GaN-HEMT器件研究的开题报告.docx

GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究的开题报告
开题报告
题目：GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究
研究背景：
随着高频通信技术、高速芯片、功率半导体领域的不断发展，对高电子迁移率晶体管（HEMT）的需求越来越大。在这些应用中，GaN材料的功率密度高、稳定性好、高温性能优越等优点，使其成为当前最受关注的研究对象之一。而GaN基欧姆接触作为HEMT的关键组成部分，其界面特性和稳定性直接影响着HEMT的性能指标。因此，对GaN基欧姆接触的研究具有非常重要的理论和实际应用价值。
研究目的：
本课题旨在研究GaN基欧姆接触的物理机制、载流子输运特性等方面，进一步探索欧姆接触的形成过程与调控策略，并进一步研制出性能更高的AlGaN/GaN HEMT器件。
主要内容：
1. 系统梳理欧姆接触的基本概念、物理机制及其研究现状，深入分析影响欧姆接触质量和稳定性的相关因素；
2. 搭建实验平台，通过制备测试样品、器件结构设计等手段，对GaN基欧姆接触的电学性质及载流子输运特性等方面进行测试并进行分析；
3. 在对GaN基欧姆接触的基本研究理论和实验的基础上，深入探究氮化铝/氮化镓异质结构（AlGaN/GaN）的制备工艺、物理特性及其对器件性能的影响；
4. 进一步优化AlGaN/GaN HEMT器件的设计和制备，包括选用合适的材料、工艺参数等，提高器件的性能。
研究意义：
本课题研究的GaN基欧姆接触和AlGaN/GaN HEMT器件，不仅具有重要的理论和应用价值，在高速通信、功率半导体、半导体照明等领域都有着广阔的应用前景。研究成果将对我国的电子信息产业发展和高技术领域的研究提供有力的支持和帮助。
关键词：GaN，欧姆接触，AlGaN/GaN HEMT，电子迁移率晶体管，高频通信，功率半导体