铟-铋二元合金真空蒸馏气-液平衡研究_贾元伟.pdf

第 52 卷 第 2 期2023 年 4 月中国有色冶金China Nonferrous MetallurgyVol 52 No 2Apr 2023试验研究铟铋二元合金真空蒸馏气液平衡研究贾元伟1，陈亮亮2，3，伍美珍1，孔令鑫2，3，4，5，陈丽诗1，徐宝强2，3，4，5，杨斌2，3，4，5，张家涛1，彭巨擘1(1 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心，云南 昆明650106;2 昆明理工大学 真空冶金国家工程研究中心，云南 昆明650093;3 昆明理工大学 冶金与能源工程学院，云南 昆明650093;4 云南有色金属真空冶金重点实验室，云南 昆明650093;5 复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室，云南 昆明650093)摘要 新型高性能透明导电氧化物薄膜(简称 IBO)在加工过程中会产生大量的废料，另外，随着IBO 的广泛应用，IBO 废靶量也将与日俱增。采用真空蒸馏工艺分离提纯时，In 与 Bi 的饱和蒸气压相近，较难获得满意的工艺参数。气液平衡(VLE)相图可用于指导真空蒸馏实践，本文以配置的 InBi合金为原料进行真空蒸馏实验，以获得 InBi 合金的 VLE 值，并采用 MIVM 预测 InBi 合金组元的活度及气液平衡数据，获得以下结论:在压力 5 10 Pa、温度 1 183 K、平衡时间 3.17 h 条件下，当残留物中 In含量为80.80%时，挥发物中铋含量达到 97.17%，表明采用真空蒸馏可分离 InBi 合金中的 In 和 Bi;采用分子相互作用体积模型(MIVM)预测了 In Bi 合金组元的活度，平均标准偏差分别为 0.013 9、0.007，平均相对偏差分别为 11.216%、11.452 1%，表明采用 MIVM 预测 InBi 合金组元的活度是可靠的;采用 MIVM 预测了 InBi 合金体系的 VLE 值，与实验值吻合，表明采用 MIVM 预测铟基合金体系的 VLE 值是可靠的，且适用于不同摩尔比下的铟基合金，可用于指导真空蒸馏分离铟基合金。本研究为真空蒸馏分离提纯铟基合金或处理含铟复杂物料提供了理论参考。关键词 InBi 合金;InBi 分离;IBO 废靶;真空蒸馏;气液平衡相图;MIVM;活度预测 中图分类号 TF843;TF01 文献标志码 A 文章编号 1672-6103(2023)02-0149-08DOI:10 19612/j cnki cn11-5066/tf 2023 02 018 收稿日期2022-11-12 第一作者贾元伟(1989)，男，河南周口人，硕士，工程师，主要研究方向为无铅焊料及高纯材料。通信作者彭巨擘(1975)，男，博士，正高级工程师，主要研究方向为无铅焊料及高纯材料。基金项目云南省重大科技专项计划(202002AB080001)。引用格式贾元伟，陈亮亮，伍美珍，等 铟铋二元合金真空蒸馏气液平衡研究J 中国有色冶金，2023，52(2):149 1560引言金属铟(In)具有熔点低、沸点高、低电阻、抗腐蚀、延展性好、可塑性强等优良特性，且具有良好的光渗透性和导电性，铟及其化合物被广泛应用于电子、涂层、合金、焊接材料等领域1 3。随着光电材料和技术的不断发展，人们对透明导电 氧 化 物(Transparent conductive oxide，简 称TCO)薄膜的光电性能提出了更高的要求，研究新型高性能 TCO 薄膜具有重要的科学意义。近年来，以铟作为主体材料、氧化铋作为掺杂材料的新型高性能 TCO 薄膜(简称 IBO)已被成功研发出，与传统的OLED(Organic Light-Emitting Diode)相比，以 IBO 为衬底的 OLED 整体性能成指数倍提升，未来有望取代传统的 ITO(Indium Tin Oxide)4 6。IBO 加工过程中会产生大量的废料，另外，随着 IBO 的广泛应用，IBO 废靶量也将与日俱增。目前，回收加工废料中的稀有金属铟主要采用电解、酸浸等方法，这些方法均存在流程长、金属回收率低、环保压力大等问题。如何清洁高效分离 InBi 合金是目前 IBO 废靶回收行业亟待解决的关键问题。真空蒸馏具有工艺流程短、能源消耗低、“三废”排放少、金属回收率高等诸多优点，被广泛应用于粗金属的分离提纯以及二次资源的清洁循环利用7 8，但 In 与 Bi 的饱和蒸气压相近，难以分离，目前采用真空蒸馏法从 IBO废靶中回收铟和铋得到研究者的关注。气液平衡(vapor-liquid equilibrium，VLE)相图能够连续定量预测不同温度及压力下合金组元在气液相间的分布。另外，基于 VLE 相图，可以在实验前根据所需产品的成分选择蒸馏温度、系统压力等工艺参数。近年，昆明理工大学真空冶金国家工程研究中心将 VLE 相图引入真空冶金，用于指导真空蒸馏实践。一般而言，可通过理论计算和实验测定两种方法建立合金体系的 VLE 相图，然而，真空冶金是在高温真空环境下进行的冶金过程，且合金熔点较高，对设备要求高，通过实验测定合金体系的VLE 数据面临诸多挑战，且费时、费力。