碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响.pdf

显徼、测量、微细加工技木与设备 M i c r o s c op e，Me a s u r e men t，Mi c r o f a b r ic a t i on&E qui p men t 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响 唐 文栋，刘玉岭，宁培桓，田 军(河北 工业 大 学 微 电子所，天 津3 0 0 1 3 0)摘 要：阐述 了化 学机 械抛 光(C MP)技 术在 硬 盘基 板 加 工 中发 挥 的 重要 作 用，介 绍 了 S i O 碱 性 抛 光液 的化 学机械 抛 光机 理 以及抛 光 液在 化 学机 械抛 光 中发 挥 的重要 作 用。使 用河北 工业 大学研 制 的 S i O：碱性 抛光 液 对硬盘 基板 表 面抛 光，分 析研 究 了抛 光 液 中的浓 度、表 面 活性 剂 以及 去 除 量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液 中的浓度、表 面 活性 剂及 去 除量 的 变化规律 以及抛 光液 的这 些参 数如 何 影响 到硬 盘基 板 的表 面状 况。在 总结 和分 析这 些规 律 的基础 上，对抛 光 结果进 行 了检 测。经 检 测 得 出，改善 抛 光 后 的硬 盘 基 板 表 面质 量(Ra=0 3 9 2 6 n m，R=0 4 9 5 3 n m)取 得 了显 著效 果。关键 词：硬 盘基 板；化 学机 械抛 光；抛 光液；粗糙 度；波 纹度；平 整度 中图分类号：TN 3 0 5 2；T N3 0 4 2 1 文 献标识码：A文章编 号：1 6 7 1 4 7 7 6(2 0 0 8)1 0 0 6 1 1 0 4 Ef f e c t o f Al ka l i n e S l u r r y o n S t a t e o f t h e Ha r d D t he S u r f a c e i s k Ta n g W e n d o n g，L i u Yu l i n g，Ni n g Pe i h u a n，Ti a n J u n (I n s t i t u t e o f Mi c r o e l e c t r o n i c s，He b e i Un i v e r s i t y o f Te c h n o l o g y，Ti a n j i n 3 0 0 1 3 0。C h i n a)Abs t r a c t：Ch e mi c a l m e c h a ni c a l p ol i s hi n g(CM P)t e c h no l og y wh i c h pl a ys a n i mpo r t a n t r o l e i n t h e ha r d d i s k s ubs t r a t e p r oc e s s i n g wa s di s c r i b e d Th e CM P me c ha ni s m o f a l k a l i ne s l ur r y wi t h Si O2 a n d t he i mpo r t a n c e o f s l ur r y i n CM P we r e i n t r od uc e d By p ol i s hi n g t he ha r d d i s k s u bs t r a t e u s i ng t h e a l ka l i n e s l ur r y wi t h Si O2 of He be i U n i v e r s i t y o f Te c hno l o gy，t he i n f l ue nc e me c ha n i s ms o f t he c o nc e nt r a t i on of a l ka l i ne s l ur r y，t h e s ur f a c t a nt a nd t h e r e m o ve d t hi c kne s s o n t he ha r d di s k s ub s t r a t e s u r f a c e s i t u a t i o n a f t e r p ol i s hi n g we r e s t u