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电磁场复习题(2010.06)
一、单项选择题(每小题2分,共20分)。
1、导体在静电平衡下,其体内电荷密度( B )。
A.为常数 B.为零 C.不为零 D.不确定
2、两个点电荷对试验电荷的作用力可表示为两个力的 ( D )。
A.算术和 B.代数和
C.平方和 D.矢量和
3、电介质极化后,其内部存在 ( D )。
A. 自由正电荷 B. 自由负电荷
C. 自由正负电荷 D. 电偶极子
4、在两种导电介质的分界面处,电场强度的( A )保持连续.
A.切向分量 B.幅值 C.法向分量 D.所有分量
5、介电常数为ε的介质区域中,静电荷的体密度为ρ,已知这些电荷产生的电场为E(x,y,z),而D(x,y,z)=εE(x,y,z)。下面的表达式中正确的是( C )。
A. ▽·D=0 B. ▽·E=ρ/ε0
C. ▽·D=ρ D. ▽×D=ρ
6、介质的极化程度取决于:( D )。
A:静电场 B: 外加电场 C: 极化电场 D: 外加电场和极化电场之和
7、相同的场源条件下,真空中的电场强度是电介质中的( C )倍。
A.ε0εr B. 1/ε0εr
C. εr D. 1/εr
8、梯度的:( C )。
A: 散度为0 B: 梯度为0 C: 旋度为0
9、旋度的:( A )。
A: 散度为0 B: 梯度为0 C: 旋度为0
10、导体电容的大小( C )
A.与导体的电势有关 B.与导体所带电荷有关
C.与导体的电势无关 D.与导体间电位差有关
11、下面的矢量函数中哪些可能是磁场:( B )。
A: B: C:
12、在两种介质的分界面上,若分界面上存在传导电流,则边界条件为( B )
A. Ht不连续,Bn不连续 B. Ht不连续,Bn连续
C. Ht连续,Bn不连续 D. Ht连续,Bn连续
13、磁介质中的磁场强度由( D )产生.
A.自由电流 B.束缚电流
C.磁化电流 D.自由电流和束缚电流共同
14、相同场源条件下,磁媒质中的磁感应强度是真空中磁感应强度的( C )倍。
A.μrμ0 B.1/μrμ0 C.μr D.1/μr
15、长度为L的长直导线的内自感等于( B )。
A.L B. L
C. L D. L
16、交变电磁场中,回路感应电动势与回路材料电导率的关系为( D )
A.电导率越大,感应电动势越大
B.电导率越大,感应电动势越小
C.电导率越小,感应电动势越大
D.感应电动势大小与电导率无关
17、坡印亭矢量与电磁场满足( B )法则。
A.左手 B.右手 C.亥姆霍兹 D.高斯
18、频率为50Hz的场源,在自由空间中的波长为( A )。
A.6000km B.600km C.60km D.6km
19、波长为1米的场源,在自由空间中的频率( B )
A. 30MHz B. 300MHz
C. 3000MHz D. 3MHz
20、波长为0.1米的场源,自由空间中的频率( C )
A. 30MHz B. 300MHz
C. 3000MHz D. 3MHz
21、真空中均匀平面波的波阻抗为( D )
A. 237Ω B. 277Ω
C. 327Ω D. 377Ω
22、真空中均匀平面波的波阻抗为( )
A. 80(Ω) B. 100(Ω)
C. 20(Ω) D. 120(Ω)
23、均匀平面波在良导体中的穿透深度为( A )
