242碲化镉太阳能电池解析.pptx

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,郑州大学硕士学位答辩,郑州大学材料工程学院,第二级,第三级,第四级,第五级,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二层,第三层,第四层,第五层,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,2.4,多元化合物太阳电池,2.4.2,一,族太阳电池,(CdTe),碲化镉太阳能电池特点,碲化镉太阳能电池结构,碲化镉太阳能电池制作工艺,碲化镉太阳能电池成本估算,碲化镉太阳能电池优势与缺陷,高效、稳定且相对,低成本,吸收系数10,5,/cm,CdTe多晶薄膜制备,技术较多，且简单,直接禁带半导体,一,族化合物,能隙为,1,45eV,CdTe,superstrate,结构是在玻璃衬底上依次长上透明氧化层（TCO）、,CdS,、,CdTe,薄膜，而太阳光是由玻璃衬底上方照射进入，先透过TCO层，再进入,CdS/CdTe,结。而在,substrate,结构，是先在适当的衬底上长上,CdTe,薄膜，再接着长,CdS,及TCO薄膜。其中以superstrate的效率最高。,2.碲化镉太阳能电池原理结构,透明导电氧化层,n型半导体,p型半导体,降低CdTe与金属电极接触势垒,2.碲化镉太阳能电池原理结构,主要对电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用。,玻璃衬底,TCO层,透明导电氧化层。它主要的作用是透光和导电的作用。,用于CdTeCdS薄膜太阳能电池的TCO必须具备下列的特性：,在波长400860nm的可见光的透过率超过85：低的电阻率，,大约210-4,cm,数量级；在后续高温沉积其它薄膜层时的,良好的热稳定性。,CdS窗口层,n型半导体，与P型CdTe组成p/n结。CdS的吸收边大约是521 nm，,几乎所有的可见光都可以透过。因此CdS薄膜常用于薄膜,太阳能电池中的窗口层。,CdTe吸收层,电池的主体吸光层，它与n型的CdS窗口层形成的p-n结是整个电,池最核心的部分。多晶CdTe薄膜具有制备太阳能电池的理想的,禁带宽度(Eg=145 eV)和高的光吸收率(大约104/cm)。CdTe,的光谱响应与太阳光谱几乎相同。,背接触层和背电极,降低,CdTe,和金属电极的接触势垒，引出电流，使金属电极,与,CdTe,形成欧姆接触。,3.碲化镉太阳能电池制作工艺,工艺流程,CdTe吸收层的CdCl,2,处理,几乎所有沉积技术所得到的,CdTe,薄膜，都必须再经过,CdCl,2,处理。,CdCl,2,处理能够进一步提高,CdTe/CdS,异质结太阳电池的转换效率，原因是：,能够在,CdTe,和,CdS,之间形成界面层，降低界面缺陷态浓度；,导致,CdTe,膜的再次结晶化和晶粒的长大，减少晶界缺陷；,热处理能够钝化缺陷、提高吸收层的载流子寿命。将,CdTe,薄膜置于约400的,CdCl,2,环境之下，,CdCl,2,的存在促进了,CdTe,的再结晶过程。不仅比较小的晶粒消失了，连带着,CdTe,与,CdS,的界面结构也比较有次序。,3.碲化镉太阳能电池制作工艺背接触层,CdTe与大多数的金属,都难以形成欧姆接触。一,种可行的方法是先对CdTe,薄膜表面进行化学刻蚀，,再沉积高掺杂的背接触材,料。,硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键,3.碲化镉太阳能电池制作工艺关键技术,4.碲化镉太阳能电池成本估算,注：成本计算依据,电池结构为,玻璃,/SnO2,：,F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe,：,Cu/Ni,碲化,镉,薄膜的厚度,为,5,微米,转换效率,7%,，,1MW,碲化,镉,薄膜,太阳能电,池所消耗的材料的成本,45.4%,38.2%,4.碲化镉太阳能电池成本估算,可,见,，碲化,镉,和透明,导电,玻璃,构,成材料成本的,主体,，分別占到消耗材料,总,成本的,45.4%,和,38.2%,。如,将,碲化,镉,薄膜的厚度,减,薄,1,微米，,则,碲化,镉,材料的消耗,将,降低,20%,，,从而,使材料,总,成本降低,9.1%,，即,从,每峰瓦,6.21,元降,为,5.64,元。如使用,99.999%,纯,度的碲化,镉,，效率依然能,达,到,7%,，材料成本,还将进,一步降低。