新版公司工程能力介绍.pptx

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2015-04-01,.,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2020/4/10,#,設計開發,過程管理,失效分析,（工程能力介紹）,1,泰邦企业有限公司,先科电子有限公司,.,01,02,03,04,設計開發,過程,控制,失效,分析,展望,Contents,目錄,2,.,設計開發,01,：開發背景與團隊,02,：開發程式及工具,03,：合作夥伴,04,：產品開發技術,Contents,目錄,3,05,：設備開發技術,06,：過程開發技術,.,Research Background,研發背景,概述,我們,公司早期是與德國,ITT,公司合作，,我們公司,的管理,與技術,人員,學習了,ITT,公司卓越的管理技術、先進的生產工藝、傳承了產品與生產設備自主研發的精神理念，樹立了嚴謹、科學、實幹、創新的技術管理與工作風範。,4,.,R&D Team,開發團隊,我们,是,世界上其中一家最大的,分立半導體器件製造商，林林種種的產品離不開我們,R&D,團隊與合作夥伴的共同努力。,R&D,是企業發展的源泉和取得長期競爭優勢的基本保證。,我们,是由一支強大的研發管理隊所引領，下設有產品研發中心、生產設備研發中心、設備機加工中心、設備製作中心。我們持續推出高速高穩定性的設備；新型優良、高性價比的產品，以滿足客戶設計者從容應對各種挑戰。,5,.,R&D,programs and tools,開發程式及工具,AutoCAD,ProE,Slodwords,AD9,Pspice,ISO/TS16949,APQP,PPAP,開發程式,開發工具,6,.,Cooperation Partner,產品開發合作夥伴,我们,公司作為半導體分立器件製造商的後道封裝廠，優秀的,R&D,團隊掌握著成熟的產品封裝技術，融入其晶片技術，與合作夥伴日本,PHENITEC,，中國的,SiLan,微電子強強聯合開發出更多的新型產品。,7,.,Product Design Technology,產品開發技術,外形設計,尺寸,外觀,CAD/ProE,電特性設計,電性參數,可靠性,晶片材料,模擬,SPICE,DFMEA,Pspice,模型,8,.,Product Design Technology,產品開發技術,9,公司作為半導體分立器件供應商，不斷順應市場高端新型的產品設計需求，從晶片設計，流片，模擬模擬到成品輸出各環節嚴把品質關，做到了超薄小尺寸，高集成度，同時達到低功耗、高輸出電流、高,ESD,等能力，來滿足客戶提出特殊需求，如已經開發上市的,2A,超簿整流橋,LBF,SOD-123FL,的超薄整流管厚度,1.0mm,最大正向電流達,60A,，超薄,20A/300A,的肖特基成品性能都處於業界領先地位。,.,我們可以根據客戶特殊要求訂制，已成功開發出,LBF,、,SOT-26,、,SOT-363,、,SOD-723,、,SOD-123FL/HE,、,SOD-323HE,、,DFN,等封裝系列的產品，如為韓國三星電子要求開發陣列式多通道,TVS/ESD,保護二級管，抗,ESD,能力達,30KV,，器件符合,IEC61000-4-2,IEC61000-4-5,等標準；小型封裝超高浪湧過電能力的整流,/,肖特基二極體。,10,Product Design Technology,產品開發技術,成果,.,Process Design Technology,過程開發,-,封裝技術,產品封裝設計主要有：玻封二極體的點接觸燒結工藝、塑封,Dice/wire Bonding,鍵合工藝、晶片倒封,Flip-Bonding,工藝。,共晶,/,點膠技術,共晶工藝利用晶片與框架的背金屬在高溫下合金，點膠工藝是用導電膠或絕緣膠固晶技術,。,金屬絲鍵合技術,玻璃封裝直接利用,Dumet,截面直接壓接,Chip,的金屬面焊接。,此封裝利用高溫焊料將引線與晶片焊接，高承受超載電流，高功率，低熱阻的優良產品。,點接觸燒接技術,倒封焊接技術,利用超聲波能量將金屬絲與晶片的電極進行焊接。