模拟电子技术基础习题.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,模拟电子技术基础习题,第一章,半导体二极管及其应用电路,第二章,半导体三极管及其放大电路,第三章,场效应晶体管及其放大电路,第四章,集成运算放大器,第,六,章,运放应用电路,第,七,章,功率放大电路,第,八,章,波形发生和变换电路,第九章,直流稳压电源,第五章,负反馈放大电路,第十章,晶闸管及其,应用,第十一章,第二十一章,应用篇,第一章 半导体二极管及其应用电路,一、填空：,1,半导体是导电能力介于,_,和,_,之间的物,质。,2,利用半导体的,_,特性，制成杂质半导体；利用半导体的,_,特性,制成光敏电阻，利用半导体的,_,特性,制成热敏电阻。,3,PN,结加正向电压时,_,，加反向电压时,_,，这种特性称为,PN,结的,_,特性。,4,PN,结正向偏置时,P,区的电位,_N,区的电位。,导体,绝缘体,掺杂,光敏,热敏,单向导电,截止,高于,导通,5,二极管正向导通的最小电压称为,_,电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为,_,电压,.,6,二极管最主要的特性是,，使用时应考虑的两个主要参数是,和,_,。,7,在常温下，硅二极管的死区电压约,_V,，导通后在较大电流下的正向压降约,_V,。,死区,单向导电,击穿,最大整 流电流,最大反向工作电压,0.5,0.7,8,在常温下，锗二极管的死区电压约为,_V,，导,通后在较大电流的正向压降约为,_V,。,9,半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越,小，说明二极管的,_,_,性能越好。,10,稳压管工作在伏安特性的,_,区，在该区内,的反向电流有较大变化，但它两端的电压,_,_,。,0.1V,0.3,单向导电,反向击穿,基本不变,11,理想二极管正向电阻为,_,，反向电阻为,_,，这两种状态相当于一个,_,。,12,当温度升高时，二极管的正向特性曲线将,_,，反向特性曲线将,_,。,13,当温度升高时，二极管的正向电压降,_,，反,向击穿电压,_,，反向电流,_,。,0,无穷大,开关,左移,下移,减小,减小,增大,14.,整流电路的作用是,_ _,，,核心元器件是,_,。,15.,滤波电路的作用是,_,_,_,，,滤波电路包含有,_,元件。,16.,单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大,的是,_,，整流效果好的是,_,。,17.,在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反,接，则,_,，如果任意一只二极管脱焊，则,_,。,将交流电变成脉动的直流电,二极管,降低输出直流电中的脉动成分,储能,单相半波,单相桥式,电源短路,成为半波整流,二、选择题：,1.,二极管的导通条件是,(),。,A.B.,死区电压,C.,击穿电压。,2.,硅二极管的正向电压在,0.7V,的基础上增加,10,，它的电流,(),。,A.,基本不变,B.,增加,10,C.,增加,10,以上,3.,硅二极管的正向电压在,0.3V,的基础上增大,10,，它的电流,(),。,A.,基本不变,B.,增加,10,C.,增加,10,以上,4.,用万用表的 档和 档分别测量一个,正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 和 ，,则 与 的关系为,(),。,A.B.C.,5.,当温度为 时，二极管的导通电压为,0.7V,，,若其他参数不变，当温度升高到 时，二极管的,导通电压将,(),。,A.,等于,0.7V B.,小于,0.7V C.,大于,0.7V,6.,如图所示，二极管均为理想元件，则,VD,1,、,VD,2,、,VD,3,的工作状态为,(),。,A.,VD,1,导通，,VD,2,、,VD,3,截止,B.,VD,2,导通，,VD,1,、,VD,3,截止,C.,VD,3,导通，,VD,1,、,VD,2,截止,8.,电路如图所示,VD,1,VD,3,为理想二极管,A,、,B,、,C,白炽,灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是,_,。,A.B,B.C,C.A,7.,在图示电路中稳压管,VD,Z1,的稳定电压为,9V,，,VD,Z2,的,稳定电压为,15V,，输出电压 等于,(),。,A,15V,B,9V,C,24V,9,理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承,受的最大反向电压为,_,。,A,小于,B.,等于,C.,大于 ，小于,D.,等于,10,单相桥式整流电容滤波电路，当满足 （,3,5,）,时，负载电阻上的平均电压为,_,。,A.1.1U,2,B.0.9U,2,C.1.2 U,2,D.0.45U,2,11,所示电路图中 ，（忽略导通压降）用示波器观察 的波形正确的是,_,。