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加压浸出砷滤饼制备单质砷试验研究.pdf

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资源描述

1、第4 2卷第4期(总第1 9 0期)2 0 2 3年8月湿法冶金H y d r o m e t a l l u r g yo fC h i n aV o l.4 2N o.4(S u m.1 9 0)A u g.2 0 2 3加压浸出砷滤饼制备单质砷试验研究林 欣,于中民(紫金矿业集团股份有限公司 黑龙江紫金铜业有限公司,黑龙江 齐齐哈尔 1 6 1 0 0 0)摘要:研究了以砷滤饼为原料,采用加压氧化浸出氯化亚锡还原工艺制备单质砷。考察了加压浸出温度、浸出压力、酸度和浸出时间对砷浸出率的影响,以及还原温度和时间、盐酸和氯化亚锡加入量对砷还原率的影响。结果表明:最佳加压氧化浸出条件为浸出温度1

2、 2 0,浸出压力1.2MP a,酸度1 2 0g/L,浸出时间3h;最佳还原条件为盐酸与富砷滤液体积比1.2/1,还原温度7 5,氯化亚锡与砷物质的量比1.5/1,还原时间7h;最佳条件下制得的单质砷产品纯度高于9 1%,产品纯度较高。关键词:砷滤饼;单质砷;还原;加压浸出;氧化;制备中图分类号:T F 8 0 3.2 1 文献标识码:A 文章编号:1 0 0 9-2 6 1 7(2 0 2 3)0 4-0 3 9 4-0 6 D O I:1 0.1 3 3 5 5/j.c n k i.s f y j.2 0 2 3.0 4.0 1 2收稿日期:2 0 2 3-0 3-1 6第一作者简介:林

3、欣(1 9 8 7),男,本科,高级工程师,主要研究方向为湿法冶金。引用格式:林欣,于中民.加压浸出砷滤饼制备单质砷试验研究J.湿法冶金,2 0 2 3,4 2(4):3 9 4-3 9 9.单质砷脆而硬,易于碾碎,不溶于水,而且具有优异的导热性、导电性、无害性1-3等特点,因此被广泛用于合金、医药、农药、半导体、化工4-7等领域。随着高科技的迅速发展,单质砷需求量逐年增加,因此纯度较高单质砷的制备工艺引起广泛关注。目前,制备纯度较高单质砷的工艺主要分为火法和湿法两类:火法主要有碳还原、氢还原、铝镉还原和蒸馏8-9等;湿法主要有电解、单质金属还原1 0-1 2等。火法工艺存在回收率低、产品纯度

4、较差、污染环境、易危害人体健康1 3-1 5等缺点;相较而言,湿法工艺具有效率高、污染小、产品纯度较高等优点。制备单质砷的原料主要为三氧化二砷、白烟尘及砷滤饼1 6等,其中以砷滤饼为主。关于采用砷滤饼制备单质砷的方法已有一些研究,如通过氯化铜氧化浸出砷滤饼后用氯化亚锡酸性还原制备单质砷,砷浸出率最高可达9 9.5%,但此工艺中需将四氯化锡电解为氯化亚锡,会消耗大量电能,生产成本较高1 1;氯化铜酸浸砷滤饼制备单质砷工艺流程简单,但砷浸出率较低,且单质砷纯度不高,仅为7 0%左右1 2。为了解决传统常压浸出工艺制备单质砷的缺点,减小能耗,试验以某冶炼厂砷滤饼为原料,研究了采用加压氧化浸出氯化亚锡

5、还原工艺制备单质砷,以求达到资源“吃干榨尽”的目的,同时实现系统中锡元素的循环利用,降低生产成本。1 试验部分1.1 试验原料、试剂及设备砷滤饼:取自黑龙江某铜冶炼厂,为酸性废水硫化后的固体渣,2 0 2 2年9、1 0、1 1、1 2月的砷滤饼(水分为6 0%)随机取样,用研钵研碎并混合均匀。采用i C A P7 4 0 0D u o型电感耦合等离子体发射光谱仪分析砷滤饼渣样的主要化学成分,结果见表1。表1 砷滤饼的主要化学成分%C uA sSN iR eZ n3.44 0.4 74 0.9 50.0 30.0 20.0 0 8 主要试剂:硫酸铜,9 8%,营口富兴矿物质有限公司;氯化亚锡,

