芯片封装方式.pptx

qja 结-空气热阻qja最早也是最常用的标准之一定义标准由文件 JESD51-2给出 Ta=环境空气温度,取点为 JEDEC组织定义的特定空箱中特定点(Still-Air Test)芯片下印制板可为高传导能力的四层板(2S2P)或低传导能力的一层板之任一种(1S0P)qjma 结-移动空气热阻qjma空气流速范围为 0-1000 LFM定义标准由文件 JESD51-6给出Ta=空气温度，取点为风洞上流温度印制板朝向为重大影响因素Nqjc从结点到封装外表面(壳)的热阻，外表面壳取点尽量靠近Die安装区域qjc 结壳热阻Die SubstratePCBJunctionCaseqjb从结点至印制板的热阻定义标准由文件 JESD51-8给出qjb 结板热阻 严格地讲，Theta-JB不仅仅反映了芯片的内热阻，同时也反映了部份环境热阻，如印制板。正因如些，Theta-JB相对于其它热阻而言，虽然JEDEC组织在99年就发布了它的热阻定义方式，但是芯片供应商采用较慢。部份传热路径严重不对称芯片，如TO-263目前尚无该热阻的定义标准 qjx 试图采用简单的热阻表示复杂的芯片传热现象芯片内部的热传现象非常复杂，无法使用热阻来完美表示；热阻qjx 无法用于准确预测芯片的温度，只能提供定性的热性能对比；如需准确预测特定工况下芯片的温度，我们需要其它的方法qjx 使用的局限性Convection/RadiationConvection/RadiationConductionConvectionConductionRadiationConductionJunctionXjx芯片的详细模型 建立所有芯片内部所有影响传热的结构Die硅或砷化镓材料，表面有发热集成电路通常为环氧树脂，厚为1-2milDie Attach铜制，用于加强传热或其它目地Die Flag/Die PadEncapsulant通常为环氧树脂材料金或铝制，数目等同于外面管脚数Bond WiresSolder Balls通常材料为锡铅合金95Pb/5Sn 或37Pb/63Sn.铜或铝42合金制Leadframes Substrate通常由BTFR4制成(塑料芯片)；或氧化铝制成(陶瓷芯片)热阻网络模型-DELPHI模型DEvelopment of Libraries of PHysical models for an Integrated design environment DELPHI 项目：从1993年到1996年，由欧盟资助，Flomerics公司负责协调，Alcatel Bell、Alcatel Espace、Philips CFT、Thomson CSF、Flomerics、NMRC 等公司合作，旨在开发芯片的简化热模型的精确表示方法。PROFIT项目：同样由欧盟资助，由Philips公司负责协调，Flomerics、Nokia、Infineon、Philips、ST、Micred、TIMA、等公司合作，旨在开发芯片热模型的快速建立方法。项目产生了一系列成果，如芯片的热阻网络模型DELPHI标准、JEDEC组织认证的唯一热模型库FLOPACK、芯片热应力分析工具Flo/stress等。PRediction OF temperature gradients Influencing The quality of electronic productsPROFIT 项目项目DELPHI项目项目DELPHI模型生成原理建立详细模型标准实验验证误差估计在规定的种边界条件下批处理进行详细模型计算封装参数(结构、材料参数)根据各种封装特点离散出各种热阻网络拓朴结构详细模型发布发布简化模型多种边界条件可以表示自然对流、强迫对流、散热器等多种环境根据各热阻节点的温度值优化得出具有最小误差的热阻值DELPHI项目组定义了99种边界条件；Flopack应用了44种或88种PBGA封装模型的建立PBGA封装特点?有机基片Organic substrate使用焊球(Solder balls)作为二级互联主要应用:ASICs,内存,图形显示,芯片组,通讯等.PBGA封装优缺点?I/O密度高；基片材BT具有较好的电性能；加工工艺类似PCB板，成本低廉非气密封装,不适合于长时工作的芯片或军用芯片Die与基片(Substrate)间的CTE不匹配如功耗大于2W，则可能需要加强散热手段主要类型的PBGA封装Wire-Bonded PBGA(Die-up)BT DielectricThermal ViasSolder Balls(37Pb/63Sn)Epoxy-based EncapsulantSilicon DieDie Attach&Solder MaskGold Bond WiresCu TracesPower&Ground PlanesBottom SpreaderDie FlagSignal Vias最主流的PBGA封装，相对成熟的加工技术，可处理5W以上热耗。