SVF3878AP7 9a、900v耐压的mos管-9n90场效应晶体管_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 1 页 9A、900V N沟道场效应管 描述 SVF3878AP7 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，H 桥PWM 马达驱动。特点 9A，900V，RDS(on)(typ.)=1.0VGS=10V 低栅极电荷量 低 Crss 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 2.漏极1.栅极3.源极TO-247-3L321 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF3878AP7 TO-247-3L 3878A 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 符 号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 9.0 A TC=100 C 5.7 漏极脉冲电流 IDM 27.0 A 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD 150 W 1.2 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1）EAS 966 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参 数 符 号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 RJC 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 50 C/W 士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 2 页 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V,VGS=0V-100 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-10.0 A 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 2.0-3.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=4.5A-1.0 1.28 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-2009-pF 输出电容 Coss-208-反向传输电容 Crss-47-开启延迟时间 td(on)VDD=400V,RG=25,ID=4.0A (注 2,3)-22-ns 开启上升时间 tr-28-关断延迟时间 td(off)-84-关断下降时间 tf-30-栅极电荷量 Qg VDD=450V,VGS=10V,ID=9.0A (注 2,3)-68-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-10-栅极-漏极电荷量 Qgd-39-源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结-9.0 A 源极脉冲电流 ISM-27.0 源-漏二极管压降 VSD IS=9.0A,VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=9.0A,VGS=0V,dIF/dt=100A/S (注 2)-715-ns 反向恢复电荷 Qrr-6.5-C 注：注：1.L=30mH,IAS=7.70A,VDD=100V,RG=25,开始 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比1.5%；3.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 3 页 典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 ID(A)0.111000.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)0.11100024681013579栅源电压 VGS(V)0.70.91.004610注：TJ=25 C漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流和栅极电压1.3反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.漏极电流、温度1.22图5.电容特性图6.电荷量特性电容（pF）0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)001080总栅极电荷 Qg(nC)015004500246810125050007085003500注：1.VGS=0V2.f=1MHz20注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6V变量VGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V10注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55 C25 C150 C100.80.10.111000.30.71.1-55 C25 C150 C0.9101.1250010004060VDS=720VVDS=450VVDS=180VVGS=10VVGS=20V0.5注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V400030002000CissCossCrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd30注：ID=9.0A 士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 4 页 典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）BVDSS结温 TJ(C)图7.击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）RDS(ON)图8.导通电阻vs.温度特性结温 TJ(C)1.2150注：1.VGS=0V2.ID=250A0.02.01.0-100-500501002003.01500.52.51.525507510012515002469漏极电流-ID(A)壳温 TC(C)图 10.最大漏极电流vs.壳温351DC10ms1ms100s漏极电流-ID(A)10-210-1100101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个信号图9.最大安全工作区域漏源电压-VDS(V)102注：1.VGS=10V2.ID=4.5A78 士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 5 页 典型测试曲线 12V50K300nF与待测器件参数一致待测器件VGS3mAVDSVGS10V电荷量QgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=1-2LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件200nF 士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 6 页 封装外形图 TO-247-3L 单位：mm 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1QMINNOMMAXSYMBOL4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.75AA2A1Cb2D21.0015.80E5.00E25.44 BSCeL19.924.30L1Q5.606.001.912.25bb4b4 MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：声明：声明：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品优秀的产品！注意！静电敏感器件 操作 ESDS 产品应采取 防护措施 士兰微电子 SVF3878AP7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http:/ 共 7 页 第 7 页 产品名称：SVF3878AP7 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.1 修改记录：1.更新 TO-247-3L 封装外形图 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布