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第1章 自测题
一、填空题：
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区与 集电 区，有 发射 结与 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、因PN结具有 单向导电 性，当PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，其内、外电场方向 一样 。
4、二极管的伏安特性曲线可划分为四个区，分别是 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区与 反向击穿 区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中假设指针偏转较大，可判断及红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；及黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，假设两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。
6、BJT中，由于两种载流子同时参及导电因之称为双极型三极管，属于 电流 控制型器件；FET中，由于只有多子一种载流子参及导电而称为单极型三极管，属于 电压 控制型器件。
7、当温度升高时，二极管的正向电压 减小 ，反向电压 增大 。
8、稳压二极管正常工作应在 反向击穿 区；发光二极管正常工作应在 正向导通 区；光电二极管正常工作应在 反向截止 区。
9、晶闸管有阳极、 阴 极与 门控 极三个电极。
10、晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是 阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压 ，关断的条件是 晶闸管反偏或电流小于维持电流 。
二、判断以下说法的正确及错误：
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 〔 错 〕
2、双极型三极管与场效应管一样，都是两种载流子同时参及导电。 〔 错 〕
3、用万用表测试晶体管好坏与极性时，应选择欧姆档R×10k档位。 〔 错 〕
4、温度升高时，本征半导体内自由电子与空穴数目都增多，且增量相等。〔 对 〕
5、无论任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 〔 错 〕
6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。 〔 错 〕
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。 〔 错 〕
8、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成P型半导体。 〔 对 〕
9、双极型三极管的集电极与发射极类型一样，因此可以互换使用。 〔 错 〕
10、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。 〔 错 〕
三、单项选择题：
1、单极型半导体器件是〔 C 〕。
A、二极管 B、双极型三极管 C、场效应管 D、稳压管
2、P型半导体是在本征半导体中参加微量的〔 A 〕元素构成的。
A、三价 B、四价 C、五价 D、六价
3、在掺杂半导体中，多子的深度主要取决于〔 B 〕。
A、温度 B、掺杂浓度 C、掺杂工艺 D、晶体缺陷
4、稳压二极管正常工作区是〔 D 〕。
A、死区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是〔 A 〕而成。
A、多子扩散 B、少子扩散 C、多子漂移 D、少子漂移
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在〔 A 〕。
A、放大区 B、饱与区 C、截止区 D、反向击穿区
7、绝缘栅型场效应管的输入电流〔 C 〕。
A、较大 B、较小 C、为零 D、无法判断
8、当PN结未加外部电压时，扩散电流〔 C 〕漂移电流。
A、大于 B、小于 C、等于 D、负于
9、三极管超过〔 C 〕所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM B、集—射极间反向击穿电压U〔BR〕CEO
C、集电极最大允许耗散功率PCM D、管子的电流放大倍数
10、假设使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是〔 B 〕
A、发射结正偏、集电结正偏 B、发射结反偏、集电结反偏
C、发射结正偏、集电结反偏 D、发射结反偏、集电结正偏
四、简答题：
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③与管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②与③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原那么可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、齐纳击穿与雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？
答：齐纳击穿与雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。
4、图1所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。
u/V
ωt
0
ui
u0
10
5
答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui，当ui<E时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如以下图所示：
