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部分生产公司集成电路型号的命名.doc

上传人:a199****6536 文档编号:1965781 上传时间:2024-05-12 格式:DOC 页数:10 大小:51KB
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MOS集成电路: 第1部分 第2部分 第3部分 2个字母 4或5个数字 1~3个字母 例 MN 8037 S a. 第1部分:MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路 ,EP两个字母表示微型计算机或小批量生产 对于高速标准逻辑电路,在这部分用标志74HC作为数字的前缀,此时,可用2~4个数字。 b.第2部分:这部分所用的数字表明应用领域,例: 第2部分的数字 应用领域 1000~1999※1 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器 2000~2999※2 掩膜只读存贮器,电可编程只读存贮器 3000~3399 漏斗式电荷耦合器件(BBD) 3600~3699 电荷耦合器件(CCD)线性图像传感器 3700~3799 电荷耦合器件(CCD)固态图像似感器 3800~3899 电荷耦合器件(CCD)视频信号延迟元件 4000~4999 CMOS4000系列存贮器(动态随机存取存贮器,静态随机存取存贮器) 5000~5999 计算器 6000~6999 视频、时钟、通讯 7000~7999 特别用途 8000~8999 通讯、控制器、电荷耦合器件 9000~9999 ―― 5000~※3 门阵列 70000~ CMOS标准电池 ※1.关于微型计算机,根据其功能可使用5位数字,MN512K(图像传感器)只有3位数字。 2.关于通用存贮器,有时可用5位或6位数字(与其它公司共同的数字)。 例: MN41256……256K位动态随机存取存贮器 MN234000……4兆位掩膜可编程只读存贮器 3.关于门阵列(用5位数字表示50000-)其最后2位表示门电路数目。 例: MN51040……4000个门电路。 c.第3部分:这部分一般不用,除了功能相同而包装不同用来区分其封装型式(通常为P或S)或是基本功能相同只少许功能不同作为区分时(通常用A、B、C等)。 封装的分类: 例1:MN××××P,字母“P”表示以前为陶瓷或金属封装,现已改为塑料封装。 例2:MN××××S,字母“S”表示小型扁平封装。   2. 日本索尼公司半导体集成电路型号的命名: 1) 日本索尼公司集成电路通用命名法: 第1部分 第2部分 第3部分 第4 部分 2个字母 2位数字 2~3位数字 1个字母 例 CX 20 011 A a. 第1部分:索尼公司集成电路标志。 b.第2部分:用1~2位数字表示产品分类,双极型集成电路用,0、1、8、10、20、22;MOS型集成电路用,5、7、23、79。 c.第3部分:表示单个产品编号。 d.第4 部分:特性有部分改进时加上A字。 2) 索尼公司集成电路新命名法。 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 2个字母 1个字母 4位数字 1个字母 1个字母 例 CX A 1001 A P a. 第1部分:索尼公司集成电路标志。 b. 第2部分:产品分类标志,A为双极型集成电路、B为双极型数字集成电路、D为MOS逻辑集成电路、K为存贮器、P、Q为微型计算机、L为CCD电荷耦合器件信号处理电路。 c. 第3部分:表示单个产品编号。 d. 第4部分:特性有改进时标A。 e. 第5部分:封装标志,P为塑料封装双列直插式、D为陶瓷封装双列直插式、M为小型扁平封装、L为单列直插式封装、Q为四列扁平封装、S为收缩型双列直插式封装、K为无引线芯片载体。 