,12.,有三个整流电路,A,、,B,、,C,，变压器副边电压，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是,_,。,三、判断题,1.,在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。（）,2.,如果稳压管工作电流则管子可能被损坏,。,（）,3.,指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极，黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管的正向电阻。（）,4.,桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。（）,5.,当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二级管承受的反向电压相同。（）,四、分析计算：,1.,判断下列电路中二极管的工作状态。,VD,1,导通，,VD,2,截止,VD,截止,2.,图所示，设二极管导通压降为,0.7V,，判断二极管是否,导通，并求输出电压 。,截止,0V,导通,+11.3V,截止,+6V,导通,+0.7V,导通,-12.7V,3.,图所示，设二极管导通压降为,0.7V,，判断二极管是否,导通，并求输出电压 。,4.,图所示，设二极管导通压降为,0.7V,，判断二极管是否,导通，并求输出电压 。,5,.,电路如图所示，设 ，二极管,的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形。,5,.,电路如图所示，设 ，二极管,的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形。,5,.,电路如图所示，设 ，二极管,的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形。,6,图示电路中，已知,2CW5,的参数如下：,稳定电压 ，最大稳定电流 ，若流经电,压表,V,的电流可忽略不计。求：,1),开关,S,合上时，电压表,V,、电流表,A,1,和电流表,A,2,的读数为多少？,2),开关,S,打开时，流过稳压管的电流为多少？,3),开关,S,合上，且输入电压由原来,30 V,上升到,33 V,时，,此时电压表,V,、电流表,A,1,和电流表,A,2,的读数为多少？,V,：,12V A,1,：,12mA A,2,：,6mA,I,Z,：,12mA,V,：,12V,A,1,：,14mA,A,2,：,6mA,7,电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示,(V),试求：,（,1,）画出图中,4,只二极管和滤波电容（标出极性）；,（,2,）正常工作时，,U,o=,？,（,3,）若电容脱焊，,U,o=,？,（,4,）若,R,L,开路，,U,o=,？,（,5,）若其中一个二极管开路，,U,o=,？,12V,9V,14V,10V,8.,电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，,(V),试求：,（,1,）画出图中,4,只二极管和滤波电容（标出极性）；,（,2,）正常工作时，,U,o=,？,（,3,）若电容脱焊，,U,o=,？,（,4,）若,R,L,开路，,U,o=,？,（,5,）若其中一个二极管开路，,U,o=,？,28V,18V,24V,20V,第二章 半导体三极管,一、填充题,1.,三极管从结构上看可以分成和,两种类型。,2.,晶体三极管工作时有和两,种载流子参与导电，因此三极管又称为,晶体管。,3.,设晶体管的压降 不变，基极电流为,20A,时，集电,极电流等于,2mA,，则,=_,。若基极电流增大至,25A,，集电极电流相应地增大至,2.6mA,，则,=_,。,100,120,NPN,PNP,自由电子,空穴,双极型,4.,三极管的电流放大作用是指三极管的电流约是电流的倍，即利用电流，就可实现对电流的控制。,5.,某三极管的发射极电流等于,1mA,，基极电流等于,20A,，穿透电流,Iceo=0,则其集电极电流等于,_,，电流放大系数,等于,_,。,6.,当三极管工作在区时，关系式,I,C,I,B,才成立，发射极偏置，集电极偏置。,7.,当三极管工作在区时，,I,C,0,；发射极,偏置，集电极偏置。,集电极,基极,基极,集电极,0.98mA,49,放大,正向,反向,截止,零或反向,反向,8.,当三极管工作在区时，,U,CE,0,。发射极偏置，集电极偏置。,9.,当,NPN,硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，极和极电位差等于。,10.,当,PNP,锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，,U,BE,等于。,11.,晶体三极管放大电路中 三个电极的电位分别为,试判断三极管的类型是，材料是。