,5.碲化镉太阳能电池优势与缺陷,1,碲化镉薄膜太阳能电池在工业规模上成本大大优于晶体硅和其他材料的太阳能电池技术，生产成本仅为,0.87,美元,/W,。,2,其次它和太阳的光谱最一致，可吸收,95%,以上的阳光。,3,工艺相对简单，标准工艺，低能耗，无污染，生命周期结束后，可回收，强弱光均可发电，温度越高表现越好。,优 势,缺点,第一，碲原料稀缺，无法保证碲化镉太阳能电池的不断增产的需求。,第二，镉作为重金属是有毒的。碲化镉太阳能电池在生产和使用过程中的万一有排放和污染，会影响环境,5.碲化镉太阳能电池优势与缺陷,前景展望,碲化,镉,薄膜,太阳能电池,正日益受到,国内外的关注,。全球最大的碲化,镉太阳能电池制造,商,美国,First Solar,公司正加速,扩大产能,，,该,公司正在,德国,建设年产量,100MW,的,工厂,，,该工厂,得到,欧盟,4000,万欧元,的,投资,。,同时,，,First Solar,还计划,在,美国,本土和,亚洲,分別,建设,一,个,100MW,的,工厂,。,鉴于,碲化,镉,薄膜太,阳,能,电,池的,发展,前景，日本,计划,再,启动,碲化,镉,薄膜太,阳,能,电,池的工,业,化生,产,技,术,研究，意大利和德,国,也在,进行类似,的工作。,国内,四川大,学,的碲化,镉,薄膜太,阳,能,电,池工,业,化生,产,技,术,研究,进展顺利,，,将推动,我,国,碲化,镉,薄膜太,阳,能,电池,的,规模,生,产,。,CdS,薄膜与,Cu,2,S/CdS,太阳电池,Cu,2,S,CdS,是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶,CdS,薄膜。,用喷涂法制备,CdS,薄膜，其方法主要是将含有,S,和,Cd,的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有,SnO,2,导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成,CdS,薄膜。,CdS,CulnSe,2,太阳电池,Cu1nSe,2,材料具有到目前为止所有半导体材料中的最高吸收系数。,由于,CulnSe,2,薄膜材料具备十分优异的光伏特性，,20,年来，出现了多种以,Cu1nSe,2,薄膜材料为基础的同质结和异质结太阳电池。主要有,n-CulnSe,2,p-CulnSe,2,、（,InCd,）,S,2,CulnSe,2,、,CdS,CulnSe,2,、,ITO,Cu1nSe,：、,GaAs,CulnSe,2,、,ZnO,CulnSe,2,等。其中最为人们重视的是,CdS,CulnSe,2,电池。,2.4.3,铜铟硒太阳电池,CIS,CuInSe,2,黄铜矿晶格结构,直接带隙半导体，其光吸收系数高达,10,5,量级,禁带宽度在室温时是,1.04eV,，通过掺入适量的,Ga,以替代部分,In,，形成,CulnSe,2,和,CuGaSe,2,的固熔晶体,Ga,的掺入会改变晶体的晶格常数，改变了原子之间的作用力,最终实现了材料禁带宽度的改变，在,1.04,一,1.7eV,范围内可以根据设计调整，以达到最高的转化效率,自室温至,810,保持稳定相,使制膜工艺简单,可操作性强,.,铜铟镓二硒系列太阳电池可分为哪两类？组成这两类太阳电池的材料有哪些特性？,掌握,CIS,及,CIGS,太阳电池结构,掌握,CIS,及,CIGS,太阳电池的制造方法及优缺点,铜铟镓二硒系列太阳电池可分为,两类,:,一种是,铜铟硒的三元化合物,（,Copper Indrum Diselenide,，简称,CIS,）,一种是含,铜铟镓硒的四元化合物,（,Copper Indrum Gallium Diselenide,，简称,CIGS,）,.,这两种材料的,吸光范围非常广,，而且在户外环境下的,稳定性也相当好,。,高转换效率,及,低材料制造成本,，因此被视为未来最有发展潜力的薄膜太阳电池种类之一。,在,转换效率,方面，若是利用,聚光,装置的辅助，目前转换效率已经可以达到,30%,左右，而在,标准环境,测试下最高也已经可以 达到,19.5%,的水准，足以媲美单晶硅太阳电池的最佳转换效率。,在,大面积,制程上，采用,软性塑料基板,的最佳转换效率也已经达到,14.1%,。,除了适合用在大面积的地表用途外，,Cu(InGa)Se2,太阳电池也具有,抗辐射损伤,的优点，而且可以在可挠式的软性基板上生产，所以也具有,应用在太空领域的潜力,。