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模拟集成电路设计试卷.doc

上传人:精**** 文档编号:3068710 上传时间:2024-06-14 格式:DOC 页数:6 大小:490.50KB
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资源描述

1、1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按_比例_缩小,CMOS电路被证明具有_较低_的制造成本。2、 放大应用时,通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,值_较小_(较大、较小)。4、源跟随器主要应用是起到_电压缓冲器_的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成_恒定电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素,共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理想情况下,_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影

2、响,实际应用中,为了抑制沟长调制效应带来的误差,可以进一步将其改进为_共源共栅电流镜_结构。8、为方便求解,在一定条件下可用_极点结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容Cin为_ CF(1A)_。10、为沟长调制效应系数,值与沟道长度成_反比_(正比、反比)。二名词解释(每题3分,共15分)1、阱解:在CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。2、亚阈值导电效应解:实际上,VGS=VTH时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至

3、当VGSVTH时,ID也并非是无限小,而是与VGS呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。3、沟道长度调制解:当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,也就是说,L实际上是VDS的函数,这种效应称为沟道长度调制。4、等效跨导Gm解:对于某种具体的电路结构,定义为电路的等效跨导,来表示输入电压转换成输出电流的能力5、米勒定理解:如果将图(a)的电路转换成图(b)的电路,则Z1=Z/(1-AV),Z2=Z/(1-AV-1),其中AV=VY/VX。这种现象可总结为米勒定理。6、N阱:解:CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,若衬底为P型,则PMOS管要做在一个N型的“局

4、部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。7、有源电流镜解:像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。8、输出摆幅解:输出电压最大值与最小值之间的差。三画图题(每题8分,共16分)1、以VDS作为参数画出NMOS晶体管的IDVGS曲线。要求:(1)画三条曲线,VDS的值分别为VDS1、VDS2、VDS3,其中VDS1VDS2VDS3;有适当的分析推导过程,并标出曲线中关键转折点的坐标。(2)画两条曲线,VDS的值分别为VBS=0、VBS1/gm,则Gm1/RS,所以漏电流是输入电压的线性函数。所以相对于基本共源极电路,带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性

5、。4. 在传输电流为零的情况下,MOS器件也可能导通么?说明理由。 解:可能。当时,器件工作在深线性区,此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件,但是VDS很小,以至于没有传输电流五分析计算题(共34分)(下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据,所有器件尺寸都是有效值,单位均为微米。)1、(7分)假设=0,计算图示电路的小信号增益(表达式)。解: 2、(9分)差动电路如图所示,ISS=1mA,VDD=3V,(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。(1)假设=0,求差动电压增益;(2)=0.45 V-1时,如果ISS上的压降至少为0.4V,求最小的允许输入共模电平。解:(1)ID=

6、0.5mA,gmN=3.6610-3,rON=2104,rOP=104,Av=-gmN(rON | rOP)=-24.4(2)VGS1=0.786+0.27=1.056V,Vin,CM=1.056+0.4=1.456V 3、(9分)(W/L)N=10/0.5,(W/L)P=10/0.5,IREF=100A,VDD=3V,加到M1、M2栅极的输入共模电平等于1.5V。(1)分别计算流过晶体管M3、 M4 、M5、 M6 、M7的电流;(2)假设=0,分别计算=0和=0.45V-1时P点电位。解:(1)I3=I4=50A,I5=I6=200A,I7=500A(2)=0:VP=0.368V 后接=0.766V,VP4=0.302.所以VP0.302V=0.45V-1:VTH1(VP=0.368V)=0.78V,VP1=0.288V;VTH2(VP1=0.288V)=0.764V,VP2=0.304;VTH3(VP2=0.304V)=0.767V,VP3=0.301;VTH4(VP3=0.301V)=0.766V,VP4=0.302;VTH5(VP4=0.302V)4、(9分)画出下图共源极高频模型的小信号等效电路,并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。解:

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