,集电,饱和,正向,发射,基,0.7V,正向,发射,发射,集电,-0.3V,PNP,锗,12.,晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，,三个电极分别,1,为，,2,为，,3,为。,13.,温度升高时，三极管的电流放大倍数,将；穿透电流,I,CEO,将；发射极电压,U,BE,将。,14.,温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将,_,移，输出特性曲线将,_,移，而且输出特性曲线之间隔将变,_,。,C,E,B,增大,增大,减小,左,上,宽,15.,查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在下表中,16.,某放大电路，当输入电压为,10mV,时，输出电压为,7V,，当输入电压为,15mV,时，输出电压为,6.5V,。则该电路的电压增益为。,17.,直流放大器能放大，交流放大器能放大。,100,交直流信号,交流信号,3AD30C,3DD15D,3DG8050,18.,当静态工作点设置偏低时，会引起失真，单级共射放大电路输出电流波形的半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调。,19.,当静态工作点设置偏高时，会引起失真，单级共射放大电路输出电压波形的半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调。,20.,造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是,。,21.,三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是,电路，与相位相同是,电路。,截止,负,小,饱和,负,大,温度引起的参数变化,共射放大,共基和共集放大,22.,三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是电路，有电流放大无电压放大的是电路，既有电压放大又有电流放大的是电路。,23.,分压偏置的共射极放大电路中的作用是,。,24.,多级放大电路常见的耦合方式有、。,共基极,共集电极,共射极,稳定靜态工作点,直接,阻容,变压器,25.,直接耦合放大电路既能放大信号，又能放大信号，但它存在零漂的问题，常采用放大电路来抑制零漂。,26.,多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变，通频带变。,直流,交流,差动,大,窄,二、选择题,1,当三极管的两个,PN,结都反偏时，则三极管处于,(),。,A.,截止状态,B.,饱和状态,C.,放大状态,D.,击穿,2,当三极管的两个,PN,结都正偏时，则三极管处于,(),。,A.,截止状态,B.,饱和状态,C.,放大状态,D.,击穿,3.,测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为,6V,、,5.3V,和,-6V,，则该三极管的类型为（）。,A.,硅,PNP,型,B.,硅,NPN,型,C.,锗,PNP,型,D.,锗,NPN,型,4.,测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为,8V,、,2.3V,和,2V,，则该三极管的类型为（）。,A.,硅,PNP,型,B.,硅,NPN,型,C.,锗,PNP,型,D.,锗,NPN,型,5.,测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为,6V,、,5.3V,和,12V,，则该三极管的类型为（）。,A.,硅,PNP,型,B.,硅,NPN,型,C.,锗,PNP,型,D.,锗,NPN,型,6.,测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为,6V,、,5.7V,和,-6V,，则该三极管的类型为（）。,A.,硅,PNP,型,B.,硅,NPN,型,C.,锗,PNP,型,D.,锗,NPN,型,7,、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（）。,A.,I,BQ,B.,U,BEQ,C.,I,CQ,D.,U,CEQ,8.,放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（）。,A.,I,B,I,BS,B.,I,B,死区电压,D.,U,BEQ,=,导通压降,9,、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。,A.,电流控制元件,B.,电压控制元件,C.,不可控元件,10,、用直流电压表测得三极管电极,1,、,2,、,3,的电位分别为,V,1,=1V,，,V,2,=1.3V,，,V,3,=-5V,，则三个电极为（）。