5、半导体二极管由一个PN构造成，三极管那么由两个PN构造成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管的内部构造条件，基区很薄，只能是几个微米，假设将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管〞是不会有电流放大作用的。
6、如果把三极管的集电极与发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极与发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极与发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2μAμA与5μA，在外加一样的电压时，电流分别是10mA、30mA与15mA。比拟而言，哪个二极管的性能最好？
答：二极管在外加一样的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B管的性能最好。
8、晶闸管及普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通与阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅与电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结与集电结都正偏时，它就会饱与导通，当发射极反偏或发射极与集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通与关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体构造，有阳极，阴极与门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通〔晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用〕；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压〔或电流〕减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
9、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不采用同步触发，对电路输出电压将产生什么影响？
答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发〞。只有当触发脉冲及主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻一样的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发〞起到可控导通作用。因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否那么由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。
五、计算分析题：
IC (mA)
UCE (V)
5
4
3
2
1
100μA
80μA
60μA
40μA
20μA
IB＝0
图2
0
1 2 3 4 5 6 7 8
A
ωt
C
2所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进展分析计算。
〔1〕UCE=3V，IB=60μA，IC=？
〔2〕IC=4mA，UCE=4V，ICB=？
〔3〕UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？
解：A区是饱与区，B区是放大区，C区是截止区。
2，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA；
2，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA与大于70μA；
〔3〕对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。
2、NPN型三极管的输入—3所示，当
〔1〕UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？
〔2〕IB=50μA，UCE=5V，IC=？
〔3〕UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB与IC的变化量，此时的
图3
IC (mA)
UCE (V)
10
8
6
4
2
100μA
80μA
60μA
40μA
20μA
IB＝0
0
1 2 3 4 5 6 7 8
〔b〕输出特性曲线
〔a〕输入特性曲线
IB (μA)
120
80
60
40
20
UBE (V)
0
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9

解：〔1〕由〔a〕所示输入特性曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)输出特性曲线查得IC≈3.6mA；
〔2〕由〔b〕输出特性曲线可查得此时IC≈5mA；
〔3〕由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80。
R1＝1kΩ
8V
VD
RL
1kΩ
＋
UO
－
＋
25V
－
IR
IL
3
3所示，其中R1是限流电阻，RL是负载电阻，稳压管的稳压值为8V，稳流值IZ＝5mA，IZmin＝2mA，PZM＝240mW，分析稳压二极管能否正常工作。
解：稳压管正常工作必须满足两个条件：一是被反向击穿，即稳压管两端所加反向电压大于或等于其稳定电压；二是击穿后，流过稳压管的电流必须满足IZmin< IZ< IZmax.
据此可先算出稳压管工作时的实际电压应是多少，当输入电压为图示25V时，
>UZ，稳压管被反向击穿。但流过稳压管的反向电流：流过稳压二极管的最大稳定电流：
符合：的正常工作条件，所以该稳压管可以起稳压作用，稳压值为8V。
4、5所示。稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流为IZmin=5mA，最大功耗PZM＝150 mW，求电路中限流电阻R的取值范围。
R
VD
＋
UO
－
＋
5
－
