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PFCVAD法制备ZnO薄膜结构及应变的研究的开题报告
引言：
氧化锌（ZnO）是一种常见的Ⅱ - Ⅵ族半导体材料，具有许多引人注目的性质，如宽能隙（3.37 eV）、高透明度、良好的机械和热稳定性、高电化学活性等。ZnO薄膜在太阳能电池、透明导电膜、光电器件、气敏传感器、生物传感器等领域得到广泛应用。因此，ZnO薄膜的制备、性质研究及应用具有重要意义。
Pulsed DC sputtering（PFCVAD）法是一种常用的制备ZnO薄膜的方法。该方法具有高沉积速率、高微观结构稳定性、低损伤等优点。此外，通过改变沉积条件如激发气体、氧气气氛、沉积温度等，可以在ZnO薄膜中引入应力，从而调控薄膜的性质和应用。
本文主要通过 PFCVAD 法制备ZnO薄膜结构及应变，以及探究ZnO薄膜的微观结构、机械和光电性质，并分析应变对ZnO薄膜性能的影响，为ZnO薄膜在相关领域的研究提供参考。
研究内容：
1. 利用PFCVAD法在单晶硅衬底上制备ZnO薄膜，探究沉积条件对薄膜结构的影响。
2. 分析ZnO薄膜的微观结构和成分，并利用X射线衍射仪、原子力显微镜等手段对样品的微观结构进行表征和分析。
3. 测量ZnO薄膜的力学性能，如硬度和弹性模量等，并探究应变对其力学性质的影响。
4. 测量ZnO薄膜的光学性能，如透过率和发射谱，并探究应变对其光电性质的影响。
5. 利用压电陶瓷片或者热膨胀试样器等方法引起ZnO薄膜应变，通过分析应变对薄膜性能的影响，探究应变对ZnO薄膜性能的调控作用。
研究意义：
本文将对PFCVAD 法制备的ZnO薄膜进行微观结构、机械和光电性质分析，并探究应变对其性质的调控作用。该研究将有助于更好地理解ZnO薄膜的基本性质和应变对其性质的影响，为相关领域的研究提供参考。此外，通过研究PFCVAD 法制备ZnO薄膜的新方法和新技术，该研究也有望为相关领域的技术发展提供新的思路和方向。