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晶体管低频放大器
原作者:[标签:作者] 添加时间:2007-05-08 原文发表时间:2007-05-08 人气:411
为了使放大器获得线性的放大作用,晶体管不仅须有一个合适的静态工作点,而且必须使工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icbo、Ube的影响,最终都集中反映在Ic的变化上,为了消除这种影响,我们通过晶体管偏置的直流或电压的负反馈作用使静态工作点稳定下来,常见的两种偏置电路及工作点稳定原理如下表表一、晶体管放大器的偏置电路
电路
工作点稳定原理
计算公式
电流负电反馈
设温度T↑,直流负反馈过程
结果使Ic维持不变
U=(1/3-1/5)Ec
Re=(1/3-1/5)Ec/Ic
Rb=Rb1//Rb2
===(2-5)Re
Ub=Rb1Ec/(Rb1 Rb2)
电压负电反馈
设温度T,直流负反馈过程
结果使Ic维持不变
Rb=β(Ec-Ube)/Ic-βRc
Ic=Ec/(Rc Rb/β)
根据经验,通常取
Rb/Rc=(2-10)
三种电路形式及其性能比较
电路
电压放大倍数
电流放大倍数
输入电阻
输出电阻
共射电路
10-100
大
10-1000
大
100Ω-50KΩ
中
10KΩ-500KΩ
中
共集电路
0.9-0.999
小
10-1000
大
因负载不同,可达50MΩ左右
大
1-100Ω
小
共基电路
100-10000
(实用)
大
0.9-0.999
小
10-500Ω左右
小
500KΩ-5MΩ
大
电路
电压放大倍数
电流放大倍数
输入电阻
输出电阻
共射电路
10-100
大
10-1000
大
100Ω-50KΩ
中
10KΩ-500KΩ
中
共集电路
0.9-0.999
小
10-1000
大
因负载不同,可达50MΩ左右
大
1-100Ω
小
共基电路
100-10000
(实用)
大
0.9-0.999
小
10-500Ω左右
小
500KΩ-5MΩ
大
hie=△Ube/△Ib -------△Uce=0,--hfe=△Ic/△Ib -----△Uce=0
hre=△Ube/△Uce ------△Ib=0, --hoe=△Ic/△Uce ----△Ib=O
几个参数有各自的物理意义:hie是输出端短路时的输入电阻,也就是输入特性曲线斜率的倒数;hfe是输出端短路的电流放大系数,即β(共发射极)或a(共基极);hre是输入端开路的内反馈系数,它表示输出电压对输入电压影响的程度;hoe是输入端开路时的输出电导,即为输出特性曲线的斜率
由于晶体管工作在低频时,hre和hoe两个参数小到可以忽略不计,通常用hie和hre两个参数模拟低频晶体管电路即可,这叫做简化后的h参数等效电路,如图7-1-3所示,图中的rbe、β即上述的hie、hfe.电流放大系数β(或hfe)可以从输出特性曲线中求出或通过仪器测试出来,输入电阻rbe由下式计算:
rbe=rb (β 1)26(毫伏)/Ie(毫安)
式中:Rb为基区电阻,约为几百欧姆,Ie为静态发射极电流
求晶体管放大器的微变等效电路的方法如下:(1)晶体管以图7-1-3示出的等效模拟型代替;(2)所有直流电源、隔直电容,旁路电容都看作短路;(3)其它元件按原来相对位置画出,
利用等效电路可以求取放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻以及分析放大器的频率特性。
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