6、分析纯,天津市科密欧化学试剂有限公司;浓盐酸,3 6%,天津市科密欧化学试剂有限公司;浓硫酸,9 8%,分析纯,西陇科学股份有限公司;氢氧化钠,9 8%,天远化工有限公司;单质锡,9 9.3%,宁波源能商贸有限公司。第4 2卷第4期林欣,等:加压浸出砷滤饼制备单质砷试验研究主要设备:HH-2型数显恒温水浴锅,延吉市博达化工器械物资有限公司;H Z Y-B 3 2 0 0型电子秤,华志电子科技有限公司;DHG9 1 4 6 A型电热恒温鼓风干燥箱,上海精宏实验设备有限公司;J J 1型大功率电动搅拌器,常州国华电器有限公司;P S 2 0 0小型台式离心机,创格机械科技有限公司;C D F 2-

7、1 0/2 5 0-0.1 8/1 0 0 0-2 L/T A 2型 加 压釜,温州市诚得机械设备有限公司;YH-0 4型无油空气 压 缩 机,上 海 远 辉 机 电 科 技 有 限 公 司;S H B型循环水式真空泵,北京中兴伟业世纪仪器有限公司。1.2 试验原理1)加压氧化浸出。砷滤饼中的A s主要以A s2S3形式存在,加入硫酸铜固体、浓硫酸和水进行浆化,在通入压缩空气条件下,A s2S3可与硫酸铜反应生成HA s O2,C u S中-2价S被氧化为0价S进入浸出渣中,HA s O2和A s2S3中的+3价A s还会被氧气氧化为+5价A s溶于浸出液中。发生的化学反应如下:A s2S3+

8、3 C u S O4+4 H2O2 HA s O2+3 C u S+3 H2S O4;(1)2 C u S+2 H2S O4+O22 S+2 C u S O4+2 H2O;(2)2 HA s O2+O2+2 H2O2 H3A s O4。(3)2 A s2S3+6 H2O+5 O26 S+4 H3A s O4;(4)2)浸出液还原。为了给还原反应提供酸性条件,避免引入杂质,向浸出液中加入盐酸,同时加入常用的酸性还原剂S n C l21 0还原制备单质砷。加入过量S n C l2可使H3A s O4中的+5价A s和H3A s O3中+3价A s被还原为单质A s。发生的化学反应如下:2 H3A

9、s O4+1 0 HC l+5 S n C l22 A s+8 H2O+5 S n C l4;(5)3)离心后液还原。单质S n具有较强的还原性,向一二级离心后液中分别加入单质S n,溶液中S n C l4的+4价S n被还原为S n C l2中的+2价S n,同时S n C l2可返回至浸出液作为还原砷的还原剂继续使用。发生的化学反应如下:S n C l4+2 S n+2 HC l3 S n C l2+H2;(6)S n C l4+2 S n+H2S O42 S n C l2+S n S O4+H2。(7)1.3 试验、分析方法砷滤饼制备单质砷的工艺流程如图1所示。图1 砷滤饼制备单质砷的工

10、艺流程 砷浸出率计算公式为=Vmw1 0 0%。(8)式中:A s浸出率,%;溶液中A s质量浓度,g/L;V溶液体积,L;w砷滤饼中A s质量分数,%;m砷滤饼质量,g。单质砷产品质量检测方法:取单质砷0.1g,置于盛有2 5 0m L聚四氟乙烯的烧杯中,加入1 0m L硝酸,加热5m i n;然后加入2m L高氯酸,5m L氢氟酸,5 m L盐 酸,再 次 加 热 使 固 体 完 全 溶解,控 制 最 终 体 积 为1 m L。取 出,冷 却 至 室温,加入2 0m L硝酸,加热5m i n后,冷却,最后移至1 0 0m L容量瓶内,用水稀释并摇匀,通过i C A P7 4 0 0D u

