－２；０２０－－００基金项目：天津市科技发展计划项目（６ＧＧ０１０）国家重点基础研究发展规划“ ７ ” 目（ｏ２０Ｃ２２０，２０Ｃ２２０）０ＹＦＺＸ２０；９３项Ｎ．０６Ｂ０６２０６Ｂ０６３　作者简介：俊明（９６）男，肃省人，教授。Ｅｍａｌｘｅｍｎｋｉｅｕｃ　薛１６一，甘副 — ｉ：ｕｊ＠ａａ．ｄ．ａｎ维普资讯１８　２４人工晶体学报　第３６卷　１引　　言　对非晶硅太阳电池来说，目前的关键问题是进一步提高光电转换效率和改善稳定性。国内外都普遍采　取了叠层电池结构以达到减薄本征Ｉ、层增强内建电场，而在一定程度上达到了抑制光致衰退的目的。提　从高电池性能的另一个技术途径是采用陷光结构，即通过采用绒面透明导电膜以增大光在电池Ｉ的光程；层通　过ＴＯＭｔ复合背反射电极以增强背电极对长波段光的反射作用。其中ＺＯＭｅｌ合背反射电极不但　Ｃ／ｅｌａｎ／ｔ复ａ可以使Ｉ的光吸收增强，而增大短路电流，高电池的转化效率，层从提而且可以进一步减薄Ｉ，善电池的　层改稳定性；此外，ｎＺＯ可以阻挡金属背电极元素如Ａ或Ａ向ｎ的扩散，ｇｌ　层改善界面及电池性能 ¨ 。目前，　国　内关于复合背反射电极的研究较少，本文就非晶硅电池的复合背反射电极的制备工艺条件、增反作用、　　ｎ／ＴＯ界面特性及ＺＯＭｅｌＣｎ／ｔ复合背反射电极对电池性能的影响等进行了研究。ａ　２ＺＯＡ复合背反射电极增反原理　　ｎ／１图１是硅基薄膜太阳能电池背反射电极的增反原理示意图。利用薄膜干涉原理，薄膜上、表面对某　使下种波长的光的反射光发生相长干涉，结果是增加了该光的反射，少了它的透射。其减　图１背反射原理示意图　Ｆｉ１Ｐｒｎｃｐｅｏ　ｃ　ｅｅｔｏ　ｇ．　ｉｉｌ　ｆｂａｋｒｆｃｉｎｌ假设太阳光垂直入射，ｉ０，略ｎ层影响，即＝。忽主要考虑ＺＯ层对反射的影响（式中的ｋ：０ ±１　ｎ公，， ±２ … … ），。当膜厚满足条件（虑半波损失）　考：２ｄ＝（ｋ）×Ａ２时干涉增强　ｎ２＋１／２ｄ＝ｋ／ｎ２Ａ２时干涉减弱　根据以上公式，ＺＯ的折射率ｎ＝１９，射光的波长为６０ｍ，ｋ＝０时，知ＺＯ的厚度ｄ＝当ｎ．５入５ｎ若可ｎ　８．ｎ因此，般复合背反射电极ＺＯ的厚度约为８３３ｍ。一ｎ０一ｌＯｍ。Ｏｎ　３实　　验　本文制备ＺＯ：ＩｎＡ采用的是ｚ：ｌｎＡ合金靶直流反　应磁控溅射，射靶材选用Ａ重量百分比为２（溅ｌ％原　子百分比约为５）％的金属ｚｎ靶，射时衬底温度在　溅１０—１０范围内调节，到基片的距离为４—５ｍ，２５℃ 靶ｃ　溅射时通人Ｏ／ｒ比为１１２Ａ／０—１２／０的Ｏ、ｒ２Ａ混合气　体，射气压为０６—１２ａ直流溅射功率为８　溅．．