DMOS工艺培训.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,二级,三级,四级,五级,*,DMOS,工艺培训,Summary,DMOS,应用,DMOS,结构,PRT,工艺流程,PRT,主要参数,PRT,主要问题,DMOS,发展方向,问题交流,DMOS应用,DMOS应用,应用广泛：,20V,：手机、数码相机,30V,：计算机主板、显卡,40V,：机顶盒和电动自行车,60V,：,UPS,、雨刷、汽车音响、马达控制,80V,以上：,LCD TV,、,LCD,显示器等,150-400V,：照明、,CRT,电视、,CRT,显示器、背投电视、电热水器和洗衣机等,400-800V,：发动机启动器、车灯控制、电,机控制，嵌入式电源和电源适配器等,800-1000V,：风力发电、电焊机和中低压变频器等,1000V,以上：高压变频器、发电和变电设备等,WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICRO,DMOS结构：VDMOS和VUMOS,VDMOS,VUMOS,DMOS结构：Cell图形，结的形状影响BV,Poly,DMOS结构：几种典型终端图形，影响BV,多个场限环结构,多个场限环结构+场板,结终端扩展：PRT就是这种结构,磨角,ESD的重要性围绕,“栅氧化层的保护”，栅氧厚度：980A厚度，击穿电压80V左右,DMOS结构：,ESD防护,PRT-DMOS光刻,PRT-DMOS工艺控制难点,终端或者Cell区的空间电荷区产生IDSS漏电；任何晶体缺陷：包括EPI材料或者工艺过程导致的缺陷，都将导致IDSS漏电增大,PRT-DMOS工艺控制难点,为保证合理的BV窗口，必须精确控制Ring的结深、浓度，以及Ring区上方的电荷,Ring的结深、浓度与Ring注入条件、初氧和Ring扩散有关：PRT的注入剂量与BV呈现抛物线关系：过低，击穿出现在A点，过高，出现B点；,Ring区上方的电荷：包括初氧、介质、Al腐蚀后表面等都对BV有影响，合金后烘焙就是改善表面电荷的工艺步骤；,衬底片,Boron Imp.,Boron Imp.,磷,Imp.,Boron Imp.,Boron Imp.,磷,Imp.,磷,Imp.,磷,Imp.,PRT-DMOS流程,DMOS工艺（PRT）,终端形成,Ring注入/初氧/Ring推结,栅氧段,Act光刻/JFET注入/栅氧/多晶淀积,PWELL段,多晶刻蚀/Pwell注入推,Source段,Source注入/PBODY注入,CON段,ILD淀积/回流/CON光刻,INL,溅射蒸发/光刻腐蚀/合金,PRT-DMOS流程,DMOS结构：PRT DMOS实际的管芯图和封装,有源区,耐压区,栅PAD,Gate bus,划槽,BV（除材料）,CELL区控制,PWELL Xj,JFET Rs,Pbody Xj,Poly CD,终端控制,Ring Rs,Ring注入,初始氧化,PRT DMOS：主要参数BVDSS,GS漏电,POLY 缺陷,多晶质量,多晶刻蚀,ILD缺陷,栅氧质量,理论GS耐压,Tox(nm)*0.8,GS测量注意,GS电压超过30V时，如果时间过长会导致WELL区永久反型,PRT DMOS：主要参数ISGS,Vth,反型基础,栅氧厚度,Pwell浓度,注入,推结,栅氧电荷,沟道长度,Source Xj,实际案例,Poly形貌,光刻,刻蚀,PRT DMOS：主要参数VTH,Rdson,JFET 电阻,JFET注入,WELL推结,WELL电阻,Well注入,Well推结,材料,正面金属,清洗,溅射,背面金属,清洗,蒸发,PRT DMOS：主要参数RDSON,不同产品Rdson的核心影响因素（DMOS）,PRT DMOS：主要参数RDSON,VDMOS的发展,1.硅基（结构发展）,3.新材料,3.1 GaN,3.2 SiC,2.智能型,问题交流,此课件下载可自行编辑修改，供参考！,感谢您的支持，我们努力做得更好！,