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第三部分-附录 每个用户硬盘中全部存放着大量有用数据，而硬盘又是一个易出毛病部件。为了有效保留硬盘中数据，除了有效保留硬盘中数据，备份工作以外，还要学会在硬盘出现故障时怎样救活硬盘，或提取其中有用数据，把损失降到最小程度。 1、系统不认可硬盘 这类故障比较常见，即从硬盘无法开启，从其它盘开启也无法进入C盘，使用CMOS中自动监测功效也无法发觉硬盘存在。这种故障大全部出现在连接电缆或IDE口端口上，硬盘本身故障率极少，可经过重新插拔硬盘电缆或改换IDE口及电缆等进行替换试验，可很快发觉故障所在。假如新接上硬盘不认可，对于IDE硬盘，还有一个常见原因就是硬盘上主从条线，假如硬盘接在IDE主盘位置，则硬盘必需跳为主盘状，跳线错误通常无法检测到硬盘。 2、CMOS引发故障 CMOS正确是否直接影响硬盘正常使用，这里关键指其中硬盘类型。好在现在机器全部支持IDEautodetect功效，可自动检测硬盘类型。当连接新硬盘或更换新硬盘后全部要经过此功效重新进行设置类型。当然，现在有类型主板可自动识别硬盘类型。当硬盘类型错误时，有时干脆无法开启系统，有时能够开启，但会发生读写错误。比如CMOS中硬盘类型小于实际硬盘容量，则硬盘后面扇区将无法读写，假如是多分区状态则部分分区将丢失。还有一个关键故障原因，因为现在IDE全部支持逻辑参数类型，硬盘可采取Normal、LBA、Large等。假如在通常模式下安装了数据，而又在CMOS中改为其它模式，则会发生硬盘读写错误故障，因为其物理地质映射关系已经改变，将无法读取原来正确硬盘位置。 3、主引导程序引发开启故障 硬盘主引导扇区是硬盘中最为敏感一个部件，其中主引导程序是它一部分，此段程序关键用于检测硬盘分区正确性，并确定活动分区，负责把引导权移交给活动分区DOS或其它操作系统。此段程序损坏将无法从硬盘引导，但从软区或光区以后可对硬盘进行读写。修复此故障方法较为简单，使用高版本DOSfdisk最为方便，当带参数/mbr运行时，将直接更换(重写)硬盘主引导程序。实际上硬盘主引导扇区正是此程序建立，fdisk.exe之中包含有完整硬盘主引导程序。即使DOS版本不停更新，但硬盘主引导程序一直没有改变，从DOS3.x到现在有winDOS95DOS，所以只要找到一个DOS引导盘开启系统并运行此程序即可修复。 4、分区表错误引导开启故障 分区表错误是硬盘严重错误，不一样错误程度会造成不一样损失。假如是没有活动分区标志，则计算机无法开启。但从软驱或光驱引导系统后可对硬盘读写，可经过fdisk重置活动分区进行修复。假如是某一分区类型错误，可造成某一分区丢失。分区表第四个字节为分区类型值，正常可引导大于32mb基础DOS分区值为06，而扩展DOS分区值是05。假如把基础DOS分区类型改为05则无法开启系统，而且不能读写其中数据。假如把06改为DOS不识别类型如efh，则DOS认为改分区不是DOS分区，当然无法读写。大家利用这类型值实现单个分区加密技术，恢复原来正确类型值即可使该分区恢复正常。分区表中还有其它数据用于纪录分区起始或终止地址。这些数据损坏将造成该分区混乱或丢失，通常无法进行手工恢复，唯一方法是用备份分区表数据重新写回，或从其它相同类型而且分区情况相同硬盘上获取分区表数据，不然将造成其它数据永久丢失。在对主引导扇区进行操作时，可采取nu等工具软件，操作很方便，可直接对硬盘主引导扇区进行读写或编辑。当然也可采取debug进行操作，但操作繁琐而且含有一定风险。 5、分区有效标志错误引发硬盘故障 在硬盘主引导扇区中还存在一个关键部分，那就是其最终两个字节:55aah，此字为扇区有效标志。当从硬盘，软盘或光区开启时，将检测这两个字节，假如存在则认为有硬盘存在，不然将不认可硬盘。此标志时从硬盘开启将转入rombasic或提醒放入软盘。从软盘开启时无法转入硬盘。此处可用于整个硬盘加密技术。可采取debug方法进行恢复处理。另外，DOS引导扇区仍有这么标志存在，当DOS引导扇区无引导标志时，系统开启将显示为:missingoperatingsystem。其修复方法可采取主引导扇区修复方法，只是地址不一样，更方便方法是使用下面DOS系统通用修复方法。 6、DOS引导系统引发开启故障 DOS引导系统关键由DOS引导扇区和DOS系统文件组成。系统文件关键包含io.sys、msdos.sys、，其中是DOS外壳文件，可用其它同类文件替换，但缺省状态下是DOS开启必备文件。在Windows95携带DOS系统中，msdos.sys是一个文本文件，是开启windows必需文件。但只开启DOS时可不用此文件。但DOS引导犯错时，可从软盘或光盘引导系统，以后使用sys c:传送系统即可修复故障，包含引导扇区及系统文件全部可自动修复到正常状态。 7、fat表引发读写故障 fat表纪录着硬盘数据存放地址，每一个文件全部有一组连接fat链指定其存放簇地址。fat表损坏意味着文件内容丢失。庆幸是DOS系统本身提供了两个fat表，假如现在使用fat表损坏，可用第二个进行覆盖修复。但因为不一样规格磁盘其fat表长度及第二个fat表地址也是不固定，所以修复时必需正确查找其正确位置，由部分工具软件如nu等本身含有这么修复功效，使用也很方便。采取debug也可实现这种操作，即采取其m命令把第二个fat表移到第一个表处即可。假如第二个fat表也损坏了，则也无法把硬盘恢复到原来状态，但文件数据仍然存放在硬盘数据区中，可采取chkdsk或scandisk命令进行修复，最终得到*.chk文件，这便是丢失fat链扇区数据。假如是文本文件则可从中提取并可合并完整文件，假如是二进制数据文件，则极难恢复出完整文件。 8、目录表损坏引发引导故障 目录表纪录着硬盘汉字件文件名等数据，其中最关键一项是该文件起始簇号，目录表因为没有自动备份功效，所以假如目录损坏将丢失大量文件。一个降低损失方法也是采取上面chkdsk或scandisk程序方法，从硬盘中搜索出chk文件，由目录表损坏时是首簇号丢失，在fat为损坏情况下所形成chk文件通常全部比较完整文件数据，每一个chk文件即是一个完整文件，把其改为原来名字可恢复大多数文件。 9、误删除分区时数据恢复 当用fdisk删除了硬盘分区以后，表面现象是硬盘中数据已经完全消失，在未格式化时进入硬盘会显示无效驱动器。假如了解fdisk工作原理，就会知道，fdisk只是重新改写了硬盘主引导扇区(0面0道1扇区)中内容。具体说就是删除了硬盘分区表信息，而硬盘中任何分区数据均没有改变，可仿造上述分区表错误修复方法，即想措施恢复分区表数据即可恢复原来分区即数据，但这只限于除分区或重建分区以后。假如已经对分区用format格式化，在先恢复分区后，在按下面方法恢复分区数据。 