,A.1,为,e,；,2,为,b,；,3,为,c B.1,为,e,；,2,为,c,；,3,为,b,C.1,为,b,；,2,为,e,；,3,为,c D.1,为,b,；,2,为,c,；,3,为,e,11,用直流电压表测得三极管电极,1,、,2,、,3,的电位分别为,V,1,=2V,，,V,2,=6V,，,V,3,=2.7V,，则三个电极为（）。,A.1,为,e,；,2,为,b,；,3,为,c B.1,为,e,；,2,为,c,；,3,为,b,C.1,为,b,；,2,为,e,；,3,为,c D.1,为,b,；,2,为,c,；,3,为,e,12.,处于放大状态的,NPN,型晶体管，各电极的电位关系是,_,。,A.,V,B,V,C,V,E,B.,V,E,V,B,V,C,C.,V,C,V,B,V,E,D.,V,C,V,E,V,B,13.,处于放大状态的,PNP,型晶体管，各电极的电位关系是,_,。,A.,V,B,V,C,V,E,B.,V,E,V,B,V,C,C.,V,C,V,B,V,E,D.,V,C,V,E,V,B,14.,三极管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的,_,。,A,i,c,B,u,CE,；,C,i,B,；,D,i,E,15,放大电路的三种组态，都有,(),放大作用。,A.,电压,B.,电流,C.,功率,16,固定偏置放大电路中，晶体管的,50,，若 将该管调换为,=80,的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 将,(),。,A.,增加,B.,减少,C.,基本不变,17,测得某放大电路负载开路时的输出电压为,4V,，接入的负载,2K,后，测得输出电压为,2.5V,，则该放大电路的输出电阻为,(),。,A.1.2k,B.1.6k,C.3.2k,D.10k,18,单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压,u,i,和晶体管集电极电压,u,c,的波形，二者相位,(),。,A.,相差,0,0,B.,相差,180,0,C.,相差,90,0,D.,相差,270,0,19,共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输,入,电压,u,i,和晶体管集电极电压,u,c,的波形，二者相位,(),。,A.,相差,0,0,B.,相差,180,0,C.,相差,90,0,D.,相差,270,0,20,固定偏置共射极放大电路，已知,V,CC,12V,，,R,C,=3K,，,40,忽略,U,BE,若要使静态时,U,CE,9V,，则,R,B,应取,(),。,A.600K,B.240K,C.480K,D.360K,21,固定偏置共射极放大电路,V,CC,10V,，硅晶体管的,100,R,B,=100K,，,R,C,=5K,，则该电路中三极管工作在,(),。,A.,放大区,B.,饱和区,C.,截止区,D.,无法确定,22.,固定偏置共射极放大电路,V,CC,10V,，硅晶体管的,100,R,B,=680K,，,R,C,=5K,，则该电路中三极管工作在,(),。,A.,放大区,B.,饱和区,C.,截止区,D.,无法确定,23,图所示交流通路中三极管的,R,be,=3K,，,100,则该电路的输入电阻,R,i,为,(),。,A.100,B.3 K,C.3.1K,D.13.1 K,24.,分压式偏置放大电路，为使稳定静态工作点的效果更好一些，而且对放大电路其它性能不产生影响，哪种设置更合理（）。,A.,I,1,=4I,B,V,B,=4V,B.,I,1,=8I,B,V,B,=8V,C.,I,1,=8I,B,V,B,=4V,D.,I,1,=4I,B,V,B,=8V,25,有两个电压放大倍数,A,u,=100,的放大电路,A,和,B,，分别对同一具有内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻,R,L,的情况下，测得,u,oa,=4.5V,，,u,ob,=4.6V,则知,B,放大电路的（）。,A.,输入电阻小,B.,输入电阻大,C.,输出电阻小,B.,输出电阻大,26.,直接耦合放大电路能放大。,A.,直流信号,B.,交流信号,C.,交直流信号。,27.,阻容耦合放大电路能放大。,A.,直流信号,B.,交流信号,C.,交直流信号。,28.,阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（）的存在。,A,耦合电容与旁路电容,B,极间电容和分布电容,C,晶体管的非线性,29.,阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，高频区电压增益下降的原因是由于（）存在。,A,耦合电容与旁路电容,B,极间电容和分布电容,C,晶体管的非线性,30.,已知多级放大电路,A,u1,=20dB,A,u2,=40dB,则电路总的电压放大倍数,A,u,为（）,dB,。,A,80,B,800,C,60,D.20,31.,已知多级放大电路,A,u1,=100,、,A,u2,=10,则电路总的电压放大倍数,A,u,为（）。