1、PFCVAD法制备ZnO薄膜结构及应变的研究的开题报告引言:氧化锌(ZnO)是一种常见的 - 族半导体材料,具有许多引人注目的性质,如宽能隙(3.37 eV)、高透明度、良好的机械和热稳定性、高电化学活性等。ZnO薄膜在太阳能电池、透明导电膜、光电器件、气敏传感器、生物传感器等领域得到广泛应用。因此,ZnO薄膜的制备、性质研究及应用具有重要意义。Pulsed DC sputtering(PFCVAD)法是一种常用的制备ZnO薄膜的方法。该方法具有高沉积速率、高微观结构稳定性、低损伤等优点。此外,通过改变沉积条件如激发气体、氧气气氛、沉积温度等,可以在ZnO薄膜中引入应力,从而调控薄膜的性质和应
2、用。本文主要通过 PFCVAD 法制备ZnO薄膜结构及应变,以及探究ZnO薄膜的微观结构、机械和光电性质,并分析应变对ZnO薄膜性能的影响,为ZnO薄膜在相关领域的研究提供参考。研究内容:1. 利用PFCVAD法在单晶硅衬底上制备ZnO薄膜,探究沉积条件对薄膜结构的影响。2. 分析ZnO薄膜的微观结构和成分,并利用X射线衍射仪、原子力显微镜等手段对样品的微观结构进行表征和分析。3. 测量ZnO薄膜的力学性能,如硬度和弹性模量等,并探究应变对其力学性质的影响。4. 测量ZnO薄膜的光学性能,如透过率和发射谱,并探究应变对其光电性质的影响。5. 利用压电陶瓷片或者热膨胀试样器等方法引起ZnO薄膜应变,通过分析应变对薄膜性能的影响,探究应变对ZnO薄膜性能的调控作用。研究意义:本文将对PFCVAD 法制备的ZnO薄膜进行微观结构、机械和光电性质分析,并探究应变对其性质的调控作用。该研究将有助于更好地理解ZnO薄膜的基本性质和应变对其性质的影响,为相关领域的研究提供参考。此外,通过研究PFCVAD 法制备ZnO薄膜的新方法和新技术,该研究也有望为相关领域的技术发展提供新的思路和方向。