10、误格式化硬盘数据恢复 在DOS高版本状态下，格式化操作format在缺省状态下全部建立了用于恢复格式化磁盘信息，实际上是把磁盘DOS引导扇区，fat分区表及目录表全部内容复制到了磁盘最终多个扇区中(因为后面扇区极少使用)，而数据区中内容根本没有改变。这么经过运行unformatc:即可恢复原来文件分配表及目录表，从而完成硬盘信息恢复。另外DOS还提供了一个miror命令用于纪录目前磁盘信息，供格式化或删除以后恢复使用，此方法也比较有效。 附录一 各类故障判定思绪（步骤）（一）加电类故障判定步骤开启和关闭类故障判定步骤（三）磁盘类故障判定步骤（四）显示类故障判定步骤（五）安装类故障判定步骤（六）局域网类故障判定步骤（八）Internet类故障判定步骤（九）端口和外设类故障判定步骤（十）音视频类故障判定步骤附录二 部分部件、设备技术规格（一） 内存技术规格识别 从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧一块8管脚小芯片，里面保留着内存条速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功效主板BIOS就会读取SPD中信息，根据读取值来设置内存存取时间。我们能够借助SiSoft Sandra（下载地址）这类工具软件来查看SPD芯片中信息，比如软件中显示SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存技术规范。内存技术规范统一标注格式，通常为PCx-xxx-xxx，不过不一样内存规范，其格式也有所不一样。 1、内存定义内存指就是主板上存放部件，是CPU直接和之沟通，并对其存放数据部件。存放目前正在使用(即实施中)数据和程序，它物理实质就是一组或多组含有数据输入输出和数据存放功效集成电路。2、内存分类1）内存类型分类RAM (Random Access Memory)随机读写存放器ROM (Read Only Memory)只读存放器SRAM (Static Random Access Memory)静态随机读写存放器DRAM (Dynamic Random Access Memory) 动态随机读写存放器2）内存芯片分类FPM (Fast-Page Mode) DRAM 快速页面模式DRAMEDO (Extended Data Out) DRAM即扩展数据输出DRAM 速度比FPM DRAM快15%30%BEDO (Burst EDO) DRAM突发式EDO DRAM 性能提升40%左右SDRAM (Synchronous DRAM) 同时DRAM 和CPU外部工作时钟同时RDRAM (Rambus DRAM ) DDR (Double Data Rate) DRAM 3）按内存速度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按内存接口形式分SIMM(Single-In Line Memory Module)单边接触内存条,分为30线和72线两种。DIMM(Dual In-Line Memory Module)双边接触内存条，168（SDRAM）线，184(DDR1)线，240(DDR2)线等，现在广泛使用DDR3内存，工作电压1.3。SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module144线DIMM关键用于笔记本型电脑RIMM5）按是否有缓冲分UnbufferedRegistered6）按是否有校验分Non-ECCECC3、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.0-1.2版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，比如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小CL（即CAS纵列存取等候时间），用时钟周期数表示，通常为2或3；c表示最少Trcd（RAS相对CAS延时），用时钟周期数表示，通常为2；d表示TRP（RAS预充电时间），用时钟周期数表示，通常为2；e表示最大tAC（相对于时钟下沿数据读取时间），通常为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，全部PC100内存条上全部有EEPROM，用来统计此内存条相关信息，符合Intel PC100规范为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上内存必需经过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，比如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小CL（即CAS纵列存取等候时间），用时钟周期数表示，通常为2或3；c表示最少Trcd（RAS相对CAS延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿数据读取时间，表示时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上内存必需经过注册。 4、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔全部提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100大部分规范，比如168线SDRAM、3.3V工作电压和SPD；英特尔PC133规范要严格部分，是PC133 CAS=2，要求内存芯片最少7.5ns，在133MHz时最好能达成CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，比如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小CL（即CAS延迟时间），用时钟周期数表示，通常为2或3；d表示RAS相对CAS延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿数据读取时间，表示时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式为：PCab-ccde-ffg，比如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存标准工作频率，比如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表示时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿数据读取时间，表示时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 