,CIS,及,CIGS,太阳电池结构,采用,Cu(InGa)Se2,的接合，鉬（,Mo,）当背景电极接触。,CIGS,太阳电池面临三个主要的挑战,虽然,CIGS,太阳电池具有高效率及低材料成本的优势，但它也面临三个主要的挑战：,（,1,）工艺复杂，投资成本高,（,2,）关键原料的供应不足,（,3,）缓冲层,CdS,具有潜在毒性。,材料特性,CuInSe2,（及,CuGaSe2,）在室温下具有与黄铜矿一样的正方系结构，它的晶格常数比,c/a,接近,2,在,810,以上则呈现立方的闪锌矿,(Sphalerite),结构,CuInSe2,则可以跟,任何比例,的,CuGaSe2,混合，形成,CuIn1-xGaxSe2,的化合物。,CuIn1-xGaxSe2,的一个重要特点是它,可以容许比较宽的组成变化，而不至于明显改变其光的特性，,所以高效率,CIGS,太阳电池可以在,0.7,1.0,的,Cu/(In+Ga),比率下制造出来。,CuInSe2,的对,光的吸收系数相当高,（大于,10,5,/cm,），所以仅,1um,厚的材料就可吸收,99%,以上的光子。,CuInSe2,是,直接能隙,的半导体材料，它在室温的能隙值为,1.02eV,，而,对温度变化的系数,为,-210,-4,Ev/K,。,CuIn,1-x,Ga,x,Se,2,的能隙大小可由下式计算出来,随着,铟镓含量的不同,，其能隙大小可以从,1.02eV,变化到,1.68eV,，此项特性可以被利用在多接面模组上。,在电性上，,富铜,（,Cu-rich,）的,CuInSe2,（总是具有,p-,型,特性,富铟,（,In-rich,）的,CuInSe2,薄膜可以是,p-,型,也可以是,n-,型。如果在,高压,的,硒环境,下做热处理，,n-,型,的薄膜可以转为,p-,型,，如果在,低压,的,硒环境,下做热处理，,p-,型,的薄膜则可以转换为,n-,型,。,CIGS SEM,照片,下图显示在玻璃基板上依序长上,Mo,、,CIGS,、,CdS,、,ZnO,的,SEM,照片。,通常,CIGS,的晶粒大小与形貌与制造的技术及条件有很大的关系，但一般的大小都在,1um,附近。,可能出现在,CIGS,薄膜内的缺陷包括有差排、叠差、及双晶等。,同步蒸镀法（,Coevaporation,）,目前最高效率的,CIGS,太阳电池是利用,同步蒸镀法,制造出来的。它用来制备,实验室规模的电池和小组件,。,使用到,4,个,各别元素（,Cu,、,In,、,Ga,、,Se,）的,蒸镀源,，所挥发出来的元素会淀积在一,加热的基板,上，而,反应形成,CuIn1-xGaxSe2,薄膜。,每个蒸镀源的温度必须各别调整，以控制元素挥发出来的数量,，进而控制所淀积出,CuIn1-xGaxSe2,薄膜的化学计量组成。,通常,Cu,靶的温度在,1300,1400,之间，,In,靶的温度在,1000,1100,之间，,Ga,靶的温度在,1150,1250,之间，,Se,靶的温度在,300,350,之间。,同步蒸镀法生长,CIGS,薄膜的主要优点及,缺点,利用同步蒸镀法生长,CIGS,薄膜的主要,优点,，在于它可以,自由的控制薄膜的组成及能隙大小,，所以可以制造出高效率的太阳电池。,它的主要,缺点,，在于,操作上的控制比较困难,，因为,Cu,蒸镀源的挥发量较不易控制。它的另一个缺点在于,缺乏可以大面积商业化生产的设备。,硒化法（,Selenization,）,硒化法又称为双步骤法，它是,先将,Cu/In/Ga,溅镀在基板,上形成所谓的,precursor,薄膜，再使之在,常压下与氢化硒（,H2Se,）发生反应,，而产生薄膜。,一般与氢化硒的反应温度约在,400,500,之间，反应时间为,30-60,分钟左右。,Cu(InGa)Se2,薄膜生成的化学反应式可由下式表示：,利用硒化法生长,CIGS,薄膜的主要优点与缺点,利用硒化法生长,CIGS,薄膜的主要优点，在于它可以结合一些,标准而成熟的技术去先淀积出金属薄膜,，再利用,高温反应来缩短反应时间,，因此是种具有较低生成成本的制程。,它的主要缺点为，,控制组成的自由度不高,，所以,难以变化能隙的大小,。此外，它的,薄膜黏着性较差,，这是必须努力克服的一大课题，而,氢化硒有很高的毒性,，在操作上必须格外的小心。,目前利用硒化法制造出来的,CIGS,太阳电池的效率已超过,16%,。