在有限的实验测定基础上，采用热力学模型计算 VLE 数据是获取合金体系 VLE 数据最为简便和有效的方法。预测精度高的热力学模型是获得可靠 VLE 数据的 基 础。近 年 来，分 子 相 互 作 用 体 积 模 型(MIVM)被广泛应用于铅基、锡基合金体系的活度及 VLE 预测，取得了良好效果。目前，铟基二元合金体系的气液平衡研究尚未见到报道。因此，本研究选择 InBi 二元合金进行真空蒸馏实验，进一步获得 InBi 合金的 VLE 实验值;另外，基于 VLE理论，采用 MIVM 预测 In Bi 合金组元的活度及气液平衡数据，并与实验值进行对比分析。本研究将获得可靠的铟基合金体系 VLE 预测模型，为真空蒸馏分离铟基二元合金工艺参数优化提供指导。1实验1.1实验原料实验采用 InBi 二元合金(物质的量比=0.60.4)作为原料(根据相图选取合适物质的量比，避免产生化合物)。配制 InBi 二元合金所需的金属铟(In)纯度为 99.99%、金属铋(Bi)纯度为 99.9%，铟来源为云南锡业集团(控股)有限责任公司，铋来源为北京兴荣源科技有限公司。采用原子吸收光谱和重量法对配制的 InBi 二元合金进行检测，结果见表 1。由表 1 可知，分析检测结果与预定配比相吻合，符合实验要求。表 1实验所用 InBi 二元合金成分Table 1The composition of InBi binary alloyused in the experiment合金名称xIn(物质的量比)xBi(物质的量比)wIn(质量分数)/%wBi(质量分数)/%InBi 合金0.60.456.9043.101.2实验装置本研究中气液平衡测定采用立式高温真空蒸馏炉(最高可升温至 1 800 K)，装置如图 1 所示。实验所用坩埚材质为高纯石墨(99.998wt%)，坩埚为内径 30 mm、高度 110 mm 的圆柱形，冷凝盘材料为高纯石墨，表面积为 314 cm2。图 1高温真空蒸馏炉Fig 1High temperature vacuum distillation furnace开始实验前先开启冷却水，预抽真空检查整个装置的气密性。准备工作完成后，称取 40 g 配制的InBi 合金置于高纯石墨坩埚中，并将其置于真空炉内，打开机械泵抽真空，待真空抽至 10 Pa 左右，设置两段升温程序，一段升温(升温速率为 10 /min)，一段保温，设置结束后启动加热程序。实验过程中，保持炉内真空度为 5 10 Pa。保温结束后，待真空炉冷却至室温，取出坩埚和冷凝盘，收集挥发物和残留物，测定残留物中铟和铋的含量。1.3实验步骤1)InBi 合金体系真空蒸馏平衡时间实验研究。在一定温度下，通过改变不同的保温时间，根据051中 国 有 色 冶 金试验研究每组实验后残留物的质量变化来判断合金蒸馏是否达到平衡状态，进而确定平衡时间。2)In Bi 合金体系真空蒸馏 VLE 实验研究。平衡时间确定后，根据平衡时间进行第一组蒸馏实验。一般而言，温度越高，分子热运动越快，体系达到平衡所需时间越短，因此本研究中，实验温度每升高 30，保温时间减少 10 min。本研究采用原子吸收光谱法对实验后的残留物进行化学分析，测定铟和铋的含量，通过质量守恒定律计算气相中两组元的含量。2模型计算2.1分子相互作用体积模型分子相互体积作用模型(MIVM)是陶东平基于自由体积理论以及晶格理论，并结合统计热力学推导出的热力学模型。根据 MIVM，体系的摩尔过剩吉布斯能 GEm表示为式(1)，二元液态混合物 i j 的摩尔过剩 Gibbs 能GEm可表示为式(2);偏摩尔量和摩尔量之间存在热力学关系式(3)。GEmT=Ci=1xilnVmiCj=1xjVmjBji12Ci=1Zix iCj=1xjBjilnBjiCj=1xjB ji(1)GEmT=xi(lnVmixiVmi+xjVmjB)ji+xj(lnVmjxjVmj+xiVmiB)ijxixj(2ZiBjilnBjixi+xjBji+ZjBijlnBijxj+xiB)ij(2)GEiT=lni=GEm(T(GEm/T)x)iT，P，x i，C C1l=1x(l(GEm/T)x)lT，P，x l，C(3)式中:GEi为组元 i 的偏摩尔过剩 Gibbs 能;下标符号x i，C 代表 xl和 xC是偏微分的两个变量，且xC=1 C1l=1xl是一个从属变量，为常数，T 为热力学温度，Bij和 Bji为势能相互作用参数，Zi、Zj为配位数，Vmi、Vmj分别是纯物质 i、j 的摩尔体积。将式(3)代入式(2)可得组元 i、j 的活度系数表达式，见式(4)(5)。lni(=1+lnVmixiVmi+xjVmjB)jixiVmixiVmi+xjVmjBjixjVmiBijxjVmj+xiVmiBijx2j(2ZiB2jilnBji(xi+xjBji)2+ZjBijlnBij(xj+xiBij)2(4)lnj(=1+lnVmjxjVmj+xiVmiB)ijxiVmjBjixiVmi+xjVmjBjixjVmjxjVmj+xiVmiBijx2i(2ZjB2ijlnBij(xj+xiBij)2+ZiBjilnBji(xi+xjBji)2(5)从式(4)和(5)可知，为求得活度系数 i、j，首先需获得配位数 Zi、Zj。