高频低温漂TC-SAW滤波器的设计.pdf

第4 5卷第4期压 电 与 声 光V o l.4 5N o.42 0 2 3年8月P I E Z O E L E C T R I C S&A C OU S TOO P T I C SA u g.2 0 2 3 收稿日期:2 0 2 3-0 2-0 9 基金项目:重庆市科技局产业化基金资助项目(C S T C 2 0 1 8 J S Z X-C Y Z T Z X 0 2 1 1,C S T C 2 0 1 8 J S Z X-C Y Z T Z X 0 0 4 8);重庆市科技局自然科学基金资助项目(C S T B 2 0 2 2 N S C Q-M S X 1 3 8 9);重庆市留学人员回国创业创新支持计划基金资助项目(2 2 0 4 0 1 2 9 7 6 8 3 1 2 0 7)作者简介:王巍(1 9 6 7-),男,湖南省邵阳市人,教授,硕士生导师,博士,主要从事集成电路设计的研究。滕洪菠(1 9 9 7-),男,四川省内江市人,硕士生,主要从事射频S AW滤波器的研究。文章编号:1 0 0 4-2 4 7 4(2 0 2 3)0 4-0 5 4 4-0 5D O I:1 0.1 1 9 7 7/j.i s s n.1 0 0 4-2 4 7 4.2 0 2 3.0 4.0 1 3高频低温漂T C-S AW滤波器的设计王 巍,滕洪菠,王 方,张 迎,袁 军,宋小瑛(重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆4 0 0 0 6 5)摘 要:该文设计了一款温度补偿型声表面波(T C-S AW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(1 2 8 Y X-L i N b O3)上沉积S i O2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积S i O2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处出现杂散响应,通过增加电极厚度,降低了谐振器杂散响应对滤波器性能的影响。采用四阶级联提高滤波器的带外抑制。仿真结果表明,设计的T C-S AW滤波器中心频率为24 9 7MH z,频率温度系数为-9.8 91 0-6/,-3 08 5工作温度范围内的带内最大插损为1.9 5d B,带外抑制大于3 0d B,-3d B损耗带宽大于9 7MH z。关键词:T C-S AW滤波器;谐振器;频率温度系数;电极厚度;S i O2温度补偿层中图分类号:T N 7 1 3 文献标志码:A D e s i g no fT C-S AWF i l t e rw i t hH i g hF r e q u e n c ya n dL o wT e m p e r a t u r eD r i f tWA N G W e i,T H E N GH o n g b o,WA N GF a n g,Z H A N GY i n g,Y U A NJ u n,S O N GX i a o y i n g(S c h o o l o fO p t o e l e c t r o n i c sE n g i n e e r i n g/I n t e r n a t i o n a lS e m i c o n d u c t o rC o l l e g e,C h o n g q i n gU n i v e r s i t yo fP o s t sa n dT e l e c o mm u n i c a t i o n s,C h o n g q i n g4 0 0 0 6 5,C h i n a)A b s t r a c t:At e m p e r a t u r e c o m p e n s a t e ds u r f a c e a c o u s t i cw a v e(T C-S AW)f i l t e rw a sd e s i g n e d.T h e t e m p e r a t u r e e-q u a t i o n so f e l a s t i cm a t e r i a l sa n dp i e z o e l e c t r i cm a t e r i a l sw e r ee s t a b l i s h e d,a n dt h e t e m p e r a t u r e f i e l do f t h e f i l t e rw a ss i m u l a t e da n da n a l y z e d.T h e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t o f f r e q u e n c y(T C F)o f