电容的种类及应用.docx

电容单位：转换系数均为1000
GF->MF->kF->F->mF->uF(UF/µF)->nF->pF
常见型号：
474J为470000pF，即0.47uF
104J为100000pF，即0.1uF
105J为1000000pf，即1uF

1. 电容种类
1.1 聚酯（涤纶）电容（CL）
Ø 符号：
Ø 电容量：40pF~4μF
Ø 额定电压：63~630V
Ø 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
Ø 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
1.2 聚苯乙烯电容（CB）
Ø 符号：
Ø 电容量：10pF~4μF
Ø 额定电压：100V~30KV
Ø 主要特点：稳定，低损耗，体积较大
Ø 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
1.3 聚丙烯电容（CBB）
Ø 符号：
Ø 电容量：1000pF~10μF
Ø 额定电压：63V~2000V
Ø 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
Ø 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
1.4 云母电容（CY）
Ø 符号：
Ø 电容量：10pF~0.1μF
Ø 额定电压：100V--7kV
Ø 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
Ø 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
1.5 高频瓷介电容（CC）
Ø 符号：
Ø 电容量：1~6800pF
Ø 额定电压：63V~500V
Ø 主要特点：高频损耗小，稳定性好
Ø 应用：高频电路
1.6 低频瓷介电容（CT）
Ø 符号：
Ø 电容量：10pF~4.7μF
Ø 额定电压：50V~100V
Ø 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
Ø 应用：要求不高的低频电路
1.7 玻璃釉电容（CI）
Ø 符号：
Ø 电容量：10p~0.1μF
Ø 额定电压：63V~400V
Ø 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
Ø 应用：脉冲、耦合、旁路等电路
1.8 铝电解电容
Ø 符号：
Ø 电容量：0.47μF~10000μF
Ø 额定电压：6.3V~450V
Ø 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
Ø 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
1.9 钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
Ø 符号：
Ø 电容量：0.1μF~1000μF
Ø 额定电压：6.3V~125V
Ø 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
Ø 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
1.10 空气介质可变电容器
Ø 符号：
Ø 可变电容量：100pF~1500pF
Ø 主要特点：损耗小，效率高；可根据
要求制成直线式、直线波长式、直线
频率式及对数式等
Ø 应用：电子仪器，广播电视设备等

1.11 薄膜介质可变电容器
Ø 符号：
Ø 可变电容量：15pF~550pF
Ø 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空
气介质的大
Ø 应用：通讯，广播接收机等
1.12 薄膜介质微调电容器
Ø 符号：
Ø 可变电容量：1pF~29pF
Ø 主要特点：损耗较大，体积小
Ø 应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
1.13 陶瓷介质微调电容器
Ø 符号：
Ø 可变电容量：0.3pF~22pF
Ø 主要特点：损耗较小，体积较小
Ø 应用：精密调谐的高频振荡回路

1.14 独石电容
Ø 符号：
Ø 电容量：0.5pF~1μF
Ø 主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
Ø 耐压：二倍额定电压。
Ø 应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
Ø 缺点：温度系数很高。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2μF，另一种叫II型，容量大，但性能一般。