di e d The va r i a t i o n l a w of t h e s u r f a c e r o ug hne s s of t he ha r d d i s k s u bs t r a t e wi t h t h e c o nc e nt r a t i o n o f a l ka l i n e s l ur r y，t h e s ur f a c t a nt a nd t h e r e mov e d t hi c kne s s，a nd ho w t he s e s l ur r y p a r a me t e r s a f f e c t t h e ha r d d i s k s ub s t r a t e s ur f a c e s i t u a t i on we r e s umma r i z e d On t h e ba s i s o f t he s e，t he p o l i s hi ng r e s u l t s we r e t e s t e d The t e s t s ho ws t h a t t h e ha r d di s k s ubs t r a t e s ur f a c e qu a l i t y a f t e r p o l i s hi ng(Ra=03 9 2 6 n m，R=0 4 9 5 3 n m)a c hi e v e s s i gn i f i c a n t e f f e c t Ke y wo r d s：h a r d d i s k s u b s t r a t e；CMP(c h e mi c a l me c h a n i c a l p o l i s h i n g)；s l u r r y；r o u g h n e s s；wa v i ne s s；s m o o t hn e s s EEACC：2 25 0 E；31 2 0 收稿 日期：2 0 0 8 0 6 2 3 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目(1 0 6 7 6 0 0 8)；高等学校博士学科点专项科研基金(2 0 0 5 0 0 8 0 0 0 7)；河北省教育厅 科学研究 计划项 目 (2 0 0 7 4 2 9)；天津市 自然科学基金科技展计划项 目(0 4 3 8 0 1 4 2 1 1)E-ma i l：t a n g we n d o n g y a h o o C F I 2 0 0 8 年 1 0 月 微 纳电子技 术第4 5 卷第1 0 期6 1 1 唐文栋等：碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况 的影响 0 引 言 近年来，计算机技术突飞猛进，作为计算机数 据存储的主要部件硬盘，向大容量、高转速、小体 积 和高安 全性 的方 向发展。要使单 片容量 i j J I1，就 对硬盘基板抛光后的表面状况提出了很高的要求。现有提高硬盘基板表面状况的 C MP技术是主流技 术。抛光 后硬盘基 板表 面 粗糙 度 下 降至 0 1 n m 以 下，波纹 度小 于 0 2 n m，在 很 大 程 度 上 提 高 了单 片硬盘 的存储容 量 1 2 q。制造 硬盘基 板 的材 料 主要 有 Ni P A【合 金、玻 璃和微晶玻璃。目前多用 Ni P Al 合金制作硬盘基 板；微 晶玻璃 因其独 特 的优 势，虽 具有 很大 的发展 优 势，但 应用并 不广 泛。以 Ni P Al 合金 为材料 的硬 盘基 板化 学 机械 抛 光 中，造 成划痕 多、表面粗 糙度大、表 面波纹 度大 和 平整度 低 的原 因很 多，主要包括 抛光 液、抛 光垫 和工 艺参 数等。本 文 主要对抛 光液 的一些 参数 如何 影 响抛光 后 的表 面状 态进行 了系统 研究。1 碱 性抛光液抛 光机理 一般认 为化学 机 械抛光 过程是 化学过 程、机械 过程 和流 体力学综 合 作用 的结 果 。本实 验 中制 备 的 S i O!碱 性 抛 光 液 主要 包 括 S i O 磨 料、氧 化 剂、螯合剂、表面活性剂和 p H调节剂。其 中起机 械 作用 的主要 是 S i O：磨料，起 化 学 作用 的 主要 是 氧化 剂。