Ｐ，０— ２００Ｗ。在上述工艺条件范围内对ＺＯ透明导电膜的　ｎ工艺条件进行了优化研究。　然后在单结（ｌｓＳＯ／ｉ／ｇａ／ｎ２ｐｎ）或双结（ｌｓ　ｓｇｓａ／ＳＯ／ｉｐｎ）晶硅电池上沉积约７ｎ２ｐｎｉ非／／０一ｌＯｍ厚的　Ｏｎ图２不同厚度ＺＯ的光透过率　ｎＦｇ２Ｔａｓｔｎｅｏ　ｎ　ｉ　ｉｅｅｔｔｉｋｅｓｉ．　ｒｎｍｉａｃ　ｆＺＯｗｔｄｆｒｎ　ｈｃｎｓ　ｔｈ维普资讯第６期　薛俊明等：用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ＺＯＡ背反射电极　ｎ／Ｉ１８　２５ＺＯ透明导电膜，后再用电阻蒸发法沉积Ａ电极。实验获得了较好的ｎ／ｎｎ最１　ＺＯ界面，现了ＺＯＡ的增　实ｎ／１反作用。　４结果与讨论　　４１ＺＯ低温溅射　．　ｎ由于制备ＺＯ：１ｎＡ时不能破坏已沉积的非晶硅电池，故溅射ＺＯ：１的衬底温度必须低于制备非晶硅　ｎＡ时电池的衬底温度，而本文中制备电池的加热器指示温度为１５（，片的实际温度约在１０～１０，在电　７￣基２５６℃ 故池上溅射ＺＯ：１ｎＡ的基片温度选择１０。其它优化工艺参数为，到基片的距离４５ｍ，射时通人Ｏ、ｒ４℃ 靶．ｃ溅，Ａ　混合气体的Ｏ／ｒ：Ａ比为１１，／０溅射气压为１Ｏａ直流溅射功率约为１０．Ｐ，８Ｗ。这样制备的ＺＯ：１ｎＡ在厚度为　７～ｌｎ０Ｏｍ时方块电阻约为３０～０１口，Ｏ０６０￣＂／折射率约为１９（３．ｎ．５６２８ｍ时）左右，在可见光波段的光透过率　在８％以上（图２所示）　０如。 ’ 　ｇ　董　酱　图３（）ａ不同厚度ＺＯ的ＸＤ谱　ｎＲＦｇ３（）Ｒ　ｆｎ　ｌ　ｉ　ｉｅｎ　ｉｎｓｉ．　ａＸＤｏ　ＯｆｍｓｔｄｒｔｈｋｅｓＺｉｗｈｆｅｔｃ　图３（）０ｂＯ２峰强度随ＺＯ厚度的变化　ｎＦｇ３（）０　ｔｓｙｏ　ｎ　ｉ　ｉｅｎ　ｉｎｓｉ　ｂ０２ｉｅｉ　ｆＯｗｔｄｒｔｈｋｅｓ．ｎｎｔＺｈｆｅｔｃ　图３ａ是不同厚度ＺＯ的ｘ射线衍射谱，３ｂ是图３ａ中ＸＤ谱的０２峰（Ｏ～４）（）ｎ图（）（）Ｒ０２３。强度随ＺＯｎ　厚度的变化。由图３可以看到，ｎ的晶化状态随着厚度的增加显著提高，６ｎ和２５ｍ晶化较好，０ｍＺＯ３０ｍ２ｎ９ｎ　只有微弱的晶化峰，５ｍ根本没有任何晶化。４ｎ　４２ｎ／ｎ界面的研究　．　　