2. 电容应用
就温漂而言：独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小. 就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.
2.1 铝电解电容与钽电解电容
铝电解电容的容体比较大，串联电阻较大，感抗较大，对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高（不高于25kHz）的场合，可用于低频滤波。铝电解电容具有极性，安装时必须保证正确的极性，否则有爆炸的危险。
与铝电解电容相比，钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势。但是，它的工作电压较低。
2.2 纸介电容和聚酯薄膜电容
其容体比较小，串联电阻小，感抗值较大。它适用于电容量不大、工作频率不高（如1MHz以下）的场合，可用于低频滤波和旁路。使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时，可把其外壳与参考地相连，以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响。
2.3 云母和陶瓷电容
其容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。
2.4 聚苯乙烯电容器
其串联电阻小，电感值小，电容量相对时间、温度、电压很稳定。它适用于要求频率稳定性高的场合，可用于高频滤波、旁路、去耦。
3. 贴片电容
单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册，命名方法可到AVX网站上找到。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
3.1 NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。表1给出了NPO电容器可选取的容量范围。
表1 NPO电容器可选取的容量范围
封装
DC=50V
DC=100V
0805
0.5~1000pF
0.5~820pF
1206
0.5~1200pF
0.5~1800pF
1210
560~5600pF
560~2700pF
2225
1000pF~0.033μF
1000pF~0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
3.2 X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。表2给出了X7R电容器可选取的容量范围。
 表2X7R电容器可选取的容量范围
封装
DC=50V
DC=100V
0805
330pF~0.056μF
330pF~0.012μF
1206
1000pF~0.15μF
1000pF~0.047μF
1210
1000pF~0.22μF
1000pF~0.1μF
2225
0.01μF ~1μF
0.01μF ~0.56μF
3.3 Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。表3给出了Z5U电容器的取值范围。
  表3Z5U电容器可选取的容量范围
封装
DC=25V
DC=50V
0805
0.01μF ~0.39μF
0.01μF ~0.1μF
1206
0.01μF ~1μF
0.01μF ~0.33μF
1210
0.01μF ~1.5μF
0.01μF ~0.47μF
2225
0.68μF ~2.2μF
0.68μF ~1.5μF

Z5U电容器的其他技术指标如下：
Ø 工作温度范围 +10℃ --- +85℃
Ø 温度特性 +22% ---- -56%
Ø 介质损耗最大 4% 
3.4 Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如表4所示。
  表4Y5V电容器可选取的容量范围
封装
DC=25V
DC=50V
0805
0.01μF ~0.12μF
0.01μF ~0.1μF
1206
0.01μF ~0.33μF
0.01μF ~0.27μF
1210
0.01μF ~0.68μF
0.01μF ~0.47μF
2225
0.01μF ~1μF
0.01μF ~1μF

Y5V电容器的其他技术指标如下：
Ø 工作温度范围-30℃ --- +85℃
Ø 温度特性 +22% ---- -82%
Ø 介质损耗最大5% 

4. 电容在电路中的作用
电容在电路中按功能作用可划分为多种类型，如滤波电容、旁路电容、耦合电容、去耦电路等。这一节将介绍各种类型的电容在电路中的作用。
4.1 滤波电容
整流电路虽然可将交流电变成直流电，但其脉动成分较大，在一些要求直流电平滑的场合是不适用的，需加上滤波电路，以减小整流后直流电中的脉动成分。 一般直流电中的脉动成分的大小用脉动系数来表示：

滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分，使输出的直流更平滑。滤波电容容量比较大，所以一般采用电解电容，在使用时要注意极性。
下面以全波整流电路中的滤波电容为例做分析。其滤波电路如图1所示，滤波原理如图2所示。
电容C并联于负载RL的两端，uL＝uC。在没有并入电容C之前，整流二极管在u2的正负半周交替导通，输出电压uL的波形如图2蓝线所示。并入电容之后，设在 ωt=0时接通电源，则当u2由零逐渐增大时，二极管导通，除有一电流iL流向负载以外还有一电流iC向电容C充电，充电电压uC的极性为上正下负。如忽略二极管的内阻，则uC可充到接近u2的峰值u2m。在u2达到最大值以后开始下降，此时电容器上的电压uC也将由于放电而逐渐下降。当u2＜uC时，二极管因反偏而截止，于是C以一定的时间常数通过RL按指数规律放电，uC下降。直到下半周，当u2＞uC时，二极管又导通。如此下去，使输出电压的波形如图2中红线所示。显然比未并电容C前平滑多了。