A. B. C.
24、均匀平面波的电场为,则表明此波是( B )
A.直线极化波 B.圆极化波 C.椭圆极化波
25、沿z轴方向传播的均匀平面波,Ex=cos(ωt-kz-90°),Ey=cos(ωt-kz-180°),问该平面波是( B )
A. 直线极化 B. 圆极化
C. 椭圆极化 D. 水平极化
26、若介质属于( A )。
A.良导体 B.电介质 C.不良导体
27、若介质属于(A )。
A.电介质 B.良导体 C.不良导体
28、若介质属于(C )。
A.电介质 B.良导体 C.不良导体
29、两个相互平行的导体平板构成一个电容器,其电容与(A )无关。
A.导体板上的电荷 B.平板间的介质
C.导体板的面积 D.两个导体板的相对位置
30、时变场中,电场的源包括:(A C)
A. 电荷 B. 传导电流 C. 变化的磁场 D. 位移电流
31、两个相互平行的导体平板构成一个电容器,其电容与(A C)无关。
A.导体板上的电荷 B.平板间的介质
C.导体板的几何形状 D.两个导体板的距离
二、填空题 (每空2分,共20分)
1、对于矢量,若,
则:=;= 0 ;= 0 ;
2、标量函数 f = xyz 的梯度为
3、矢量函数的散度为:
4.对于矢量,写出:散度定理
斯托克斯定理
5、静止电荷所产生的电场,称之为__静电场_____。
6、电场强度的方向与正电荷在电场中受力的方向___相同____。
7、电位参考点就是指定电位值恒为 零 的点。
8、在正方形的四顶点上,各放一电量相等的同性点电荷,几何中心放置荷Q,则Q不论取何值,其所受这电场力为 零 。
9、真空中静电场的两个基本方程的积分形式为 、
10、写出真空中静电场的两个基本方程的微分形式为
11、电流的方向是指 正电荷 运动方向。
12、恒定电场的基本方程为:
13、在无源理想介质中 Jc= 0 ,ρ= 0
14、在理想介质中电位的泊松方程。
15、无源介质中电位的拉普拉斯方程为
16、分析恒定磁场时,在无界真空中,两个基本场变量之间的关系为 , 通常称它为 真空的磁特性方程或本构关系
17、磁介质中磁场的基本方程为:
18、真空中的安培环路定律(用积分公式表示) 。
19、在磁介质中的安培环路定律(用积分公式表示)
20、磁场的两个基本变量是(或磁感应强度)和(或磁场强度)。
21、无限长电流I,在空间r处产生的磁场强度为。
22、磁感应强度可定义为某一矢量的 旋度 ,我们把这个矢量称作量位。
23、媒质分界面有面电流分布时,磁场强度的切向分量 不连续 。
24、变化的磁场产生电场的现象称作_电磁感应_定律。
25、电磁感应定律的积分形式为
26、麦克斯韦方程组中关于H和E的微分表达式为 、
27、写出波印廷矢量瞬时值的表达式
写出波印廷矢量的复数表达式
28、 当场量随时间变化的频率较高时,场量几乎仅存在于导体表面附近,这种现象称这为 集肤 效应。
三、简答题
1、 说明静电场中的电位函数,并写出其定义式。
答:静电场是无旋的矢量场,它可以用一个标量函数的梯度表示,此标量函数称为电位函数(3 分)。静电场中,电位函数的定义为 (3 分)
2、 什么叫集肤效应、集肤深度?试写出集肤深度与衰减常数的关系式。
高频率电磁波传入良导体后,由于良导体的电导率一般在107S/m量级,所以电磁波在良导体中衰减极快。 电磁波往往在微米量级的距离内就衰减得近于零了。因此高频电磁场只能存在于良导体表面的一个薄层内, 这种现象称为集肤效应(Skin Effect)。电磁波场强振幅衰减到表面处的1/e的深度,称为集肤深度(穿透深度), 以δ表示。集肤深度
3、说明真空中电场强度和库仑定律。
答:电场强度表示电场中某点的单位正试验电荷所受到的力,其定义式为: (3 分)。库仑定律是描述真空中两个静止点电荷之间相互作用的规律,其表达式为: (3 分)。
4、用数学式说明梯度无旋。
答: (2 分)
(2 分)
(2 分)
5、什么是真空中的高斯定理?请利用高斯定理求解下面问题:假设真空中有半径为a的球形带电体,电荷总量Q均匀分布在球体内,求任意点的电场强度。
分析:电场方向垂直于球面。
电场大小只与r有关。
在球外区域:r>a
在球内区域:r<a
由 因为得
6、试解释坡印亭矢量的物理意义?
答:坡印亭矢量E×H相当于功率流的面密度,(3分)即垂直于功率流动方向单位面积上流过的电磁场功率.(3分)
7、 为什么说体电荷密度就是电荷的体密度,而体电流密度不是电流的体密度?
8、什么是高斯定理?在电场具有什么特征时可以用它来求解静电场问题?
.=q 当电场具有对称性质时,可以用来求解静电场。
9、波的圆极化(写出波的方程及与x轴夹角表达式)
若电场的水平分量Ex与垂直分量Ey振幅相等,相位相差±90°,合成电场为圆极化波。 E= =Em=常数与x轴夹角tanα= =tanωt
10、在良导体内电场强度E等于零,磁感应强度是否也为零?为什么?
可以不为零。(2分)因为E=0,只表明磁通及磁场的变化率为零,但磁感应强度可为任意常数。(3分)
11、如何由电位求电场强度?试写出直角坐标系下的表达式。
答:即电场强度是电位梯度的负值。 表达式:
12、在静电场中,两点之间的电位差与积分路径有关吗?试举例说明。
无关。(2分)如图所示,取电场强度积分路径为
(1分)
(1分)
(1分)
13、说明矢量场的环量和旋度。
矢量沿场中某一封闭的有向曲线l的曲线积分为环量,(3 分)。
矢量在M点的旋度:方向为M点的最大环量面密度最大的方向,其模等于此最大环量面密度的矢量:rot=(3 分)
14、写出在恒定磁场中,不同介质交界面上的边界条件。
答:; (3 分) (3 分)
15、试解释坡印亭矢量的物理意义?