ＺＯ为了研究ｎ／ｎ界面的电接触特性，制备并　　ＺＯ特测量了ＩＯｎ　ｃＳ／ｎ／１暗态Ｉ特性，且　Ｔ／　一 —ｉＺＯＡ的 — Ｖ并与ＩＯｎ　ｃＳ／１行了比较（图４所示）由图　Ｔ／　一 —ｉＡ进如。４可以看到，ｎ在　和Ａ之间加入ＺＯ层后，１ｎ基本上没　有改变其暗态，Ｉ特性，说明溅射ＺＯ没有改变　－，这ｎｎ　 —ｉ　一ｃＳ的材料性能，且界面良好。并　４３ＺＯ／Ｉ．　ｎＡ复合背电极的增反作用　图５示出了不同厚度的ＺＯ和Ａ所构成的复合　ｎ１背电极的增反作用。由图５可以看到，对于Ａ金属　相１背电极，５ｍ和９ｎ厚的ＺＯ与Ａ构成的复合背　４ｎ０ｍｎ１电极在可见光区都由较强的增反作用，０ｍ厚的ＺＯ９ｎｎ　更好。　图４ｎ／ｎ　　ＺＯ界面的暗态，特性　＿　Ｆｇ４ＩＶｃｒｅｏ　　／ｎ　ｎｅｆｃ　ｉ．　－　ｕｖ　ｆｎＺＯｉｔｒｅａ维普资讯１８　２６人工晶体学报　第３６卷　 ∞ 　图５ＺＯ／Ｉ电极的增反作用　　ｎＡ背Ｆｇ５Ｔｅｅｈｎｅ　ｅｅｔｎｏ　ｎ／Ｉａｋｒｆｃｒｉ．　ｈ　ｎａｃｄｒｌｉ　ｆＯＡ　ｃ　ｅｅｔ　ｆｃｏＺｂｌｏ图６有无ＺＯ背电极的ＱｎＥ测试比较　Ｆｇ６Ｑ　　ｌ　ｌ　ｉ　ｄｗｔｏｔｎ／Ｉａｋｒｌｃｒｉ．　Ｅｏｓａｃｌｗｔａ　ｉｕＺＯＡ　ｃ　ｅｅｔ　ｆｏｒｅｓｈｎｈ　ｂｆｏ４４ＺＯ／ｉ．　ｎＡ复合背电极对电池性能的影响　本文实验证明，采用ＺＯＡ复合背电极，以使薄膜非晶硅电池性能产生如下几点变化：ｎ／Ｉ可　（）层电池开路电压　略有上升　１叠开路电压　主要由Ｐ　和ｎ个重掺杂层的费米能级之差决定，外ｐｉｎｉ面也影响　。在ｎ　两另－和 —界　层材料上溅射ＺＯ：Ｉ反射电极，ｎＡ背原则上不会对　有太大的影响。但是，由于ＺＯ：ＩｎＡ的电导率小约两个　量级，因此，ｎ层和金属Ａ背电极之间加人ＺＯ：Ｉ会在一定程度上阻止Ａ的漏电，大电池并联电阻，在ｌｎＡ，ｌ增　从而增大电池的开路电压。　（）２短路电流Ｊｃ提高１２Ａｃ　ｓ～ｍ／ｍ图６为有无ＺＯ背电极的电池量子效率（Ｅ测试比较，图中可以看出ＺＯ：Ｉ电极增加了电池的　ｎＱ）从ｎＡ背响应带宽，其显著增加了电池在红光方向的响应强度。进而增加了电池的短路电流，到了制备氧化锌背　尤达电极的目的。　（）充因子Ｆ３填Ｆ略有下降　填充因子ＦＦ主要由电池的串联电阻和并联电阻决定，ｎＺＯ背反射电极的加人会增加串联电阻值。所以　Ｆ　略有下降。因此，Ｆ会要提高电池的转换效率，要尽量减小串联电阻值。