1、工程顺序:BMSPT ITOEtch ITOX轴架桥(EOC光阻)SPT Mo-Al-MoEtch Mo-Al-Mo保护层(EOC光阻)以下是各工程制程细部解说:第一道工程是BM (Black Matrix),制造触控屏的遮光框及后续工程的对位记号。此工程需在黄光微影制程下生产。设备名称制程名称功能说明Loader投片机玻璃入料投入SiO2玻璃基板。UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。药洗机药液清洁利用碱性药液KOH或清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波清洁超音波震荡出微细缝中的残留物。纯水清
2、洁大量超纯水冲洗基板。液切风刀吹干基板上的水。IR/UVIR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布黑色光阻剂(负型光刻胶)。软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的黑色光阻薄膜。曝光机曝光前恒温板基板经由软烤炉后需降温至与BM光罩同温,才可进行曝光。光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。端面洗净机基板端面洗净将基板四个边先做显影。显像(现象)机光阻显影利用碱性显影药液分解基板上未曝光的黑色光阻薄膜。显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。Un-loader收片收片基板收入卡匣
3、。使用HAPE台车搬运卡匣到硬烤炉硬烤炉Post-bake第二道工程是SPT ITO (溅镀ITO导电膜),制造电容式触控屏的X轴Y轴电场。此工程需经过ITO洗净机后,再进入高真空溅镀机中生产。设备名称制程名称功能说明Loader投片机基板入料投入硬烤完成的BM基板(或是SiO2玻璃基板)。水洗机磨刷水洗毛刷刷洗基板上的异物。中压水洗中高压水柱大量超纯水冲洗基板。风刀风刀吹干基板上的水。IR段IR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。UV段UV改质利用紫外线改质BM基板表面,有利溅镀成膜。Loader投片机基板收料基板收片入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到ITO溅镀机ITO溅镀机I
4、TO镀膜在高温高真空炉中,利用高磁场磁控ITO靶材溅镀ITO膜。第三道工程是Etch ITO,制造电容式触控屏的X轴Y轴设计图案。此工程再回到黄光微影制程生产,及ITO蚀刻室。设备名称制程名称功能说明Loader投片机玻璃入料投入ITO成膜后的ITO玻璃基板。UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。药洗机药液清洁利用碱性药液KOH或清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波OFF有ITO膜不可开超音波。纯水清洁大量超纯水冲洗基板。液切风刀吹干基板上的水。IR/UVIR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板
5、表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布正型光阻剂(光刻胶)。软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的正型光阻薄膜。曝光机曝光前恒温板基板经由软烤炉后需降温至与ITO光罩同温,才可进行曝光。光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。端面洗净机基板端面洗净将基板四个边先做显影。显像(现象)机光阻显影利用有机碱显影药液(TMAH)分解基板上曝光的正型光阻薄膜。显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。Un-loader收片收片基板收入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到ITO蚀刻室ITO蚀刻机ITO蚀刻用ITO蚀刻剂蚀刻出IT
6、O Pattern图形。剥膜机正光阻剥膜用碱性药液KOH或剝膜液去除上面的正型光阻薄膜。第四道工程是X轴架桥(EOC光阻),制造电容式触控屏的连通X轴架桥。此工程再回到黄光微影制程生产。设备名称制程名称功能说明Loader投片机玻璃入料投入ITO Pattern基板。UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。药洗机药液清洁利用碱性药液KOH或清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波OFF有ITO膜不可开超音波。纯水清洁大量超纯水冲洗基板。液切风刀吹干基板上的水。IR/UVIR干燥以IR加热板高温蒸发水气
7、,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布EOC光阻剂(负型光刻胶)。软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的EOC光阻薄膜。曝光机曝光前恒温板基板经由软烤炉后需降温至与OC1光罩同温,才可进行曝光。光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。端面洗净机基板端面洗净将基板四个边先做显影。显像(现象)机光阻显影利用碱性显影药液分解基板上曝光的负型光阻薄膜。显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。Un-loader收片收片基板收入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到硬烤炉硬烤炉Post-bake第五道工程是SPT Mo-
8、Al-Mo (溅镀SPT Mo-Al-Mo膜),制造电容式触控屏的金属线路。此工程需经过ITO洗净机后,再进入高真空溅镀机中生产。设备名称制程名称功能说明Loader投片机基板入料投入基板。水洗机磨刷水洗毛刷刷洗基板上的异物。中压水洗中高压水柱大量超纯水冲洗基板。风刀风刀吹干基板上的水。IR段IR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。UV段UV改质利用紫外线改质基板表面,有利溅镀成膜。Loader投片机基板收料基板收片入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到金属溅镀机金属溅镀机金属镀膜在高温高真空炉中,利用高磁场磁控Mo靶材和Al靶材溅镀Mo-Al-Mo膜。第六道工程是Etch Mo-A
9、l-Mo,制造电容式触控屏的金属线路。此工程再回到黄光微影制程生产,及Al蚀刻室。设备名称制程名称功能说明Loader投片机玻璃入料投入ITO成膜后基板。UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。药洗机药液清洁利用中性清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波OFF有金属膜不可开超音波。纯水清洁大量超纯水冲洗基板。液切风刀吹干基板上的水。IR/UVIR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布正型光阻剂(光
10、刻胶)。软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的正型光阻薄膜。曝光机曝光前恒温板基板经由软烤炉后需降温至与MTL光罩同温,才可进行曝光。光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。端面洗净机基板端面洗净将基板四个边先做显影。显像(现象)机光阻显影利用有机碱显影药液(TMAH)分解基板上曝光的正型光阻薄膜。显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。Un-loader收片收片基板收入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到ITO蚀刻室Al蚀刻机Al蚀刻用Al蚀刻剂蚀刻出Metal Pattern图形。剥膜机正光阻剥膜用水系剝膜液去除上面的正型光阻薄膜。第七道工程是保护层(EOC光阻),保护所有电容
11、式触控屏的线路。此工程再回到黄光微影制程生产。设备名称制程名称功能说明Loader投片机玻璃入料投入前一制程产出有ITO Pattern及金属线路的基板。UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。药洗机药液清洁利用中性清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波OFF有ITO膜不可开超音波。纯水清洁大量超纯水冲洗基板。液切风刀吹干基板上的水。IR/UVIR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布EOC光阻剂
12、(负型光刻胶)。软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的EOC光阻薄膜。曝光机曝光前恒温板基板经由软烤炉后需降温至与OC2光罩同温,才可进行曝光。光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。端面洗净机基板端面洗净将基板四个边先做显影。显像(现象)机光阻显影利用碱性显影药液分解基板上曝光的正型光阻薄膜。显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。Un-loader收片收片基板收入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到硬烤炉硬烤炉Post-bake註:光罩(Mask)又称铬版、掩膜版、掩光版、光刻版等,本三部所使用的光罩是为玻璃基材以铬、氧化铬为掩膜的硬掩膜版,为了防止其变形,需要竖直存放,为了保证掩膜版表面的洁净度,一般要保存在1,000级以上的无尘室内,湿度要维持在40-60%RH左右的干燥环境里,以防止玻璃出现发霉现象影响光学性能。湿度太高湿会发霉,湿度太干燥会有静电,容易使光罩吸附异物,异物容易造成刮伤影响图案的完整性