实验十二、大规模集成存储器的应用.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,实验十二,大规模集成存储器的应用,一、实验目的,1,通过对大规模集成存储器的使用，掌握半导体存储器的工作原理、特性及其使用方法。,2,应用大规模集成存储器完成简单的应用设计。,二、实验设备与器件,1,TDS-1002,（,2002,）双踪数字示波器,2,THD-2,型数字电路实验箱,3,Dais,单片机开发系统,4,紫外光擦除器，万用表等,器件：,RAM6116,、,EPROM2732,、,74LS390,、,74LS00,、,NE7555,、,74LS192,、,74LS74,、,CC4013,、,CD4518,、电阻、电容若干。,三、实验预习要求,1,阅读,RAM,和,ROM,的工作原理以及大规模集成存储器的引脚功能。,2,熟悉用单片机写入程序的方法。,3,自行设计并确定实验电路，选择所需器件。,（一）存储器分类,1,随机存储器,（,1,）双极型,RAM,（,2,）,MOS,型,RAM,2,只读存储器,（,1,）掩膜,ROM,（,2,）,PROM,（,3,）,EPROM,（,4,）电可擦除可编程,ROM(E,2,PROM),（,5,）快速型存储器（,Flash Memory,）,（二）半导体存储器技术指标,（,1,）存储容量,（,2,）最大存取时间,（,3,）存储器功耗,（,4,）可靠性和使用寿命,（,5,）集成度,（三）,RAM6116,和,EPROM2716,的特性与使用,1.RAM6116的特性与使用,地址线（,A0A10,），,数据线（,I/O1I/O8,），,电源线（,VCC,）,地线（,GND,）,控制线：,/CS,（片选）、,/OE,（输出允许）、,/WE,（写允许）。,五、实验内容及步骤,（一）设计一个容量,4KB,的,RAM,存储器,利用,SRAM6116,及译码器,74LS138,，设计一个存储容量,4KB,的,RAM,存储器。要求,RAM,的地址范围为,7C000H7CFFFH,。,（二）用,4K8,的,2732,存储器芯片组成,8K8,的存储器系统。,利用,EPROM2732,及译码器,74LS138,，设计一个存储容量,8KB,的,ROM,存储器。要求,ROM,的地址范围为,FC000HFDFFFH,。,方案,2,：,1,用,EPROM2732,设计一个字符发生器，自己编写字符的编程数据表，再将数据写入,EPROM2764,中，并用证明设计的正确性。,2,用,EPROM2732,设计一个输出序列,011000111,的序列信号发生器。,3,用,EPROM2732,、,DAC0832,和其它电路设计一个音乐发生器。,