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三极管MOS管复习题.doc

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. 习题3 客观检测题 一、填空题 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。 5. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 100 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。 9. 三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。 11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合,可以在信号源与低电阻负载间接入 共集电极 组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出: (1)电源电压= 6V ; (2)静态集电极电流= 1mA ;集电极电压= 3V ; (3)集电极电阻= 3kΩ ;负载电阻= 3kΩ ; (4)晶体管的电流放大系数= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数= -50 ;(取200); (5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ; (6)要使放大电路不失真,基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。 题图3.0.1 13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极-基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的输入电阻 小 。 15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。 16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ,输出电阻很 小 。 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。 18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用; 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用; 20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用; 21. 射极输出器的输入电阻较 大 ,输出电阻较 小 。 22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小 。 23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析,不适合静态工作点和电流电压的总值的求解 ,不适合大信号的工作情况分析。 24. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定,而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。 25. 图解法适合于 求静态工作Q点;小、大信号工作情况分析 ,而小信号模型电路分析法则适合于 求交变小信号的工作情况分析 。 26. 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力;输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能力 ;而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力。 27. 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态,静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q点 。 28.  在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位关系为 反相 ;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位关系为 同相 。 29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中,当Q点 太高 (太高或太低)时,将产生饱和失真,其输出电压的波形被削掉 波谷 ;当Q点 太低 (太高或太低)时,将产生截止失真,其输出电压的波形被削掉 波峰 。 32. PNP三极管输出电压的 顶部 部失真都是饱和失真。 33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合, 直接耦合, 变压器耦合。 34. BJT三极管放大电路有 共发射极 、 共集电极 、 共基极 三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路,作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此,这种BJT接入电路时,总要使它的发射结保持 正向 偏置,它的集电结保持 反向 偏置。 36. 某三极管处于放大状态,三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,则三极管的集电极是 A ,基极是 C ,发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型,由 锗 半导体材料制成。 37. 电压跟随器指共 集电 极电路,其 电压 的放大倍数为1; 电流跟随器指共 基 极电路,指 电流 的放大倍数为1。 38. 温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, 增加 , 增加 ,正向发射结电压 减小 , 减小 。 