第三章-数字电子技术基础第五版-阎石、王红、清华大学PPT课件.ppt

数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版数字数字电电子技子技术术基基础础（第五版）（第五版）教学教学课课件件清清华华大学大学 阎阎石石 王王红红联联系地址：清系地址：清华华大学大学 自自动动化系化系邮邮政政编码编码：100084100084电电子信箱：子信箱：wang_wang_联联系系电话电话：[phone](010)62792973数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版补：半导体基础知识数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半半导导体基体基础础知知识识（1 1）本征半本征半导导体：体：纯净纯净的具有晶体的具有晶体结结构的半构的半导导体。体。常用：硅常用：硅SiSi，锗锗GeGe两种两种两种两种载载流子流子流子流子数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半半导导体基体基础础知知识识（2 2）杂质杂质半半导导体体 N N型半型半导导体体多子：自由多子：自由电电子子少子：空穴少子：空穴数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半半导导体基体基础础知知识识（2 2）杂质杂质半半导导体体 P P型半型半导导体体多子：空穴多子：空穴少子：自由少子：自由电电子子数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半半导导体基体基础础知知识识（3 3）PN结的形成空间电荷区（耗尽层）扩散和漂移数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半导体基础知识（4）PNPN结结的的单单向向导电导电性性外加外加正向正向电压电压数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半导体基础知识（4）PNPN结结的的单单向向导电导电性性外加外加反向反向电压电压数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版半导体基础知识（5）PNPN结结的伏安特性的伏安特性正向正向导导通区通区反向截止区反向截止区反向反向击击穿区穿区K K:波耳波耳兹兹曼常数曼常数T T:热热力学温度力学温度q q:电电子子电电荷荷数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版第三章 门电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.1 3.1 概述概述门电门电路：路：实现实现基本运算、复合运算的基本运算、复合运算的单单元元电电路，如路，如与与门门、与非、与非门门、或、或门门 门电门电路中以高路中以高路中以高路中以高/低低低低电电平表平表平表平表示示示示逻辑逻辑状状状状态态的的的的1/01/0数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版获获得高、低得高、低电电平的基本原理平的基本原理高高/低低电电平都允平都允许许有有一定的一定的变变化范化范围围数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版正正逻辑逻辑：高：高电电平表示平表示1 1，低，低电电平表示平表示0 0负逻辑负逻辑：高：高电电平表示平表示0 0，低，低电电平表示平表示1 1数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.2半导体二极管门电路半半导导体二极管的体二极管的结结构和外特性构和外特性（DiodeDiode）二极管的二极管的结结构：构：PNPN结结 +引引线线 +封装构成封装构成P PN N数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.2.13.2.1二极管的开关特性：二极管的开关特性：高高电电平：平：V VIHIH=V=VCCCC低低电电平：平：V VILIL=0 =0 V VI I=V=VIHIH D D截止，截止，V VO O=V=VOHOH=V=VCCCC V VI I=V=VILIL D D导导通，通，V VO O=V=VOLOL=0.7V=0.7V数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二极管的开关等效二极管的开关等效电电路：路：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二极管的二极管的动态电动态电流波形：流波形：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.2.2 3.2.2 二极管与二极管与门门设设V VCCCC=5V=5V加到加到加到加到A,BA,B的的的的 V VIHIH=3V=3V V VILIL=0V=0V二极管二极管二极管二极管导导通通通通时时 V VDFDF=0.7V=0.7VA AB BY Y0V0V0V0V0.7V0.7V0V0V3V3V0.7V0.7V3V3V0V0V0.7V0.7V3V3V3V3V3.7V3.7VA AB BY Y0 00 00 00 01 10 01 10 00 01 11 11 1规规定定3V3V以上以上为为1 10.7V0.7V以下以下为为0 0数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.2.3 3.2.3 二极管或二极管或门门设设V VCCCC=5V=5V加到加到加到加到A,BA,B的的的的 V VIHIH=3V=3V V VILIL=0V=0V二极管二极管二极管二极管导导通通通通时时 V VDFDF=0.7V=0.7VA AB BY Y0V0V0V0V0V0V0V0V3V3V2.3V2.3V3V3V0V0V2.3V2.3V3V3V3V3V2.3V2.3VA AB BY Y0 00 00 00 01 11 11 10 01 11 11 11 1规规定定2.3V2.3V以上以上为为1 10V0V以下以下为为0 0数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二极管构成的二极管构成的门电门电路的缺点路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.3 