坡印亭矢量E×H相当于功率流的面密度,(2分)即垂直于功率流动方向单位面积上流过的电磁场功率.(3分)
16、为什么说体电荷密度就是电荷的体密度,而体电流密度不是电流的体密度?
体电荷密主是单位体积中的电荷量,所以是电荷的体密度.(2分)体电流密度是垂
直于电荷运动方向上单位面积上流过的电流,所以不是电流的体密度。(4分)
四、计算题
1、已知空气填充的平板电容器内的电位分布为,求与其相应的电场及其电荷分布。
解:由 (2 分)
已知
得 (2 分)
根据高斯定理:得 (2 分)
电荷密度为: (2 分)
2、真空中有两个点电荷,一个-q位于原点,另一个q/2位于(a,0,0)处,求
电位为零的等位面方程。
解: 两个点电荷-q,+q/2在空间产生的电位:
(2 分)
令 得方程: (2 分)
(1 分)
方程化简 (2 分)
由此可见,零电位面是以点(4 a/3,0,0)为球心,2 a/3为半径的球面。(1 分)
3、内、外半径分别为a、b的无限长空心圆柱中均匀分布轴向电流I,求柱
内外的磁感应强度。
解:在圆柱坐标系计算,取导体中轴线和z轴重合,磁场只有方向分量,大小只跟r有关, 由安培环路定理:
(1分)
当时,,
(2分)
当时, (2 分)
当时, (2 分)
写成矢量形式
4、有一个任意形状的电容器,里面充满介电常数为的均匀电介质,如果已知当它充满电导率为的均匀导体时,它对稳定电流的电阻为R,求该电容器的电容C。
解:对任意电容器,由于
(2 分)
(2 分)
得 (1 分)
由于是均匀介质,故、是常数可以提到积分号外面 (2 分)
故 (1 分)
5、一个点电荷q放在直角导体内部,如下图所示,求出所有镜像电荷的位置和大小。
解:假如如图所示3个镜像电荷的位置和大小:,,
,则空间任一点的电位分布为:
(2分)
根据上式,计算y=0平面上任一点(0,y)的电位,由于,故;
同理,计算x=0平面上任一点(x,0)的电位,由于,也有,所以上述镜像电荷来等效原问题。(4分)
6、3、相互成直角的两个导电平面构成的系统,在x=1,y=1处放置一个点电荷q,试用镜像法确定镜像电荷位置和大小,并求x=2,y=2处的电位。(设无穷远为电位参考点)。
镜像电荷位置为-q(-1,1),-q(1,-1),q(-1,-1)
由点电荷的电位=可得
x=2,y=2处电位=(
7、已知无源自由空间中的电场强度矢量,
求 (1) 由麦克斯韦方程求磁场强度;
(2) 证明w/k等于光速;
(3) 求坡印亭矢量的时间平均值。
解:(1)将表示为复数形式,有 (2 分)
由复数形式的麦克斯韦方程,得
磁场的瞬时表达式为 (2 分)
(2)由于是无源自由空间,根据无源自由空间的波动方程得: (2 分)由于只有y分量,得y分量的标量波动方程
(1 分)
由于、为0,得
对正弦电磁场,上方程可以写成
得 (1 分)
(3)坡印廷矢量的时间平均值为
(3 分)
(1 分)
8、 理想介质中平面电磁波的电场强度矢量为
试求: (1) 介质及自由空间中的波长;
(2) 已知介质,,确定介质的;
(3) 求磁场强度矢量的瞬时表达式。
解:(1)介质中
(m) (2 分)
自由空间中
(m) (2 分)
(2) 由于
故 (3 分)
(3) 由于 (2 分)
磁场强度的瞬时表达式
(A/m)
9、空气中的电场为的均匀平面波垂直投射到理想导体表面(z=0),求反射波的极化状态及导体表面的面电流密度。
解:对理想导体,有
(1分)
所以,此时反射波写为:
(1分)
由此得知:反射波沿-z方向传播,反射波两个分量幅度相等,且x分量的相位滞后y分量,故反射波为右旋圆极化波。(2 分)
由于理想导体内无电磁场,故
令空气一侧为介质1,导体一侧为介质2,又
由于 (1 分)
(1 分)
(1 分)
(1 分)
(2 分)
故 =(2 分)
10、例题3.12 求半径为a的无限长直导线单位长度内自感。
解:设导体内电流为I,则由安培环路定律
则导体内单位长度磁能为
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