UI＝15V
解：由题意可知稳压管的最大稳定电流
流过稳压管的电流应满足：IZmin< IZ< IZmax
又因为：，由此可得限流电阻R的取值范围：
第2章 检测题 〔共100分，120分钟〕
一、填空题：
1、根本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路与 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的根本原那么是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、将放大器 输出信号 的全部或局部通过某种方式回送到输入端，这局部信号叫做 反应 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反应，称为 负 反应；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反应，称为 正 反应。放大电路中常用的负反应类型有 电压串联 负反应、 电流串联 负反应、 电压并联 负反应与 电流并联 负反应。
4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1， 输入信号 与 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高与 输出电阻 低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。假设采用分压式偏置电路，通过 反应环节 调节 适宜的基极电位 ，可到达改善输出波形的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 越大 越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越小 越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反应电阻RE的数值通常为 几十至几千欧 ，它不但能够对直流信号产生 负反应 作用，同样可对交流信号产生 负反应 作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱，一般在RE的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容CE 。
8、放大电路有两种工作状态，当ui＝0时电路的状态称为 静 态，有交流信号ui输入时，放大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下，晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量与 交流 分量。放大器的输入电阻越 大 ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越 小 ，放大器带负载能力就越强。
9、电压放大器中的三极管通常工作在 放大 状态下，功率放大器中的三极管通常工作在 极限 参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的 输出电压 ，而且要求电路中还要有足够大的 输出电流 ，以获取足够大的功率。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界 温度 及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做 零点 漂移。克制 零点 漂移的最有效常用电路是 差动 放大电路。
二、判断以下说法的正确及错误：
1、放大电路中的输入信号与输出信号的波形总是反相关系。 〔错〕
2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。 〔对〕
3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。 〔错〕
4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 〔对〕
5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 〔对〕
6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 〔错〕
7、微变等效电路不能进展静态分析，也不能用于功放电路分析。 〔对〕
8、共集电极放大电路的输入信号及输出信号，相位差为180°的反相关系。〔错〕
9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。 〔错〕
10、根本放大电路通常都存在零点漂移现象。 〔对〕
11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。 〔错〕
12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。 〔对〕
13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。 〔对〕
14、输出端交流短路后仍有反应信号存在，可断定为电流负反应。 〔对〕
15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱与失真。 〔错〕
16、放大电路的集电极电流超过极限值ICM，就会造成管子烧损。 〔错〕
17、共模信号与差模信号都是电路传输与放大的有用信号。 〔错〕
18、采用适当的静态起始电压，可到达消除功放电路中交越失真的目的。 〔对〕
19、射极输出器是典型的电压串联负反应放大电路。 〔对〕
三、选择题：
1、根本放大电路中，经过晶体管的信号有〔C〕。
A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。
2、根本放大电路中的主要放大对象是〔B〕。
A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，假设VB点电位过高，电路易出现〔B〕。
A、截止失真； B、饱与失真； C、晶体管被烧损。
4、共发射极放大电路的反应元件是〔B〕。
A、电阻RB； B、电阻RE； C、电阻RC。
5、功放首先考虑的问题是〔A〕。
