模拟电路期中试卷含答案.doc

苏州大学模拟电子技术课程期中试卷共5页考试形式开卷 2014年11月院系年级专业学号姓名成绩一、(8分）什么是放大?放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处?答:放大指不失真地将微弱的电信号增强到人们所需要的数值。放大对象为电信号（电压、电流或功率）。负载上获得的功率来自直流电源的能量。二、（10分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明.答:包括纯净半导体（或本征半导体）和掺杂半导体（或杂质半导体）。纯净半导体又包括元素半导体和化合物半导体。元素半导体，如硅(Si)、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓(GaAs）等.掺杂半导体又包括N型和P型半导体。N型半导体：比如在硅材料中掺杂五价元素如磷（P)、砷（As）或锑（Sb)等；P型半导体：比如在硅材料中掺杂三价元素如硼(B）或铟（In）等.三、(10分）说明二极管VI特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称,分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。答:理想模型,恒压降模型和折线模型,分别如下图所示。四、（12分）图示电路中二极管为理想二极管.（1）判断二极管是否导通;（2)画出等效电路图；（3）求输出电压vO.解：（1）假设二极管D导通，则二极管可用短路线等效，其电流为iD=（9+6)3=1mA，和假设矛盾,所以二极管实际截止;（2）；（3）vO=6V。五、(10分）BJT共射输出特性曲线上有哪几个工作区域?写出BJT的电压电流在这些工作区域内分别具备的特征。答:截止区，vBE Von，vCEvBE，iB=0,iC0。放大区，vBEVon，vCEvBE，iCiBICEO。 饱和区， vBEVon，vCEvBE，iCiBICEO,vCEVCES.六、（8分）BJT的安全工作区由哪几个参数确定？答：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功率损耗PCM、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压VBR（CEO）。七、(8分）什么是放大电路的静态工作点Q?为什么要设置Q点？答：指放大电路在仅有直流电源激励时候各个位置的直流电压电流(也称作偏置量或偏置点）.设置静态工作点的目的是为了将放大管设置在合适的工作区域（即放大区)。八、（10分）画出NPN型双极结型晶体管（BJT）的低频小信号电路模型，在模型中标注发射极、基极和集电极，以及交流小信号量vbe、ib、vce和ic，并写出基射极间交流小信号电阻rbe的估算表达式.答：参见教材 p.129 图4。3。12，p。130 式（4。3.7b)。九、（12分）一个三极管放大电路中，测得BJT三个引脚1、2、3对地电压分别为V1=0。7V，V2=0V ， V3=5V，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT为NPN还是PNP管，是硅管还是锗管。答：硅NPN型三极管，1、2、3引脚分别是基极、射极和集电极。十、（12分）图示电路中，已知BJT静态时VBEQ=0.7V，共射电流放大系数为=80，各电阻Rs=1。2k，Rb=500k，Rc=RL=5k，VCC=12V，各电容对交流可视作短路。小信号等效电路参数rbe=1。2k，rce忽略不计.（1）画出该放大电路直流通路图，并估算放大电路的静态工作电流、电压：IBQ、ICQ、和VCEQ；（2)作出该放大电路中频状态下的交流通路图和交流小信号等效电路图；(3）试求该放大电路的电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：（1)，。（2)（3）忽略，,，.2第2页 共2页