,CIGS,薄膜太阳能电池的结构,金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),窗口层,ZnO,过渡层,CdS,光吸收层,CIGS,金属背电极,Mo,玻璃衬底,低阻,AZO,高阻,ZnO,金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,光吸收层,CIGS,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,光吸收层,CIGS,窗口层,ZnO,过渡层,CdS,光吸收层,CIGS,金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,金属背电极,Mo,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,金属背电极,Mo,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,金属背电极,Mo,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,玻璃衬底,金属背电极,Mo,光吸收层,CIGS,过渡层,CdS,窗口层,ZnO,减反射膜,(MgF,2,),金属栅电极,结构原理,减反射膜：增加入射率,AZO,：低阻，高透，欧姆接触,i-ZnO,：高阻，与,CdS,构成,n,区,CdS,：降低带隙的不连续性，缓,冲晶格不匹配问题,CIGS,：吸收区，弱,p,型，其空间电,荷区为主要工作区,Mo:CIS,的晶格失配较小且热膨 胀系数与,CIS,比较接近,CIGS,薄膜电池的异质结机理,CIGS,电池的实质：窗口,-,吸收体结构的异质,p-n,结太阳能电池,光,CIGS(,弱,p),(1.01.7eV),CdS(n),(2.4eV),ZnO(n),(3.2eV),N,区,内建电场,光生电流（电压）,背面电极（,Back Contact,）,CIGS,太阳电池的背面电极一般是采用,金属鉬（,Mo,），,这是因为,Mo,可以与,CIGS,薄膜之间形成良好的欧姆接触,，使得电流的传递损耗程度比较小。,此外，,Mo,具有高度的光反射率,，使得太阳光可以反复的被主吸收层所吸收。,吸收层（,Absorber Layer,）,p-,型的,CIGS,或,CIS,薄膜，是做为吸收层的，在吸收层的设计上，要考虑一下几点：,（,1,）,CIGS,薄膜的制造，要容易得到单一相，且结晶品质要好。,（,2,）必须可以与金属层间有良好的欧姆接触，且容易制造,（,3,）为了能有效的吸收太阳光，,CIGS,层应有足够的厚度，但厚度又必须小于载子的扩散长度，使得被激发的载子可以被收集。,CIGS,或,CIS,吸收层的厚度一般在,1.5,2.0um,左右。,（,4,）,CIGS,层具有多晶结构，因此晶界处的缺陷要少，以降低载子发生再结合的几率。,（,5,）,CIGS,薄膜表面的平坦性要好，以促进良好的界面状态，才不会影响到太阳电池的光电特性。,随着铟镓含量的不同，,CIGS,的能隙大小可以从,1.02eV,变化到,1.68eV.,制造,富铟的薄膜,（,In-rich CIGS,），可以改善太阳电池的效率,.,而在,富铜,（,Cu-rich,）的区域，因为有,Cu2-xSe,相的析出，而损坏了太阳电池的功能。,有人使用,NaCN,（,氰化钠，有剧毒）,或,KCN,溶液把,Cu2-xSe,从薄膜的表面或晶界移出，证明可以改良,Cu-rich CIGS,太阳电池的效率。,缓冲层（,Buffer Layer,）,在,CIGS,太阳电池中，最常用的缓冲层材料为,n-CdS,，它的,主要目的在形成与,p-CIGS,之间的,pn,接合,。,CdS,也是直接能隙的材料，在室温的能隙大小为,2.42eV,。,CdS,与,CIGS,薄膜之间的晶格匹配非常好，但随着,CIGS,薄膜里头,Ga,含量的增加，晶格匹配性会降低。,透明导电氧化层,可以用来当成透明导电氧化层材料有三种,，包括有,SnO2,、,In2O3:Sn(,简称为,ITO),、及,ZnO,。,SnO2,必须在,较高的温度下淀积产生,，这点限制了它应用在,CIGS,太阳电池上的可能性，这是因为已覆盖着,CdS,的,CIGS,薄膜，无法承受,250,以上的高温之故。,而,ITO,及,ZnO,两者都可被应用在,CIGS,太阳电池上，其中,ZnO,最为普遍被采用,，这是因为它的,材料成本低,的原因。在,ZnO,中添加适当的,Al,，也是颇为常见的,透明导电氧化层材料,。,窗口层,作为前电极，最常用的材料是,硼或铝,掺杂,的,ZnO,。,正面金属电极,在,TCO,层的上方还有金属电极，它的,形状通常是网格状的,（,grid,）。而且,金属电极所占的面积越小越好,，这样才可允许较多的光线可以进入太阳电池内。