,A,100,B,1000 C,110 D.1100,32.,两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为,30,，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）。,A,等于,60 B.,等于,900 C.,小于,900 D.,大于,900,三、判断题：,1.,晶体三极管由两个,PN,结构成，二极管包含有一个,PN,结，因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。（）,2.,晶体三极管只有测得,U,BE,U,CE,才工作在放大区。（）,3.,晶体三极管三个电极上的电流总能满足,I,E,=,I,C,+,I,B,的关系。（）,4.,晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足,I,E,=,I,C,的关系。（）,5.,只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）,6.,晶体三极管放大电路都有功率放大作用。（）,7.,电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（）,8.,放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）,9.,由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（）,10.,只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）,11.,现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为,-100,，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为,10000,。（）,12.,阻容耦合多级放大电路各级的,Q,点相互独立，它只能放大交流信号。（）,13.,直接耦合多级放大电路各级的,Q,点相互影响，它只能发放大直流信号。（）,14.,只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（）,四、分析计算题,1.,固定偏置三极管放大电路如图所示，输入正弦交流电时，输出波形如图所示，试判断电路有无失真？是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改善这种失真？,R,B,2.,电路如图 所示，测得图,a),所示放大电路的输出电压波形如图,b),所示。,（,1,）是什么失真？,（,2,）分析产生该失真的原因；,（,3,）说明消除该失真的方法。,R,B,3.,放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？,3.,放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？,4.,电路如图所示，晶体管,=100,，,U,BE,=0.7V,。,1),求静态工作点；,2),画出微变等效电路；,3),求电压放大倍数,A,u,，输入电阻,R,i,和输出电阻,R,o,；,4),若改为,=120,，则,A,u,变为多大？,6.,6.,6.,7.,7.,7.,8.,8.,8.,9.,9.,9.,10.,10.,10.,10.,11.,11.,第三章 场效应晶体管及其放大电路,一、填充题,1,、,M0S,管的结构由,、,和,组成。,2,、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有,和,两类，其每一类又可,和,两种。,3,、场效应管与双极晶体管比较，,_,为电压控制器件，,_,为电流控制器件，,_,的输入电阻高。,4,、场效应管有,_,种载流子参与导电，故场效应管又称,_,型元件。,金属 氧化物 半导体,N,沟道,P,沟道 增强型 耗尽型,1,单极,场效应管 双极型晶体管 场效应管,5,、,_MOS,管开启电压 ,0,，,_MOS,管开启电压 ,0,。,6,、,_MOS,管的夹断电压 ,0,，,_MOS,管的夹断电压 ,0,。,7,、使用场效应管时应特别注意对,_,极的保护，尤其是绝缘栅管，在不用时应将三个电极,_,。,N,沟道,P,沟道,P,沟道,N,沟道,栅 短接,8,、某场效应管的转移特性如左图,a,）所示，由此可知该管是,_,沟道,_,型的绝缘栅场效应管，,_V,。,9,、某场效应管的转移特性如右图,b),所示，由此,D,可知该管是,_,沟道,_,型的绝缘栅场效应管，,_,_,。,P,沟道 增强型 ,2V,N,沟道 耗尽型,6mA,6V,10,、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是,_,沟道,_,型的绝缘栅场效应管，,_,。,11,、某场效应管工作在恒流区，当,时，当 时，则该管的低频跨导 为,_,。,12,、自偏压电路只适用于,_,型的场效应管放大电路。