A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的极限参数。
6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是〔A〕。
A、放大电路的电压增益； B、不失真问题； C、管子的工作效率。
7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的〔A〕
A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。
8、功放电路易出现的失真现象是〔C〕。
A、饱与失真； B、截止失真； C、交越失真。
9、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近〔B〕。
A、截止区； B、饱与区； C、死区。
10、射极输出器是典型的〔C〕。
A、电流串联负反应； B、电压并联负反应； C、电压串联负反应。
四、简答题：
1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？
答：RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。
2、放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？
答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号局部进入饱与区；Q点过低易使传输信号局部进入截止区，其结果都是信号发生失真。
RB2
RC
C1
C2
VT
＋VCC
＋
＋
〔a〕
RB2
RB1
C1
C2

＋VCC
＋
＋
〔b〕
图3 检测题.四.3电路图
RB2
RC
C1
C2
VT
－VCC
＋
＋
〔c〕
RB2
RC
C1
C2
VT
＋VCC
＋
＋
〔d〕
RB1
RB1
RE
CE
3、指出图3所示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。
答：〔a〕图缺少基极分压电阻RB1，造成VB=UCC太高而使信号进入饱与区发生失真，另外还缺少RE、CE负反应环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；
〔b〕图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时少RE、CE负反应环节；
〔c〕图中C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反应环节；
〔d〕图的管子是PNP型，而电路那么是按NPN型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN型管子即可。
4、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？〔4分〕
答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本与直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。
5、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微小的正向偏流，让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。那么，这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？〔4分〕
答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。
五、计算题：
＋25V
RC
RB1
C1
C2
＋
＋
ui
u0
图4 检测题五.1电路图

RB2
RE
CE
1、如图4所示分压式偏置放大电路中，RCkΩ，RB1＝40kΩ，RB2＝10kΩ，REkΩ，β=70。求静态工作点IBQ、ICQ与UCEQ。〔8分，图中晶体管为硅管〕
解：静态工作点为：
2、画出图4所示电路的微变等效电路，并对电路进展动态分析。要求解出电路的电压放大倍数Au，电路的输入电阻ri及输出电阻ro。〔9分〕
解：图4的微变等效电路如以下图所示。
ui
RB1
RB2
ii
ib
uo
βib
rbe
RC
动态分析：
ri=RB1// RB2// rbe=40000//10000//943≈843Ω r0=RCΩ
第3章 检测题 〔共100分，120分钟〕
一、填空题
1、假设要集成运放工作在线性区，那么必须在电路中引入 深度负 反应；假设要集成运放工作在非线性区，那么必须在电路中引入 正 反应或者在 开环工作 状态下。集成运放工作在线性区的特点是输入电流 等于零与 输出电阻 等于零；工作在非线性区的特点：一是输出电压只具有 两种 状态与净输入电流等于 零 ；在运算放大器电路中，集成运放工作在 线性 区，电压比拟器工作在 非线性 区。
2、集成运算放大器具有 同相 与 反相 两个输入端，相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输入与 双端 输入三种。
3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压 相等 ，称为 虚短 ；二是输入电流 等于零 ，称为 虚断 。
4、理想集成运放的Au0＝ ∞ ，ri＝ ∞ ，ro＝ 0 ，KCMR＝ ∞ 。
5、 反相 比例运算电路中反相输入端为虚地， 同相 比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。 同相 比例运算电路的输入电阻大， 反相 比例运算电路的输入电阻小。
6、 同相 比例运算电路的输入电流等于零， 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反应电阻中的电流。 同相 比例运算电路的比例系数大于1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于零。
7、 同相输入 运算电路可实现Au＞1的放大器， 反相输入 运算电路可实现Au＜0的放大器， 微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
