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第二章 半导体二极管及其基本电路习题一、选择判断题1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_ 载流子。A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_。A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴4、N型半导体中的多子是_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子5、P型半导体中的多子是_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与7、当PN结外加反向电压时，扩散电流_漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ ）。 a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变10、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性11、二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（ ）。 a：10A b：15A c：20A d：40A 12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ ）。 a：正向运用 b：反向运用二、计算题DRE+-uo+-ui1、如图所示的电路图中，E=5V，ui=10sintV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压uo的波形。2、如图所示的电路图中，E=5V，ui=10sintV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压uo的波形。DRE+-uo+-ui3、如图所示的电路中，已知ui=30sintV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压的波形。4、如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y的电位VY及各元件（R，DA，DB）中通过的电流；（1）VA=VB=0V；（2）VA=+3V，VB=0V； ABDADBR+12V3.9kY5、如图所示电路中，试求下列几种情况下输出端电位VY及各元件中通过的电流：（1）VA=+10V，VB=0V；（2）VA=+6V，VB=+5.8V； VAVB1k1kDADBVYR9k6、如图所示电路中，E=20V，R1=900，R2=1100。稳压管D2的稳定电压UZ=10V，最大稳定电流IZM=8mA。试求稳压管中通过的电流IZ；问IZ是否超过IZM？如果超过，怎么办？ IzR1R2Dz+-E第二章 半导体二极管及其基本电路习题答案一、1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B8（a）； 9（c）； 10（b） ；11（c）； 12（b）二、uo=uiuR=uD+E uiE，二极管导通，uo=E； uiE，二极管截止，uo=ui。三、uiE，二极管截止，uo=ui； uiE，二极管导通，uo=E。四、uo=uD；在ui正半周时，uD0；在ui负半周时，uD=ui。波形图如图所示。2t0uo五、（1）当VA=VB=0V时，二极管DA和DB均导通，电阻中电流两只二极管中电流为。（2）VA=+3V，VB=0V时，B点电位较低，DB首先导通，使VY=0V，DA反向截止，将VA隔离。六、（1）当VA=+10V，VB=0V时，DA导通，DB反向截止。（2）VA=+6V，VB=+5.8V时，DA首先导通，使，DB两端电压为+0.4V，因正向电阻为0，故DB也导通，于是可用结点电压法求得实际的VY为 七、电阻R1中电流为电阻R2中电流为，稳压管中电流为，如果IZ超过IZM，应加大电阻R1；也可减小电阻R2。但R2一般是负载电阻，不能随意改变，若R1不能变，就应限制R2的最大值，或另选稳压管。