,N,沟道,增强型,2V,3,耗尽,二、选择题,1,、场效应管用（）控制漏极电流。,A.,基极电压,B.,栅源电压,C.,基极电流,D.,栅极电流,2,、表征场效应管放大能力的重要参数是（）。,A.B.C.D.,3,、,N,沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。,A.B.,C.D.,4,、,P,沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。,A.B.,C.D.,5,、广义地说，结型场效应管应该,_,。,A.,属于耗尽型管,B.,属于增强型管,C.,不属于耗尽型管,D.,不属于增强型管,6,、场效应管自生偏置电路中的电阻,R,g,，的作用是,_,。,A.,提供偏置电压,B.,提供偏置电流,C.,防止输入信号短路,D.,泄放栅极可能出现的感应电荷以防管子击穿,7,图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是,_,。,A.P,沟道结型管,B.N,沟道结型管,C.P,沟道耗尽型,MOS,管,D.N,沟道增强型,MOS,管,8.,图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是,_,。,A.P,沟耗尽型,MOS,管,B.N,沟道耗尽型,MOS,管,C.P,沟增强型,MOS,管,D.N,沟增强型,MOS,管,差模 共模,0.02 1.99,直接 零点漂移,对称,A,UD,和,A,UC,抑制共模信号,好 强 大,U,O,/,U,ID,有用,U,OC,/,U,IC,无用,单管电压增益 零 无穷大,两个 两个 四,双端输入双端输出 单端输入双端输出 双端输入单端输出 单端输入单端输出,四、分析计算题,双端输出差动放大电路如图所示，已知,R,C1,=,R,C2,=2K,R,E,=5.1K,两管的,U,BE,=0.7V,，,=50,，,R,be,=2K,，求：,(1),静态电流,I,CQ1,、,U,CEQ,；,(2),差模电压放大倍数,A,uD,、,R,iD,、,R,OD,。,电压 串联,并联 电流,电压 增大,电流 减小,并联 电压 电流串联,2 25,三、判断题：,1.,若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定,是负反馈。（,）,2.,若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输,出电压基本不变。（,）,3.,在负反馈放大电路中放大器的放大倍数越大，闭,环放大倍数就越稳定。（,）,4.,在负反馈放大电路中，在反馈系数较大的情况下，,只有尽可能地增大开环放大信号，才能有效地提高,闭环放大倍数。（,）,5.,在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数,AF,1/,F,，,它与负反馈有关。而与放大器开环放大倍数,A,无关，,故此可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得,稳定的放大倍数。（,）,6.,在深度负反馈的条件下，由于闭环放大倍数,AF,1/,F,，与管子参数几乎无关，因此，可以任意选,用晶体管来组成放大级，管子的参数也就没什么意,义了。（,）,7.,负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈,环路外无效。（,）,8.,若放大电路负载固定，为使其电压放大倍数稳定，,可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。（,）,9.,电压负反馈可以稳定输出电压，流过负载的电流也,就必然稳定。因此电压负反馈和电流负反馈都可以,稳定输出电流，在这一点上电压负反馈和电流负反,馈没有区别。（,）,10.,负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输,入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，都能使,输出端的信噪比得到提高。（,）,11.,由于负反馈可展宽频带，所以只有负反馈足够深，,就可以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高,频信号。（,）,四、分析判断题,电路如图所示，判别下列反馈电路的交直流组态和极性。,交直流 电压并联正反馈,交直流 电流并联负反馈,1.,直流 电流串联负反馈 交直流 电压串联负反馈,2.,交直流 电流串联正反馈 交直流 电压并联正反馈,3.,交流 电压串联负反馈 交直流 电流串联正反馈,4.,交流 电压串联负反馈 交直流 电流并联负反馈,5.,交直流 电压串联负反馈 交直流 电流串联负反馈,6.,交直流 电压并联负反馈 交直流 电压串联正反馈,7.,交直流 电压并联负反馈 交直流 电流并联负反馈,8.,交直流 电流串联负反馈 交流 电压并联正反馈,9.,交直流 电压并联负反馈 交流 电流串联正反馈,10.,交直流 电压并联负反馈 交流 电压并联负反馈,11.,第六章 集成运算放大器基本应用电路,0,线性 非线性,虚断 虚短,4.,下图中图为输入方式比例运算电路,i,1,i,F,、,u,N,0,;,图为输入方式比例运算,电路,i,1,i,F,、,u,N,0,。