11、o型电感耦合等离子体发射光谱仪分析产品质量。593 湿法冶金 2 0 2 3年8月2 试验结果与讨论2.1 加压氧化浸出2.1.1 浸出温度对砷浸出率的影响浸 出 时 间3h,浸 出 压 力1.2 MP a,酸 度1 2 0g/L,浸出温度对砷浸出率的影响试验结果如图2所示。图2 浸出温度对砷浸出率的影响 由图2看出,随浸出温度升高,砷浸出率先升高后趋于稳定:温度升至1 2 0 时,砷浸出率最高,达9 5.1 3%;继续升温,砷浸出率基本保持稳定,没有明显变化。这是因为温度在4 01 2 0 范围内,有利于反应(1)(4)向正方向进行,且反应速度加快,促进三硫化二砷化学键的断裂。试验结果与文献

12、1 0 研究结论基本吻合。因此,确定最佳浸出温度为1 2 0。2.1.2 浸出压力对砷浸出率的影响浸 出 温 度1 2 0,浸 出 时 间3 h,酸 度1 2 0g/L,浸出压力对砷浸出率的影响试验结果如图3所示。图3 浸出压力对砷浸出率的影响 由图3看出:随浸出压力增大,砷浸出率先下降再升高后趋于平稳;浸出压力由0.4MP a升至0.6MP a时,砷浸出率略有降低,这是因为砷滤饼中杂质参与反应,消耗部分氧气,干扰了A s2S3向HA s O2和H3A s4的 转 化;浸 出 压 力 升 至1.2MP a时,砷浸出率达最高,为9 4.5 4%,因为此时砷滤饼力度变小,与氧气接触充分,加快反应速

13、度1 7。综合考虑能耗和生产成本,确定最佳浸出压力为1.2MP a。2.1.3 酸度对砷浸出率的影响浸出温度1 2 0,浸出压力1.2MP a,浸出时间3h,酸度对砷浸出率的影响试验结果如图4所示。图4 酸度对砷浸出率的影响 由图4看出,随酸度增大,砷浸出率先升高后趋于平稳:浸出酸度增至1 2 0g/L时,砷浸出率达最高,为9 6.8 4%;继续升高酸度,砷浸出率基本无明显变化,但通过绘图曲线发现酸度稍有波动,这是因为在反应(1)、(3)、(4)过程中有硫酸、亚砷酸和砷酸生成。综合考虑,确定最佳酸度为1 2 0g/L。2.1.4 浸出时间对砷浸出率的影响浸出温度1 2 0,浸出压力1.2 MP

14、 a,酸度1 2 0g/L,浸出时间对砷浸出率的影响试验结果如图5所示。图5 浸出时间对砷浸出率的影响693第4 2卷第4期林欣,等:加压浸出砷滤饼制备单质砷试验研究 由图5看出,随浸出时间延长,砷浸出率基本呈先逐渐升高后趋于平稳趋势:浸出2h内,砷浸出率略有下降,在误差允许范围之内1 0,可能是受到扩散速率1 8等因素影响;浸出3h时,砷浸出率达最高,为9 7.8 6%,此时(1)、(3)、(4)较为完全,固相中的砷完全浸出到液相中;继续延长浸出时间,砷浸出率无明显变化。综合考虑,确定最佳浸出时间为3h。2.2 浸出液还原2.2.1 盐酸体积对砷还原率的影响取上述最佳加压氧化浸出条件下所得富

15、砷滤液,在还原温度7 5、还原时间7h、氯化亚锡与砷物质的量比1.5/1条件下,考察盐酸与富砷滤液体积比对砷还原率的影响,试验结果如图6所示。图6 盐酸与富砷滤液体积比对砷还原率的影响 由图6看出,随盐酸体积增大,砷还原率先升高后趋于稳定:盐酸与富砷滤液体积比增至1.2/1时,砷还原率达最高,为9 5.2 4%;继续增大盐酸体积,砷还原率基本不变。这是因为溶液中存在耗酸物质,盐酸较少时,不利于反应进行,随盐酸体积增加,加快还原反应进行1 1。综合考虑,确定最佳盐酸与富砷滤液体积比为1.2/1。2.2.2 还原温度对砷还原率的影响还原 时间7h,氯 化 亚 锡 与 砷 物 质 的 量 比1.5/

