CVD的原理与工艺.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第七章 化学气相淀积,桂林电子科技大学职业技术学院,膜淀积,集成电路制造过程中，常需要在衬底上生长固体材料层；,若固体膜三维尺寸中，某一维尺寸（通常指厚度）远远小于另外两维上的尺寸，称为,薄膜,，通常描述薄膜厚度的单位是埃。,薄膜淀积：任何在硅片衬底上物理沉淀聚积一层薄膜的工艺。,薄膜特性,硅片加工中可接受的膜必须具备一定特性：,台阶覆盖能力、深宽比间隙填充能力、,厚度均匀性、可控化学剂量、膜纯度与密度、膜应力、电学特性与粘附性等。,深宽比间隙填充能力,深宽比用于描述小间隙尺寸，高宽深比的膜淀积容易产生,夹断或空洞,，因此进行无空洞、均匀填充是薄膜淀积工艺的重点。,其他性质,厚度均匀性：需淀积处薄膜的厚度均匀一致性，薄膜厚度影响材料电阻，进而影响器件电特性；,可控化学剂量：化学反应处于动态平衡状态，反应式两端参与反应物质的量决定了淀积所得膜组分；,膜纯度和密度：纯度和密度决定影响膜质量的化学元素或原子的多少和膜层中针孔或空洞多少；,膜应力往往会导致硅片变形，造成膜的开裂与分层等；膜的电特性和粘附性对器件可靠性和膜层质量有重要影响。,薄膜生长步骤,膜淀积过程有三个不同阶段：,第一步，晶核的形成：成束的稳定小晶核；,第二步，聚集成束,岛生长：岛束沿随机方向生长；,第三步，形成连续的膜：岛束汇集并延伸铺展；,膜淀积技术,硅片的表面淀积会在硅片上形成一层连续的薄膜，成膜物质来自外部源，其中源种类可分为,气体源和固体源,。,按淀积工艺涉及的反应方式分为：,化学气相淀积,（,Chemical Vapor Deposition,，,CVD,）,物理气相淀积,（,Physical Vapor Deposition,，,PVD,）,化学气相淀积,CVD,：在反应室内，气态反应物经化学反应生成固态物质并淀积在硅片表面的薄膜淀积技术；,PVD,：通过蒸发、电离或溅射等过程，产生固态粒子沉积在硅片表面或继续与气体反应得到所需薄膜。,CVD,的基本特征：,1,、产生化学变化（化学反应或热分解）；,2,、膜中所有材料都来源于外部的源；,3,、,CVD,工艺中反应物必须以气相形式参与反应；,CVD,化学过程,CVD,包括的五种基本化学反应过程：,1,、高温分解：,无氧条件下加热分解化合物（化学键断裂）；,2,、光分解：,利用辐射能使化合物化学键断裂；,3,、还原反应：,化合物分子与氢气发生的反应；,4,、氧化反应：,反应物与氧发生的反应；,5,、氧化还原反应：,氧化与还原反应的组合，生成两种新化合物,选择依据：,淀积温度、膜特性和加工设备要求,等因素。,CVD,化学原理与步骤,原理：气相反应物中生长晶体的复相物理,-,化学过程,第一步：气体传输至淀积区域,第二步：膜先驱物的形成与输运,第三步：膜先驱物粘附与扩散,第四步：表面反应，导致膜淀积和副产物的形成,第五步：副产物的移除（表面和反应腔）,CVD,传输和反应步骤,CVD,反应控制要点,温度与反应速率的限制：温度升高，表面反应速度增加，,过程速率最慢环节,决定整个淀积过程的速度。,常压下，,CVD,速率不会超过主气体流质量传输速率,-,质量传输限制淀积工艺,。,低压下，表面反应速度较低，淀积速度受表面反应速度限制,-,反应速度限制,CVD,工艺,CVD,气体流动对淀积膜的均匀性有较大影响，要求有足够量的分子在合适的时间出现在合适的反应区域。,CVD,气体流动,CVD,方法分类,不同的,CVD,工艺具有不同的反应腔设计，,CVD,反应依据反应腔中的压力可分为,常压,CVD,（,APCVD,）和减压,CVD,，其中减压,CVD,又分为低压,CVD,（,LPCVD,）、等离子增强减压,CVD,（,PECVD,）及高密度等离子增强,CVD,。,各类,CVD,反应的区别主要在于,环境压力的高低和输入能量方式的不同,。,APCVD,属于质量传输限制,CVD,工艺的一种，必须保证反应气体能等量到达每片硅片。,APCVD,LPCVD,LPCVD,属于,反应速度限制,CVD,工艺,的一种，在减压的条件下，增加反应气体扩散以获得更高的气体质量传输不再影响,CVD,反应速度，严格控制温度可在大量硅片表面淀积形成均匀的膜。,由于低压，,LPCVD,中的边界层距离硅片表面更远，边界层分子密度低，使得反应气体很容易通过边界层，使硅片表面接触足够的反应气体分子：,反应速度限制工艺,。,LPCVD,