三极管的命名参数及测试.ppt

三极管的命名和参数三极管的命名和参数半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式第一部分第一部分数字数字字母字母 字母字母(汉拼汉拼)数字数字字母字母(汉拼汉拼)电极数电极数材料和极性材料和极性 器件类型器件类型 序号序号 规格号规格号3三极管三极管第二部分第二部分第三部分第三部分X低频小功率管低频小功率管G高频小功率管高频小功率管D低频大功率管低频大功率管A高频大功率管高频大功率管第四部分第四部分第五部分第五部分例：例：3AX31 3DG12B 3DD6PNP低频小功率锗三极管低频小功率锗三极管NPN高频小功率硅三极管高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管硅开关三极管D硅材料硅材料NPNC硅材料硅材料PNPA锗材料锗材料PNPB锗材料锗材料NPN 2.1.6 半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 第二位第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管 第三位第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管1.电流放大系数电流放大系数，当晶体管接成共发射极电路时，在静态当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号无输入信号)时集时集电极电流与基极电流的比值称为电极电流与基极电流的比值称为静态电流静态电流(直流直流)放大放大系数系数当晶体管工作在动态当晶体管工作在动态(有输入信号有输入信号)时，基极电流的变化时，基极电流的变化量为量为 IB，它引起集电极电流的变化量为，它引起集电极电流的变化量为 IC。IC与与 IB的比值称为的比值称为动态电流动态电流(交流交流)放大系数放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下较小的情况下,可近似认为可近似认为，但二者含义不同。，但二者含义不同。电流放大系数一般在电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取能不稳定。一般取3080为宜。为宜。(1)(1)直流参数直流参数 极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。EC ICBO2.集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和和ICBO有如下关系有如下关系ICEO=（1+）ICBO相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线特性曲线IB=0那条曲线所对应的那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。坐标的数值。如下图所示。ECICEO饱和区饱和区截止区截止区IC/mAUCE /V100A80A60A40A20AIB=0O3691243212.31.5放放大大区区1.集电极集电极基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO。反向饱和电流随反向饱和电流随温度温度增加而增加，是管子工作状态增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能判断管子性能的的重要依据。重要依据。硅硅管管反向饱和电流反向饱和电流远远小小于于锗锗管，在温度变化管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。范围大的工作环境应选用硅管。二、极间反向饱和电流二、极间反向饱和电流2.集电极集电极发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流ICEO。(2.1.7)1.电流放大系数电流放大系数，当晶体管接成共发射极电路时，在静态当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号无输入信号)时集时集电极电流与基极电流的比值称为电极电流与基极电流的比值称为静态电流静态电流(直流直流)放大放大系数系数当晶体管工作在动态当晶体管工作在动态(有输入信号有输入信号)时，基极电流的变化时，基极电流的变化量为量为 IB，它引起集电极电流的变化量为，它引起集电极电流的变化量为 IC。IC与与 IB的比值称为的比值称为动态电流动态电流(交流交流)放大系数放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下较小的情况下,可近似认为可近似认为，但二者含义不同。，但二者含义不同。电流放大系数一般在电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取能不稳定。一般取3080为宜。为宜。(2)(2)交流参数交流参数1fTf127345返回特征频率特征频率fT三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。(2)(2)交流参数交流参数当当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM。1.集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM(3)极限参数极限参数基基极极开开路路时时，加加在在集集电电极极和和发发射射极极之之间间的的最最大大允允许许电电压压，称为集称为集射反相击穿电压射反相击穿电压U(BR)CEO。2.V(BR)CEO发射极开路时的集电结击穿电压。发射极开路时的集电结击穿电压。下标下标BR代表击穿之意，是代表击穿之意，是Breakdown的字头，的字头，CB代表集电极和基极，代表集电极和基极，O代表第三个电极代表第三个电极B开路。开路。管管子子基基极极开开路路时时，集集电电极极和和发发射射极极之之间间的的最最大大允允许许电电压压。当当电电压压越越过过此此值值时时，管管子子将将发发生生电电压压击击穿穿，若若电电击击穿穿导致热击穿会损坏管子。导致热击穿会损坏管子。2.集电极集电极发射极间反向击穿电压发射极间反向击穿电压V(BR)CEO当当晶晶体体管管因因受受热热而而引引起起的的参参数数变变化化不不超超过过允允许许值值时时，集集电电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率PCM。ICICMU(BR)CEOUCEPCMOICEO安安全全工工作作区区由由ICM、U(BR)CEO、PCM三三者者共共同同确确定定晶晶体体管管的安全工作区。的安全工作区。返回返回正常工作时，正常工作时，I IC C流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该使集电极消耗的功率使集电极消耗的功率P PC C P PCMCM3.集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM3.集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管，所发出的焦耳所发出的焦耳热为：热为：PC=ICUCE必定导致结温必定导致结温上升，所以上升，所以PC 有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区上一页首 页此课件下载可自行编辑修改，供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！