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单元,47,半导体三极管的结构,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,晶体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电,因此称为,双极型,三极管,简称,BJT,。,一,.,三极管的结构,在制造时,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出,三个掺杂区,,并形成,两个,PN,结,,就构成,三极管,。当采用平面工艺时,,三极管,具有的结构特点如图。,B,E,P,型硅,N,型硅,二氧化硅保护膜,N,型硅,C,几百微米,几微米,NPN,型硅管的结构,三,极管图片,C,E,发射区,集电区,基区,集电结,发射结,N,N,P,基极,发射极,集电极,B,N,N,C,E,B,P,C,E,T,B,NPN,型,三极管,的结构示意图和符号,三极管,制造工艺的特点是基区很薄而且杂质掺浓度很低,发射区掺杂浓度很高,集电区面积很大。符号中箭头的方向表示,发射结正偏时发射极电流,的实际方向。,二,.,三极管,的符号,NPN,C,E,发射区,集电区,基区,P,发射结,P,集电结,N,集电极,发射极,基极,B,B,E,C,P,P,N,E,T,C,B,PNP,型,三极管,的结构示意图和符号,三极管,的符号,PNP,实际中,,NPN,管多用硅制造,具有比较好的温度特性,应用较多,而,PNP,管多用锗制造,使用较少。,
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