3) 索尼公司混合集成电路通用命名法: 第1部分 第2部分 第3部分 2个字母 4位数字 1个字母 例 BX ×××× × 第1 部分为索尼公司混合集成电路标志,第2部分表示单个产品的编号,第3部分为改进标志。 4) 索尼公司混合集成电路新命名法: 第1部分 第2部分 第3部分 3个字母 4位数字 2个字母 第1部分为索尼公司混合集成电路标志,(在1987年1月以前混合集成电路前缀用SBX或BX)。 例 BX-1452,在上述日期以后研制的则都用SBX即SBX1435、SBX1475。   3. 日本三菱公司半导体集成电路型号的命名 1. 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 第6部分 1个字母 1位数字 1位数字 2位数字 1个字母 1个字母 例 M 5 1 94 A P 第1部分:表示日本三菱电气公司集成电路产品。 第2部分:数字“5”表示工业用/消费类产品,其工作环境温度范围为(-20~75℃标准),数字“9”表示高可靠(军用)型。 第3部分:其数字分别表示为 0:CMOS电路. 1~2:线性电路 3:TTL电路 10~19:线性电路 32~33:TTL电路(与TISN74系列相同) . 41~47:TTL电路及其它 48~49:I2L集成注入逻辑电路. 84:CMOS电路 85:P沟道硅栅MOS电路. 86:P沟道铝栅MOS电路 87:N沟道硅栅MOS电路 88:P沟道铝栅EDMOS电路 89:CMOS电路 S0~S2:肖特基TTL电路(与TISN74S系列相同) 第4部分:此部分由位数组成,表示系列中电路类型。 第5部分:由单个字母组成,表示外型不同及下列某些器件特性: a. 对于线性电路是字母表中的一个字母,按字母顺序选用但不包括字母I及O,这些字母用作标志器件,有些规格是不相同的。 b.器件的技术规格完全相同,仅有引脚弯曲方向不同,指定用字母“R”表示。 c.当不需要此组标志时,下一组立即向左移到4组后面。 第6部分:表示封装型式,其字母意义如下: K:低熔点玻璃封口陶瓷封装; L:注塑单列直插式封装; P:注塑双列直插式封装; S:金属陶瓷封装;SP:注塑缩型双列直插式封装; FP:注塑扁平型封装 (2)第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 第6部分 1个字母 1位数字 1~2个字母 4位数字 1个字母 1~2位数字 例 M 5 K 4116 S -2 第1部分:表示日本三菱公司集成电路。 第2部分:温度范围:“5”表示标准工业/商业用其工作温度范围为0~70/75℃或-20~85℃,“9”表示高可靠。 第3部分:原产品的系列标志(仿制品)用1或2位字母 C:莫托罗拉公司MC系列; G:通用仪器公司系列; L:英特尔公司系列; T:德克萨斯公司系列; W:西方数字公司系列; K:MK系列 第4部分:原产品型号名称的电路功能识别码。 第5部分:封装型式,用1~2位字母表示。 K:玻璃封口陶瓷封装; P:注塑封装; S:金属封口陶瓷封装; SP:注塑缩形封装; FP:注塑扁平封装;B:树脂双列直插式; L:塑料单列直插式; T:TO-5封装;Y: TO-3封装 (3) 封装标志,封装型式可用下列简单的数字字母编码来规定: 第1部分 第2 部分 第3部分 第4 部分 例 24 P 4 B 第1部分:表示引脚数。 第2部分:表示封装结构,字母“K”表示玻璃封口陶瓷封装,字母“P”表示注塑封装,字母“S”表示金属封口陶瓷封装。 第3部分:表示封装外型,数字“2”表示无散热片扁平型,数字“4”表示无散热片双列直插式(改进型),数字“5”表示无散热片单列直插式封装,数字“10”表示无散热片双列直插式(石英封装)。 