Zi表达式见式(6)，即修正的配位数方程。Zi=42(3r3mi r30irmi r0)iirmi(expHmi(Tmi T)ZcTT)mi(6)式中:Zc=12 为密堆配位数;r0i可通过金属在熔点附近结构参数实验值拟合为原子共价直径 dcovi的比例关系，即 r0i=0.918dcovi;rmi可近似为原子直径 i，即 rmi=i。将活度系数代入式(7)，即可获得组元 i 的活度，见式(7)。ai=ixi(7)为了检验模型预测的可靠性，采用理论值与实验值之间的平均标准偏差 S*i和平均相对偏差 Si进行分析。S*i和 Si的表达式分别见式(8)、式(9)。S*i=1nni=1 ai，exp ai，cal212(8)Si=100nni=1ai，exp ai，calai，exp(9)式中:n 为实验数据个数;ai，exp和 ai，cal分别为活度实验值和活度计算值。2.2气液平衡(VLE)二元合金体系达到气液相平衡的热力学条件是各组元在气相和液相中的逸度相等，见式(10)。vipyi=*ip*iixi(expVli(p p*i)T(10)式中:p*i是组元 i 在温度 T 时的饱和蒸汽压;i是组元 i 在液相中的活度系数;xi和 yi分别是组元 i在液相和气相中的物质的量比;vi、*i分别为组元i 在气相中的逸度系数和组元 i 的饱和液态逸度系1512023 年 4 月第 2 期贾元伟等:铟铋二元合金真空蒸馏气液平衡研究数;T 和 p 分别是系统温度和压力;Vli是纯组分 i 的摩尔体积;是理想气体常数。由于本研究是真空条件下的气液相平衡，vi=*i=1;且低压条件下，(expVli(p p*i)T也近似等于 1，式(10)可简化为式(11)。pyi=p*iixi(11)对于二元合金体系 i j，存在关系式(12)(13)。xi+xj=1;yi+yj=1(12)p=p*iixi+p*jjxj=p*iixi+p*jj(1 xi)(13)联立式(11)和式(13)，可得到组元 i 在液相和气相 中 的 物 质 的 量 比 xi和 yi的 表 达 式，见式(14)(13)。xi=p p*jjp*ii p*jj(14)yi=p*iixip(15)3结果与讨论表2 为 InBi 合金在5 10 Pa 下的蒸馏实验条件与实验结果，结果表明，1 183 K 条件下，当保温时间从 2.5 h 增至 3.17 h，残留物质量变化不大。因此，InBi 合金在 1 183 K 真空蒸馏过程中的平衡时间确定为 3.17 h。确定平衡时间后，即可设置温度为唯一变量开展 InBi 合金的 VLE 测定实验。表 2InBi 合金蒸馏实验条件与结果Table 2Experimental conditions and results ofInBi alloy distillation序号原料质量/g蒸馏温度/K蒸馏时间/h残留物质量/g挥发物质量/g1#40.001 1832.0029.3210.682#40.001 1832.5028.6511.353#40.001 1833.0028.0111.094#40.001 1833.1727.7412.265#40.001 2133.0025.1614.246#40.001 2432.8323.5216.48表3 为 InBi 合金蒸馏实验化学分析结果，由表3 可知，1 183 K 时，当残留物中 In 含量为 80.80%时，挥发物中 Bi 含量达到97.17%，表明采用真空蒸馏可分离 InBi 合金。另外，随着蒸馏温度的升高，In 挥发进入气相增多，当蒸馏温度升高到1 243 K 时，气相中 In 的含量从2.83%增至18.32%。表 3InBi 合金蒸馏实验化学分析结果Table 3Chemical analysis results of InBi alloy distillation experiment温度/K液相气相InBiInBi质量分数/%质量/g质量分数/%质量/g质量分数/%质量/g质量分数/%质量/g1 18380.8022.41319.205.3262.830.34797.1711.9131 21380.9420.84919.074.91113.421.91186.5812.3291 24383.9319.74016.073.77918.323.01981.6813.460将 InBi 合金蒸馏实验结果与模型预测值进行对比，模型预测流程见图 2。表 4 列出了采用 MIVM 计算 InBi 二元合金组元活度所需参数，查阅文献得到 In Bi 合金组元的活度系数实验值，结合式(4)和式(5)进行拟合，获得对势能相互作用参数 Bij、Bji，结果见表 4。将 Bij、Bji代入式(7)即可计算得到 In Bi 合金组元的活度，结果如表 5 所示。为了简便直观地对比活度计算值与实验值，绘制了活度计算值与实验值对比图，如图 3 所示。