t h e f i l t e rw a s r e d u c e db yd e p o s i t i n gS i O2t e m p e r a t u r ec o m p e n s a t e dl a y e ro nt h ep i e z o e l e c t r i cm a t e r i a l(1 2 8 Y X-L i N b O3).I no r d e r t oe l i m i n a t et h es p u r i o u sr e s p o n s ea t t h ea n t i-r e s o n a n t f r e q u e n c yo f t h e r e s o n a t o r a f t e r a d d i n g t h eS i O2,t h e i n f l u e n c e o f t h e s p u r i o u s r e s p o n s eo nt h e f i l t e r p e r f o r m a n c ew a s r e d u c e db y i n c r e a s i n g t h e e l e c t r o d e t h i c k n e s s.T h e f o u r t h-o r d e r c a s c a d ew a su s e d t o i n-c r e a s e t h eo u t-o f-b a n d r e j e c t i o no f t h e f i l t e r.T h e s i m u l a t i o n r e s u l t s s h o wt h a t t h ed e s i g n e dT C-S AWf i l t e r h a s a c e n-t e r f r e q u e n c yo f 24 9 7MH z,t e m p e r a t u r ec o e f f i c i e n to f f r e q u e n c y(T C F)o f-9.8 91 0-6/,m a x i m u mi n-b a n di n s e r t i o nl o s so f 1.9 5d Ba t t h et e m p e r a t u r er a n g ef r o m-3 0 t o8 5,o u t-o f-b a n dr e j e c t i o no fg r e a t e rt h a n3 0d B,a n d-3d Bb a n d w i d t ho fg r e a t e r t h a n9 7MH z.K e yw o r d s:T C-S AWf i l t e r;r e s o n a t o r;t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t o f f r e q u e n c y;e l e c t r o d e t h i c k n e s s;S i O2t e m p e r-a t u r ec o m p e n s a t i o n l a y e r 0 引言声表面波(S AW)滤波器具有高性能和低成本的优势,被广泛应用于现代通信领域,成为射频前端实现雷达、导航、通信等信号交互的关键芯片1。随着移动通信的快速发展,S AW滤波器也面临着新的挑战,如高频、低插损、高带宽和高温度稳定性等问题2。传统的S AW滤波器由于压电材料的负温度系数,使其在温度上具有较大的频率偏移。如使用1 2 8 Y X-L i N b O3制作的传统S AW滤波器,其频率温度系数(T C F)为-7 21 0-6/,在工作温度为-3 08 5、工作频率为2.5GH z时,频率漂移高达2 0MH z。为了减小S AW滤波器随温度的频率漂移,开发了温度补偿型声表面波(T C-S AW)滤波器。通过在叉指换能器(I D T)和具有负T C F的1 2 8 Y X-L i N b O3上沉积具有正T C F的S i O2温度补偿层,从而减小S AW滤波器的频率温度系数3。梯形S AW滤波器由串联谐振器和并联谐振器级联而成,谐振器的性能直接影响滤波器的性能。在沉积S i O2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处出现杂散响应,进而影响滤波器的带内插损和带外抑制。为了提高器件性能,降低杂散响应对滤波器的干扰,本文通过增加电极厚度,使杂散响应出现的频率范围远离谐振器的主响应,在抑制了杂散响应对主响应影响的同时削弱了主响应对杂散响应的影响,降低了杂散响应的幅值,改善了滤波器的带内插损和带外抑制。为了模拟不同工作温度下T C-S AW滤波器的性能变化,同时考虑材料的热膨胀效应,本文建立了T C-S AW滤波器的二维等效模型及温度模型,分析了S i O2及C u电极厚度对谐振器频率温度系数的影响,并通过四阶级联提高了滤波器的带外抑制。