分析 碱性抛 光液 的抛光 机 理 如下：首 先，Ni P 硬 盘表面 被氧化，在 表面形成 一层 氧化膜，使其 表 面变软；然后 S i O：磨料将此氧化层磨去，表面凸 起 的 部 分 被 磨 去，而 凹 下 去 的 部 分 被 生 成 的 Ni(OH)保护没有及 时磨去，从而实 现了表面平 坦化。抛 光液 中加入螯 合 剂和 活性 剂，有助 于 化学反应物及时排 出抛光工件表面，减少划伤，提 高 了表 面粗糙 度，得 到较好 表面状 态。目前 抛 光机 理还不 够完 善，需 要进 一步地 研究。2 抛光实验 2 1 抛 光设备 实验采 用的抛 光机是 兰州瑞 德集 团 的双 面超 精 密抛光 机(图 1)，用 来 实 现 硬 盘基 板 的双 面 超 精 密抛光。图 I 双面精密抛光机 X 6 23 1 8 P F i g 1 Dou b l e p o l i s hi n g ma c hine X6 2 3 1 8 P 被加工工件为 9 5 ram rai l 镍磷敷镀的铝合金 计 算机 硬盘基 片。抛 光垫 是 台湾 生产 的一种 精抛 光 垫，其 表面是 具有 多层 多孑 L 结构 的高 分子材 料，其 表 面显微 镜照 片如 图 2所 示。图 2抛 光垫 表 面结 构 照 片 F i g 2 S ur f a c e s t r u c t u r e o f p o l i s h i n g p a d 2 2抛光后 检测设 备 计算 机硬盘在 自制 的 S i O 抛光液 中抛光后，用超声清洗，清洗干净后干燥待检测。抛光后表面 划伤、腐蚀 坑等 缺 陷用 日本 奥林 巴斯(OL YM P US)金相显 微镜来 检测，使 用原 子力显 微镜测 量 抛光后的表面形貌，其精度可达 0 1 n m。抛光 后计 算机硬 盘基 片 的表面 状况 R 、Wa、Ra用 Z YG O 公 司 的 表 面 粗 糙 度 仪 来 检 测。其 中 Ra为 平均 表面 粗 糙 度，表 示较 精 细、较 小 空 间波 长范 围 的表面 特征；Wa是 平均 波 纹度，代 表 较 长 空间波长范围的表面特征；R表示观察面均值粗 糙度。检 测范 围选择 0 1 ml T l 0 1 mm。唐 文栋等：碱性抛光液对硬 盘基板 抛光 中表 面状况的影响 2 3抛 光液 在抛 光过程 中，抛 光 液是 决 定硬 盘基 片抛 光 质 量的重要 因素 之一。按磨 料 来说，现 在 市场 上 主 要 是 以 S i()2 和 Al ()3为磨料 的抛光 液；按 抛光 液 的酸 碱度来 说，现在 市场上 主要 有碱性 和酸性抛光 液。酸性 抛光 液具 有速 率 较高、表 面平 整度 好 的优 点，但其 具有 很 强 的腐 蚀 性，对设 备 和环境 的要 求 较 高，同时容 易腐 蚀 硬 盘 基 板，不 容 易 达 到 亚 n m 级的表面粗糙度。碱性抛光液速率较低，但是腐蚀 性小，抛 光 后 易 清 洗，表 面 状 况 较 好，同 时 Ni P 在碱性环境下，能形成可溶性的盐，可提高凸凹选 择 比，这样 就 容易 达到 好 的表面 状态。本 实验 采用 的是 河北 工业 大 学微 电子 所研 制 的 硬 盘专 用 碱 性 抛 光 液，其 主 要 成 分 是 S i o：磨 料、无金 属 离子 氧化 剂、有 机 碱、去 离子 水、F A O 活 性 剂 和螯 合 剂。其 p H 值 为 9 1 2，腐 蚀 性 较 小，磨料 粒 径 可 以 调 节(1 5 1 0 0 n m)，浓 度 可 以 调 节，一般 比较高，硬度 比较小，可以减小表面的损 伤，分散性 能 好。加入 有 机 碱 来 调 节抛 光 液 的 p H 值，可 以实现 动态 平 衡 的 功 能，这样 在 抛 光 中 p H 值保持一致，保 证其化学 活性 。加入 F A O 活 性剂和螯合剂后，使得在抛光过程 中表面张力小、质量传输一致性好，使胶体颗粒分散性好，能在抛 光 过程 中有 效控 制表 面粗 糙度 和 波纹度，使基 板表 面状况更 加 完善。3 实验 结果和 讨论 3 1 浓 度对 表面 状 况的影 响 抛光速率与抛光液的浓度成正比关系，随着浓 度 的增 加，速率 变 大，但 变化 程 度趋 于平 缓。通 过 实 验发 现，随着 浓度 的增 加，硬盘 基板 表 面 的波纹 度 和粗糙 度 逐 渐 降 低，当浓 度 升 到 2 0 时，变 化 趋 于平缓。检测后 的趋势 图如 图 3所示。造成 这样 的原 因有：首先，浓度 的增加 使得 单 位 时间 内去 除量增 加，从而 使 表面 比较粗 糙 的部 分 很快去掉，可以使表面粗糙度迅速降低，平整度变 好。