CMOS门电路3.3.1MOS3.3.1MOS管的开关特性管的开关特性一、一、MOSMOS管的管的结结构构S(Source)S(Source)：源极：源极G(Gate)G(Gate)：栅栅极极D(Drain)D(Drain)：漏极：漏极B(Substrate):B(Substrate):衬衬底底金属金属层层氧化物氧化物层层半半导导体体层层PNPN结结数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版以以N N沟道增沟道增强强型型为为例：例：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版以以N N沟道增沟道增强强型型为为例：例：当加当加+V+VDSDS时时，V VGSGS=0=0时时，D-SD-S间间是两个背向是两个背向PNPN结结串串联联，i iD D=0=0加上加上+V+VGSGS，且足，且足够够大至大至V VGS GS VVGS(th)GS(th),D-S,D-S间间形成形成导电导电沟道沟道（N N型型层层）开启开启电压电压数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、输输入特性和入特性和输输出特性出特性输输入特性：直流入特性：直流电电流流为为0 0，看，看进进去有一个去有一个输输入入电电容容C CI I，对动态对动态有影响。有影响。输输出特性：出特性：i iD D=f(V=f(VDSDS)对应对应不同的不同的V VGSGS下得一族曲下得一族曲线线 。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版漏极特性曲漏极特性曲线线（分三个区域）（分三个区域）截止区截止区恒流区恒流区可可变电变电阻区阻区数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版漏极特性曲漏极特性曲线线（分三个区域）（分三个区域）截止区：截止区：V VGSGSV 10 109 9 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版漏极特性曲漏极特性曲线线（分三个区域）（分三个区域）恒流区：恒流区：i iD D 基本上由基本上由V VGSGS决定，与决定，与V VDS DS 关系不大关系不大数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版漏极特性曲漏极特性曲线线（分三个区域）（分三个区域）可可变电变电阻区：当阻区：当V VDS DS 较较低（近似低（近似为为0 0），），V VGS GS 一定一定时时，这这个个电电阻受阻受V VGS GS 控制、可控制、可变变。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、MOSMOS管的基本开关管的基本开关电电路路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版四、等效四、等效电电路路OFF OFF，截止状，截止状态态 ONON，导导通状通状态态数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版五、五、MOSMOS管的四种管的四种类类型型增增强强型型耗尽型耗尽型大量正离子大量正离子导电导电沟道沟道数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.3.2 CMOS3.3.2 CMOS反相器的反相器的电电路路结结构和工作原理构和工作原理一、一、电电路路结结构构数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、电压电压、电电流流传输传输特性特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、输输入噪声容限入噪声容限数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版结论结论：可以通：可以通过过提高提高V VDDDD来提高噪声容限来提高噪声容限数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.3.3 CMOS 3.3.3 CMOS 反相器的静反相器的静态输态输入和入和输输出特性出特性一、一、输输入特性入特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、输输出特性出特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、输输出特性出特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.3.4 CMOS3.3.4 CMOS反相器的反相器的动态动态特性特性一、一、传输传输延延迟时间迟时间数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、交流噪声容限二、交流噪声容限三、三、动态动态功耗功耗数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、动态动态功耗功耗数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.3.5 3.3.5 其他其他类类型的型的CMOSCMOS门电门电路路一、其他一、其他逻辑逻辑功能的功能的门电门电路路1.1.与非与非门门 2.2.或非或非门门 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版带缓带缓冲极的冲极的CMOSCMOS门门1 1、与非、与非门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版带缓带缓冲极的冲极的CMOSCMOS门门2.2.解决方法解决方法数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、漏极开路的二、漏极开路的门电门电路（路（ODOD门门）数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、CMOSCMOS传输门传输门及双向模及双向模拟拟开关开关1.1.传输门传输门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版2.2.