主要类型的PBGA封装Fine-Pitch BGADie Attach&Solder MaskBond WiresSubstrateDie由die-up PBGA变化而来别名:FSBGA,ChipArrayTM焊球间隙较小可归类为 Near-CSP建模也较困难焊球间隙典型值为1mm，0.8mm，0.65mm，0.5mm，0.4mm经常缺少明显可见，比Die尺寸大的Die Pad，因为Die大小与封装大小相近基片(substrate)中每个信号过孔都必须单独建出；在FLOPACK中，别名ChipArrayTM主要类型的PBGA封装SpreaderDieDie AttachStiffener RingOrganic Substrate with TracesEncapsulantSolder BallsBond WiresAdhesiveSignal ViasDie-down PBGA 1)最常见的Die-down PBGA芯片为Amkor 公司的SuperBGATM,但是 SuperBGA中无上图结构中的加强环(Stiffener Ring)，2)Spreader(铜合金)可直接与散热器相连，良好的散热性能，可处理功耗8-10W3)如无加强环(Stiffener Ring)，则塑料基片与Spreader直接相连。主要类型的PBGA封装Flip-Chip PBGA 1)因电气性能良好，应用越来越广泛2)因布线考虑，很难在Die下方布热过孔，故信号过孔会对散热有较大影响3)基片(substrate)复杂，一般中间层为BT层，两边另附有其它层。DieFlip-Chip BumpsUnderfillCore ViasBuild-up MicroviasCoreBuild-up主要类型的PBGA封装Flip-Chip PBGA的散热加强手段Metal Cap Metal Lid Lid Attach 建模时需特别注意Cap/Lid Attach的厚度与材质，因为该类芯片功耗一般较大，主要热阻的组成部分之一Attach即使有较小的误差，也会引起结温和热阻值Theta-JC估计较大的误差。Metal Cap与Lid可能由铝与铜制主要应用：高功耗处理器，军事用芯片主要分为：1)Flip-Chip 2)BondWireCBGA封装模型的建立主要类型的CBGA封装Solder balls(typically 90Pb/10Sn)Epoxy encapsulantCeramic substrate(usually Alumina)Silicon DieDie attachTraces(Tungsten or Molybdenum)Wire-Bonded CBGA主要类型的CBGA封装Flip-Chip CBGA DieUnderfill(typicallyepoxy based)Ceramic substrate(Typically Alumina)Solder Balls(typically 90Pb/10Sn)Traces(Tungsten or Molybdenum)Flip-chip layerBare-DieMetal CapAdhesiveCapedPlastic Quad Flat Pack(thin version called TQFP)常用于逻辑芯片,ASIC芯片,显示芯片等封装外管脚(Lead),表面贴装Plastic EncapsulantExternal leadframe(gull-wing leads)PQFP封装模型的建立PQFP封装模型的建立截面结构图Epoxy overmoldCu/Alloy 42 leadframeAu bond wireCu/Alloy 42 tie barsCu/Alloy 42 die flagPQFP封装优缺点?