而低 浓度 的抛 光液 速率 较慢 不能 快速 去 除粗糙 度较大的层，参加机械作用的磨料小，压人表面的 深度较大易造成划伤。第二，浓度的增加使得与硬 盘基板表面接触的颗粒变多，参加机械作用的磨料 颗粒 变多，从而使磨料压入基板表面的深度降低，可 图 3 粗糙度(R n)与浓度()的关 系 F i g 3 Ra l a t ion o f t he r o u g h n e s s Ra a n d t he c o n c e n t r a t i o n 以减小划伤和降低表面粗糙度，同时浓度增大，颗粒 密度加大，参加磨 削的颗粒 变多，颗粒会反 复多次且 精密地作用 在基板 表面，这样表面粗糙度会 降低。3 2去 除 量与 表面 状态 的关 系 随着 抛光 去 除量 的增 加，表 面 粗糙度 和 去除量(d)的关 系如 图 4所示。从 图 中看 出 Rn在 抛光 开 始时迅速降低，随着抛光去 除量增加，R a逐渐降 低但 是 趋 势渐缓。图 4 粗糙度(Rd)与去除量(d)的关系 由图 4可 以看 出，R a值 在 抛 光 初 期 阶段 迅 速 减 小，主要是 在抛 光 初期，刚镀 好 的基 板表 面的粗 糙 度 比较 大，表 面凸 凹不平 整，高低 差距 较 大，抛 光 速率 较 大，所 以表 面粗糙 度 下降较 快。随着 去 除 厚 度 的增加，表面 开始 变得 比较 平整 和致 密，抛 光 速率降低，Ra值 减小 的趋 势 渐 缓；去 除 厚度 为 1 2 m以上时，R a值 的改善不 再显著。随着 抛光 时 间 的延 长，曲线 的走势 渐缓，表 明通 过延 长抛光 时间获得平整度较高基 片的效率逐渐 降低，C MP 抛光逐 渐 失去 对表 面形 貌 的改善 作用 _ 9 。因此精 抛 光时 为 了提高 效率，时间不 应该 太长。微纳 电子技术 g4 5 卷第1 0 期6 1 3 唐文栋等：碱性抛光液对硬盘基板抛 光中表面状况 的影响 3 3表面 活性剂 对表面 状况 的影响 活性 剂实 验表 明，表 面活性 剂对表 面状况 有很 大的影 响，在没 加活 性剂 和加活性 剂后 的检测 结果 如表 1所示。表 1 表 面活性 剂 的影响 Ta bl e】Th e i nf i u e n e of S U I r f a C t a nt 活性剂情况 检测结果 无 表 面 活性 剂 加入 1【)mI I 加 入 2 0 ml L R=0 5 8 7 5 n m Rn=0 4 7 0 4 n m R丌 n =0 5 6 5 7 n m Rn=0 41 9 9 n m R=0 4 9 5 3 n m R=0 3 92 6 n m 通 过实验 发现加 入表 面活性 剂后，表面 活性剂 能降低 表面 张力，加 快 质 量传 递，能使 S i O 颗粒 均匀分 布在硬 盘基 片表面，在抛 光加工 中，颗粒 和 硬 盘基板 表面有 效、均匀地 接触。同时 表面 活性剂 的加入能加快质量传递过程，活性剂的加入一般都 要 与溶 液 中胶 体 颗 粒形 成 物 理 吸 附，使 S i O 颗 粒 分 散性 能提 高，不易 团聚，从 而使 S i O：颗粒 的粒 径均 匀。对纳 米磨料 粒子 分散作 用好，不会 出现很 大 的颗 粒导致 划伤，所 以降低 了表面粗 糙度，同时 活性剂 吸附在 胶体表 面使 硬度 降低，减 小划 伤，接 近 了超 精表 面。李 庆忠 等 人 研 究 得 出，适 量 的 活性 剂 组 分 加入到抛光液中，分散剂或者其本身的基团能与颗 粒表 面的基 团形成化 学键，才 能起到提 高静 电排斥 作用 和空 间位 阻作 用，而胺基 和羟基 这两种 基 团均 能够与 s i o：胶 粒表面的羟基作用，形成化学键，使得 分散剂稳 定地 吸附 在颗粒 表面。活性剂 是一 种 多胺 基聚合 物，多胺基 和磨料 胶粒 的羟基 构成化 学 键吸 引，大 分 子 结 构 使 吸 附层 较 厚，Z e t a电 位 增 加，颗粒间的空间排斥能变大，空 间位阻作用 增强，所 以活性剂 能够提 高抛 光液 的均 匀分 散 能力，使 磨 料粒子团聚减弱，能够得到较好的表面抛光质量，其多胺基的极性 吸 附和化 学键 作用 提高 了抛 光液 的 胶体表面 Z e t a 电位。同时较 大的分 子链有 效地 提高 了磨料粒子间的空间排斥力，使得抛光液纳米磨料 分散性好。是抛光表面粗糙度降低的主要原因。3 4其他 缺 陷 在计算机 基板 抛光 中，还存 在其 他 的缺陷，主 要 的有划伤、蚀坑 和塌边 现象。