1 建模与材料参数1.1 模型建立梯形T C-S A W滤波器由串联谐振器和并联谐振器级联而成,其原理图如图1所示,其中S、P分别为串联谐振器和并联谐振器,W为换能器的孔径。图1 T C-S AW滤波器原理图由于换能器孔径远大于电极宽度,可认为瑞利波声场在y方向上分布不变4。因此,基于C OM-S O L建立了T C-S AW谐振器的二维等效模型如图2所示。图2 谐振器二维等效模型图2中,=2(a+b)为叉指周期,a为叉指宽度,b为指间距,h为电极厚度,H为S i O2厚度,HL为压电材料的厚度,压电材料为1 2 8 Y X-L i N b O3,电极材料为C u的完美匹配层(PML)用以降低底面反射5。1.2 温度模型与材料参数声表面波谐振器的谐振频率f由声表面波相速度vp与波长决定:f=vp(1)vp由杨氏模量E(T)和材料密度(T)共同确定:vp=E(T)(T)(2)E(T)、(T)与环境温度的关系为E(T)=E(T0)(1+T C E1T+T C E2T2)(3)(T)=(T0)1-(1 1+2 2+3 3)T(4)式中:E(T0),(T0)为弹性材料在室温下的杨氏模量和材料密度;T C E1,T C E2为弹性材料杨氏模量E的一阶、二阶温度系数;T=T-T0,T为环境温度,T0为参考温度,通常取2 5;1 1、2 2、3 3表示弹性材料不同晶相上的热膨胀系数。此外,环境温度的变化会引起压电材料的材料常数发生变化,从而影响声波波速的变化和频率的偏移。压电材料的材料常数与温度的关系满足以下方程6-7:cTi j k l=ci j k l(1+c(1)i j k lT+c(2)i j k lT2+c(3)i j k lT3)(5)eTi j k l=ei j k l(1+e(1)i j k lT+e(2)i j k lT2+e(3)i j k lT3)(6)Ti j k l=i j k l(1+(1)i j k lT+(2)i j k lT2+(3)i j k lT3)(7)Ti j k l=i j k l(1+(1)i j k lT+(2)i j k lT2+(3)i j k lT3)(8)式中:cTi j k l,eTi j k l,Ti j k l,Ti j k l为环境温度T下的弹性常数、压电常数、介电常数和热膨胀系数;ci j k l,ei j k l,i j k l,i j k l为参考温度T0下的弹性常数、压电常数、介电常数和热膨胀系数;c(i)i j k l,e(i)i j k l,(i)i j k l,(i)i j k l为弹性常数、压电常数、介电常数和热膨胀系数的i阶温度系数。本文基于C OM S O L有限元软件建立了T C-545 第4期王 巍等:高频低温漂T C-S AW滤波器的设计S AW器件的二维等效模型,构建内置方程,对模型施加温度场,添加温度方程,弹性材料与铌酸锂的材料参数如表1、2所示8-9。表1 弹性材料参数材料杨氏模量/G P a一阶温度系数/(1 0-6-1)S i O27 02 0 0C u1 2 0-1 0 0表2 铌酸锂材料参数弹性常数/(1 01 1Nm-2)一阶温度系数/(1 0-4-1)cE1 12.0 3-1.7 4cE1 20.5 3-2.5 2cE1 30.7 5-1.5 9cE1 40.0 9-2.1 4cE3 32.4 5-1.5 3cE4 40.6 0-2.0 4cE6 60.7 5-1.4 3压电常数/(Cm-2)一阶温度系数/(1 0-4-1)e1 53.71.4 7e2 22.50.7 9e3 10.22.2 1e3 31.38.8 7相对介电常数一阶温度系数/(1 0-4-1)e114 3.62.2 3e332 9.1 66.2 7热膨胀系数/(1 0-4-1)1 10.1 5 43 30.0 7 52 仿真结果分析2.1 S i O2对频率温度系数的影响基于所构建的模型及材料参数,建立谐振器的二维等效模型,并对谐振器进行温度特性分析。图3、4分别为采用S i O2温度补偿层前后的频率响应曲线。其中叉指电极厚度h=0.0 3,温度补偿层S i O2的厚度H=0.3。图3 未采用S i O2补偿层的频率响应图4 采用S i O2补偿层的频率响应(H=0.3)由图3可知,未采用S i O2温度补偿层时,谐振器在-3 0 8 5 范围内有明显的频移。其中,谐振点 处 温 度 为-3 0 和8 5 时,频 率 分 别 为25 1 4.7MH z和24 9 4.2 MH z,频移为2 0.5 MH z,|T C F|=7 1.1 61 0-6/;反 谐 振 点 处 温 度 为-3 0和8 5 时,频率分别为25 9 5.7 MH z和25 7 5.8MH z,频移为1 9.9MH z,|T C F|=6 6.9 11 0-6/。