双向模双向模拟拟开关开关数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版四、三四、三态输态输出出门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三三态门态门的用途的用途数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版双极型三极管的开关特性双极型三极管的开关特性（BJT,Bipolar Junction TransistorBJT,Bipolar Junction Transistor）3.5 TTL3.5 TTL门电门电路路3.5.1 3.5.1 半半导导体三极管的开关特性体三极管的开关特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版一一、双极型三极管的双极型三极管的结结构构管芯管芯 +三个引出三个引出电电极极 +外壳外壳数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版基区薄基区薄低低掺杂掺杂发发射区射区高高掺杂掺杂集集电电区区低低掺杂掺杂数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版以以NPNNPN为为例例说说明工作原理：明工作原理：当当V VCCCC V VBBBB be be 结结正偏正偏,bc,bc结结反偏反偏 e e区区发发射大量的射大量的电电子子 b b区薄，只有少量的区薄，只有少量的空穴空穴 bcbc反偏，大量反偏，大量电电子子形成形成I IC C数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二二、三极管的三极管的输输入特性和入特性和输输出特性出特性 三极管的三极管的输输入特性曲入特性曲线线（NPNNPN）V VONON ：开启：开启电压电压 硅管，硅管，0.5 0.7V0.5 0.7V 锗锗管，管，0.2 0.3V0.2 0.3V 近似近似认为认为:V VBE BE V 0.7V 0.7V以后，基本以后，基本为为水平直水平直线线数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版 特性曲特性曲线线分三个部分分三个部分放大区：条件放大区：条件V VCE CE 0.7V,i 0.7V,iB B 0,i 0,iC C随随i iB B成正比成正比变变化，化，i iC C=i iB B。饱饱和区：条件和区：条件V VCE CE 0.7V,i0,V 0,VCE CE 很低，很低，i iC C 随随 i iB B增加增加变变缓缓，趋趋于于“饱饱和和”。截止区：条件截止区：条件V VBE BE=0V,i=0V,iB B=0,i=0,iC C=0,ce=0,ce间间“断开断开”。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、双极型三极管的基本开关三、双极型三极管的基本开关电电路路只要参数合理：只要参数合理：只要参数合理：只要参数合理：V VI I=V=VILIL时时，T T截止，截止，截止，截止，V VOO=V=VOHOHV VI I=V=VIHIH时时，T T导导通，通，通，通，V VOO=V=VOLOL数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版工作状工作状态态分析：分析：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版图图解分析法：解分析法：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版四、三极管的开关等效四、三极管的开关等效电电路路截止状截止状态态饱饱和和导导通状通状态态数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版五、动态开关特性从二极管已知，从二极管已知，PNPN结结存在存在电电容效容效应应。在在饱饱和与截止两个和与截止两个状状态态之之间转换时间转换时，i iC C的的变变化将滞后于化将滞后于V VI I，则则V VOO的的变变化也化也滞后于滞后于V VI I。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版六六 、三极管反相器三极管反相器三极管的基本开关三极管的基本开关电电路就是非路就是非门门实际应实际应用中，用中，为为保保证证VI=VVI=VILIL时时T T可靠截止，常在可靠截止，常在 输输入接入入接入负压负压。参数合理？参数合理？参数合理？参数合理？V VI I=V=VILIL时时，T T截止，截止，截止，截止，V VOO=V=VOHOHVI=VIHVI=VIH时时，T T截止，截止，截止，截止，V VOO=V=VOLOL数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版例例3.5.13.5.1：计计算参数算参数设计设计是否合理是否合理5V5V-8V8V3.3K3.3K10K10K1K1K=20=20V VCECE(sat)=0.1V(sat)=0.1VV VIHIH=5V=5VV VILIL=0V=0V数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版例例3.5.13.5.1：计计算参数算参数设计设计是否合理是否合理将将发发射极外接射极外接电电路化路化为为等效的等效的V VB B与与R RB B电电路路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版当当当当又又因此，参数因此，参数设计设计合理合理数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.5.2 TTL3.5.2 TTL反相器的反相器的电电路路结结构和工作原理构和工作原理一、一、电电路路结结构构设设 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、电压传输电压传输特性特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、电压传输电压传输特性特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、二、电压传输电压传输特性特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版需要需要说说明的几个明的几个问题问题：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、输输入噪声容限入噪声容限数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.5.3 TTL3.5.3 TTL反相器的静反相器的静态输态输入特性和入特性和输输出特性出特性例：扇出系数（例：扇出系数（Fan-outFan-out），），试计试计算算门门G1G1能能驱动驱动多少个同多少个同样样的的门电门电路路负载负载。