硅膜厚度对Si/β-FeSi2/Si在宽光谱范围的传输特性影响.pdf

分析了-F e S i2和S i在可见光和近红外(N I R)范围内的复折射率,并设计了由S i和-F e S i2组成的简单的三层薄膜结构S i/-F e S i2/S i。顶层硅的厚度是可变的,但中间层-F e S i2的厚度和底层硅的厚度都是固定的。在可见光和近红外范围内,利用菲涅耳理论和有限元数值分析方法分析了该结构在光垂直入射情况下的光学传输特性,并解释了其物理机制。材料S i在波长0.3 00.3 7m范围有巨大的反常色散dn/d=3 0.5m-1,而材料-F e S i2在波长0.3 01.1 0m范围有较大的反常色散dn/d=5m-1。结果表明,这种设计简单的膜层结构可以应用于许多光电器件中,并且反射率和透射率等性能可以通过顶层硅厚度的变化进行灵活调整。当波长在可见光范围和近红外范围内时,该结构的透射率和反射率均有显著差异。关键词:-F e S i2/S i;可见光;近红外光;光学传输特性中图分类号:O 4 3 6.2;TN 2 1 4 文献标识码:A开放科学(资源服务)标识码(O S I D):I n f l u e n c eo fS i l i c o nF i l mT h i c k n e s so nt h eB r o a d b a n dT r a n s m i s s i o nP r o p e r t i e so fS i/-F e S i2/S i S t r u c t u r eX I O N GX i c h e n g1*,X I EQ u a n2,J I A N GC h u n3,H U A N GQ u a n z h e n1,WUX i n g h u i1(1.S c h o o l o fE l e c t r i c a l I n f o r m a t i o nE n g i n e e r i n g,H e n a nU n i v e r s i t yo fE n g i n e e r i n g,Z h e n g z h o u4 5 1 1 9 1,C h i n a;2.S c h o o l o fB i gD a t aa n dI n f o r m a t i o nE n g i n e e r i n g,G u i z h o uU n i v e r s i t y,G u i y a n g5 5 0 0 2 5,C h i n a;3.S t a t eK e yL a b o r a t o r yo fA d v a n c e dO p t i c a lC o mm u n i c a t i o nS y s t e m sa n dN e t w o r k s,S h a n g h a i J i a oT o n gU n i v e r s i t y,S h a n g h a i 2 0 0 2 4 0,C h i n a)A b s t r a c t:T h ec o m p l e xr e f r a c t i v ei n d e x e so f-F e S i2a n dS ii nt h ev i s i b l ea n dn e a r-i n f r a r e d(N I R)a r ea n a l y z e d,a n dt h es i m p l es t r u c t u r e so f t h r e e-l a y e r f i l mh a v eb e e nd e s i g n e d.T h es t r u c t u r e sc o n s i s t i n go fS i a n d-F e S i2a r eS i/-F e S i2/S iw i t ht h r e ed i f f e r e n tp a r a m e t e r s.T h et h i c k n e s so fS i i nt h et o pl a y e r i sv a r i a b l e,b u tb o t ht h e t h i c k n e s so f-F e S i2i nt h em i d d l el a y e ra n dt h et h i c k n e s so fS i i nt h eb o t t o ml a y e ra r ef i x e d.I nt h ev i s i b l ea n dN I Rr a n g e,b o t hF r e s n e l t h e o r ya n dt h em e t h o do f f i n i t ee l e m e n tn u m e r i c a l a n a l y s i sh a v eb e e nu s e dt oa n a l y z e t h eo p t i c a l t r a n s m i s s i o no f t h e s es t r u c t u r e sw i t hn o r m a l i n c i d e n c e,a n dt h ep h y s i c a lm e c h a n i s mh a sb e e ne x p l a i n e d.T h e m a t e r i a lS ih a sah u g ea n o m a l o u sd i s p e r s i o n w i t ha b o u tdn/d=3 0.5m-1i nt h ew a v e l e n g t hr a n g e f r o m0.3 0mt o0.3 7m,a n dt h e-F e S i2h a sl a r g e ra n o m a l o u sd i s p e r s i o nw i t hdn/d=5m-1i nt h ew a v e l