图1全波整流电容滤波电路

图2全波整流电容滤波电路工作时电流及电压的波形
从以上分析可以看出：
1. 加了电容滤波之后，输出电压的直流成分提高了，而脉动成分降低了。这都是由于电容的储能作用造成的。电容在二极管导通时充电（储能），截止时放电（将能量释放给负载），不但使输出电压的平均值增大，而且使其变得比较平滑了。
2. 电容的放电时间常数（τ＝RLC）愈大，放电愈慢，输出电压愈高，脉动成分也愈少，即滤波效果愈好。故一般C取值较大，RL也要求较大。实际中常按下式来选取C的值：
RLC≥（3～5＞T（半波）
RLC≥（3～5）T／2（全波、桥式）
3. 电容滤波电路中整流二极管的导电时间缩短了，即导通角小于180°。而且，放电时间常数越大，导通角越小。因此，整流二极管流过的是一个很大的冲击电流，对管子的寿命不利，选择二极管时，必须留有较大余量。
4. 电容滤波电路的外特性（指UL与IL之间的关系）和脉动特性（指S与IL之间的关系）比较差，如图3所示。可以看出输出电压UL和脉动系数S随着输出电流IL的变化而变化。当IL＝0（即RL= ∞ ）时，UL = U2（电容充电到最大值后不再放电），S = 0。当IL增大（即RL减小）时，由于电容放电程度加快而使UL下降，UL的变化范围在 U2～0.9 U2之间（指全波或桥式），S变大。所以，电容滤波一般适用于负载电流变化不大的场合。

图3电容滤波特性
5. 电容滤波电路输出电压的估算。如果电容滤波电路的放电时间常数按式上式（脉动系数）算的话，则输出电压分别为：
UL＝（0.9～1.0）U2（半波）
UL＝（1.1～1.2）U2（全波）
4.2 去耦（退耦）电容
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。
  电路系统中变化的电流对系统供电电源里的电源内阻起作用，从而导致电源向电路输出实际电压产生抖动。
如果从电源引出一个较小的电阻，该电阻串联一个电容到地，该阻容节点就可以为需要退耦的电子元器件供电了。虽然该阻容节点上的电位有所下降，但在该节点上的电压却会趋于稳定。这是RC积分网络的典型应用实例。该电容就是退耦电容。
有时我们从电路上看不到这个从电源引出的小电阻，那是因为有电路板铜箔在当作小电阻使用。
这就是去耦。由此可见，去耦是为了尽可能的获得稳定的供电电压的。主要是针对电源内阻而设置的，如果电源内阻为0，并且电路板铜箔电阻为0，那就真的不需要设置退耦回路了。
1、关于去耦电容蓄能作用的理解：
1） 去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。
而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。
     你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。
如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。
这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一。（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）
2） 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就
是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
2、关于去耦电容的容值：
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C="1"/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
4.3 旁路电容
旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。
  一个待处理的信号往往因其他各种因素（典型的如干扰）或多或少会夹杂有无用的成分，如果我们在该信号上并联一个适当的电容器到地，那么就能压缩比该有用信号的频率高的信号，而对该有用信号不压缩或压缩的少些。这样，有用的信号顺利通过，而无用的高频信号却被“旁路”到地了。这就是旁路名称的由来。
4.4 去耦电容和旁路电容的区别
   去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。（去耦是针对供电电源的）
旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。（旁路是针对待处理的信号）。
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
     在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。

图4去耦电容和旁路电容

电容分类特性
1、聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
2、聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
3、聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4、云母电容（CY）
电容量：10p--0。1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
5、高频瓷介电容（CC）
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
6、低频瓷介电容（CT）
电容量：10p--4.7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
7、玻璃釉电容（CI）
电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
8、空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
9、薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
10、薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
11、陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0。3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
12、独石电容
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压
主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高
应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫
II型，容量大，但性能一般。
13、铝电解电容
电容量：0.47--10000u
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
14、钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
电容量：0.1--1000u
额定电压：6.3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容摘录电解电容厂家的“铝电解电容器适用指南”如下：
一.电路设计
（4）铝电解电容分正负极，不得加反向电压和交流电压，对可能出现反向电压的地方应使
用无极性电容。
（5）对需要快速充放电的地方，不应使用铝电解电容器，应选择特别设计的具有较长寿命
的电容器。
（6）不应使用过载电压
1.直流电压与纹波电压叠加后的峰值电压低于额定值。
2.两个以上电解电容串联的时候要考虑使用平衡电阻器，使得各个电容上的电压在其额定的
范围内。
（9）设计电路板时，应注意电容齐防爆阀上端不得有任何线路，，并应留出2mm以上的空
隙。
（10）电解也主要化学溶剂及电解纸为易燃物，且电解液导电。当电解液与pc板接触时，
可能腐蚀pc板上的线路。，以致生烟或着火。因此在电解电容下面不应有任何线路。
（11）设计线路板向背应确认发热元器件不靠近铝电解电容或者电解电容的下面。
各类电容比较
①铝电解电容与钽电解电容
铝电解电容的容体比较大，串联电阻较大，感抗较大，对温度敏感。它适用于温度变化不
大、工作频率不高（不高于25kHz）的场合，可用于低频滤波。铝电解电容具有极性，安装
时必须保证正确的极性，否则有爆炸的危险。
与铝电解电容相比，钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优
势。但是，它的工作电压较低。
②纸介电容和聚酯薄膜电容
其容体比较小，串联电阻小，感抗值较大。它适用于电容量不大、工作频率不高（如1MHz
以下）的场合，可用于低频滤波和旁路。使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时，可把其
外壳与参考地相连，以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响。
③云母和陶瓷电容
其容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频
率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压
脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。
④聚苯乙烯电容器
其串联电阻小，电感值小，电容量相对时间、温度、电压很稳定。它适用于要求频率稳定性
高的场合，可用于高频滤波、旁路、去耦。
就温漂而言，独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温
漂降到很小。
就价格而言，钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.
云母电容Q值较高，价格也稍贵。各种电容的优缺点