,高密度封裝技術,框架與模具採用獨特的高密度陣列設計，合理的降低產品成本與充分提高生產效率。,11,.,Equipment Design,Technology,設備開發技術,12,我们,公司,R&D,團隊掌握著半導體封裝設備的先進技術，從機械系統設計，電氣控制系統設計、設備軟體程式設計設計與模擬一應俱全、工廠,80%,的設備是自主獨立研發與製造，各種設備擁有多項業界獨創的專利的核心技術，設備對產品工藝調整易、品質改善與效率提升快！,優勢,.,Equipment Design,Technology,設備開發技術,13,電氣系統,軟體系統,機械系統,設備系統設計,.,Equipment Design,Technology,設備開發技術,14,精密機加工中心,.,Equipment Design,Technology,設備開發技術,15,設備裝配調試中心,.,16,成果,Equipment Design,Technology,設備開發技術,公司生產設備具有快速的設計製造能力，在封裝業界獨樹一幟，我們可以取得產能的快速擴充，滿足大量市場需求，縮短客戶交貨期；同時降低了設備的購買資金，降低產品製造成本，獲得更多的市場競爭能力。,.,Contents,目錄,程式控制,01,：新材料認證,02,：過程能力分析,03,：,MSA,、,Tfs,04,：,QCC/6SIG,05,：產品可靠性認證,17,.,New Material Certification,新材料認證,材料承認,01,02,03,公司所有的材料必須通過供應商及材料資料審核：,SPEC,、,MSDS,、,CofC,、,SGS,、,QA Report Rel-Report,。,試樣封裝測試：,Test Data,、,CTQ,、,CpK,、,Yield,，,Reliability Test,。,通過了以上樣品測試，索取小批量樣品做試產測試：,S-PPAP,。,18,.,Process capability analysis,過程能力分析,公司所有封裝產品的關鍵制程,CTQ,：如測試資料，晶片推力，焊線拉力、鍍層膜厚等，通過資料統計,X-Bar,，,CPK,，,P,圖實施控制。,19,.,MSA&TfS,正確的測量，永遠是品質改進的第一步。如果沒有科學的測量系統評價方法，缺少對測量系統的有效控制，品質改進就失去了基本的前提。先科,10,年前就建立了自己的計量中心，為此，進行測量系統分析就成了企業實現連續品質改進的必經之路。,通過,MSA,，對器件關鍵參數實施,Tf,S,管理,，提升了產品的一致性與可靠性,20,概述,.,MSA&TfS,計量中心定期根據產品的控制計畫上直接用於產品的檢測機判定的儀器量具制訂,MSA,計畫，並收集資料，對重複性，再現性，穩定性等項目進行,MSA,統計分析。,21,MSA,DTS1000,測試系統,MSA,.,MSA&TfS,22,TfS,圖中,1,、,2,、,3,點數據分佈是在規格範圍內，但已離群,TfS(Test of Significance),顯著性測試，它是保證個別參數離群的元件被剔除的一種方法，可以對其隔離與分析，它也是一個持續改善的工具，能夠清楚地揭示過程的分佈原因和不足。,.,MSA&TfS,收集測試資料，圓圈點的資料離群，超越了控制極限。,23,TfS,.,MSA&TfS,收集,1000pcs,測試資料顯示,CPK=2.66,很高，有,6pcs,離散值，不能被剔除！但使用,TfS,可以剔除。,24,TfS,高,CPK,的制程含有,6pcs outliers,.,MSA&TfS,實際生產過程中，各種原材料，批次的不同製造出的產品分佈也是有一定的波動，實際控制必須使用動態的控制極限，靜態的控制線不能剔除現實中的不良品與失效品，,TfS,的控制極限的適宜性序定期評估。,25,TfS,.,MSA&TfS,實際生產過程中，設定測試分選設備將,Rejec BIN,的極限設定在,UCL,與,LCL,極限之外，確保離散的產品被抓出。,26,TfS,.,MSA&TfS,收集測試整流二極體的測試資料，大部分的,IR,資料分佈在,0.2uA,，抽取圖中離群,1.5uA,的樣品及常規品分析，解剖發現離群,1.5uA,的樣品有輕微的,Chipping-off,，因此可以及時的發現到異常不良進行控制。