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book正激变换器中变压器的设计.doc

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正激变换器中变压器的设计 胡宗波,张波 (华南理工大学电力学院雅达电源实验室,广东广州510640)     摘  要:详细介绍了高频开关电源中正激变换器变压器的设计方法。按照设计方法,设计出一台高频开关电源变压器,用于输入为48V(36~72V),输出为2.2V、20A的正激变换器。设计出的变压器在实际电路中表现出良好的电气特性。     关键词:高频开关电源;正激变换器;开关电源变压器 1引言     电力电子技术中,高频开关电源的设计主要分为两部分,一是电路部分的设计,二是磁路部分的设计。相对电路部分的设计而言,磁路部分的设计要复杂得多。磁路部分的设计,不但要求设计者拥有全面的理论知识,而且要有丰富的实践经验。在磁路部分设计完毕后,还必须放到实际电路中验证其性能。由此可见,在高频开关电源的设计中,真正难以把握的是磁路部分的设计。高频开关电源的磁性元件主要包括变压器、电感器。为此,本文将对高频开关电源变压器的设计,特别是正激变换器中变压器的设计,给出详细的分析,并设计出一个用于输入48V(36~72V),输出2.2V、20A的正激变换器的高频开关电源变压器。 2正激变换器中变压器的设计方法     正激变换器是最简单的隔离降压式DC/DC变换器,其输出端的LC滤波器非常适合输出大电流,可以有效抑制输出电压纹波。所以,在所有的隔离DC/DC变换器中,正激变换器成为低电压大电流功率变换器的首选拓扑结构。但是,正激变换器必须进行磁复位,以确保励磁磁通在每一个开关周期开始时处于初始值。正激变换器的复位方式很多,包括第三绕组复位、RCD复位[1,2]、有源箝位复位[3]、LCD无损复位[4,5]以及谐振复位[6]等,其中最常见的磁复位方式是第三绕组复位。本文设计的高频开关电源变压器采用第三绕组复位,拓扑结构如图1所示。     开关电源变压器是高频开关电源的核心元件,其作用有三:磁能转换、电压变换和绝缘隔离。在开关管的作用下,将直流电转变成方波施加于开关电源变压器上,经开关电源变压器的电磁转换,输出所需要的电压,将输入功率传递到负载。开关变压器的性能好坏,不仅影响变压器本身的发热和效率,而且还会影响到高频开关电源的技术性能和可靠性。所以在设计和制作时,对磁芯材料的选择,磁芯与线圈的结构,绕制工艺等都要有周密考虑。开关电源变压器工作于高频状态,分布参数的影响不能忽略,这些分布参数有漏感、分布电容和电流在导线中流动的趋肤效应。一般根据高频开关电源电路设计的要求提出漏感和分布电容限定值,在变压器的线圈结构设计中实现,而趋肤效应影响则作为选择导线规格的条件之一。  2.1变压器设计的基本原则     在给定的设计条件下磁感应强度B和电流密度J是进行变压器设计时必须计算的参数。当电路主拓扑结构、工作频率、磁芯尺寸给出后,变压器的功率P与B和J的乘积成正比,即P∝B·J。     当变压器尺寸一定时,B和J选得高一些,则某一给定的磁芯可以输出更大的功率;反之,为了得到某一给定的输出功率,B和J选得高一些,变压器的尺寸就可以小一些,因而可减小体积,减轻重量。但是,B和J的提高受到电性能各项技术要求的制约。例如,若B过大,激磁电流过大,造成波形畸变严重,会影响电路安全工作并导致输出纹波增加。若J很大,铜损增大,温升将会超过规定值。因此,在确定磁感应强度和电流密度时,应把对电性能要求和经济设计结合起来考虑。 2.2各绕组匝数的计算方法     正激变换器中的变压器的磁芯是单向激磁,要求磁芯有大的脉冲磁感应增量。变压器初级工作时,次级也同时工作。     1)计算次级绕组峰值电流IP2     变压器次级绕组的峰值电流IP2等于高频开关电源的直流输出电流Io,即 式中:D是正激变换器最大占空比。     3)计算初级绕组电压幅值Up1     Up1=Uin-ΔU1(3) 式中:Uin是变压器输入直流电压(V);       ΔU1是变压器初级绕组电阻压降和开关管导通压降之和(V)。     