,a,反相,b,同相,5.,单值电压比较器有个门限电压，迟滞电压比较器有个门限电压。,6.,电压传输特性如图所示，参考电压是,_V,，输出电压是,_V,；输入信号加在,_,输入端。,7.,迟滞电压比较器回差电压的大小与和,有关。,2,1,10,2,反相,U,TH1,U,TH2,B,A,A,A,B,B,A,A,C,B,三、判断题：,1.,运算电路中一般均引入负反馈。（,）,2.,在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（,）,3.,凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用,“,虚短,”,和,“,虚断,”,的概念。（,）,4.,处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运,算时，两个输入端对地的直流电阻需相等，才能防止,输入偏置电流带来的运算误差。（,）,5.,在反相求和电路中，集成运放的反相输入为虚地点，,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之和。,（,）,四、计算题,反相比例,双端输入方式,减法,电压跟随器,反相加法,15.,16.,单值电压比较,17.,单值电压比较,18.,u,P,u,N,u,N,u,P,-,U,O(sat),+,U,O(sat),迟滞电压比较,4V,-4V,6V,-6V,6V,4V,4V,-6V,-4V,-4V,-4V,-4V,4V,-4V,6V,-6V,6V,0,6V,-6V,19.,迟滞电压比较,u,P,20.,单值电压比较,21.,甲 乙 甲乙,输出 输出功率,大 高 小,P,O,P,E,P,V,40W,交越 无静态工作点,B,A,B,A,B,C,C,C,C,三,、判断题,1,、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。（）,2,、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）,3,、,由于功率放大电路中的晶体管也处于放大信号工作状态，所以也可采用微变等效电路方法。（）,四,、分析计算题,OTL,互补对称功放如图所示，试问：,1,）三极管,V,1,、,V,2,、,V,3,、,V,4,、,V,5,为那种工作类型？,2,）静态时，电容,C,两端电压应是多少？,调整哪个电阻能满足这一要求？,3,）动态时，如输出电压,u,O,出现图示的,波形，则为何种失真？应调整哪个,电阻？如何调整？,1)V,1,、,V,3,构成,NPN,型复合管；,V,2,、,V,4,构成,PNP,型复合管；,两复合管构成互补对称电路，,工作在甲乙类；,V,5,工作在甲类。,2)1/2V,CC,RP,1,3),交越失真,RP,2,，,将其增大,基本放大电路 反馈网络 选频网络 稳幅,RC LC,石英晶体,5.,图所示电路要组成一个正弦波振荡电路，填空回答下列问题,(1),电路的联接,；,；,；,。,(2),若要提高振荡频率可,_,。,（,A,、增大,R,；,B,、减小,C,；,C,、增大,R,1,；,D,、减小,R,2,）,(3),若振荡器输出正弦波失真应,_,。,(A,、增大,R,；,B,、增大,R,1,；,C,、增大,R,2,),7,5,8,6,B,B,二、选择题：,1,、正弦波振荡器一般由（）组成。,A.,基本放大电路和反馈网络,B.,基本放大电路和选,频网络，,C.,基本放大电路、反馈网络和选频网络。,2,、正弦波振荡电路的输出信号最初是由（）,中而来。,A.,基本放大电路,B.,干扰或噪音信号,C.,选频网络,3,、,正弦波振荡电路的振荡频率由,(),而定。,A.,基本放大电路,B.,反馈网络,C.,选频网络,C,B,C,4,、,RC,振荡电路如图所示，该电路的输出电压波,形为（）。,A,正弦波,B,矩形波,C,三角波,D,锯齿波,A,5,、,RC,正弦振荡电路中，设理想运放，和 阻,值适当，,则其振荡频率约,为（）。,A.15.9Hz B.159Hz C.999Hz D.99.9Hz,6,、在实验室要求正弦波发生器的频率是,10Hz,10kHz,应选用（）；电子设备中要求,，应选用（）；,某仪器要求正弦波振荡器的频率在,10MHz,20MHz,，可选用,(),A.RC,振荡器,B.LC,振荡器,C.,石英晶体振荡器,B,A,C,B,三、判断题：,1,、从结构上来看，正弦波振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。（）,2,、只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（）,3,、负反馈电路不可能产生振荡。