由图4可知,采用厚度为0.3的S i O2温度补偿层,谐振点处温度为-3 0和8 5时,其频率分别为25 0 0.4MH z和24 9 7.8MH z,频移为2.6MH z,|T C F|=9.0 51 0-6/;反 谐 振 点 处 温 度 为-3 0和8 5时,其频率分别为25 7 6.6MH z和25 7 7.3MH z,频移为0.7 MH z,|T C F|=2.3 61 0-6/。对比 图3、4可 以 看 出,通 过 在 叉 指 换 能 器(I D T)和压电材料L i N b O3上沉积S i O2层,谐振频率 和 反 谐 振 频 率 的 频 率 温 度 系 数 分 别 降 低 了8 7.2 8%和9 6.4 7%,有效地降低谐振器频率随温度的偏移,提高了器件的温度稳定性。图5为不同厚度的S i O2补偿层对频率温度系数的影响。图5 不同S i O2厚度的频率温度系数由图5可知,谐振器的频率温度系数随着S i O2厚度的增加而增加,当H=0.3时,|T C F|1 0645压 电 与 声 光2 0 2 3年 1 0-6/;当H0.3时,|T C F|1 01 0-6/。为了使谐振器具有良好的温度系数,本文采用的S i O2厚度为0.3。2.2 杂散响应的抑制当在压电基底上沉积一层慢剪切波波速材料时,会激发出一种在压电基底表面上的波导层中传播的剪切波 L o v e波。当采用S i O2进行温度补偿时,S i O2温度补偿层成为了波导层,由于L o v e波是在波导层中传播,因此,L o v e波的能量几乎全部集中在波导层中,进而对谐振器产生干扰。由图4可知,当采用S i O2进行温度补偿后,谐振器的反谐振频率处会产生杂散响应,而梯形滤波器是由串联谐振器和并联谐振器构成,并通过电偶的方式级联在一起1 0。因此,谐振器的杂散响应会直接影响滤波器的性能,如图6所示。图6 谐振器杂散响应对滤波器的影响由图6可知,L o v e波对并联谐振器的影响造成滤波器的带内插损急剧下降,并超过了-1 0d B。L o v e波对串联谐振器的影响使滤波器的带外抑制只有3.9 5d B。为了提高滤波器性能,减小L o v e波对带内插损和带外抑制的影响,本文分析了C u电极厚度对杂散响应的影响。图7为电极厚度0.0 30.1 2的谐振器导纳曲线,其中S i O2厚度为0.3。由图可知,随着电极厚度的增加,杂散响应出现的频率范围逐渐远离谐振器的主响应,且幅值减小。其原因在于,当电极厚度增加时,瑞利波波速和L o v e波波速均随着电极厚度的增加而降低,但瑞利波波速降低速率比L o v e波波速降低速率快,使L o v e波出现的频率范围远离瑞利波;同时,随着电极厚度的增加,L o v e波逐渐远离瑞利波,抑制了杂散响应对主响应影响,削弱了主响应对杂散响应的影响,杂散响应的幅值也随之减小。图7 电极厚度对杂散响应的影响通过增加电极厚度可抑制谐振器的杂散响应,但随着电极厚度的增加,谐振器的频率温度系数也随之增大,如图8所示。图8 不同电极厚度的频率温度系数为了权衡电极厚度对L o v e波的抑制和频率温度系数的影响,本文采用电极厚度为0.0 6,此时谐振器谐振频率fr与反谐振频率fa的差值f=6 3MH z,L o v e波产生的杂散响应与反谐振频率的频率差值f=7 0MH z。一方面,适当增加电极厚度,将并联谐振器的杂散响应移至滤波器通带范围外,使滤波器带内插损得到优化;另一方面,电极厚度的增加,串联谐振器的杂散响应幅值降低,受串联谐振器杂散响应影响的带外抑制得到改善,如图9所示。优化后的一阶T C-S AW滤波器,带内插损从-1 0.1 0d B降为-0.7 7d B,降低了9 2.3 2%;带外抑制从-3.9 5d B提升至-4.9 7 d B,提升了2 5.8 2%。图9 优化后的频响曲线745 第4期王 巍等:高频低温漂T C-S AW滤波器的设计2.3 滤波器级联及温度特性优化后的一阶滤波器通带特性得到提升,通带平坦。但一阶滤波器通带外的带外抑制仅5d B,其对带外干扰信号的抑制和衰减能力不足,所以需要通过多级级联的方式增加带外抑制。由于多级级联会使通带内的插入损耗增加,因此,在对滤波器进行级联的同时,还需对带内插损进行分析。梯形滤波器的级联结构分为“T”型和“p”型,本文通过“T+p”型的级联方式1 1,对滤波器进行四阶级联,如图1 0所示。图1 0“T+p”型级联结构级联后得到的四阶梯形T C-S AW滤波器频率响应曲线如图1 1所示。由图可知,滤波器的中心频率为24 9 7MH z,3d B带宽大于9 7MH z,插入损耗小于2d B,带外抑制大于3 0d B。图1 1 四阶梯形T C-S AW滤波器频响曲线图1 2为不同工作温度下,四阶T C-S AW滤波器的温度特性。图1 2 不同工作温度下T C-S AW滤波器频响曲线由图1 2可以看出,滤波器的频率温度系数值为-9.8 91 0-6/。在-3 08 5 工作温度内,四阶滤波器的带内插损最大值为1.9 5d B,带外抑制均大于3 0d B,实现了全温度范围内的带内低插损和带外高抑制。