4)计算次级绕组电压幅值 式中:Uo是变压器次级负载直流电压(V);       ΔU2是变压器次级绕组电阻压降和整流管压降之和(V)。     5)计算初级电流有效值I1     忽略励磁电流等影响因素,初级电流有效值I1按单向脉冲方波的波形来计算:     6)计算去磁绕组电流有效值IH     去磁绕组电流约与磁化电流相同,约为初级电流有效值的5%~10%,即     8)确定磁芯尺寸[7]     首先确定铜耗因子Z,Z的表达式为 式中:τ是环境温度(℃);       Δτ是变压器温升(℃)。     然后计算脉冲磁感应增量ΔBm,     ΔBm=KB·Bm(10) 式中:KB是磁感应强度系数;       Bm是磁芯材料最大工作磁感应强度(T)。     对于R2K铁氧体磁芯,最大工作磁感应强度是0.3T。磁感应强度系数KB可以从图2所示的磁感应强度系数曲线图得出,它取决于输出功率P2(W),工作频率f(kHz)和变压器平均温升Δτ(℃)。     变压器所需磁芯结构常数Y由下式确定 式中:Y是变压器所需磁芯结构常数(cm5);       q是单位散热表面功耗(W/cm2),q可以从温升和q值关系曲线中得出,如果环境温度为25℃,变压器温升为50℃,对应的q值为0.06。     计算出Y之后,选择磁芯结构常数Yc≥Y的磁芯,然后从磁芯生产厂商提供的资料中查出变压器散热表面积St(cm2),等效截面积Ae(cm2)等磁芯参数,或者自行设计满足结构常数的磁芯。     9)计算初级绕组匝数(N1)[7] 式中:Upi是次级各绕组输出电压幅值(V)。     11)计算去磁绕组匝数     对于采用第三绕组复位的正激变换器,复位绕组的匝数越多,最大占空比越小,开关管的电压应力越低,但是最大占空比越小,变压器的利用率越低。故需综合考虑最大占空比和开关管的电压应力,一般选择去磁绕组匝数(NH)和初级绕组匝数相同,即     NH=N1(14)     需要注意的是,应该确保初级绕组和去磁绕组紧密耦合。 2.3确定导线规格     1)计算变压器铜耗Pm     根据变压器平均温升确定变压器总损耗,减去磁芯损耗即得出铜耗,再根据铜耗来计算电流密度。计算铜耗应该在磁芯规格确定之后进行。 式中:St是变压器表面积(cm2);       Pb是在工作磁感应强度和频率下单位质量的磁芯损耗(W/kg);       Gc是磁芯质量(kg)。     在实际计算中,铜耗可以按总损耗的一半处理。     2)计算铜线质量Gm 式中:lm是线圈平均匝长(cm);       SW是磁芯窗口面积(cm2);       Km是铜线窗口占空系数,定义为绕组净可绕线空间与导线截面积之比。     计算铜线占空系数时应根据不同情况选取适当值,一般选取范围在0.25~0.4之间,采用多股并绕时应选取较小值。     3)计算电流密度J     4)计算导线截面积Smi和线径di 式中:Ii是各绕组电流有效值(A)。     计算所需导线直径时,应考虑趋肤效应的影响。当导线直径大于2倍趋肤深度时,应尽可能采用多股导线并绕。采用n股导线并绕时,每股导线的直径din按下式计算。     如果采用多股导线并绕,导线的股数太多,可以采用铜箔。在使用铜箔时,铜箔的厚度应该小于两倍的趋肤深度,铜箔的截面积必须大于该绕组导线所需的截面积。     在计算完毕后,校验窗口尺寸,计算分布参数,校验损耗和温升等。 3应用实例     设计一个用于输入为48V(36~72V),输出为2.2V、20A的正激变换器的高频开关电源变压器,工作频率是200kHz,最大占空比为0.45,采用第三绕组复位,铜线的趋肤深度为Δ=0.148mm。按照上述设计方法,设计的高频开关电源变压器如下:     磁芯规格EFD20,磁芯材料为3F3,Ae=31.0mm2,Philips;     初级绕组16匝,采用型号为AWG31的铜线,6股并绕;     复位绕组16匝,采用型号为AWG33的铜线;     次级绕组2匝,采用厚度t=0.1mm,宽度b=14mm的铜箔,两层并绕,即截面积S=2.8mm2。     在最终确定导线规格时,均保留了一定的裕度。为使各绕组耦合良好,采用交错绕线技术,如图3所示[8],其中P1和P2为变压器初级绕组,并联;S1和S2为变压器次级绕组,并联;R为变压器复位绕组。