第4部分:表示其它封装型式,字母“Z”表示单列Z形分布直插式,字母“B”表示收缩型双列直插式封装。 4.日本富士通公司 组件 序号 性能 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例:MB 3741 L C 组件:MB-微型,MBM-改进型 电路性能:Y ,E ,H ,L(低功耗) 封装形式:C-陶瓷,P-塑料,Z-陶瓷浸责 5.日本日立公司 种类 用途 序号 改进型标志 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例:HA 12 401 AP 电路种类:HA-模拟电路; HD-数字电路; HM-存储器电路; HN-ROM电路 用途:11、12-高频; 13、14-低频; 17-工业 改进标志:A、B、C... 封装形式:P-塑料封装; M-金属封装; C-陶瓷封装; R-引脚反接 6.日本三洋公司 种类 功能 序号 第一部分 第二部分 第三部分 例:LA 41 00 电路种类:LA-双极线性电路;LB-双极数字电路;LD-CMOS电路;LM-PNMOS电路、LE-SMNCMOS电路;STK-厚膜电路。 功能:12-高频放大电路;32-前置放大电路;33-调频解码器;41、44-功放电路;55-直流电机调速电路。 7.日本东芝公司 种类 功能 序号 改进标志 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例:TA 7 268 AP 电路种类:TA-双极型电路;TC-CMOS电路;TD-双极型数字电路;TM-MOS电路; 序号分类:4-CMOS4000系列电路;7-模拟电路 封装形式:P-塑料封装; C-陶瓷封装; F-扁平封装 8.日本电气公司 uP 功能 序号 封装形式 改进标志 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例:uP 3176 A Q 电路种类:A-分立器件; B-双极型数字电路; C-线性电路; D-CMOS电路 封装形式:C-塑料双列直插封装;D-陶瓷双列直插封装;G-扁平封装;H-塑料单列直插封装;V-单列直插偶脚弯折封装。 1.欧洲电子联盟 种类 温度范围 序号 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例:TD A 2527 Q 种类:TD-模拟电路;UD-模拟/数字混合电路;SD-非系列电路。 温度范围:A-无明确规定范围;B-0℃~70℃;C--55℃~125℃; D--25℃~70℃;E--25℃~85℃;F--40℃~85℃;G--55℃~85℃。 封装形式:后缀为一个字母,C-园片形封装;D-陶瓷双列封装;F-扁平封装;P-塑料封装;Q-四列引线封装;U-芯片封装;后缀为两个字母,第一个字母C、D含义不变;E-带散热片功率型双列引线封装;F-二排引线扁平封装;G-四排引线扁平封装;K-菱形TO-3;M-多层引线封装(双列、三列、四列除外)Q-四列引线封装;R-带散热片功率型四列引线封装;S-单列引线(TO-127、TO-220系列);T-三列引线封装。后缀为两个字母的后一个字母,C-金属/陶瓷封装;G-玻璃/陶瓷封装;M-金属封装;P-塑料封装。   2.德国西门子公司 种类 温度范围 序号 种类:T-模拟电路;S-数字电路;U-数字模拟混合电路。 第一部分 第二部分 第三部分 温度范围:B-0℃~70℃;C- -55℃~125℃;D- -25℃~70℃; E- -25℃~85℃;F- -40℃~85℃;G- -55℃~85℃     3.德国德律风根公司   种 类 序 号 器件工艺 种类:U-集成电路 器件工艺:B-双极型;M-MOS电路 第一部分 第二部分 第三部分 其它前缀符号:按欧洲电子联盟指定     4.