为了减少串联电阻，电极与　就背ｎ间必须形成良好的欧姆接触，　之尽量减少对载流子的阻挡作用。这就要求ＺＯ的电　率要尽可能的小。ｎ阻　对磁控溅射技术制备的ＺＯ背反射电极来说，ｎ就要在提高ＺＯ光电特性的同时，量减小磁控溅射过程中　ｎ尽对ｎ　层的离子轰击。　图７ＳＯ／Ｉ／ｎ／Ｉ　ｎ２ＰＮＺＯＡ单结非晶硅电池性能　Ｆｇ７／Ｖｃｒｅｏ　ｎｌｊｎｔｎｉ．－　ｖ　ｓｇｅｕｃｏ　ｕｆｉ　ｉＳＯ／ＩＺＯＡＩｏａ　ｅｌｎ２ＰＮ／ｎ／　ｌｃｌ　ｓｒｓ图８ＳＯ／Ｉ／Ｉ／ｎ／Ｉ　ｎ２ＰＮＰＮＺＯＡ双结非晶硅电池性能　Ｆｇ８／ＶＣｌｅｏ　ｕｌｊｎｔｎｉ．－　Ｗ　ｄｂ　ｃｉ　ＵｆｏｅｕｏＳＯ／ＩＰＮ／ｎ／　ｏａ　ｅｌｎ２ＰＮ／ＩＺＯＡＩｌｃｌ　ｓｒｓ维普资讯第６期　薛俊明等：用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ＺＯＡ背反射电极　ｎ／Ｉ１８　２７（）４电池效率提高约１２（对效率） —％绝　采用ＺＯＡ复合背反射电极的可以提高电池的转换效率１— ｎ／１３百分点。其主要原因是电池短路电流　增大了短路电流１３ｍＡｃ　　 — 　／ｍ。图７和图８分别表示采用ＺＯＡ复合背电极后获得的典型的小点单结和双结非晶硅太阳电池的电池　ｎ／１性能。由图７和图８所见，小点电池效率高达９５．％左右。　（）５电池稳定性明显提高。　ＺＯ可以阻挡金属背电极元素如Ａｎｇ或Ａ向ｎ的扩散，善界面及电池性能，ｌ　层改因而可以提高电池的　稳定性。　５结　　论　本文通过对ＺＯ：１温溅射工艺的优化，ｎＡ低比较成功地解决了溅射ＺＯ：１ｎＡ对非晶硅电池的损伤问题，　将ＺＯＡ背反射电极引入非晶硅电池中，电池在开路电压　、ｎ／１使填充因子ＦＦ基本不变的情况下，路电　短流　和电池效率显著提高，获得了效率在９５左右的小点单结及叠层非晶硅太阳电池。．％　参考文献　［］ＢｎｒｅＡ，ｏｍａ　Ｘ　Ｙｎ　，ｕａＳＦｒｔｄ　ｏｆｒｎｅｏ　ｈｔｏｔｉＥｅｇ　ｏｖｒｉ［．ｅ．－，１９；Ｈｗｉ　１ａｅｅ　ＨｆｎＫ，ｕＸ，ａｇＧｈ　．ｉ　ｄＣｎｒｅ　ｆｏｏｌｅｎｒｙＣｎｅｏＣ］Ｄｃ５９９４ａａ．ｊＪｓＷｏｅｅＰｖａ　ｓｎｉ［］Ｒｃ　Ｗｉｅ　，ｅｅｉｇＣ，ｇｅＨ，ｔ．６ＶＣ［．ｅｔ３ ?ｃ．，１９：Ａａｅｍ，Ａ．２ｅｈＢ，ｅｒＳＢｎｋｎ　Ｗａｎｒｅｃ２　ＰＳＣ］Ｓｐ．０Ｏｔ３９７ｎｈｉＣ　ｄ［］Ｋｍｈｋ　ｙｓｉＭａａｋ　ｏｄ，ｔ．