成熟的封装类型，可采用传统的加工方法；成本低廉；适用于中低功耗且中等数目I/O(50-300)，热阻高，不采用Heatslug等附加散热手段的条件下功耗很难突破2W管脚间距难以做得过小(难于小于0.4mm)，相对于BGA封装I/O 数目少无散热器时的主要散热路径The die and the die flagThe leadframe The boardNPQFP封装模型的建立Thermal grease注意：在注意：在Lead数目较多的情况下，数目较多的情况下，Bondwires的传热份额可能高达的传热份额可能高达15%，但是在热测试芯片中，由于但是在热测试芯片中，由于Bondwires数目较少，忽略了这部分热量数目较少，忽略了这部分热量注意：一部分热量由芯片传至散热器上，注意：一部分热量由芯片传至散热器上，又有可能重新传递回芯片上又有可能重新传递回芯片上Small Outline PackageLow profile version known as Thin Small Outline Package(TSOP)类似于 PQFP,只是只有两边有管脚广泛应用于内存芯片常见的类型-常规-Lead-on-ChipSOP/TSOP封装模型的建立SOP/TSOP封装模型的建立部分芯片建模时可将各边管脚统一建立；管脚数较小应将各管脚单独建出.fused lead一定要单独建出Tie bars 一般可以忽略.Bond WiresDieDie FlagLeadframe常规DieBond WiresEncapsulantInsulationLeadframeLead-on-ChipQFN封装模型的建立Thermal Vias in PCBThermal Land in PCBDieDie Attach PadExposed PadLeads(Internal)SolderPCBMold主要用于替换引脚数小于80的引线装芯片(主要是 TSOP and TSSOP)尺寸较小，同时相对于TSOP/TSSOP散热性能好Theta-JA 通常只有 TSSOP芯片的一半左右 主要传热路径：Die Die Attach Pad Exposed Pad PCB次要传热路径：Lead(最好各个管脚单独建出)PCB板下(Exposed Pad下方)通常添加热过孔以加强散热CSP封装模型的建立封装相对于Die尺寸不大于20%主要应用于内存芯片，应用越来越广泛尺寸小，同时由于信号传输距离短，电气性能好种类超过 40 种如封装尺寸相对于Die，大于20%但接近20%，则称为 Near-CSPMicro-BGATM封装模型的建立为早期的一种 CSP 设计常用于闪存芯片Traces 排布于聚酰亚胺的tape 层Die与Tape之间有专用的Elastomer采用引脚Lead将电信号由die传递至 traces焊球可较随意排布Die 可放在中心，也可以偏置主要传热路径：Die-elastomer-solder balls-boardLead传导热量较少,很多情况下可忽略Elastomer导热能力差，为主要的散热瓶颈焊球要求单独建出Tape中Trace的传导较少,但是不能忽略Solder Ball也够成相对较小的热阻(相对于Elastomer)DieEncapsulantElastomerLeadsTape&TracesSolder Balls其它的 CSP芯片Fine-Pitch BGA(ChipArrayTM,FSBGA)类拟于PBGA,更焊球间距更小Fan-in traces所有的过孔都必须单独建出MicroStarTM/FlexBGATM类拟于 ChipArray,但基片材料为tape 而非 BT堆栈封装(Stacked Packages)模型的建立Stacked TSOPmZ-Ball StackTM开始应用于内存领域(stacked TSOP)近来应用到了面阵列封装领域堆栈裸片封装(Stacked-Die Packages)的建模别名 SiP(System in Package)通常堆栈2-4层裸片目前也在研发6层或更多数目的堆栈裸片当所有的功能难以集中在单片裸片中时应用常见的应用:Flash/SRAM,ASIC/Memory,Memory/Logic,Analog/LogicIn area array or leaded package outlines加工困难,第层裸片都必须加工为特别薄(50微米级)需要精细的电路设计和散热设计尚无成熟的热简化模型芯片常用于体积要求较小的手机或其它移动电子设计SiP如上层的Die尺寸大于或接近于下层的Die，因为无法安排Wire-bond可能就必须放置硅制或其它材料制的转接板 Interposer(spacer)堆栈裸片封装(Stacked-Die Packages)的建模SiP本身也可以堆栈到其它的SiP或单核封装上面SiP有问题多问问芯片供应商！不用问我们！堆栈裸片封装(Stacked-Die Packages)的建模