第1幅

图1 胆电容。图2 灯具电容器。 图3 MKPH电容。具有镀特殊金属成分的聚丙烯膜PPMh MKPh，它的目的是支持自愈性能并减少介质损耗。图4 MET电容。图5，10 PEI电容，PEI膜(聚醚酰亚胺树脂）为原料研制的高耐热工程塑料薄膜。具有更强的抗溶解性、抗应力裂变和耐热性。它是一种耐热绝缘材料，适合需要抗溶解性的应用。PEI 厚度:0.01-10mm
图6，胆贴片电容。图7 MPE电容。金属化聚酯膜叠片电容器.产品结构描述：无感结构，用金属化聚酯薄膜作为电介质/电极卷绕而成，导线采用镀锡铜线包钢线，使用环氧树脂包封。特点：容量范围宽，体积小，自愈性强，寿命长，具有电性能优良，可靠性好，耐高温，适用于仪表仪器、家用电器线路中作直流脉动、脉冲用，特别适用于各种类型的节能灯和电子整流器。
图8贴片电容。图11 轴向电解电容器。图12 MPP电容

第2幅

图1 PPN电容。图2 PET电容。图3 MEA电容 图4MPB 电容。图5 PPT 电容。图6 MPT电容。图7电解电容器。图8 MET电容。图9 MKPH电容。图10，11电机用电容。图12 MKS电容。

第3幅：

图1 MKS电容。图2 瓷片电容。图3 ，4 MKP电容。图5 贴片电解电容。图6 史普瑞电容 Sprague Orange Drop Capacitors。图7 电机用电容。图8 MKT电容。 图9陶瓷电容。

第4幅：

图1 MKS电容。图3，8 云母电容。图4 MPP电容。图5 MKP电容。图9 MEP电容。图10 MPP电容。图11 PPN电容。图12 PEI电容。

第5幅：

图1，2，3，陶瓷电容器。图4 色环陶瓷电容。图5，10，11，电机起动及运行电容器。图12充放电用电容

第6幅：

图1 双连调谐电容。图2微调电容。图3 四连调谐电容。图4 单连调谐电容

电容分类介绍1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等.
2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率.
如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF
3、电容容量误差表
符 号 F G J K L M
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.
6使用寿命:电容器的使用寿命随温度的增加而减小.主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化.   
7绝缘电阻:由于温升引起电子活动增加,因此温度升高将使绝缘电阻降低.   
电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构.以下附表列出了常见电容器的字母符号.
名称：聚酯（涤纶）电容（CL）*符号：
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
*名称：聚苯乙烯电容（CB）*
符号：
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
*名称：聚丙烯电容（CBB）*符号：
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
*名称：云母电容（CY）*符号：
电容量：10p--0.1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
*名称：高频瓷介电容（CC）*
符号：
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
*名称：低频瓷介电容（CT）*
符号：
电容量：10p--4.7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
*名称：玻璃釉电容（CI）*符号：
电容量：10p--0.1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
*名称：铝电解电容*符号：
电容量：0.47--10000u
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：
电容量：0.1--1000u
额定电压：6.3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
**名称：空气介质可变电容器**符号：
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
**名称：薄膜介质可变电容器**符号：
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
**名称：薄膜介质微调电容器**符号：
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
**名称：陶瓷介质微调电容器**符号：
可变电容量：0.3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
**名称：独石电容**最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.
独石电容的特点：
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等.
应用范围：
广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.
容量范围：
0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压.
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般.