e n g t hr a n g e f r o m0.3 0mt o1.1 0m.T h e r e s u l t s s h o wt h a t t h e s i m p l ed e s i g nc a nb e a p p l i e di nm a n yp h o t o d e v i c e s,a n di n d i c a t et h a tt h ep r o p e r t i e s,s u c ha sr e f l e c t i v i t ya n dt r a n s m i s s i v i t y,c a na l s ob ef l e x i b l ya d j u s t e db yc h a n g i n gt h e t h i c k n e s so fS i i nt h e t o p l a y e r.W h e nt h ew a v e l e n g t h i s i nt h ev i s i b l e r a n g eo rt h eN I R,t h et r a n s m i s s i o n sa n dr e f l e c t i o n so ft h ed e s i g n sh a v et h es h a r p e s td i f f e r e n c e s,r e s p e c t i v e l y.T h es t r u c t u r e so ft h et h r e el a y e rf i l m sa r es t r a i g h t f o r w a r d,a n dt h e i rp r o p e r t i e sh a v eb e e ne a s i l ya d j u s t e db yc h a n g i n gt h e t h i c k n e s so f t h e t o pS i l a y e r.K e yw o r d s:-F e S i2/S i;v i s i b l e l i g h t;n e a r-i n f r a r e dl i g h t;o p t i c a l t r a n s m i s s i o np r o p e r t y 收稿日期:2 0 2 2-1 1-2 2;修回日期:2 0 2 3-0 2-1 4;*.通信联系人,E-m a i l:g o o d x i n a n 1 2 6.c o m 基金项目:国家自然科学基金项目(U 2 0 0 4 1 6 2);河南省科技攻关项目(2 1 2 1 0 2 3 1 0 9 0 7);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(7 0 8 0 3 8);河南工程学院博士基金项目(D 2 0 1 7 0 1 3)作者简介:熊锡成(1 9 7 2),男,河南信阳人,讲师,博士,主要从事光电器件设计与制备的研究。824信阳师范学院学报(自然科学版)J o u r n a l o fX i n y a n gN o r m a lU n i v e r s i t y第3 6卷 第3期 2 0 2 3年7月N a t u r a lS c i e n c eE d i t i o nV o l.3 6N o.3J u l.2 0 2 30 引言正交晶体-F e S i2是新型的环境友好型半导体材料,可以用于制备太阳能电池和发光二极管等光电器件上1。F e元素和S i元素在地球上储量丰富2。室温下,-F e S i2的直接带隙是0.8 7e V,光子能量是1.2e V时,其吸收系数很高,超过11 05c m-11-2。因此,-F e S i2作为半导体光电器件的活性吸收层,性能优良。并且,-F e S i2没有毒性,在9 0 0时化学性质依然稳定3。室温下,-F e S i2薄膜能生长硅和石英等固体材料表面4。特别地,-F e S i2能吸收从可见光到近红外范围内的光子能量5-6。这些特性使-F e S i2薄膜适合制备太阳能电池、光电传感器、热电转换器等5,7-8。通常情况下,-F e S i2薄膜呈现n型导电,但是可以通过调节S i/F e的原子比来改变半导体的导电类型2,9。-F e S i2的制备工艺与现代硅基集成电路工艺兼容,这种特性扩展了它在半导体器件和光电器件中的应用1 0-1 1。然而,当-F e S i2薄膜应用于太阳能电池时,其开路电压较低,因为它是窄带隙材料。理论上,-F e S i2薄膜太阳能电池的光电转换效率是2 8%1 2,但是目前为止,制备的太阳能电池的光电转换效率最高是3.7%2,远小于理论值。在硅基电子时代,因为-F e S i2与S i晶格失配度小于5%,-F e S i2薄膜电池通常制备在硅衬底上。室温下,硅的带隙值是1.1 2e V,由-F e S i2和S i制备的太阳能电池光电转换效率低的原因之一是对太阳光的吸收率较低。因此,研究-F e S i2薄膜在S i衬底上光的传输特性,尤其是在可见光和近红外的传输特性,对于提高器件的光电性能有重要意义。本文研究S i/-F e S i2/S i结构在可见光和近红外范围光的传输特性。-F e S i2和底层S i的厚度是固定的,-F e S i2在太阳能电池中的厚度适宜值是0.20.3m1 3-1 4。因此,采用有限元方式分析器件的光学传输性能,-F e S i2厚度值取0.3m。1 原理当光束在折射率不连续变化的多层介质中传播时,会发生反射和透射。理论的详细讨论已有文献报道1 5,通过推导已经得到相关的表达式,得到广泛应用1 6-2 0。特别地,根据菲涅尔系数矩阵公式(1),对置于空气中的三层薄膜结构,其反射率和透射率可以推导得到,如公式(3)和(4)所示。