从表 5 和图 3 中可看出，MIVM 活度计算值与实验值吻合较好。为了定量检验模型计算值的可靠性，采用式(8)和式(9)分别计算平均标准偏差和平均相对偏差，结果见表 6。从表 6 可看出，两组元的平均标准偏差分别为 0.013 9、0.007，平均相对偏差分别为 11.216%、11.452 1%，表明采用 MIVM 计算 In Bi 合金组元的活度是可靠的。饱和蒸气压计算公式见式(16)，表 7 列出了计算 In、Bi 纯物质饱和蒸气压所需参数。结合 In、Bi饱和蒸气压 P*及活度系数，采用式(14)和式(15)即可计算得到同一压强、不同温度下 In Bi 合金体系的 VLE 数据，将计算值与对应温度下的实验值进行对比，结果如表 8 所示。logP*=AT1 BlgT+CT+D(16)251中 国 有 色 冶 金试验研究表 4MIVM 计算活度所需参数Table 4Parameters required for MIVM to calculate activity元素符号Tmi/KVmi/cm3 mol1Hmi/kJ mol1dcov i/108cmi/108cmBijBjiIn43016.30 1+0.97 104(T 430)3.2602.8802.6401.956 30.386Bi54420.87 1+1.17 104(T 544)10.883.3802.920表 5InBi 合金组元活度及活度系数计算值与实验值(T=600 K)对比Table 5Comparison between the calculated and experimental values(T=600 K)of the activityand activity coefficient of InBi alloy componentsxInxBi实验值计算值aInaBiInBiaInaBiInBi1.0000.0001.0000.0011.0000.2751.0000.0001.0000.3960.9000.1000.8830.0410.9810.4070.8930.0460.9920.4580.8000.2000.7500.1050.9380.5270.7740.1060.9670.5290.7000.3000.6180.1890.8830.6310.6460.1830.9230.6090.6000.4000.4930.2890.8210.7230.5150.2790.8590.6960.5000.5000.3760.4030.7520.8050.3880.3930.7770.7860.4000.6000.2710.5270.6770.8780.2740.5240.6840.8730.3000.7000.1800.6560.6000.9370.1770.6620.5900.9460.2000.8000.1060.7820.5290.9780.1020.7940.5110.9920.1000.9000.0480.8970.4750.9970.0480.9060.4771.0060.0001.0000.0011.0000.4551.0000.0001.0000.5741.000图 2二元合金 VLE 值计算流程Fig 2Calculation flow chart of VLE valueof binary alloy图 3InBi 合金组元活度 MIVM 计算值与实验值(T=600 K)对比Fig 3InBi alloy component activity MIVMcalculated value and experimental value(T=600 K)comparison从表 8 可看出，InBi 合金体系 VLE 计算值与实验值吻合。为了更加直观地对比 VLE 计算值与实验值，将 VLE 计算值和实验值绘制于图 4 中。由3512023 年 4 月第 2 期贾元伟等:铟铋二元合金真空蒸馏气液平衡研究表 6MIVM 计算值与实验值的平均标准偏差及平均相对偏差Table 6The mean standard deviation and meanrelative deviation of MIVM calculated values andexperimental values合金组元平均标准偏差 S*i平均相对偏差 Si/%In0.013 911.216Bi0.00711.452 1表 7计算 In、Bi 饱和蒸气压所需参数Table 7Parameters required to calculate thesaturated vapor pressure of In and Bi元素ABCD温度范围/KIn12 5800.4511.91429 2 333Bi10 4001.2614.47300 1 837图 4 可知，计算值与实验值虽存在一定偏差，但基本吻合，表明采用 MIVM 预测 InBi 合金体系的 VLE表 8InBi 合金 VLE 计算值与实验值对比Table 8Comparison of calculated and experimental values of VLE for InBi alloys温度/KMIVM 计算值实验值In 物质的量比Bi 物质的量比In 物质的量比Bi 物质的量比液相气相液相气相液相气相液相气相1 1830.808 00.062 70.192 00.937 30.884 50.050 30.115 50.949 71 2130.882 00.126 10.118 00.873 90.885 40.220 00.114 60.780 01 2430.931 00.233 90.069 00.766 10.904 80.289 90.095 20.710 1是可靠的。