8、 滞回 电压比拟器的基准电压UR＝0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次 跃变 ，这时的比拟器称为 过零 比拟器。
9、集成运放的非线性应用常见的有 单门限比拟器 、 滞回比拟器 与 方波 发生器。
10、 滞回 比拟器的电压传输过程中具有回差特性。
二、判断以下说法的正确及错误
1、电压比拟器的输出电压只有两种数值。 〔对〕
2、集成运放使用时不接负反应，电路中的电压增益称为开环电压增益。 〔错〕
3、“虚短〞就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。 〔对〕
4、“虚地〞是指该点及“地〞点相接后，具有“地〞点的电位。 〔错〕
5、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。 〔对〕
6、集成运放在开环状态下，输入及输出之间存在线性关系。 〔错〕
7、同相输入与反相输入的运放电路都存在“虚地〞现象。 〔错〕
8、理想运放构成的线性应用电路，电压增益及运放本身的参数无关。 〔错〕
9、各种比拟器的输出只有两种状态。 〔对〕
10、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。 〔对〕
三、选择题
1、理想运放的开环放大倍数Au0为〔A〕，输入电阻为〔A〕，输出电阻为〔B〕。
A、∞； B、0； C、不定。
2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是〔C〕。
A、扁平式； B、圆壳式； C、双列直插式。
3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是〔C〕。
A、反相放大器； B、差分放大器； C、电压比拟器。
4、理想运放的两个重要结论是〔B〕。
A、虚短及虚地； B、虚断及虚短； C、断路及短路。
5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是〔B〕。
A、正反应及负反应； B、线性及非线性； C、虚断与虚短。
6、〔B〕输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A、同相； B、反相； C、双端。
7、集成运放的线性应用存在〔C〕现象，非线性应用存在〔B〕现象。
A、虚地； B、虚断； C、虚断与虚短。
8、各种电压比拟器的输出状态只有〔B〕。
A、一种； B、两种； C、三种。
9、根本积分电路中的电容器接在电路的〔C〕。
A、反相输入端； B、同相输入端； C、反相端及输出端之间。
10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是〔B〕。
A、虚地； B、虚短； C、虚断。
四、简答题
1、集成运放一般由哪几局部组成？各局部的作用如何？〕
答：集成运放一般由输入级、输出级与中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数〔103～107〕，一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻与较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压与输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供适宜而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。
2、何谓“虚地〞？何谓“虚短〞？在什么输入方式下才有“虚地〞？假设把“虚地〞真正接“地〞，集成运放能否正常工作？
答：电路中某点并未真正接“地〞，但电位及“地〞点一样，称为“虚地〞；电路中两点电位一样，并没有真正用短接线相连，称为“虚短〞，假设把“虚地〞真正接“地〞，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有ii=if成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。
3、集成运放的理想化条件主要有哪些？
答：集成运放的理想化条件有四条：①开环差模电压放大倍数AU0=∞；②差模输入电阻rid=∞；③开环输出电阻r0=0；④共模抑制比KCMR=∞。
4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比拟器与滞回比拟器的输出电压各变化几次？
答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比拟器与滞回比拟器的输出电压均只跃变一次。
5、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？
答：同相端所接电阻起平衡作用。
1MΩ
∞
U0
10V
＋
＋
－
图3 检测题五5.1电路图
Rx
V
6、应用集成运放芯片连成各种运算电路时，为什么首先要对电路进展调零？
答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。
五、计算题
1、图3所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路，试写出被测电阻Rx及电压表电压U0的关系。〔10分〕
解：从电路图来看，此电路为一反相比例运算电路，因此：
2、图4所示电路中，R1＝2k，Rf＝5k，R2＝2k，R3＝18k，Ui
图4
＝1V，求输出电压UO。〔10分〕
解：此电路为同相输入电路。
3、图5所示电路中，电阻Rf ＝5R1，输入电压Ui＝5mV，求输出电压UO。〔10分〕

图5
解：UO1=Ui=5mV= Ui2，第二级运放是反向比例运算电路，所以：
第4章 检测题 〔共100分，120分钟〕
一、填空题
1、在时间上与数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上与数值上离散的信号叫做 数字 信号。
2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。