,金属电极的材料通常为,Ni,及,Al,，,在,作法,上，是先在,TCO,层上镀上数十纳米宽的,Ni,，以避免形成高电阻的金属氧化物，接着再镀上数微米宽的,Al,。,挠性的基板,CIGS,或,CIS,太阳电池,使用挠性的基板具有相当高的吸引力，因为它可以制造出重量轻盈的可挠性的,CIGS,或,CIS,太阳电池。,它的另一个优势是它可以利用,roll-to-roll,的工艺来生产。所使用的基板材料，可为不锈钢箔、软性塑料等。,组件生产和商业化,1.,整体集成的互连,薄膜光伏技术的一个固有优点是使用整体集成的可能性，即在一个组件里将单元电池实施串联集成。下图展示出这种电池间连接的方案，它要保证一个电池的背电极,Mo,层分割开来，并由此确定单元电池的宽度，它是,0.5,1cm,量级。,通常，使用激光刻画,Mo,层。第二步刻图是在吸收层和过渡层沉积之后完成，最后一步刻图是在窗口层沉积之后完成。由于电池长度确定刻画的长度可以大于,1m,。典型的电池间连接宽度是,300m,量级。这样，大约,3%,5%,的电池面积为了这个连接而牺牲了。,淀积与刻画顺序,CIGS,薄膜太阳能电池的优点,材料吸收率高,吸收系数高达,10,5,量级,直接带隙,适合薄膜化,电池厚度可做到,23,微米,降低昂贵的材料成本,光学带隙可调,.,调制,Ga/In,比,可使带隙在,1.01.7eV,间变化,可使吸收层带隙与太阳光谱获得最佳匹配,抗辐射能力强,.,通过电子与质子辐照、温度交变、振动、加速度冲击等试验,光电转换效率几乎不变,.,在空间电源方面有很强的竞争力,稳定性好,不存在很多电池都有的,光致衰退效应,电池效率高,.,小面积可达,19.9%,大面积组件可达,14.2%,弱光特性好,.,对光照不理想的地区犹显其优异性能,.,CIGS,太阳电池的未来发展,CIGS,太阳电池因为具有高转换效率及低材料制造成本，因此被视为未来最有发展潜力的薄膜太阳电池种类之一。,此外,CIGS,太阳电池也具有抗辐射损失的优点，而且可以在可挠式的软性基板上生产，所以也具有应用在太空领域的潜力。,然而在经过了,30,年的发展后的今日，,CIGS,太阳电池的普及性仍不高，小规模的量产阶段并未明显看到它被世人期待的成本优势，因此如何使得,CIGS,太阳电池量产技术的成熟化来大幅降低制造成本，是未来努力的一大课题。,另外一个发展方向，是去发展比较宽能隙（,1.5eV,）的,CIGS,技术，而不会造成效率的损失。,双接面及多接面太阳电池的发展，也需仰赖不同能隙大小的,CIGS,合金组成。,发展可以制造高品质的,CIGS,薄膜低温工艺，也是降低制造成本的一个重点，因为低温工艺可以使得基板的选择更有弹性，低廉的可挠式材料便可被采用。,在具有低材料成本及高模组效率的市场潜力吸引下，近来除了,Shell Solar,、,Wrth Solar,、,Showa Shell,、,ZSW,等持续投入开发外，甚至连汽车大厂本田亦宣布跟进生产。,CIGS,太阳电池发展的隐忧是铟及镓的地球蕴藏量有限，在其他半导体及光电产业竞相使用之下，将来也有可能发生短缺的问题，因而影响,CIS/CIGS,的市场成长。,硅基太阳能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,纳米晶太阳能电池,主要,:GaAs CdS,CIGS,目前,综合性能最好,的薄膜太阳能电池,硅基太阳能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,硅基太阳能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,硅基太阳能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,硅基太阳能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,硅基太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,硅基太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,硅基太阳能电池,纳米晶太阳能电池,有机聚合物太阳,能电池,多元化合物薄膜,太阳能电池,目前,综合性能最好,的薄膜太阳能电池,主要,:GaAs CdS,CIGS,目前,综合性能最好,的薄膜太阳能电池,主要,:GaAs CdS,CIGS,目前,综合性能最好,的薄膜太阳能电池,