6、RDRAM 内存标注格式其格式为：aMB/b c d PCe，比如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存数据传输率，e*1/2=内存标准工作频率，比如800代表内存数据传输率为800Mt/s，对应标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 7、各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代） 现代SDRAM内存兼容性很好，支持DIMM主板通常全部能够顺利使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由多个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2幂次关系）；I代表接口（0=LVTTLLow Voltage TTL接口）；j代表内核版本（能够为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=一般芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns143MHz，8=8ns125MHz，10p=10nsPC-100 CL2或3，10s=10nsPC-100 CL3，10=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=5ns66MHz）。 比如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refreshcycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本内核，TC是400mil TSOP-封装，10S代表CL=3PC-100。 市面上HY常见编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10pSDRAM上133MHz很稳定。通常来讲，编号最终两位是7K代表该内存外频是PC100，75是PC133，但现代内存现在尾号为75早已停产，改换为T-H这么尾号，可市场上PC133现代内存尾号为75还有很多，这可能是以前屯货，但可能性很小，假货可能性较大，所以最好购置T-H尾号PC133现代内存。 （2）LGSLG Semicon LGs现在已被HY吞并，市面上LGs内存芯片也很常见。 LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(通常为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，最少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=一般）；T代表封装（T=常见TSOP封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns133MHz，8=8ns125MHz，7K=10nsPC-100 CL2或3 ，7J=10ns100MHz，10K=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=15ns66MHz）。 比如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100SDRAM，二者关键区分是第三个反应速度参数上，7K比7J要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格，速度极慢，因为和7J/7K外型相同，不少奸商把它们冒充7J/7K来卖。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax内存采取优异TinyBGA封装方法，而通常SDRAM内存全部采取TSOP封装。采取TinyBGA封装内存，其大小是TSOP封装内存三分之一，在相同空间下TinyBGA封装能够将存放容量提升三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，所以含有良好超频性能和稳定性，不过Kingmax内存和主板芯片组兼容性不太好，比如Kingmax PC150内存在一些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存现在有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）极品PC133内存条，该类型内存REV1.2版本关键处理了和VIA 694X芯片组主板兼容问题，所以要好于REV1.1版本。购置Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8nsKingmax PC100内存打磨成7nsPC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA等软件测试一下内存速度，注意观察内存上字迹是否清楚，是否有规则刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上编号。 KINGMAX PC150内存采取了6纳秒颗粒，这使它速度得到了很大程度提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比通常PC133内存来快；KingmaxPC133内存芯片是-7，比如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8（比如编号KSV884T4A0-08），部分是-7（比如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133和PC100区分在于：PC100内存有相当一部分能够超频到133，但不是全部；而PC133内存却能够确保100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为金、红、绿、银、蓝五种内存条，多种金邦金条SPD均是确定，对应不一样主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑PC133内存。 金邦内存芯片编号比如GL GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL代表芯片类型（GL=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U= BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz）；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号比如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1以1倍数为单位、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256254 = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号比如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供给（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns143MHz、8 = 8ns125 MHz、10 = 10ns100 MHz、H = 100 MHz CAS值为2、L = 100 MHz CAS值为3 ）。三星容量需要自己计算一下，方法是用S后数字乘S前数字，得到结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式以下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同时DRAM内存芯片编号比如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K 15.6s、1 = 32m/2K 15.6s、2 = 128m/8K15.6s、3 = 64m/8K7.8s、4 = 128m/16K7.8s）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6s)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号比如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA 逆转CSP、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron企业是世界上著名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write RecoveryTwr(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U= BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=一般）；hj代表速度，分成以下四类： （A）、DRAM -4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 CL3） -15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（时钟率） -4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 比如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 其它还有如：黑金刚Kingbox 宇瞻Apacer 英飞凌Infineon 金士顿Kingston 记忆科技 Ramaxel 星存StarRam 威刚 ADATA 金士泰Kingstek 关键内存颗粒生产商：三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)茂矽(MOSEL)（7）其它内存芯片编号 NEC内存芯片编号比如PD4564841G5-A80-9JF表示：PD4代表NEC产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns125MHz CL 3，10=10nsPC100 CL 3，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=PC133，75=PC133）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI内存芯片编号比如HM5264805F -B60表示：HM代表日立产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第多个版本内核（现在最少已排到F了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=一般）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，A60=10nsPC-100 CL2或3，B60=10nsPC-100 CL3即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHzCL3，10=100MHzPC66规格）。 TOSHIBA内存芯片编号比如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝产品；59代表SDRAM（其后S=一般SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=一般）；80代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，10=10ns100MHz CL=3）。 IBM内存芯片编号比如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=一般）；D表示内核版本；10代表速度（68=6.8ns147MHz，75A=7.5NS133MHz，260或222=10nsPC100 CL2或3，360或322=10nsPC100 CL3，B版64Mbit芯片中，260和360在CL=3时标定速度为：135MHZ，10=10NS100MHz。 （二） 硬盘技术规格1、 硬盘分类根据结构分为机械式硬盘（英文名：Hard Disc Drive，简称HDD，全名温彻斯特式硬盘）和固态硬盘（SSD ：Solid State Disk，全名固态电子存放芯片阵列）2、 硬盘技术规格 转速：硬盘通常是按每分钟转速(RPM，Revolutions Per Minute)计算：该指标代表了硬盘主轴马达（带动磁盘）转速，比如5400 RPM就代表该硬盘中主轴转速为每分钟5400转。现在主流笔记本硬盘转速为5400RPM；台式机硬盘则为7200RPM。但伴随技术不停进步，笔记本和台式机全部有万转产品问世，但多用用于企业用户。单碟容量：单碟容量是