3、数字电路中，输入信号与输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最根本的关系是 及逻辑 、 或逻辑 与 非逻辑 。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 位权 不同。十进制计数各位的 基 是10， 位权 是10的幂。
5、 8421 BCD码与 2421 码是有权码； 余3 码与 格雷 码是无权码。
6、 进位制 是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求与 的方法。
7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。
8、十进制数转换为八进制与十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换的 二进制 数，按照 三位 一组转换成八进制；按 四位 一组转换成十六进制。
9、8421BCD码是最常用也是最简单的一种BCD代码，各位的权依次为 8 、 4 、
2 、 1 。8421BCD码的显著特点是它及 二进制 数码的4位等值 0～9 完全一样。
10、 原码 、 反码 与 补码 是把符号位与数值位一起编码的表示方法，是计算机中数的表示方法。在计算机中，数据常以 补码 的形式进展存储。
11、逻辑代数的根本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律与 非非 律。
12、最简及或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 及项 也最少。
13、卡诺图是将代表 最小项 的小方格按 相邻 原那么排列而构成的方块图。卡诺图的画图规那么：任意两个几何位置相邻的 最小项 之间，只允许 一位变量 的取值不同。
14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。
二、判断正误题
1、输入全为低电平“0〞，输出也为“0〞时，必为“及〞逻辑关系。 〔错〕
2、或逻辑关系是“有0出0，见1出1”。 〔错〕
3、8421BCD码、2421BCD码与余3码都属于有权码。 〔错〕
4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。 〔对〕
5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位不同。 〔错〕
6、是逻辑代数的非非定律。 〔错〕
7、卡诺图中为1的方格均表示一个逻辑函数的最小项。 〔对〕
8、原码转换成补码的规那么就是各位取反、末位再加1。 〔对〕
三、选择题
1、逻辑函数中的逻辑“及〞与它对应的逻辑代数运算关系为〔 B 〕。
A、逻辑加 B、逻辑乘 C、逻辑非
2．、十进制数100对应的二进制数为〔 C 〕。
A、 B、 C、 D、
3、与逻辑式表示不同逻辑关系的逻辑式是〔 B 〕。
A、 B、 C、 D、
4、数字电路中机器识别与常用的数制是〔 A 〕。
A、二进制 B、八进制 C、十进制 D、十六进制
5、[＋56]的补码是〔 D 〕。
A、00111000B B、11000111B C、01000111B D、01001000B
6、所谓机器码是指〔 B 〕。
A、计算机内采用的十六进制码 B、符号位数码化了的二进制数码
C、带有正负号的二进制数码 D、八进制数
四、简述题
1、数字信号与模拟信号的最大区别是什么？数字电路与模拟电路中，哪一种抗干扰能力较强？
答：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。
2、何谓数制？何谓码制？在我们所介绍范围内，哪些属于有权码？哪些属于无权码？
答：数制是指计数的进制，如二进制码、十进制码与十六进制码等等；码制是指不同的编码方式，如各种BCD码、循环码等。在本书介绍的范围内，8421BCD码与2421BCD码属于有权码；余3码与格雷码属于无权码。
3、试述补码转换为原码应遵循的原那么及转换步骤。
答：一般按照求负数补码的逆过程，数值局部应是最低位减1，然后取反。但是对二进制数来说，先减1后取反与先取反后加1得到的结果是一样的，因此也可以采用取反加1 的方法求其补码的原码。
4、试述卡诺图化简逻辑函数的原那么与步骤。
答：用卡诺图化简时，合并的小方格应组成正方形或长方形，同时满足相邻原那么。利用卡诺图化简逻辑函数式的步骤如下：
①根据变量的数目，画出相应方格数的卡诺图；
②根据逻辑函数式，把所有为“1〞的项画入卡诺图中；
③用卡诺圈把相邻最小项进展合并，合并时就遵照卡诺圈最大化原那么；
④根据所圈的卡诺圈，消除圈内全部互非的变量，每一个圈作为一个“及〞项，将各“及〞项相或，即为化简后的最简及或表达式。
五、计算题
1、用代数法化简以下逻辑函数〔12分〕
2、用卡诺图化简以下逻辑函数〔12分〕
3、完成以下数制之间的转换〔8分〕
①〔365〕10＝〔101101101〕2＝〔555〕8＝〔16D〕16
②〔11101.1〕2＝〔29.5〕10＝〔35.4〕8＝〔1D.8〕16
③〔〕10＝〔71.5〕8＝〔〕16
4、完成以下数制及码制之间的转换〔5分〕
①〔47〕10＝〔〕余3码＝〔01000111〕8421码
②〔3D〕16＝〔〕格雷码
5、写出以下真值的原码、反码与补码〔6分〕
①[＋36]＝[0 0100100B]原＝[0 1011011B ]反＝[0 1011100B]补
②[－49]＝[1 0110001B]原＝[1 1001110B]反＝[1 1001111B]补
第5章 检测题 〔共100分，120分钟〕
一、填空题
1、具有根本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最根本的有 及门 、 或门 与非门。
2、具有“相异出1，一样出0”功能的逻辑门是 异或 门，它的反是 同或 门。
3、数字集成门电路按 开关 元件的不同可分为TTL与CMOS两大类。其中TTL集成电路是 双极 型，CMOS集成电路是 单极 型。集成电路芯片中74LS系列芯片属于 双极 型集成电路，CC40系列芯片属于 单极 型集成电路。
4、功能为“有0出1、全1出0”的门电路是 或非 门；具有“ 有1出1，全0出0 ”功能的门电路是或门；实际中集成的 及非 门应用的最为普遍。
5、普通的TTL及非门具有 图腾 构造，输出只有 高电平“1〞 与 低电平“0〞 两种状态；经过改造后的三态门除了具有 “1〞 态与 “0〞 态，还有第三种状态 高阻 态。
6、使用三态