这些 缺 陷将 影 响到 计算机单位面积的存储容量。去除这些缺陷对计算 机硬 盘基板 加工非 常重要，对 于划 伤来说，必须 采 用合适 的磨 料和精 抛光 布、特 制 的抛 光液再 配合一 定 的工 艺参数 来实 现。由于酸 性抛 光液 的腐 蚀性 比 较大，容易 造成基 板 的腐 蚀坑，本 实验采取 碱性抛 光液，以 S i O 为 磨料，腐 蚀 性 较 小，在 抛 光 过程 中几乎没有发现腐蚀坑。在该抛光液中加入 F A 0 活性 剂和螯合剂后，使 得在抛光过程 中表面 张力小，质量传输一致性较好，能在抛光过程中有效控制表 面粗糙度和 波纹 度，同时有效 地 降低 塌边 现象，提 高基板的利用率，使得基板表面状况更加完善。研究 表明 C MP过程是化学、机械 学及 流体力学 等综合作用 的结果。化学 机械抛 光 液 由纳米 粒子 研 磨剂、氧化剂 以及 少 量 功 能 性 助 剂 组成，研 磨 剂、氧化剂是抛光液 的主要成分“。研磨剂起 着 机械 磨削作用，氧化剂起化学作用，这两种作用的平衡 是 C MP平整 过程 的关键 1，力 求调 整这 两 种作 用 使其达到一个平衡，实现较好的表面粗糙度。4 结 语 硬盘基 板抛 光是化 学作 用、机 械作用 和摩擦 学 共 同作 用 的结 果，硬盘基 板抛 光 中表面状 况对硬 盘 的存储 密度 影响较 大。利用河 北工 业大学 微 电子所 生产 的碱性 抛光液，研 究分 析 了硬 盘基板 抛光 中的 一些影响因素和这些因素对抛光硬盘基板粗糙度的 影 响规律。在分析 这些 抛光 规律基 础上，用碱性 抛 光液有效地去 除了划伤、腐蚀 坑，降低 了塌边现 象、表面平 整度 和波纹 度。参 考文献：1 雷红，邹建斌，潘 国顺，等化 学机械抛 光(C MP)技术 在存储器硬盘抛光中的应用 c第七届全国摩擦学大会 论文集兰州，中国，2 0 0 2：1 3 2 2 4 2 E 2 3 马俊杰，潘 国顺，邹建斌，等计算机硬盘 C MP中抛光工艺 参数对去除率的影响 J 润滑与密封，2 0 0 4，8(9)：1 3 3 迟玉 山，沈菊 云，陈 学 贤计 算 机 硬盘 基 板 材料 的 研究 J 陶瓷学报，2 0 0 6 2 1(2)：1 1 5 1 1 9 E 4 WANG C C，I I N S C，HO CHE N HA ma t e r i a l r e mo v a l mo d e l f o r p o l i s h i n g g l a s s-c e r a mi c a n d a l u mi n u m ma g n e s i u m s t o r a g e d i s k s ll J 1 _I n t e r n a t io n a l J o u r n a l o f Ma c h i n e T o o l s M a n uf a c t u r e，2 0 0 2，4 2(8)：9 7 99 8 4 5 KAS AI TA k i n e ma t ic a n a l y s i s o f d i s k mo t i o n i n a d o u b l e s i d e d p o l i s h e r f o r c h e mi c a l me c h a n i c a l p l a n a r i z a t i o n L J Tr i b o l o g y I n t e r n a t i o n a l，2 0 0 8，41(2)：1 1 1 1 1 8 (下转 第 6 1 8页)黄春红等：基于标 准 C MOS工艺的 S i 基 光发射器件 由于较强 的边 缘 发 光，将 在 平 面结 构 的 S i 基 片 上 光互连系统中具有一定参考价值。J Ph y s i c a l Re v i e w，1 9 5 5，1 0 0(2)：7 0 07 0 3 2 S NYMAN L W，d u P L E S S I S M，S EE VI NC K E，e t a 1 An e f f ic i e n t l o w v o l t a g e，h i g h f r e qu e n c y s i l i c o n CM OS l i g ht e m it t i n g d e v i c e a n d e l e c t r o o p t i c a l i n t e r f a c e E J I E E E E l e c