16、1,盐酸与富砷滤液体积比1.2/1,还原温度对砷还原率的影响试验结果如图7所示。可以看出:还原温度从5 5升至7 5,砷还原率先升高后趋于稳定;温度升至7 5时,砷还原率达最高,为9 6.4 8%,这是因为还原温度升高有利于溶液中H3A s O4溶解,H+和A s O-3离子分离,平衡常数增大,可促进向正反应进行,提高砷还原率;继续升高温度至8 5,砷还原率基本不变。综合考虑生产成本,确定最佳浸出液还原温度为7 5。图7 还原温度对砷还原率的影响2.2.3 氯化亚锡与砷物质的量比对砷还原率的影响还原温度7 5,还原时间7h,盐酸与富砷滤液体积比1.2/1,氯化亚锡与砷物质的量比对砷还原率的影响

17、试验结果如图8所示。图8 氯化亚锡与砷物质的量比对砷还原率的影响 由图8看出:随氯化亚锡与砷物质的量比增大,砷还原率先升高后趋于稳定;氯化亚锡与砷物质的 量 比 为1.5/1时,砷 还 原 率 达 最 高,为9 3.4 6%。这是因为氯化亚锡与砷物质的量比在0.9/1到1.5/1之间时,反应(5)有利于向正方向进行,生成单质A s;氯化亚锡与砷物质的量比为1.5/1时,H3A s O4、HC l和S n C l2刚好反应完全,处于动态平衡状态。继续增加氯化亚锡物质的量,砷还原率变化不大。综合考虑,确定最佳氯化亚锡与砷物质的量比为1.5/1。2.2.4 还原时间对砷还原率的影响还原温度7 5,氯

18、化亚锡与砷物质的量比1.5/1,盐酸与富砷滤液体积比1.2/1,还原时间对砷还原率的影响试验结果如图9所示。可以看出:随反应进行,砷还原率逐渐升高;还原至7h时,反应速率加快,砷还原率达最高,为9 2.8 4%。继续延长还原时间,砷还原率变化不大,结果与文793 湿法冶金 2 0 2 3年8月献1 2 研究结论基本吻合。综合考虑,确定最佳还原时间为7h。图9 还原时间对砷还原率的影响2.3 综合验证试验根据单因素试验确定最佳加压氧化浸出条件为:浸出温度1 2 0,浸出压力1.2MP a,浸出酸度1 2 0g/L,浸出时间3h。最佳还原条件为:盐酸与富砷滤液体积比1.2/1,还原温度7 5,氯化

19、亚锡与砷物质的量比1.5/1,还原时间7h。在上述条件下进行综合验证试验5次,结果见表2。可以看出:所制备单质砷产品中砷平均质量分数为9 1.9 1%,比传统方法1 2制备的单质砷纯度高2 0%以上,达到了制备高纯砷原料要求。表2 单质砷产品的纯度试验序号砷质量分数/%19 2.0 329 0.1 238 9.9 749 3.0 959 4.3 9平均9 1.9 1 加压氧化浸出该工艺相比于常压浸出,能耗虽有所增加,但砷浸出率大大提高,使砷滤饼处理量增大,浸出时间缩短,单质砷产品产量增加,综合评价,可略降低浸出成本1 9。3 结论用加压氧化浸出砷滤饼,再用氯化亚锡还原可制备单质砷。适宜加压氧化

20、浸出条件下,砷浸出率达9 7.8 6%,浸出后所得富砷滤液中加入氯化亚 锡,在 适 宜 还 原 条 件 下,砷 还 原 率 可 达9 6.8 4%,最 终 所 得 单 质 砷 产 品 中 砷 纯 度 达9 1.9 1%,产品纯度较高。与传统常压浸出法制备单质砷相比,加压氧化浸出法绿色环保,能实现有价元素的综合回收循环再利用,并可为下一步制备高纯砷提供原料。参考文献:1 张俊峰,王雷,解维平.氢气还原三氯化砷制备高纯砷的工艺研究J.世界有色金属,2 0 2 2(2):1 0 8-1 1 1.2 李辉,邹琳,曲兴启,等.高纯砷的发展及趋势J.冶金管理,2 0 2 1(5):2 1-2 2.3 何志