3 结束语本文建立了T C-S AW滤波器的二维等效模型及温度模型。为了提高滤波器的频率温度特性,在压电材料上沉积了一层S i O2薄膜,谐振频率和反谐振频率处的频率温度系数分别降低了8 7.2 8%和9 6.4 7%。针对在添加S i O2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处会出现杂L o v e波引起的杂散响应问题,本文通过增加C u电极厚度,使杂散响应出现的频率范围远离谐振器的主响应,进而减小了杂散响应对滤波器带内插损和带外抑制的影响,带内插损降低了9 2.3 2%。最后对滤波器进行四阶级联,提高滤波器的带外抑制,增加其对带外干扰信号的抑制和衰减效果。仿真结果表明,本文设计的T C-S AW滤波器的频率温度系数为-9.8 91 0-6/,中心频率为24 9 7MH z,带内最大插损为1.9 5d B,带外 抑 制 大 于3 0 d B,-3 d B损 耗 带 宽 大 于9 7MH z。参考文献:1 S U R o n g x u a n,F U S u l e i,S HE NJ u n y a o,e ta l.P o w e rd u r a b i l i t ye n h a n c e m e n ta n df a i l u r ea n a l y s i so f T C-S AWf i l t e rw i t hT i/C u/T i/C u/T i e l e c t r o d e sJ.I E E ETD e v i c eM a t e,2 0 2 1,2 1(3):3 6 5-3 7 1.2 I NOU ES,S O L A L M.L a y e r e dS AW r e s o n a t o r sw i t hn e a r-z e r o T C Fa tb o t hr e s o n a n c ea n da n t i-r e s o n a n c eC/G l a s g o w:2 0 1 9I E E EI n t e r n a t i o n a l U l t r a s o n i c sS y m p o s i u m(I U S),I E E E,2 0 1 9:2 0 7 9-2 0 8 2.3 HA S H I MO T OK,KA D O TA M,NAKAOT,e t a l.R e-c e n td e v e l o p m e n to ft e m p e r a t u r ec o m p e n s a t e dS AWd e v i c e sC/O r l a n d o:2 0 1 1I E E EI n t e r n a t i o n a lU l t r a-s o n i c sS y m p o s i u m,2 0 1 1:7 9-8 6.4 NOV GO R O D OVV,F R E I S L E B E NS,HE I D EP,e t a l.M o d i f i e dl a d d e r-t y p e2.4GH zS AWf i l t e rw i t ht r a n s-m i s s i o nz e r oC/S a nD i e g o:2 0 1 0I E E EI n t e r n a t i o n a lU l t r a s o n i c sS y m p o s i u m,2 0 1 0:2 0 8 3-2 0 8 6.5 L UKO S EV,N EMA D EHB.F i n i t ee l e m e n t s i m u l a t i o no fo n e-p o r t s u r f a c ea c o u s t i cw a v er e s o n a t o rw i t ht h i c ki n t e r d i g i t a lt r a n s d u c e rf o rg a ss e n s i n gJ.M i c r o s y s tT e c h n o l,2 0 1 9,2 5(2):4 4 1-4 4 6.(下转第5 5 3页)845压 电 与 声 光2 0 2 3年 通过网络分析仪对其进行调整与测量,可得样品测量结果,如图1 5所示。由图可看出,通带内插入损耗 不 大 于0.9d B,在 通 带 内 回 波 损 耗 大 于1 2d B,电压驻波比小于1.7。图1 5 样品测量结果7 结束语本文阐述了微波滤波器的理论依据,提出了一款能够实现极低Qe的新式抽头结构,并依据理论设计了一款超宽带腔体滤波器。在H F S S仿真中,滤波器模型在1 0.21 6.7GH z通带内,回波损耗大于1 5d B。通过实物检测,测得其回波损耗约为1 2d B,驻波比小于1.7,完成了超宽带滤波器的设计,验证了新式抽头的可行性。