EEPROM的扩展.doc

6.3.2 EEPROM的扩展
1、电可擦除只读存储器EEPROM的性能
电可擦除只读存储器EEPROM（E2PROM：Electrically Erasable Programmable Only Memory）既可像EPROM那样长期非易失地保存信息，又可像RAM那样随时用电改写，近年来出现了快擦的FLASH EEPROM，它们被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。其主要优点是能在应用系统中进行在线改写，并能在断电情况下保存数据而不需保护电源。因此，在智能仪表、控制装置、分布式监测系统子站、开发装置中得到广泛应用。
目前，常用的EEPROM如表6-2，它们有如下共同特点：
（1）能在线修改，其产品改写程序时，不必脱机用紫外线照射，用5V电压在线就可以进行电修改，而且在断电情况下长期保存信息不变。每个存储单元可重复使用1万次，信息保存时间为10年；
（2）在线改写时，在写入一个字节之前，自动地对所要写入的单元先进行擦除，因而无需设置单独的擦抹操作，使用方便；
（3）能快速读出。读取指令码或数据的操作与普通EPROM相同，但目前擦抹时间为ns级，写入时间为ms级；
由于E2PROM的以上特点，弥补了EPROM不足之处，也可代替RAM使用，目前在实际应用中越来越受到重视。常用的E2PROM
芯片引脚信号与相应的RAM和EPROM芯片兼容，见表6-2。
表6-2 常用的EEPROM
型 号
引 脚 数
容量/字节
引脚兼容的存储器
2816
24
2KB
2716，6116
2817
28
2 KB

2864
28
8 KB
2764，6264
28C256
32
32 KB
27C256
28F512
32
64 KB
27C512
28F010
32
128 KB
27C010
28F020
32
256 KB
27C020
28F040
32
512 KB
27C040
2、E2PROM2817A扩展电路
2817A为2K字节的E2PROM，单一＋5V电源供电，最大工作电流为150mA，维持电流为55mA，读出最大时间为250ns，写入一个字节时间约为10ms左右。电路中不需要专门配置写入电源。2817A为28脚双列直插式封装，其管脚设置如图6-9所示。

图6-9 2816、2817、2864E2PROM引脚图
各引脚功能如下：
A10～A0 地址线
D7～D0 数据输入输出线
输出允许线
片选线
写入允许线
RDY/ 忙闲状态标志
8031扩展E2PROM2817A的电路连接如图6-10所示。

图6-10 E2PROM2817A的扩展电路
图中采用了将外部数据存储器空间和程序存储器空间混合的方法。2817A的端由和相“与”后提供，无论是有效还是有效，都使有效，这种连接方法是把E2PROM既可作为数据存储器使用，又可作为程序存储器使用。当执行“MOVX”指令时，产生、信号，将程序装入2817A中，很容易读/写修改。当执行该E2PROM中的程序时，由信号选通E2PROM读出。
图6-10中，若将2817A的直接与相连，则把2817A按程序存储器看待。
注意：2817A有“擦、写完毕”联络信号引出端RDY/。在擦、写期间，RDY/为低电平，当字节擦写完毕时，RDY/脚为高电平，因此图6-10中将8031的P1.0与RDY/相连，通过P1.0来查寻RDY/的状态，以便判定字节是否擦写完毕。若采用中断方式，将RDY/与8031的/相连，这样，每当2817A擦写完一个字节便向8031提出一次中断申请。
由于RDY/为漏极开路输出端口，在RDY有效期间为高阻态，故应接入一个提升电阻到＋5V端以保证高电平。
3、E2PROM2864扩展电路
2864为8K×8电擦除可编程只读存储器，NMOS28管脚封装芯片。其管脚结构如图6-9所示。各引脚功能为：
A12～A0 地址线
I/O7～I/O0 双向数据线
片选线
输出允许线
写入允许线
RDY/ 忙/闲状态标志
VCC ＋5V电源
GND 接地
2864为
单一＋5V供电，读取时间最大为250ns，标准字节写入时间是10ms。2864有五种工作方式可供选择，见表6-3所列。

表6-3 2864工作方式选择
引脚
状态
方式

I/O7～I/O0
RDY/
读 出
写 入
维 持
禁止写
禁止写
0
0
1
×
×
0
1
×
0
×
1
0
×
×
1
数据输出
数据输入
高阻
高阻/数据输出
高阻/数据输出
高阻
低
高阻
高阻
高阻