t r o n i c De v i c e Le t t，1 9 9 9，2 O(1 2)：61 461 7 3 AHARO NI H，d u P L E S S I S MI o w o p e r a t i n g v o l t a g e i n t e g r a t e d s il i c o n l i g h t e mi t t i n g d e v i c e s J I E E E J Qu a n t u m El e c t r o n i c s，2 0 0 4，4 O(5)：5 5 7 5 6 3 4 J d u P I E S S I S M，AHARON I H，S NYMAN I W，e t a 1 S i l l c o n LE D s f a b r i c a t e d i n s t a n d a r d VL SI t e c h no l o g y a s c o mp o n e n t s f o r n i l s i l i c o n mo n o l i t h i c i n t e g r a t e d o p t o e l e c t r o n i c s y s t e rns口 I E E E J o u r n a l o f S e l e c t e d T o p i c s i n Qu a n t u m E l e c t r o n i c s，2 0 0 2，8(6)：1 4 1 2一 4 9 5 d u P I E S S I S M，S NYMAN I M，AHAR ONI H_ L o w v o l t a g e l ig h t e mi t t i n g d e v i c e s i n s i l i c o n I C t e c h n o l o g y I t ，Pr o c e e d i n gs o f t h e I EEE I n t e r n a t io n a l S y mp o s i u m o n I n d u s t r i a l El e c t r o n i c s Du b r o v ni kCr o a t ia，J u g o s l a v i a，2 0 0 5，3(2 0 2 3)：1 1 4 5 1 1 4 9 6 S NY MAN I W，AHAR ONI H，d u P L E S S I S M，e t a 1 I n c r e a s e d e f f i c i e n c y o f s i l i c o n l i g ht e mi t t i n g d i o de s i n a s t a n da r d 1 2 mi c r o n c o m p l e m e n t a r y me t a l o x i d e s e mi c o n d u c t o r t e c h n o l o g y J Op t E n g，1 9 9 8，3 7(7)：2 1 3 32 1 4 1 7 3 C HE N H D，S UN z H，L I U H J，e t a 1 A s i l i c o n l i g h t e mi t t i n g d e v i c e s i n s t a n d a r d C MOS t e c h n o l o g y c 2 0 0 4 1 s t I EEE I n t e r n a t i o n a l C o nf e r e n c e o n Gr ou p I V Ph o t on ic s Ho n g Ko n g，Ch i n a，2 0 0 4：8 38 5 (上接 第 6 1 4页)6 L I N S C，HUAN G H C，HOC HEN G H E f f e c t s o f s l u r r y c o mp o n e n t s o n t h e s u r f a c e c h a r a c t e“s t i c s wh e n c h e mi c a l me c h a n i c a l p o l i s h i n g Ni P A I s u b s t r a t e J Th i n S o l i d F i l m，2 0 05，4 8 3(1)：4 0 04 0 6 7 j x u J，I uO J B，Z HANG C H，e