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22、 t i o n s,2 0 1 3,2(1):2 3 6-2 4 1.6 张吉祥,卢文鹏,李瑞冰.有色冶炼含砷废渣的脱砷现状及展望J.铜业工程,2 0 2 2,1 7 5(3):5 3-5 8.7 曾小东,胡丹,徐成.第二代半导体材料及其原材料高纯砷J.广东化工,2 0 2 2,4 9(2 3):7-9.8 马伟,马荣骏,申殿邦.硫化砷渣氯化铜浸出及还原回收单质砷的实验研究J.环境工程,1 9 9 8,1 6(1):4 9-5 1.9 田静,李晓恒,张文岐,等.湿法工艺处理三氧化二砷制备单质砷的工艺研究J.中国有色冶金,2 0 2 2,5 1(4):5 2-5 6.1 0 肖红霞,崔洁,齐越

23、,等.一种从硫化砷渣中回收砷的新方法J.硫酸工业,2 0 1 4(5):5 3-5 7.1 1 赵侣璇,刘凯,覃楠钧,等.硫化砷渣氯化铜浸出及制备单质砷的研究J.轻工科技,2 0 1 8,3 4(7):9 5-9 7.1 2 侯汉娜,陈甜甜.硫化砷渣全湿法制备单质砷的研究J.环境保护科学,2 0 1 4,4 0(6):4 2-4 5.1 3 邵德毅.吸附法处理重金属废水污染的研究进展J.山东化工,2 0 1 9,4 8(7):5 7-5 9.1 4 田静,李晓恒,张文岐,等.湿法工艺处理三氧化二砷制备单质砷的工艺研究J.中国有色冶金,2 0 2 2,5 1(4):5 2-5 6.1 5 卢琼,

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25、 t i o no fE l e m e n t a lA r s e n i cb yP r e s s u r eL e a c h i n go fA r s e n i cF i l t e rC a k eL I NX i n,YUZ h o n g m i n(H e i l o n g j i a n gZ i j i nC o p p e rI n d u s t r yC o.,L t d.,Z i j i nM i n i n gG r o u pC o.,L t d.,Q i q i h a r 1 6 1 0 0 0,C h i n a)A b s t r a c t:

26、T h ep r e p a r a t i o no fe l e m e n t a l a r s e n i cf r o ma r s e n i cf i l t e rc a k eb yp r e s s u r eo x i d a t i o nl e a c h i n ga n ds t a n n o u sc h l o r i d er e d u c t i o np r o c e s sw a ss t u d i e d.T h ee f f e c t so fp r e s s u r el e a c h i n gt e m p e r a t u

27、 r e,l e a c h i n gp r e s s u r e,a c i d i t ya n dl e a c h i n gt i m eo na r s e n i cl e a c h i n gr a t ew e r e i n v e s t i g a t e d,a sw e l la st h ee f f e c t so f r e d u c t i o nt e m p e r a t u r ea n dt i m e,h y d r o c h l o r i ca c i da n ds t a n n o u sc h l o r i d ea d

28、 d i t i o no na r s e n i cr e d u c t i o nr a t e.T h er e s u l t ss h o wt h a tt h eo p t i m a lp r e s s u r eo x i d a t i o nl e a c h i n gc o n d i t i o n sa r el e a c h i n gt e m p e r a t u r eo f 1 2 0,l e a c h i n gp r e s s u r eo f 1.2MP a,a c i d i t yo f 1 2 0g/La n d l e a c

29、 h i n gt i m eo f 3h.T h eo p t i m a l r e d u c t i o nc o n d i t i o n sa r e t h ev o l u m e r a t i oo fh y d r o c h l o r i c a c i d t oa r s e n i c r i c hf i l t r a t eo f 1.2/1,t h er e d u c t i o nt e m p e r a t u r eo f 7 5,t h ev o l u m er a t i oo f s t a n n o u sc h l o r i

30、d et oa r s e n i co f1.5/1,a n dt h er e d u c t i o nt i m eo f7h.T h ep u r i t yo f t h ee l e m e n t a la r s e n i cp r o d u c tp r e p a r e du n d e rt h ea b o v eo p t i m a lc o n d i t i o n s i sh i g h e r t h a n9 1%,i n d i c a t i n gah i g hp u r i t yo f t h ep r o d u c t.K e yw o r d s:a r s e n i c f i l t e rc a k e;e l e m e n t a l a r s e n i c;r e d u c t i o n;p r e s s u r i z e d l e a c h i n g;o x i d a t i o n;p r e p a r a t i o n993

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