40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。 题图3.0.2 41. 在题图3.0.2电路中,某一参数变化时,的变化情况(a. 增加,b,减小,c. 不变,将答案填入相应的空格内)。 (1)增加时,将 增大 。 (2)减小时,将 增大 。 (3)增加时,将 减小 。 (4)增加时,将 不变 。 (5)减小时(换管子),将 增大 。 (6)环境温度升高时,将 减小 。 42. 在题图3.0.3电路中,当放大器处于放大状态下调整电路参数,试分析电路状态和性能的变化。(在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。) (1)若阻值减小,则静态电流IB将 增大 ,将 减小 ,电压放大倍数将 增大。 (2)若换一个值较小的晶体管,则静态的将 不变 ,将 增大,电压放大倍数将 减小。 题图3.0.3 (3)若阻值增大,则静态电流将 不变 , 将 减小 ,电压放大倍数将 增大 。 43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 , 上限截止频率 和 下限截止频率 。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面,产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。 45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46.  放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。 二、判断题 1. 下列三极管均处于放大状态,试识别其管脚、判断其类型及材料,并简要说明理由。 (4)5V,1.2V,0.5V; 解:硅NPN型BJT管;5V为集电极,1.2V为基极,0.5V为发射极 (8)13V,12.8V, 17V; 解:锗NPN型BJT管,17V为集电极,13V为基极,12.8V为发射极, (9)6.7V,6V,9V; 解:硅NPN型BJT管,9V为集电极,6.7V为基极,6V为发射极, 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。 1管: 答:NPN管,工作在放大状态。 2管: 答:NPN管,工作在饱和状态。 3管: 答:NPN管,工作在截止状态。 3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区? 题图3.0.4 6V 3V A 6V 2.3V 2.3V C 3V 9.3V 5.7V D 5V 0V 1.9V B 1.6V 答:题图3.0.4所列三极管中,只有图(D)所示的三极管处在放大区。 4. 放大电路故障时,用万用表测得各点电位如题图3.0.5,三极管可能发生的故障是什么? 答:题图3.0.5所示的三极管,B、E极之间短路,发射结可能烧穿。 题图3.0.5 5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,则该管的 为①。 ①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极,最先判别出的应是 ②b极 。 ①e极 ②b极 ③c极 9.题图3.0.6所示电路中,用 题图3.0.6 直流电压表测出VCE≈0V,有 可能是因为 C或D 。 A Rb开路 B Rc 短路 C Rb 过小 D b过大 10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。 题图3.0.7 (b) (c) (d) (a) 11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,如题图3.0.8示,试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)? 题图3.0.8 主观检测题 3.1.3硅三极管的可以忽略,若接为题图3.1.3(a),要求,问应为多大?现改接为图(b),仍要求应为多大? 题图3.1.3 (a) (b) 题图3.3.1 (a) (b) (c) 3.3.1 在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示,试判断各晶体管的类型(PNP管还是NPN管,硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 3.3.2在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如题图3.3.2所示,已测出,,,试判断e、b、c三个电极,该晶体管的类型(NPN型还是PNP型)以及该晶体管的电流放大系数。 题图3.3.2 题图3.3.3 3.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示,晶体管,导通时,问当开关分别接在A、B、C三处时,晶体管处于何种工作状态?集电极电流为多少?设二极管D具有理想特性。 (b) (a) (c) (d) 题图3.3.4 (e) (f) 3.3.4. 题图3.3.4电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常放大?哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。 (a) (b) 题图3.4.1 3.4.1 一个如题图3.4.1(a)所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4.1(b)的输出特性,静态工作点Q和直流负载线已在图上标出(不包含加粗线)。 (1)确定、的数值(设可以略去不计)。 (2)若接入,画出交流负载线。 (3)若输入电流,在保证放大信号不失真的前提下,为尽可能减小直流损耗,应如何调整电路参数?调整后的元件数值可取为多大? 3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3(a)所示。其晶体管输出特性曲线如图(b)所示,电路中元件参数,晶体管的饱和压降。 (1)估算静态工作点Q; (2)求最大输出电压幅值; (3)计算放大器的、Ri、Ro和Avs; (4)若电路其他参数不变,问上偏流电阻为多大时, (a) (b) 题图3.4.3 (a) (b) 题图3.4.4 3.4.4 用示波器观察题图3.4.4(a)电路中的集电极电压波形时,如果出现题图3.4.4(b)所示的三种情况,试说明各是哪一种失真?应该调整哪些参数以及如何调整才能使这些失真分别得到改善? 3.5.1 画出下列题图3.5.1中各电路的简化h参数等效电路,并标出的正方向。(电路中各电容的容抗可不计)。 (a) 图3.5.1 题图3.5.2 3.5.2 在如图3.5.2电路中设,晶体管的,在计算时可认为: (1)若, 问这时的 (2)在以上情况下, 逐渐加大输入正弦信 号的幅度,问放大器 易出现何种失真? (3)若要求,问这时的 (4)在,加入的信号电压,问这时的 3.6.1 放大电路如题图3.6.1所示,已知,, ,晶体管,各电容的容抗均很小。 (1)求放大器的静态工作点; (2)求未接入时的电压放大倍数; (3)求接入后的电压放大倍数; (4)若信号源有内阻,当为多少时才能使此时的源电压放大倍数降为的一半? 题图3.6.1 3.7.1某射极输出器用一个恒流源来设置射极电流,如题图3.7.1所示,已知晶体管的,,,电容在交流通路中可视为短路。 (1)求静态时的; (2)求射极输出器的输出电阻; (3)若,求输入电阻和源电压放大倍数; (4)若,求输入电阻和源电压放大倍数; (提示:恒流源的特点:交流电阻极大,而直流电阻较小。) 题图3.7.1 3.7.2 在题图3.7.2所示电路中,晶体管的、电容、和都足够大。 (1)求放大器静态工作点、、; (2)求放大器电压放大倍数和; (3)求放大器输入电阻; (4)求放大器输出电阻、。 题图3.7.2 3.9.1 若放大器的放大倍数、、均为540,试分别用分贝数表示它们。 3.9.2 已知某电路的波特图如题图3.29所示,试写出的表达式。 图题3.9.2 3.9.4 已知单级共射放大电路的电压放大倍数 (1)=?fL=?fH =? (2)画出波特图。 习题4 客观检测题 一、填空题 1. 场效应管利用外加电压产生的电 场 来控制漏极电流的大小,因此它是电 压 控制器件。 2. 为了使结型场效应管正常工作,栅源间两PN结必须加 反向 电压来改变导电沟道的宽度,它的输入电阻比MOS管的输入电阻 小 。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受 反 向电压,才能保证其RGS大的特点。 3. 场效应管漏极电流由 多数 载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流 不能 穿过PN结(能,不能)。 5. 对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为 正 ,并且只能当VGS >VTH 时,才能形有。 6. P沟道增强型MOS管的开启电压为 负 值。N沟道增强型MOS管的开启电压为 正 值。 7. 场效应管与晶体管相比较,其输入电阻 高 ;噪声 低 ;温度稳定性 好 ;饱和压降 大 ;放大能力 较差 ;频率特性 较差(工作频率低) ;输出功率 较小 。 8. 场效应管属于 电压 控制器件,而三极管属于 电流 控制器件。 9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 自偏压电路 和 分压器式自偏压电路 两种类型。 10. 由于晶体三极管 是电子、空穴两种载流子同时参与导电 ,所以将它称为双极型的,由于场效应管 只有多数载流子参与导电 ,所以将其称为单极型的。 11. 跨导反映了场效应管 栅源电压 对 漏极电流 控制能力,其单位为 ms(毫西门子) 。 12. 若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零,其输入电阻 不 会明显变小。 13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示,则它是 N 沟道的效应管,它的夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA 。 题图4.0.1 填空题13图 主观检测题 4.3.1 已知放大电路中一只N沟道增强型MOS管场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 图4.3.1 4.4.1题图4.4.1所示曲线为某场效应管的输出特性曲线,试问: (1)它是哪一种类型的场效应管? (2)它的夹断电压Vp(或开启电压VT)大约是多少? 题图4.4.1 (3)它的大约是多少? 4.4.2 已知场效应管的输出特性曲线如题图4.4.1所示,画出恒流区vDS=8V的转移特性曲线。 图4.4.2 4.6.1 分别判断题图4.6.1所示各电路中的场效应管是否有可能工作在放大区。 题图4.6.1 4.6.2 试分析题图4.6.2所示的各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 题图4.6.2 (c) (b) (a) 题图4.6.3 4.6.3 场效应管放大器如题图4.6.3所示,若,要求静态工作点为,,试求。 (a) 题图4.6.5 (b) 4.6.5 题图4.6.5(a)是一个场效应管放大电路,(b)是管子的转移特性曲线。设电阻,,电容、、足够大。试问: (1)所用的管子属于什么类型?什么沟道?管子的、或是多少? (2)、、的作用是什么?若要求,则应选多大? 题图4.6.6 4.6.6场效应管放大电路如题图4.6.6所示,电路参数 ,,场效应管的,;若要求漏极电位,试求的值。 4.7.1已知题图4.7.1(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。 (1)利用图解法求解Q点; 题图4.7.1 (2)利用等效电路法求解、Ri和Ro 。 题图4.9 4.7.4场效应管放大器如题图4.7.4所示,试画出其微变等效电路,写出、、表达式。设管子极大,各电容对交流信号可视为 题图 4.7.4 整理文本
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