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微蚀体系介绍.doc

上传人:丰**** 文档编号:3911281 上传时间:2024-07-23 格式:DOC 页数:21 大小:1.51MB
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资源描述

1、H2SO4/H2O2 微蝕體系介紹目 錄:一、 微蝕液分類及優缺點比對二、 微蝕槽H2O2蝕銅反應機構三、 微蝕槽H2O2裂解反應機構四、 安定劑克制H2O2分解反應機構五、 安定劑克制H2O2分解-H2O2安定性之評估測試1、 中間槽H2O2裂解2、 微蝕槽H2O2裂解六、 H2O2/H2SO4微蝕體系使用時注意事項七、 氯離子含量對咬蝕速率影響八、 鐵離子含量對咬蝕速率影響九、 H2O2濃度對咬蝕深度之評估十、 銅離子濃度對咬蝕深度之評估十一、 H2O2/H2SO4微蝕體系品質標準及測試方法十二、 H2O2/H2SO4微蝕體系搭配結晶機之優勢一、 微蝕液分類及優缺點比對專案 分類 Na2S

2、2O8+H2SO4H2SO4+H2O2+安定劑微蝕品質良良生産成本高低(可搭配結晶機)溶銅量低25g/l高20S方法:將走過內層前處理之21”24”之裸銅板,放入水池中,將板子所有浸濕。後取出以45。斜放,觀察板面水膜破裂時間並記錄頻率:1次/周3、表面粗糙度測試標準:Ra:0.30.1um; Rz3.7um; Rt4um 測試方法 (1) 取12 16 cm之銅箔基板,放置於生産機台的左、中、右三個位置,進行不同微蝕限度之處理。 (2) 將(1)之基板進行上下板面粗糙度分析。 (3) 取樣點如下圖:左邊 中間 右邊 生産板行進方向(4) 粗糙度表达法: a. Ra:粗糙度算術平均值又稱中心線

3、平均值,爲在樣本長度內量測點距離中心線偏差之算術平均值。 b. Rz:十點平均高度值,每一樣本長度內取5個最高峰及5個最低谷間的平均距離,對一般工件表面 的粗糙度,常和Ra值一起表达。 c. Max Ra:量測區間內,各中心平均值最大者。 注:1. 以Surface Profiler儀器量測銅表面粗糙度時,儀器自身非常靈敏、精確,所以試片經裁切後銅片不 平,导致scan的誤差無法免掉。 2. 量測區間系取scan後,較平整的一段,藉以減低試片表面不平整所导致的誤差。亦可看出Max Ra及 Ra之差異性。 3. 量測結果,Rz (十點平均高度值)數值亦有參考意義。(4) 粗糙度表达法: a. R

4、a:粗糙度算術平均值又稱中心線平均值,爲在樣本長度內量測點距離中心線偏差之算術平均值。 b. Rz:十點平均高度值,每一樣本長度內取5個最高峰及5個最低谷間的平均距離,對一般工件表面 的粗糙度,常和Ra值一起表达。 c. Rt:量測區間內,最高峰與最低谷之差值。 注:1. 以Surface Profiler儀器量測銅表面粗糙度時,儀器自身非常靈敏、精確,所以試片經裁切後銅片不 平,导致scan的誤差無法免掉。 2. 量測區間系取scan後,較平整的一段,藉以減低試片表面不平整所导致的誤差。3. 量測結果,Rz (十點平均高度值)數值亦有參考意義。4. 量測頻率:1次/月基板&H2SO4、H2O2咬蝕後基板表面SEM圖比較(內層基板)(內層基板H2SO4、H2O2處理過後)十二、H2O2/H2SO4微蝕體系搭配硫酸銅結晶機之優勢1、 使用結晶機,可節省微蝕刻藥水,减少成本:不會象過硫化物微蝕液老化後需更新藥液,而只需回收硫酸銅結晶後,再適量添加硫酸及雙氧水就能再生藥液之微蝕刻能力。2、 使用結晶機,可使微蝕刻速度穩定,提高品質:結晶機保證銅含量穩定在一定範圍內,同時自動添加一定比例之硫酸及雙氧水,使蝕刻品質均勻而穩定。3、 使用結晶機,可减少廢液處理費用:大幅减少水中CU離子濃度;減少排放多餘之硫酸銅廢液;減少廢水處理場污泥産生量;可回收有價值之硫酸銅結晶。

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