计算值与实验值存在偏差的主要原因如下:MIVM 是基于理想状况下计算的，但合金蒸馏实验条件无法达到理想平衡状态;在合金蒸馏实验中，少量气相被真空泵抽走，合金组元质量损失导致实验偏差;在合金蒸馏实验中，冷凝的液相因产生偏析现象，可能会导致残留物化学分析结果产生误差;目前还未能找到合适的气液平衡装置用于准确测定低压高温下合金体系的气液平衡数据。MIVM 是基于溶液体系建立的，对于合金的适用范围即为液体合金的温度范围:合金的熔点合金的沸点。采用 MIVM 计算铟基合金的 VLW 值适用于不同物质的量比比下的铟基合金，适用范围较广。图 4 中，在温度1 200 K 下作1 条水平线与气相线交于点 P，与液相线交于点 Q，进而可知在温度1200 K、系统压力10 Pa 条件下开展 In Bi 二元合金真空蒸馏实验且达到气液相平衡时，液相中 In 的物质的量比为 0.853，气相中 In 的物质的量比为0.093 7。可见，基于气液平衡相图，可根据实验参数提前预测产品的成分。另外，还可根据所需产品成分在实验前提前确定实验参数。例如，为使气相中铋含量(物质的量比)高于 0.999 9，10 Pa 条件下的蒸馏温度不能高于 1 078 K。本研究将 MIVM 预测与合金蒸馏实验相结合，图 4InBi 合金气液平衡实验值与计算值对比Fig 4Comparison of experimental and calculatedvalues of InBi alloy gas-liquid equilibrium获得了可靠的铟基合金体系 VLE 预测模型，同时为铟基合金真空蒸馏分离提纯提供了可靠的实验数据。4结论本文以配置的 InBi 合金为原料进行真空蒸馏实验，以获得 In Bi 合金的 VLE 值，并采用 MIVM预测 InBi 合金组元的活度及气液平衡数据，与试验值进行对比分析，得到以下结论。1)InBi 合金真空蒸馏实验结果表明:1 183 K时，当残留物中 In 含量为 80.80%时，挥发物中 Bi451中 国 有 色 冶 金试验研究含量达到 97.17%，表明采用真空蒸馏可分离 InBi合金中的 In 元素和 Bi 元素。2)采用 MIVM 预测 InBi 合金组元的活度，平均标准偏差分别为 0.013 9、0.007;平均相对偏差为 11.216%、11.452 1%，表明采用 MIVM 预测 InBi 合金的活度是可靠的。3)采用 MIVM 预测了 In Bi 合金体系的 VLE值，与实验值吻合，表明采用 MIVM 预测铟基合金体系的 VLE 值是可靠的，且适用于不同物质的量比下的铟基合金，可用于指导真空蒸馏分离铟基合金。4)采用 MIVM 预测与真空蒸馏实验相结合，不仅验证了 MIVM 的可靠性，还获得了真空蒸馏分离InBi 合金的工艺参数。参考文献 1周艳晶 中国铟资源动态物质流研究D 武汉:中国地质大学，2021ZHOU Yanjing Dynamic material flow analysis of indium in ChianD Wuhan:China University of Geosciences，2021 2赵云彪，方贵聪，王登红 人类“铋”需 走近稀有金属铋J 自然资源科普与文化，2021(1):14 16ZHAO Yunbiao，FANG Guicong，WANG Denghong“Bismuth”needs of mankindapproaching the rare metal bismuthJ Sci-entific and Cultural Popularization of Natural esources，2021(1):14 16 3张伟波，陈秀法，陈玉明，等 全球铟矿资源供需现状与我国开发利用建议 J 矿产保护与利用，2019，39(5):1 8ZHANG Weibo，CHEN Xiufa，CHEN Yuming，etal Current sta-tus of supply and demand of global indium mineral resources andsuggestions for development and utilization in ChinaJ Conser-vation and Utilization of Mineral esources，2019，39(5):1 8 4秦祖赠，刘自力，杨克迪，等 含铟、铋可见光催化剂的研究进展 