,27,TfS,.,QCC/6SIG,案例：,降低玻封二極體夾具清洗的成本,28,公司,QCC/6Sig,委員會每年組織提案，選取重大的改善課題實施改善，為公司節約成本、提高生產效率、產品品質、工業安全，改善人才培養方面作出了重大貢獻。,.,01,COT,（,IOL,）、,ACT,、,HTRB,、,H3TRB,；,壽命試驗,/,LIFE TEST,03,拉力、推力、壓力測試、引腳終端強度測試,機械試驗,/,MECHANICAL TEST,02,高溫、低溫、高溫高濕、,PCT,、,TCT,、,TST,測試,環境試驗,/,ENVIRONMENTAL TEST,04,可焊性、熱抵抗、印字耐久性、,ESD,、,浪湧,、熱阻測試等,產品可靠性認證,Product Reliability Certification,裝板試驗,/,其它試驗,29,.,Contents,目錄,FA,失效分析,01,：,FA,設備,02,：,FA,項目,03,：,FA,流程,04,：,FA,案列,30,.,FA,Equipment,FA,設備,雷擊,/,浪湧衝擊測試儀,VESD/VC,分析儀,各類精密參數測試儀,熱阻分析儀,特性曲線掃描器,阻抗,-,網路,-,頻譜分析儀,包裝袋剝離力測試儀,洛氏硬度計,無損檢測,X-ray,儀,XRF/,螢光光譜儀,膜,厚,/EDX,儀,SEM,、,SAM,掃描器,器件開封機,晶片探針台,切片,/,研磨機,失效分析設備齊全,推力測試儀,拉力測試儀,壓力測試儀,高,低倍,金,相顯微鏡,二次元影像儀,三次元精密尺寸分析儀,影像投影儀,31,.,FA,項目,外觀檢查,外形尺寸測量,鍍層,/,膜厚測量,FA,Project,X-Ray,透視,EDX,元素分析,SAM,掃描,32,.,FA,項目,電參數測試,特性曲線掃描,模擬浪湧衝擊測試,FA,Project,模擬焊接分析,類比振動分析,模擬環境分析,33,.,FA,項目,化學,De-Cap,切片研磨,SEM,掃描,FA,Project,34,熱阻測試,阻抗網路頻譜分析,推拉力測試,.,FA,Process,FA,流程,樣品接收,外觀檢查,曲線檢查,晶片內部外觀結構檢查,開帽檢查,失效模擬測試,電性檢查,PN,結測試,無損檢查,晶片測試,晶片去金屬層檢查,報告結束,35,另可以根據客戶需求分析,.,Failure Analysis Case,失效分析案例,塑封,SOD-123 1N4148W,產品,在焊線材料供應商行業不斷的推出新型的銅焊線工藝材料，客戶要求進一步降低產品成本，要求使用,Cu Wire Bonding,工藝，初期小批量導入階段收到用戶端產線測試不良。,概述,36,.,失效分析案例,描述,：,客戶回饋,在產線,ICT,測試工位發現,PCB D5,的,VF,值偏高,不良。,封裝：,SOD-123,型號：,1N4148W,數量：,3pcs,不良率：,3pcs/16.5KPcs,182ppm,D1,.,問題描述,(,Problem description,),：,D1,Failure Analysis Case,37,.,失效分析案例,組長：,Mr.Z.Y.L,品質部：,SL Deng,工藝部：,HJ Yin,生產部：,YB Li,FAE,部：,XG Zhang,客戶部：,Jason,工程部：,WL Xu,D2,D2,.,改善小組成員,(,Improvement Team Members,),：,D3,D3,.,短期對策,(,Short Term Corrective Action,),：,請客戶檢查篩查在製品，並隔離,ST,庫存重檢。,Failure Analysis Case,38,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.1,客戶提供,1N4148W,樣品,3PCS,，樣品外觀都良好，引腳粘有餘錫，已使用過，樣品刻字“,W1”,；如下圖所示：,4.2 X-RAY,檢查,3PCS,樣品，樣品內部組裝結構正常，焊線良好；從焊線成像清晰度來看，為銅焊線工藝產品,.,如下圖所示：,樣品,Xray,正,/,側面圖,樣品外觀圖,Failure Analysis Case,39,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.3,萬用測試,3PCS,樣品的,PN,結壓降，結電壓都偏高,，如下,圖所,示,：,4.4,用,DTS1000,參數測試儀測試電性發現,VF,參數同樣偏高。