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有机整流二极管.docx

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有机整流二极管 ——15硕 许昆 一、实验目的 1、掌握真空蒸发方法制备有机整流二极管的方法 2、了解有机整流二极管的原理 3、对制备的器件做测试 二、实验仪器,耗材,工具 培养皿2套,烧杯1个,样品架,掩膜版架,ITO片子,坩埚,酞菁铜,BCP 三、实验原理 ITO导电玻璃为底电极,Al为顶电极,相对于玻片1一层100nmCuPc的单层结构,玻片2在100nm CuPc之上再蒸一层15nm的BCP作为空穴阻挡层,验证其对于器件整流特性的影响。 四、 实验内容 (一)准备工作 1、将准备好的ITO玻璃依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各超声10mins,之后用去离子水清洗,用氮气吹干水滴,最后放入真空烘箱进行烘干备用; 2、实验用的掩膜板、挡板、烧杯、培养皿等先用洗衣粉擦洗干净,之后用去离子水清洗,再用吹风机吹干,放入烘箱烘干; 3、实验用的坩埚先用酒精棉擦洗,再用丙酮、无水乙醇、去离子水依次超声10mins,之后用去离子水清洗,用氮气吹干水滴,最后放入真空烘箱进行烘干 4、以耐高温胶带粘片子长边一侧,以留出电极; (二)蒸酞菁铜薄膜实验过程 1、白台子开水,检查所有阀门保持关闭;开总电源,开机械泵、扩散泵电源; 2、开阀Ⅱ,打开真空计热偶规; 3、真空室放气,放气完拧紧放气阀; 4、升真空室,用酒精棉擦干净真空室内壁及样品夹子; 5、安装玻璃挡板,以及装有ITO片子的掩膜板,放好装有适量酞菁铜的坩埚; 6、一手扶着蒸发室外壁,缓慢放下真空室; 7、关阀Ⅱ,开阀Ⅰ; 8、待真空计有示数后关阀Ⅰ开阀Ⅱ; 9、待真空计示数降到10Pa以下时,关阀Ⅱ开阀Ⅰ; 10、待真空计示数降到10Pa以下时,关阀Ⅰ开阀Ⅱ; 11、待到开阀Ⅱ后的示数降到10Pa以下时,开阀Ⅰ,此时两阀双开; 12、待真空计示数降到6Pa以下时,关阀Ⅰ开大阀; 13、待20分钟左右(真空计示数不再下降),开电离规,刚打开电离规时示数一般小于1Pa就正常; 14、待示数降到3E-3Pa以下时,设置坩埚温度为400度,加坩埚电压为35V; 15、看到挡板上有蓝色出现时,移开挡板,记下此时频率计的示数,根据欲蒸膜的厚度,根据每下降13Hz膜生长1nm酞菁铜薄膜,计算出截止时的频率计示数; 16、每隔一分钟记录频率计下降的下降值,等蒸发到提前计算好的截止示数时,迅速关上挡板,关电离规; 17、等坩埚温度降到150度以下时,关大阀,蒸发室放气(刚放一点气看真空计示数没有上升说明没有漏气继续放气),取出玻片1放入培养皿中备用; (三)蒸发BCP实验过程 18、第17步之后,升起蒸发室,放好装有适量BCP的坩埚,降下蒸发室,关阀Ⅱ开阀Ⅰ; 19、待真空计有示数后关阀Ⅰ开阀Ⅱ; 20、待真空计示数降到10Pa以下时,关阀Ⅱ开阀Ⅰ; 21、待真空计示数降到10Pa以下时,关阀Ⅰ开阀Ⅱ; 22、待到开阀Ⅱ后的示数降到10Pa以下时,开阀Ⅰ,此时两阀双开; 23、待真空计示数降到6Pa以下时,关阀Ⅰ开大阀; 24、待20分钟左右,开电离规,逐渐加大电压直到坩埚温度为160度,加坩埚电压为25V; 25、过一会移开挡板看频率计示数是否有下降,当开始有下降时,记下此时频率计的示数,移开挡板,根据欲蒸膜的厚度,根据每下降15Hz生长1nm BCP薄膜,计算出截止时的频率计示数; 26、当频率计示数中途不降时,可适当升高坩埚温度为170度 27、到达频率计截止示数时,马上关上玻璃挡板,记下此时时间,关上坩埚电压源,关闭衬底温度显示器,关上频率计,关上电离规 28、把黑色开关由扩散泵打到机械泵(不再使用台子的时候早点让扩散泵停止工作早点冷下来) 29、等坩埚温度降至150度以下时,关大阀,蒸发室放气 30、放气完,关上放气阀,升起蒸发室,取出玻片2、坩埚、挡板等 29、用机械泵抽真空保护,然后关阀Ⅰ; 30、待冷却后,关各阀,机械泵放气,关机械泵、总电源和热偶规等测试设备,关冷却水。 (四)蒸铝电极实验过程 31、第30步之后,类似上述白台子操作步骤,注意绿台子的扩散泵电流要另外加,加至8A; 32、在绿台子将真空度抽至1.5 E-3Pa以下,打开频率计,开启蒸发Ⅰ开关,从35开始每隔5逐级升高电流至40-45; 33、待铝丝熔化,移开挡板,看频率计示数是否有下降,开始有下降时记下此时频率计的示数,根据欲蒸膜的厚度100nm,根据每下降33Hz膜生长1nm,计算出截止时的频率计示数; 34、到达频率计截止示数时,迅速关上挡板; 35、适当加大蒸发Ⅰ电流,使得剩余的铝蒸发干净,达到清洁的目的; 36、蒸发Ⅰ电流归零,关闭蒸发Ⅰ开关,关闭频率计,关闭电离规; 37、扩散泵电流调为零(不再使用台子时早关扩散泵可提前冷却); 38、待蒸发室温度降低时,关大阀,蒸发室放气,结束后关上; 39、升起真空室,取出玻片2,关真空室,开阀Ⅰ,用机械泵抽真空保护,然后关阀Ⅰ; 30、待冷却后,关各阀,机械泵放气,关机械泵、总电源和热偶规等测试设备,关冷却水。 五、实验结果 1、实验成品如图1所示: 图1 2、实验数据处理 (1)玻片1(无15nm BCP层)在-5-5V,0.05步长2.5%光强下的I-V曲线: (2)玻片2(有15nm BCP层)在-5-5V,0.05步长2.5%光强下的I-V曲线: 两图皆有整流特性,比较两图可发现添加15nm BCP层作为空穴阻挡层对于器件性能的改变不大,后续实验可适量增减BCP层厚度,验证不同厚度下BCP层对器件性能的影响。
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