1、 SDH8654B 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 2020.12.18 http: / 共 3 页 第 1 页 内置高压MOSFET的PWM+PFM控制器系列 1.描述 SDH8654B 是用于开关电源的内置高压 MOSFET 及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式 PWM+PFM 控制器。 SDH8654B 内置高压启动恒流源，低待机功耗。有多种控制模式：在重载时，工作在 PWM 模式；在轻载时，工作在 PFM 模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。 SDH8654B 具有抖频功能，以降低 EMI。内置峰值电流补偿电路，在不同交流电压输入时的极限输出功率一致。
2、内置软启动功能，在上电过程中减小变压器的应力，防止变压器饱和。 SDH8654B内部集成全面的异常状态保护功能，包括前沿消隐（LEB） ，逐周期峰值限流，VCC过压保护（OVP） ，输出过载保护（OLP） ，AC输入欠压保护（AC_UVP） ，AC输入过压保护（AC_OVP）和过温保护（OTP）等。 2.特点 高压启动 低待机功耗 多种控制模式 抖频 峰值电流补偿 软启动 前沿消隐（LEB） 逐周期峰值限流 VCC 过压保护（OVP） 输出过载保护（OLP） AC 输入欠压保护（AC_UVP） AC 输入过压保护（AC_OVP） 过温保护（OTP） DIP-7-300-2.54 3.应用 开关
3、电源 4.产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 环保等级 包装方式 SDH8654B DIP-7-300-2.54 SDH8654B 无卤 料管 SDH8654B 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 2020.12.18 http: / 共 3 页 第 2 页 5.内部框图 2BO4FB检测延时内部低压电源AVDDAVDD振荡器抖频SRQ降频模式打嗝模式峰值限流比较器脉宽调制比较器软启动峰值电流补偿斜坡补偿1GND3关断控制逻辑控制SRQ重启控制SRQDRAINCS5VCC栅极驱动7高压启动恒流源-+-+5V16.5V-+9V-+27.2VVCC过压保护VCC开启/关断-+VCC重启输出
4、过载保护2.3V-+1.8V1.65V-+1.45V4.35V-+过温保护前沿消隐MOSFETDRAIN6检测延时AC输入过压保护0.9V-+0.8V3.55V-+AC输入欠压保护 6. 应用电路图 BOAC inCSGNDDC outDRAINSDH8654B67321FBVCC54DRAIN 注：注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。 SDH8654B 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 2020.12.18 http: / 共 3 页 第 3 页 7.封装外形图 DIP-7-300-2.54 单位：毫米 A 2 AB1eeAceBeCLbE1DA1E14
5、567 SYMBOLMILLIMETERMINNOMMAXA4.10A10.50_A22.903.303.40b0.380.55B1c0.200.250.32EE16.106.356.60e2.54BSCeA7.62BSCeB7.62_9.30eC0_1.52L3.00_D9.009.409.80_1.221.521.827.627.878.260.46 重要注意事项：重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料， 并验证相关信息是否最新和完整。 产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 7. 我司网站 http: /
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