,電參數測試,data,PN,結正反向測試,Failure Analysis Case,40,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.5,用超聲波掃描器,SAM-T,分析，發現第二焊點焊接處有分層現象。,SAM-T,測試掃描圖,Failure Analysis Case,41,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,切片研磨線 示意圖,4.6,取,1#,樣品用磨拋機進行研磨切片，用掃描電鏡,SEM,掃描電鏡觀察確認第一二焊點及晶片固晶狀況,:,研磨後,SEM,照片,Failure Analysis Case,42,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,第一焊球,SEM,圖,4.7,取,1#,樣品進行研磨，用掃描電鏡,SEM,確認第一焊點焊接良好，且晶片與引線框架的共晶結合處良好，而第二焊接點有微斷裂現象，如下圖紅圈處：,第二焊,SEM,圖,Chip&L/F SEM,圖,Failure Analysis Case,43,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.8,用,SEM,逐級放大第二焊接處有斷裂分層的問題，焊接處分層會導致歐姆接觸阻抗增大，結合不牢，可以斷定是焊線機地二焊焊接不牢導致,VF,偏高的主要原因,。,研磨第二焊後逐級,SEM,放大照片,Failure Analysis Case,44,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.9,用化學,De-Cap,方法開封，去除樹脂觀察晶片、焊球與鋁層是否受損及異常，解剖後沒有發現晶片有異常不良，無切割裂紋、無擠,Al,、無焊接偏位現象，測試裸晶電性,OK,。,研磨第二焊後逐級,SEM,放大照片,Failure Analysis Case,裸晶測試,45,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.10,根據系統查找出貨記錄批次及流程卡，追溯到當時的生產機台的管控參數是否異常，後期經工藝人員實施,DOE,設計與優化試驗，發現焊接壓力設定,65g,偏小偏小易導致第二焊接點不穩定。,焊線壓力設置範圍,60-90,，焊線壓力設置,65g,.,Failure Analysis Case,46,.,失效分析案例,D4,D4.,原因分析,(,Cause Analysis,),：,4.11,結論：,將,VF,偏高,的樣品,做如上,分析，晶片,共,晶結合部,位、晶片第一焊點均焊接,OK,，,焊線第二點有微裂分層現象，歐姆,接觸電阻變大，,當時,焊線壓力,工藝參數,65g,設置偏小，,焊接,不牢，最終導致在用戶端,VF,偏高,。,Failure Analysis Case,47,.,失效分析案例,D5,5.1,經過工藝工程將焊線參數優化試驗，,將,焊接壓力的設定範圍增加到,80-110g,進行改善,如下圖實際設定為,100g,生產。,D5,.,長期對策,(,Long Term Corrective Action,):,Failure Analysis Case,48,.,失效分析案例,D6,6,.1,生產及品質要求按照焊接壓力的管控範圍,80-110g,進行生產並交樣給客戶確認,已連續生產三批統計未在發生不良，確認合格，即刻實施進行檔標準化更改。,D6,.,對策驗證,(,Verification of Corrective Actions,):,Failure Analysis Case,49,.,Outlook,產品展望,優質產品為高端應用而服務！,50,.,期待,合作,謝謝,!,51,.,谢谢观看！,