那么,初级绕组采用AWG31的铜线,两层;次级绕组采用采用厚度t=0.1mm,宽度b=14mm,即S=1.4mm2的铜箔,两层。     设计出的变压器的初级励磁电感值实测为Lm=320.40μH,次级电感值实测为Ls=5.18μH,初级漏感电感值实测约为0.18μH。该变压器在正激变换器中的工作特性很好。 4结语     本文详细阐述了正激变换器中变压器的设计方法,并结合具体设计任务,设计出一个用于48V(36~72V)输入,2.2V、20A输出的高频开关电源变压器。设计出的变压器在实际电路中表现出良好的电气特性。 参考文献 [1]BridgeCD.ClampvoltageanalysisforRCDforwardconverters[C].AppliedPower ElectronicsConferenceandExposition,2000.APEC2000.FifteenthAnnualIEEE,Volume:2,2000,Page(s):959-965vol.2. [2]JovanovicM.M,ZhangMTandLeeFC.Evaluationof synchronousrectificationef ficiencyimprovementlimitsinforwardconverters[J].IndustrialElectronics,IEEETransactionson,Volume:42Issue:4,Aug.1995.Page(s):387-395. [3]QiongLi,LeeFCandJovanovicMM.Designconsiderations oftransformer DCbiasofforward converterwithactiveclampreset[C].AppliedPowerElectronicsConferenceandExposition,1999.APEC'99.FourteenthAnnual,Volume:1,1999,Page(s):553-559,vol.1. [4]NinomiyaT,TanakaTandHaradaK. Analysisandoptimizationofanon dissipativeLCturn offsnubber[J].PowerElectronics,IEEETransactionson,Volume:3Issue:2,April1988,Page(s):147-156. [5] WittenbrederEH,BaggerlyVDand MartinHC.Adutycycleextension techni queforsingleendedforwardconverters[C].AppliedPowerElectronicsConferenceandExposition,1992.APEC'92.ConferenceProceedings1992,SeventhAnnual,1992,Page(s):51-57. [6]CobosJA,GarciaO,SebastionJandUcedaJ.Resonant resetforward topologiesforlowoutputvoltageonboardconverters[C].AppliedPowerElectronicsConferenceandExposition,1994.APEC'94.ConferenceProceedings1994,NinthAnnual,1994,Page(s):703-708,vol.2. [7]电子变压器专业委员会编.电子变压器手册[M].沈阳:辽宁科学技术出版社,1998. [8]XuefeiXie,Liu,JCP,Poon,FNKandPongBMH. Voltage drivensynchronousrec tificationinforwardtopology[C].PowerElectronicsandMotionControlConference,2000.Proceedings.PIEMC2000,TheThirdInternational,Volume:1,2000,Page(s):100-105.
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