ｉｔｒ　ｏｆｒｎｅｏ　ｈｔｏａ　ｎｒｙＣｎｅｉ［．ｅ．－，１９Ｈａａ．３　ａｕａｏＨａａｈ，ｓｔａＫｎｏｅ　Ｆｒ　ｌＣｎｅｒｅ　ｆｏｏｈｉＥｅ　ｏｖｒｏＣ］Ｄｃ５ａ１ａｓＷｏｄｅＰｖｅｇｓｎ９９４；ｗｉ　ｉ［］Ｋｎｉａｍｏ，ＭｓｓｉＹｓｉｉｔａ．６ＩｔｒａｉａＰｏｏｏａｅＳｉｎｅａｄＥｇｎｅｉｇＣｎｅｒｎｅ［．ｅｔ３ ?ｃ．，１９，４　ｅｊＹｍａｔ　ｏａａｈ　ｏｈｍ，ｅ１２　ｎｅｔｎｌｈｔｈｉｃｃ　ｎ　ｎｉｅｒ　ｏｆｅｅＣ］Ｓｐ．０Ｏｔ３９７　　ｎｏ　ｖ　ｅｎｒＡｎｅｍ，ｈａｉＣＡ．　［Ｔｒｉｉｒｂｎ　Ｄ　ｏａＲ．４ｕｏｅ　ｈｔｖｌｉＳｌｒｎｒｙＣｎｅｅｃ［．ｕｅ３ ? ｕｙ４９７ａｅｎ，ｐｉ．５］ｅｎＥ，ｉＡ，ｅＲｓ　１　ＥｒｐａＰｏｏｏａｅｏ　ｅｇ　ｏｆｒｎｅＣ］Ｊｎ　０Ｊｌ，１９，ＢｒｌａＳａｎｚ　ｕｏｎｔ　ａＥ　ｃｏ　（上接第１０３０页）　参考文献　杨屈ａＣ３７Ｊ．２０２３：５－６．　［］古宏伟，坚，刘慧舟，飞，张华．ＹＢ２ｕＯ　涂层导体的研究进展［］中国稀土学报，０６，４（）２７２８１　［］Ｐｒｎ　ａａｔａｎ　Ｓｔｙｍｈ　。ｈｉ　Ｓｔ．ＩｒｖｄＹＣ　ｏｔ　ｏｄｃｒＵｉｇＡｔｒａｅＢｆｒｒｈｔｃｒｓＪ．ＥＥ２　ａａｓＰｒｎｈｍａＭ。ａａｍｔｙＳＢｕｙＭ　，ｅａｍｐｅ　ＢＯＣａｅＣｎｕｔｓｓ　ｌｎｔ　ｕｅ　ｃｉｔｅ［］ＩＥ　ｈｎａ　１ｏｄｏ　ｎｅＡｅｕＴａｓｃｏｓｏ　ｐｌｄＳｐｒｎｕｔｉ２０１（）２３－３．ｒｎａｔｎ　ｎＡｐ￣　ｕｅｏｄｃｉｔ０５，５２：６２２４　ｉｃｖｙ。６ａｌＤ　１ｐａｉｒｔｆＬ２ｒ０　ｉｉ　ｎＲｌＮ? ｂｔｅｂ　ｏ? ｌｏｅｓｏ　ｇｔａｏ　Ｚ　Ｔ　ｍｌｄｓａｓｇＰ　Ｈｉｈ［］Ｃｉｙ　　Ｐｒｎｈｍａ　，ｅｃｅ　　ｅａ．Ｅｉｘ！Ｇｗｈｏ　ａ　２７ｈｎＦｌｓｏ　ｏｅ　ｉｕｓｒｔ　ｙＳｌｅ　ｒｃｓｆｒｉ　３　ｈｒｉＴＧ，ａａｔａｎＭＢａｈｔＢ，ｔＴＳｐｒｏｄｃｉｇＴｐｓＪ．ｈｓａＣ，００，３：３６．　ｕｃｎｕｔａ［］Ｐｙｉ　２０３６６－９　ｅｎｅｃ［　４］ＳｔｙｍｕｙＳ，ａａｓＰｒｎｈｍａ　，ｈｉＨ? ｅ　．ａｔａｕＺｉｏａｅ：Ｓｎｌ　ｕｅ　ａｅ　ｒｃｓ　ｙＳｌｉｎＤｅｏｉｏ　ｒＣｏｔ　ａｈａ￣ｈ　Ｐｒｎ　ａａｔａｎＭＺａ　Ｙ，ｔａＬｎｈ１ｎｍ　ｒｎｔＡ　ｉｇｅＢｆｒＬｙｒＰｏｅｓｂ　ｏｕｔ　ｐｓｔｎｆ　ａｅｃｏｉｏｄＣｎｕｔ　ａｒａｉ［］ｏｄｃｒＦｂｉｔｎＪ．Ｍａｅ．ｅ．