C第七届全国工业催化技术及应用年会论文集，2010:11 15QIN Zuzeng，LIU Zili，YANG Kedi，etal esearch progress ofvisible light catalysts containing indium and bismuthCPro-ceedings of the 7th National Annual Conference on Industrial Cata-lytic Technology and Application，2010:11 15 5田苗苗，范翊，刘星元 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能J 发光学报，2010，31(4):605 608TIAN Miaomiao，FANG Xu，LIU Xingyuan Fabrication and char-acteristics of transparent conducting bismuth-doped thin indium ox-ide filmJ Chinese Journal of Luminescence，2010，31(4):605 608 6王宁 新型透明导电氧化物薄膜的设计与制备及其在有机光电器件中的应用研究D 长春:中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)，2010WANG Ning Design and fabrication of new transparent conductingoxides and their applications in organic optoelectronicsDChangchun:Changchun Institute of Optics，Fine Mechanics andphysics，Chinese Academy of Sciences，China，2010 7张燕斌，林华国，巩翠新 有色金属真空冶金的技术分析 J 冶金与材料，2019，39(5):174 176ZHANG Yanbin，LIN Huaguo，KONG Cuixin Technical Analysisof Vacuum Metallurgy of Nonferrous MetalsJ Metallurgy andMaterials，2019，39(5):174 176 8刘环，魏钦帅，刘大春，等 真空蒸馏铟锡合金回收金属铟的研究J 真空科学与技术学报，2012，32(10):902 906LIU Huan，WEI Qinshuai，LIU Dachun，et al Indium recoveryfrom indium-tin alloy by vacuum distillationJ Chinese journalof Vacuum Science and Technology，2012，32(10):902 906 9杨扬，谢梦 加速 ITO 靶材国产化，完善铟产业链发展J新材料产业，2017(12):35 38YANG Yang，XIE Meng Accelerate the localization of ITO targetsand improve the development of the indium industry chain JAdvanced Materials Industry，2017(12):35 38 10徐禄平 第三代半导体发展报告 CTFC 19 第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集 2019:5XU Luping The third generation semiconductor development re-port CTFC 19 The 15th National Thin Film Technology Aca-demic Symposium Abstract Collection，2019:5 11李冬生，刘大春，杨斌，等 铟锡合金真空蒸馏分离的研究 J 真空科学与技术学报，2012，32(2):176 179LI Dongsheng，LIU Dachun，YANG Bin，et al esearch on vac-uum distillation and separation of indium-tin alloyJ ChineseJournal of Vacuum Science and Technology，2012，32(2):176 179 12王丽娜 分子相互作用体积模型在铁基、镍基液态合金体系中的应用研究 D 昆明:昆明理工大学，2007WANG Lina Application of molecular interaction volume modelin Fe-based and Ni-based liquid alloy systems D Kuming:Kunming University of Science and Technology，2007 