参考文献:1 史志雄,李思敏,覃觅觅,等.2.4 5GH z宽阻带高抑制腔体滤波器的研究设计J.压电与声光,2 0 2 1,4 3(2):1 6 1-1 6 4.S H IZ h i x i o n g,L IS i m i n,Q I N M i m i,e t a l.R e s e a r c ha n dd e s i g no f2.4 5 GH zc a v i t yf i l t e rw i t h w i d es t o p b a n da n dh i g hs u p p r e s s i o nJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 2 1,4 3(2):1 6 1-1 6 4.2 余剑钊.小型化腔体滤波器的设计与实现D.广州:广东工业大学,2 0 1 8.3 吴国建.腔体滤波器的小型化研究D.成都:电子科技大学,2 0 1 3.4 X I E D,S UN Y.Q u a d r u l e-p a s s b a n d m i l l i m e t e r-w a v ec a v i t yf i l t e rb a s e do nn o n-r e s o n a n tn o d eJ.A d v a n c e dC o m p o s i t e sa n dH y b r i dM a t e r i a l s,2 0 2 2,5:2 2 7 1-2 2 8 4.5 甘本祓,吴万春.现代微波滤波器的结构与设计M.北京:科学出版社,1 9 7 3:1 4 8-1 5 2.6 周建梅.腔体滤波器耦合结构理论和关键技术的研究D.成都:电子科技大学,2 0 0 9.(上接第5 4 8页)6 张巧珍,王为标,韩韬,等.基于C OM S O L的声表面波温度特性建模仿真C/太原:第十三届全国敏感元件与传感器学术会议论文集,2 0 1 4:4 8-5 1.7 P A S TUR E AU DT,L A R D A TR,CHAMA L YS,e ta l.P r e d i c t i o no f t h e t h e r m a l s e n s i t i v i t yo f s u r f a c ea c o u s t i cw a v e se x c i t e du n d e r ap e r i o d i cg r a t i n go f e l e c t r o d e sJ.I E E ETU l t r a s o n,F e r r,2 0 0 5,5 2(8):1 3 7 8-1 3 8 3.8 潘术良.基于A l N压电薄膜的声表面波高温压力传感器的研究D.成都:电子科技大学,2 0 2 2.9 S M I S HRT,WE L S HFS.T e m p e r a t u r ed e p e n d e n c eo ft h e e l a s t i c,p i e z o e l e c t r i c,a n dd i e l e c t r i c c o n s t a n t s o f l i t h-i u mt a n t a l a t ea n dl i t h i u m n i o b a t eJ.J A p p lP h y s,1 9 7 1,4 2(6):2 2 1 9-2 2 3 0.1 0I KA T AO,M I YA S H I TA T,MA T S U D A T,e ta l.D e-v e l o p m e n to f l o w-l o s sb a n d-p a s s f i l t e r su s i n gS AWr e-s o n a t o r sf o rp o r t a b l et e l e p h o n e sC/T u c s o n:I E E E1 9 9 2U l t r a s o n i c sS y m p o s i u mP r o c e e d i n g s.I E E E,1 9 9 2:1 1 1-1 1 5.1 1王巍,周杨春,王方,等.低插损高频S AW滤波器的研究J.压电与声光,2 0 2 2,4 4(2):1 8 0-1 8 6.WANG W e i,Z HOUY a n g c h u n,WANGF a n g,e t a l.R e-s e a r c ho nl o wi n s e r t i o nl o s sa n dh i g hf r e q u e n c yS AWf i l t e rJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 2 2,4 4(2):1 8 0-1 8 6.355 第4期李玉峰等:超宽带交指腔体滤波器的设计