２０，７９）：１１２８．ｏｃｏ　ｔＲｓ，０２１（ｒ２８－１４　［］ＫｔｂｌＧ，ｂｔＮｓＲ，ｔ．ＣｅｉａＳｌｔｎＤｐｓｉＣＤ）ｏ　ｅ　ｄｈ２ｒ０　ｕｅ　ｙｒｏ　ｕｅＴｘｕｅ　ｉＳｂｔｔ　５　ｏｙａ　ＯｓＢ，ａｔｅａｈｍｃｌｕｉ　ｏｉｏｚ　　　１　ｏｏｅｔｎ（ＳｆＯ２　Ｚ２７ｆｒＬｅ　ｎＣｂ　ｅｔｒｄＮＷ　ｕｓａｓＣｎａＢａｓｒｅ［］ＪｕｎｌｆＰｙｉ：ｏｆｒｃ　ｅｅ，０６，３：４－８　Ｊ．ｏｒａ　ｈｓｓＣｎｅｎｅＳｒｓ２０４３５３．’ ｏｃｅｉ４［］６　［　７］［］８　［］９　Ｃｅｉ　Ｏｋｙｅ　，ｔ　　，ｔａ．ＴｅｔｒｄＬ２ｒ０７ｌｋＥ，ｕｕｕＨＭｕｌＩｎｅ　ｕ１ｘｕｅ　ａＺ２，ＧｄＯ３ａｄＥｒＯ３Ｂｕｅ　ａｅ　ｒａＬｎ — ｎｔ　２　　２　ｆｒｌｙｒｆ　　ｏｇｌｇｈＹＢＣＣｏｔ　ｏｄｃｏ　ｙＮｏ ? ｎｓｏｅＯ　ａｅＣｎｕｔｒｂ　ｎ　ｄｓＶｃｕ　ｒｃｓ［］ＩＥ　ｒｎａｔｎ　ｎＡｐ￣　ｕｒｎｕｔｉ，０１２（）３６－１５　ａｕｍＰｏｅｓＪ．ＥＥＴａｃｉｓｏ　ｐｌｄＳｐｃｄｃｉｔ２０，１：１２３６．ｓｏｅｏｖｙＳｔｙｍｕｔｙＳ，ａａｓＰｒｎｈｍａ　，ｔｇＴ，ｔ．Ｃｈｍｉａ　ｌｔｎＤｅｏｉｏ　ｆＬｎｈａｕＺｒｏａｅＢｕｅ　ｙｒ　ｎＢａｉｌ　ｅｔｒｄａｈａｒｈ　Ｐｒｎ　ａａｔａｎＭＡｙｕ　ｅ　１ａｅｃＳｕｉ　ｐｓｔｎｏａｔｎｍ　ｉｎｔ　ｆｒＬｅｏ　ｉｘａｙＴｘｕｅ　ｌｏｏｉｃａｓｌＮ—．％Ｆ．％Ｗ　ｕｓａｅｏｏｔｄＣｎｕｔ　ａｒａｉ［］ＭａｅＲｓ，０２，７６）１４ —５９　ｉ７ｅ３１ＳｂｔｔｒＣａ　ｏｄｃｏＦｂｉｔｎＪ．ｒｓｆｅｒｃｏ　ｔ．ｅ．２０１（：５３１４．ｒＫｅｔ　ｏｈ，Ｒｕｎｉｎ，Ｓｅｅ　ｗａｄ，ｅ　．ＨｉｈｙＴｅｔｒｄａ２ｒＯ７ｕｅ　ｙｒ　ｒＹＢＣＯ— ｏｔｄＣｏｄｃｏ　Ｐｅａｅ　ｂ　ｓｎｒｉＫｎｔｅｂ　ＨｆｅｈｔｆｎＯｓｌｔａ１【ｌ　ｘｕｅ　ＬＺ２　ＢｇｆｒＬｅｆ　ａｓｏｃａｅ　ｎｕｔｒｒｐｒｄｙｓＣｅｃ　ｌｔｎＤｐｓｔｎＳｐｒｏｄＪ．ｉＴｃｎ１，０５ｌ：３．３．ｈｍａＳｕｉ　ｅｏｉｏ　ｕｃｎ［］Ｓ．ｅｈｏ．２０，８３４３９　ｉｌｏｏｉｅｅＺａ　。ｕ　Ｌ，　，ｅ　．Ｄｅｅｏｍｅｔｏ　ｂ　ｘｕｅ　－ｔ％Ｗ　ｌｙＳｂｔａｅ　ｒＣｏｔ　ｎｕｔｒＡｐｌｃｔｎＵｓｎ　　ｌｎ　ｈｏＹＳｏＨ　 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