13H W Yang，D P Tao，X M Yang，et al Prediction of the forma-tion enthalpies of Bi-Cd-Ga-In-Pb-Bi-Zn liquid alloys by binaryinfinitely dilute enthalpies J Journal of Alloys and Com-pounds，2009，480:625 628 14任佳琦，徐俊杰，孔令鑫，等 锡基合金体系组元活度及气液平衡的模型预测J 中国有色金属学报，2020，30(10):2399 2409EN Jiaqi，XU Junjie，KONG Lingxin，et al Model prediction ofactivity and vapor-liquid equilibrium of tin-based alloy systemJ The Chinese journal of Nonferrous Metals，2020，30(10):2399 2409 15L X Kong，B Yang，B Q Xu，et al Application of molecular in-teraction volume model in separation of Pb-Sn-Sb ternary alloy byvacuum distillationJ Transactions of Nonferrous Metals Socie-ty of China，2013，23(8):2408 2415 16孔令鑫，杨斌，李一夫，等 MIVM 在真空蒸馏分离锡锌合5512023 年 4 月第 2 期贾元伟等:铟铋二元合金真空蒸馏气液平衡研究金中的应用及实验研究J 真空科学与技术学报，2013，33(5):483 489KONG Lingxin，YANG Bin，LI Yifu，et al Modeling and experi-mental study of tin-zinc alloy separation by vacuum distillationJ Chinese journal of Vacuum Science and Technology，2013，33(5):483 489 17孔令鑫，李一夫，杨斌，等 分子相互作用体积模型在真空蒸馏分离铅锡合金中的应用J 真空科学与技术学报，2012，32(12):1129 1135KONG Lingxin，LI Yifu，YANG Bin，et al Application of molec-ular interaction volume model in vacuum distillation separation ofPb-Sn alloysJ Chinese journal of Vacuum Science and Tech-nology，2012，32(12):1129 1135 18陶东平 分子相互作用体积模型的基本特征和应用J 昆明理工大学学报(理工版)，2004(4):15 22TAO Dongping Basic features and applications of molecular in-teraction volume modelJ Journal of Kunming University ofScience and Technology(Science and Technology)，2004(4):15 22Study on vapor-liquid equilibrium of InBi binary alloy in vacuum distillationJIA Yuanwei1，CHEN Liangliang2，3，WU Meizhen1，KONG Lingxin2，3，4，5，CHEN Lishi1，XU Baoqiang2，3，4，5，YANG Bin2，3，4，5，ZHANG Jiatao1，PENG Jubo1(1 D Center of Yunnan Tin Group Co Ltd，Kunming 650106，China;2 National Engineering esearch Center for Vacuum Metallurgy，Kunming University of Science and Technology，Kunming 650093，China;3 Faculty of Metallurgical and Energy Engineering，Kunming University of Science and Technology，Kunming 650093，China;4 Yunnan Key Laboratory of Vacuum Metallurgy of Non-Ferrous Metals，Kunming 650093，China;5 State Key Laboratory of Clean Utilization of Complex Nonferrous Metal esources，Kunmi