就温漂而言:
独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.
就价格而言:
钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵. 

贴片陶瓷电容

涤纶电容

电容种类(据用途划分)
1、 滤波电容
  它并接在电路正负极之间,把电路中无用的交流电流去掉,一般采用大容量电解电容器,也有采用其他固定电容器的.
2、退耦电容
  并接于电路正负极之间,可防止电路通过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振荡.
3 、耦合电容
  连接于信号源和信号处理电路或两级放大器之间,用以隔断直流电,让交流电或脉动信号通过,使相信的放大器直流工作点互不影响.
4、旁路电容
  并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用电信为交直流信号中的交流或脉动信号设置一条通路,避免交流成分在通过电阻时产生压降.
5、中和电容
  连接于三极管基极与集电极之间,用于克服三极管极间电容而引起的自激振荡.
6、槽路电容(调谐电容)
  连接于谐振电路或振荡电路线圈两端的电容.
7、垫整电容
  在电路在能使振荡信号的频率范围减小,而且显著提高低频端振荡频率的电容,它是与槽路主电容串联的.
8、补偿电容
  在振荡电路中,能使振荡信号的频率范围得到扩大的电容,它与主电容并联起辅助作用.
9、逆程电容
  并接在行输出管集电极与发射极之间,用来产生行扫描锯齿波逆程的电容.
10、自举升压电容
  利用其储能来提升电路由某的电位,使其电位值高于为该点供电的电源电压.
11、“S”校正电容
  串接于偏转线圈回路中,用于校正两边延伸失真.
12、稳频电容
  在振荡电路中,用来稳定振荡频率的电容.
13、定时电容
  在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短的电容.
14、降压限流电容
  串接于交流电路中用于它对交流电的容抗进行分压限流.
15、缩短电容
  这种电容是在UHF高频头中为了缩短振荡电感的长度而串接的电容.
16、克拉泼电容
  在电容三点式振荡电路中,串接在振荡电感线圈的电容,为了水运晶体管结电容的影响,提高频率稳定性.
17、锡拉电容
  在电容三点式振荡电路中,并接在振荡电感线圈两端的电容,为了消除晶体管结电容的影响,使其振荡频率越就越容易起振.
18、加速电容
  接在振荡反馈电路中,使正反馈过程加速,提高振荡幅度.
19、预加重电容
  为了防止音频调制信号在调制时可能使高频分量产生衰减或丢失,而适当提升高频分量的RC网络中的电容.
20、去加重电容
  对音频信号中经预加提升的那部分高频分量连同噪音一起衰减掉,恢复伴音信号的本来面貌的RC网络中的电容.
21、稳幅电容
  在鉴频器中,用来稳定输出信号幅度.
22、消亮点电容
  在显像管附属电路中,用以消除关机亮点的电容.
23、移相电容
  用来改变交流电信号相位的电容.
24、反馈电容
  跨接于放大器的输入与输出端用来反馈信号的电容
25、软启动电容
  通常接在电源开关管基极的,防止开机时加在开关基极的浪涌电流或电压太大而损坏开关管.
26、启动电容
  串接于单相电机副绕组,为电机副绕组提供启动用的移相交流电流,电机运转正常时与副绕组断开.
27、运转电容
  串接于单相电机副绕组,为电机副绕组提供移相交流电流,电机运转正常时与副绕组仍串于电路中.

电容的种类和用途
纸介电容用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料（如火漆、陶瓷、玻璃釉等）壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是有固有电感和损耗都比较大，用于低频比较合适。
云母电容用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。陶瓷电容用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但是损耗和温度系数较大，适宜用于低频电路。薄膜电容结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。金属化纸介电容结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大，一般用在低频电路中。油浸纸介电容它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较