（）,4,、在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈。（）,5,、自激振荡器中如没有选频网络，就不可能产生正弦波振荡。（）,四、分析计算题,1.,用瞬时极性法判断图所示各电路是否可能产生正弦,波振荡？说明理由。,2.,用瞬时极性法判断图所示各电路是否可能产生正弦 波振荡？,第九章 直流稳压电源,变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路,稳压管 限流电阻,采样环节 基准环节 比较放大环节 调整环节,0.02,26dB,C,B,3.,有四个稳压电源,:,根据以下要求，应该选取何种型式的稳压电源？,1),U,O,=6V,I,OMAX,=10mA,R,O,15,，应选用（）；,2),U,O,=+12V,I,Omax,=1A,，应选用（）；,3),U,O,=1.25V,，,I,Omax,=10mA,要求温度系数达到,2010,-6,，,应选用（）；,4),U,O,=+18V,，,I,O,=200mA,效率达到,90%,左右，应选用（）；,5),U,O,=3,24V,I,Omax,=50mA,，应选用（）；,6),U,I,=1.5V(,直流,),U,O,=5V(,直流,),输出电压温度系数,0.1,mV/,，应选用（）。,A,三端可调集成稳压器,B,单片三端稳压器,C,硅稳压管並联稳压电路,D,直流,/,直流变换器,E,微功耗基准电压二极管稳压电路,F,开关稳压器,C,B,E,F,A,D,I,R,I,Z,I,O,I,Z,=,I,R,-I,O,2.,某仪器需要一组直流输出电压，请根据学过的知识画出合适电路。具体要求是：输入电压,220V50H,Z,、输出电压和电流分别是,+12V/400mA,、,5V/10mA,。,3.,请将电路如图所示的元件正确连接起来组成一个电压可调的稳压电源。,第十章 晶闸管及其应用,1.,晶闸管与普通二极管、三极管在控制作用上有什么区别？,其导通与阻断的条件是什么？,2.,晶闸管导通后，通过晶闸管的电流大小与电路中哪些参数,有关？,3.,晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？,如果不同步触发对输出电压有什么影响？试分析第二十一,章应用一电路是怎样达到同步触发的？,4.,试分析图所示判别晶闸管好坏的方法和原理。,与输出电压和负载电阻的大小有关,5.,在电阻性负载单相桥式半控电路中，由交流,50H,Z,电压,220,伏,直接输入，,R,L,=5,。,问当导通角为,90,时，输出电压和输出电流的平均值多少？,6.,某一阻性负载，要求提供直流电压,80V,，直流电流,8A,，采用单,相半控桥式可控整流电路，直接用,50H,Z,220,伏的交流电源供,电。试计算晶闸管的控制角、导通角、输出电流平均值，画出,电路图，并选用合适的晶闸管和二极管的型号和规格。,7.,试分析图晶闸管触发电路的特点，并说明,IC,、,R,1,、,R,2,、,R,3,、,R,4,的作用。当,u,I,=0,时,R,L,上的电压为多少？,8.,试分析图,10-24,延时（,S,断开时灯半亮）熄灯开关电路的工作过程。,9.,选择填充,:,：图中双向晶闸管电路中的选择开关,S,在,1,位置时，在输入电压作用下,(VD,1,VD,2,),导通后触发双向晶闸管,VT,导通，负载电流从,(,左右,),到,(,左右,),。当选择开关,S,在,2,位置时，负载电流从,(,左右,),到,(,左右,),。,VT,起到,(,单向双向,),开关作用。,VD,1,右,右,左,左,双向,10.,在第二十一章应用五电路中请选择合适的双向晶闸管型,号和快速熔断器的电流定额。,11.,试找一个晶闸管的应用电路，简要说明工作原理。,12.,利用无源固态继电器，设计一个光控开关的应用装置，,并说明工作原理。,13.,请将下图给出的各种元器件正确地连接起来，以组成一,个大功率负载驱动电路。,应用篇练习题,1,该电路是温度测量电路，请回答下列问题：,1,）运放,A,组成什么功能电路？,2,）二极管,VD,在该电路中的作用，它有什么特点？,3,）电路中,RP,1,、,RP,2,分别调整哪两个参数？,4,）简述电路的功能。,反相比例运放,RP,1,调,0,0,C,时电压表,0V RP,2,调,100,0,C,时电压表指示,10V,2,如图所示，试回答下列问题。,1,）,A,1,、,A,2,各组成什么电路？,2,）,A,1,、,A,2,的电压增益各是多少？试计算；,3,）输出电压的相位与输入电流的方向如何？,4,）简述该电路的工作原理。,A,1,减法电路,A,2,反相比例运放,-1 -1000,同相,小电流检测电路,3.,应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分别为图中的,a,、,b,、,c,所示，设所用集成运放为理想，输出端所接的电压表的满量程为,5V,。,1),在,a,图中，若要得到,50V,、,10V,、,5V,、,1V,、,0.5V,五种电压量程，电阻,R,1,R,5,应取何值？,10M 2M 1M 200K 100K,3,.,应用运放可构成测量电压、电流