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版输输入入数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版输输出出数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.5.4 TTL3.5.4 TTL反相器的反相器的动态动态特性特性一、一、传输传输延延迟时间迟时间1 1、现现象象数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、交流噪声容限二、交流噪声容限（b b）负负脉冲噪声容限脉冲噪声容限（a a）正正脉冲噪声容限脉冲噪声容限 当当输输入信号入信号为为窄脉冲，且接近于窄脉冲，且接近于t tpdpd时时，输输出出变变化跟不上，化跟不上，变变化很小，因此交流噪声容限化很小，因此交流噪声容限远远大于直流噪声容限。大于直流噪声容限。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三、电电源的源的动态动态尖峰尖峰电电流流数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版2 2、动态动态尖峰尖峰电电流流数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3.5.53.5.5其他其他类类型的型的TTLTTL门电门电路路一、其他一、其他逻辑逻辑功能的功能的门电门电路路1.1.与非与非门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版2.2.或非或非门门3.3.与或非与或非门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版4.4.异或异或门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、集二、集电电极开路的极开路的门电门电路路1 1、推拉式、推拉式输输出出电电路路结结构的局限性构的局限性 输输出出电电平不可平不可调调 负载负载能力不能力不强强，尤其是高，尤其是高电电平平输输出出 输输出端不能并出端不能并联联使用使用 OCOC门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版2 2、OCOC门门的的结结构特点构特点数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版OCOC门实现门实现的的线线与与数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3 3、外接、外接负载电负载电阻阻R RL L的的计计算算数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3 3、外接、外接负载电负载电阻阻R RL L的的计计算算数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版3 3、外接、外接负载电负载电阻阻R RL L的的计计算算数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、三三、三态输态输出出门门（Three state Output Gate,TSThree state Output Gate,TS）数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三三态门态门的用途的用途数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版一、高速系列一、高速系列74H/54H 74H/54H （High-Speed TTLHigh-Speed TTL）1.1.电电路的改路的改进进(1)(1)输输出出级级采用复合管（减小采用复合管（减小输输出出电电阻阻RoRo）(2)(2)减少各减少各电电阻阻值值2.2.性能特点性能特点速度提高速度提高 的同的同时时功耗也增加功耗也增加 2.4.5 TTL2.4.5 TTL电电路的改路的改进进系列系列（改（改进进指指标标：)数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版二、肖特基系列二、肖特基系列74S/54S74S/54S（Schottky TTLSchottky TTL）1.1.电电路改路改进进(1)(1)采用抗采用抗饱饱和三极管和三极管(2)(2)用有源泄放用有源泄放电电路代替路代替74H74H系列中的系列中的R3R3(3)(3)减小减小电电阻阻值值2.2.性能特点性能特点速度速度进进一步提高，一步提高，电压传输电压传输特性没有特性没有线线性区，功耗增大性区，功耗增大数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、低功耗肖特基系列三、低功耗肖特基系列74LS/54LS 74LS/54LS（Low-Power Schottky TTLLow-Power Schottky TTL）四、四、74AS,74ALS 74AS,74ALS（Advanced Low-Power Schottky TTLAdvanced Low-Power Schottky TTL）2.5 2.5 其他其他类类型的双极型数字集成型的双极型数字集成电电路路*DTLDTL：输输入入为为二极管二极管门电门电路，速度低，已路，速度低，已经经不用不用HTLHTL：电电源源电压电压高，高，VthVth高，抗干高，抗干扰扰性好，已被性好，已被CMOSCMOS替代替代ECLECL：非：非饱饱和和逻辑逻辑，速度快，用于高速系，速度快，用于高速系统统I I2 2L L：属：属饱饱和和逻辑逻辑，电电路路简单简单，用于，用于LSILSI内部内部电电路路 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第五版第五版第五版第五版三、低功耗肖特基系列三、低功耗肖特基系列74LS/54LS 74LS/54LS（Low-Power Schottky TTLLow-Power Schottky TTL）四、四、74AS,74ALS 74AS,74ALS（Advanced Low-Power Schottky TTLAdvanced Low-Power Schottky TTL）2.5 2.5 其他其他类类型的双极型数字集成型的双极型数字集成电电路路*DTLDTL：输输入入为为二极管二极管门电门电路，速度低，已路，速度低，已经经不用不用HTLHTL：电电源源电压电压高，高，VthVth高，抗干高，抗干扰扰性好，已被性好，已被CMOSCMOS替代替代ECLECL：非：非饱饱和和逻辑逻辑，速度快，用于高速系，速度快，用于高速系统统I I2 2L L：属：属饱饱和和逻辑逻辑，电电路路简单简单，用于，用于LSILSI内部内部电电路路