t a 1 Na n o d e f o r ma t i o n o f a Ni P c o a t i n g s u r f a c e a f t e r n a n o p a r t i c l e i mp a c t s J A p p l i e d S u r f a c e，2 0 0 6，2 5 2(1 6)：5 8 4 65 8 5 4 8 刘长宇，刘玉岭，王娟，等计算机硬盘 基板及其 C MP技 术分析研究 J 半 导体技术，2 0 0 6，3 1(8)：5 6 55 6 8 9 j I E1 H，I UO J B C MP o f h a r d d i s k s u b s t r a t e u s i n g c o l l o i d a l S i O 2 s l u r r y：p r e l i min a r y e x p e r i me n t a l i n v e s t i g a t i o n J W e a r 2 0 0 4，2 5 7(5)：4 614 7 0 1 O 李庆忠，金洙吉，张然，等分散 剂对铜 CMP材料去 除率 和表面粗糙度影 响的实验研究 口 润滑与 密封，2 0 0 7，3 2 (3)：7 072 1 1 S TE I N D J，HE THE R I NG TON D I C E C C HI J L I n v e s t iga t i o n o f t h e Ki n e t i c s o f t u n g s t e n c h e mi c a l me c h a n i c a l p o l l s h i n g i n p o t a s s i u m i o d a t e b a s e d s l u r r i e s J J o u r n a l o f t h e El e c t r o c h e mi c a l S o c i e t y，1 9 9 9，1 4 6(1)：3 7 6 3 81 L 1 2 j I E I H，I UO J B，P AN G S，e t a 1 C h e mi c a l me c h a n i c a l p o l i s hing o f c o mp ut e r h a r d d i s k s u b s t r a t e i n c o l l o i d a l S i O2 6 1 8 M i c r o n a n o e l e c t r o n i c Te c h n o l o g y Vo 1 4 5 No1 0 作者简介：黄 春红(i 9 8 3 一)，女，河 南新 乡人，天津工业大学在读硕士研究生，主要研究方 向为硅基光发射器件；牛萍娟(1 9 7 3 一)，女，石家庄 人 天 津工业大学 副教授，博士，目前 主要从事化 合物半导体 器件及集成电路、单 片及混合光 电集成电路的研究工作。s l u r r y r J I n t e r n a t i o n a l J o u r n a l o f N o n l i n e a r S e i e n c e s a n d Nu me r i c a l Si mu l a t i o n，2 0 0 2，3(4)：45 54 5 9 1 3 卡 伯 特 公 司金 属 层 用 的 化 学 机 械 抛 光 淤 浆：美 国，CN1 1 6 6 8 0 5 A r P 1 9 9 71 20 3 1 4 王亮亮，路新春，潘国顺，等硅片化 学机械抛光 中表面 形貌问题 的研究 J 润滑与密封，2 0 0 6(2)：6 66 8 作者筒介：唐文栋(1 9 8 2 一)，男，山西朔州 人，硕士研究生，主要 从事 I C制造 工艺技术及 相关微 电子材 料表 面精 密加 工研究，目前 主要集 中在计算 机硬盘 基板表 面化学 机械 抛光加工及计算机硬盘基板抛光液的研究：刘玉岭(1 9 4 2 一)，男，河北衡水 人，教授，博导，河北工业 大学微 电子技 术与材料研 究所所长，第 九、十、十一 届全国政协 委员，国家级 有突 出贡献 的中青年专家、河北省十 大发明家，主 要 从事半 导体器件 工艺技 术与 电子材料 理论应用 开发研 究工作，获 国家发 明奖 5项，省部级科技发 明进步 奖 2 2项，国内外发表论 文 2 0 0余篇。(t o b e r 2 00 8 _亘 p a g e b R N：献 叭 文 考 参 m