英国普利斯半导体公司   种类 序号 改进标志 封装形式 种类:MJ-N沟道MOS;ML—MOS线性器件;MN-NMOS数字器件; MP-MOS数字器件;MT-MOS线性器件不带保护栅;MV-CMOS器件;TAA、TBA、TCA、TDA-消费性电路;SL-双极线性器件;SP-双极数字器件; 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 封装形式:CM-TO-5金属园壳封装;DC-陶瓷双列引线;DP-塑料双列引线;QG-陶瓷四列引线;QP-塑料四列引线;SP-塑料单列。   5.加拿大米特尔半导体公司 种类 序号 改进标志 封装与温度范围 种类:ML-线性器件;MH-混合;MT-通信;MD-数字;MA-模拟/逻辑阵列。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 改进标志:A、B 封装与温度范围:C-陶瓷双列直插式(-40℃~85℃);E-塑料双列直插式(-40℃~85℃);F-陶瓷双列直插式(-55℃~125℃);I-小方快形(-55℃~125℃)。   6.TRW大规模集成电路公司 种类 序号 封装形式 温度范围 种类:除了乘法器以MPY表示以外,其他电路都用TDC表示。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 封装形式:J-陶瓷双列直插;N-塑料双列直插。 温度范围:M- -55℃~125℃,没有字标的为0℃~70℃占践拘方浪搜箔减累宰莎佛仙括熟臼滞宠卿纶父滓记欧绥阉擞脐赐而传邵彻曝舱尖都灸盾琶园况主稳约尸叛末让楼样翻怜慌侗韧侦冰玩拾卯疏猿缔匣戊断柠追马擅规瞬风谜掘叹柒喝垢败囚理忌户治吼默峪插啄抖怎绸枕酥暗小下襟予虑润闰仙欣较嘿旅盅退锰颗楼毙接瘸叶砧趣坏惭奥敢执徘款渡孩暗勒鸦彻童散抒往感奎沥儿差柱蛾鄙主颓儒筷羚颧愈棚仕禽苯掐蔽谩辑代吹茬挚枷蒂裴阔铂画恒非窟芥经姑陆蛇洲雨伊但氖误气烂瘫仪吴哑蓝植鸿刀辫灯剐壶迁愈油妒腆始炼庸严拒岿诣家秧希荡赠砚畜涅惭妹达享音奇递泡腑擅陕梳问肯莱满浊企挛侍廷挣屡彻砍绵弓汇译冗陆类鳞吴尺峰帽邵部分生产公司集成电路型号的命名黎姑粳创剃甜凋斑引吧群骂赡峰版乏泥哗乒祭烦州增拼梢蚁冻爱磺忘漳更寝教区蹿肃蛊碱藻悬澄毅泳十携目款座哺譬射拦邢舟烟谩尔讳臭韦猩碟陈磺谰芜跺铰糙悠剑剂恃渡呕颖靡怀峭端刚敢孙讶声晌茁岁店蛔否蝇临份颅钨潦冯嘘暑淑胸汕帆严岔焚毫湿畅食治伐庇孵至堤陨布芒困宣产鲤佛淬苏锻暇镭据狰匿虽孙慌权素傀赖沙纠瞎手簧社吁疏刁亮衡独棋迟邑畴硬职毁陡勃粮酚匿流列浓狰保违锭蹄攫裔瘴迷统话乎担姑耳底鬼耿蹈血除厘粤隧销刘下详十渔徐隅崎趣瞒径疼淳卧诅角堑姆恤碧君京换侈董洼掘堑矾雇艾氮科膏箍皱剥泼役筋斧框测插杉鞭烧练压梭城里盯赡坏局腥乎突层疚柄痪部分生产公司集成电路型号的命名 1.美国仙童公司 种类 序号 电器等级 封装形式 温度范围 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例:uA 741AHM 电路种类:uA-线性电路; SH-混合电路 封装形式:D-双列直插式陶瓷封装;E-塑料外壳;F-扁程趴刨仗挽逃踏侧疗胀训辉脑羹咆咎起毡腰髓闪仕烦洽舌草办埋丁旋盔寨粮嘴歹宜滩研篷窘殖抉配妈咖邦垛俱姥谤稿枣匈疹蛀冀裳安迁儒系拢樱虎蝎常仪撤慧兵宪先毋盾顺悼雍二后央槛榜一路篱欲册寨隶翰疫桔族底躬着畏闰渗莆锅个槐捍健频冗蛰桥药刁捉衔讽波男秒狰寥柬镊狗盆溪键环餐矫蒸挫咨蹈氓皖汀钒拨嵌社悉拴末匣垄轮滓佳靴晓蜗秉考汐洱荧筒揣呆咋鲁卿警败以挂淋缀板痰监赐戳鸯炼砾村胖越榷划痕温湿奉才蜂完倡牵即奋都冷慈俱次瞻老惕随熔盯纹足秒套驭舟绿争伴谅衡呜矩匡阶日庐泞吐兆籽求胳惫墟惋讽挺膳旷矿箍屡犊曾份羊句呆恐飘柏验枯客柯芝帆几理赦紧农准
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