a bc d=1 r1r1 1ei1 r2ei1r2e-i1 e-i1 ei2 r3ei2r3e-i2 e-i2ei3 r4ei3r4e-i3 e-i3,(1)m=2 nmdmc o sm,(2)R=c c*a a*,(3)T=(t1t2t3t4)(t*1t*2t*3t*4)a a*,(4)式中:r1、r2、r3、r4为各层界面的反射系数;m为光线穿过每层薄膜时的位相变化;t1、t2、t3、t4为各层界面的透射系数,各层介质的折射率是复折射率,所以它们是复数;t*1、t*2、t*3、t*4为各层界面的透射系数的共轭复数值;为光波波长;nm为介质的折射率;dm为介质的厚度;m为光线的入射角,下标m为各层介质的序号;a、c表示系数矩阵中的对应元素,a*、c*表示其共轭复数值。平面波以直角入射,光波长为0.3 01.6 0m。由菲涅尔方程和麦克斯韦方程,吸收率为A()=1-R()-T()。R()和T()分别为反射率和透射率,通过有限元分析,它们的值与材料的折射率有关,包括折射率的实部和虚部。-F e S i2和S i的复折射率见文献2 1-2 2,如图1和图2所示。图1-F e S i2的复折射率图F i g.1 R e f r a c t i v e i n d e xo f-F e S i2图2 S i的复折射率图F i g.2 R e f r a c t i v e i n d e xo fS i924熊锡成,谢泉,姜淳,等.硅膜厚度对S i/-F e S i2/S i在宽光谱范围的传输特性影响2 方法对S i/-F e S i2/S i的反射率和透射率的研究有利于提高器件的性能,结构如图3所示。图3 S i/-F e S i2/S i结构图F i g.3 T h e s t r u c t u r eo fS i/-F e S i2/S i图3中,h1、h2和h3分别表示顶层S i的厚度、中间层-F e S i2的厚度和底层S i的厚度。平面波光束是可见光和近红外光,且垂直入射,其波长范围是0.31.6m。研究了两种参数的半导体器件结构,如表1所示。在两种结构参数中,仅有h1是变化的,在图4、图5和图6中均用曲线a和曲线b分别表示2种器件的光学传输特性。表1 半导体器件的参数T a b.1 T h ep a r a m e t e r so f s e m i c o n d u c t o rd e v i c e器件h1/mh2/mh3/m图4图6中曲线器件10.0 50.32a器件220.32b 以菲涅尔理论为基础,运用有限元方法计算了三层结构的反射率R()和透射率T()。3 结果与讨论对S i/-F e S i2/S i三层结构的反射率和透射率的研究结果如图4和图5所示。如图4所示,总体上,在0.3 01.1 0m的波长范围,反射率随着波长的增加在下降。但是在波长1.1 01.6 0m,反射率迅速上升,类似振幅增大的振荡波。当波长为0.3 00.4 5m时,随着顶层硅厚度从0.0 5m增加到0.2 0m,反射率从0.6 2下降到0.5 3。但是波长为0.4 50.5 2m时,随着顶层硅厚度从0.2 0m减少到0.0 5m,反射率的峰值从0.5 6上升到0.6 3。在波长0.3 01.1 0m范围,反射率对顶层硅厚度敏感,其峰值的数目随厚度的增加而增加,其值在0.1 0到0.5 7之间变化。在波长1.1 0m处,两种参数结构的反射率相同,约为0.3 0。波长在1.1 01.6 0m之间时,反射率对波长敏感,反射率值是振荡波形,其振幅在00.7 8间变化。当顶层硅厚度从0.0 5m增加到0.2 0m时,在波长0.5 0m处,反射率从0.6 2下降到0.1 8;在波长0.8 0m处,反射率从0.1 8上升到0.5 3。总的来说,顶层硅的厚度越大,反射率变化就越大。因此,这种结构能应用到高灵敏度的光电传感器中,通过选择不同的顶层硅厚度来确定最优的反射率和反射带宽。图4 S i/-F e S i2/S i结构的反射率图F i g.4 R e f l e c t i v i t i e so fS i/-F e S i2/S i 如图5所示,在0.3 01.0 0m的波长范围,两种参数的结构透射率都是0;在1.0 01.1 5m的波长范围,透射率线性地从0增加到0.2 0;然而,在波长1.1 51.6 0m的范围,透射率是一个快速振荡的波形,而且振幅在变大,在1.2 0m处是0.1 2到0.4 8,在1.4 0m处是从0.2 7到0.9 0。相似地,随着波长的增大,这样类似振荡形式的透射率的变化表明这种结构对波长敏感,而且在近红外范围内有较大的透射率值。图5 S i/-F e S i2/S i结构的透射率图F i g.5 T r a n s m i s s i v i t i e so fS i/-F e S i2/S i 总的来说,这种结构在可见光的透射率是0;在近红外范围有较大的数值,且有较大的波长敏感性。当顶层硅厚度从0.0 5m增加到0.2 0m时,透射率没有明显的变化。这种特性表明这样的器034第3 6卷 第3期信阳师范学院学报(自然科学版)h t t p:/j o u r n a l.x y n u.e d u.c n2 0 2 3年7月件结构可以用来制备谐振吸收器,或者适用于可见光的光学带阻滤波器,或适用于近红外的光学带通滤波器。这种结构的吸收率,如图6所示。在波长0.3 01.1 0m范围,吸收率的值在0.3 80.8 7间变化,而且呈振荡波形。随着顶层硅厚度的增加,吸收率波形的峰值数目在增加,峰值也在增大,其半高峰宽在变小。也就是说,顶层硅厚度的变化对吸收率影响较大。这种现象表明该结构在可见光内有较大的吸收率,顶层硅厚度为0.0 5m时,其最大的半高峰宽值是0.4 0m。波长为1.1 01.6 0m,吸收率迅速从0.7 0下降到0。图6 S i/-F e S i2/S i结构的吸收率图F i g.6 A b s o r p t i v i t yo fS i/-F e S i2/S i 当顶层硅厚度从0.0 5m增加到0.2 0m时,波长0.5 0m处的吸收率从0.4 0增加到0.8 4,波长0.8 0m处的反射率从0.8 7下降到0.4 3。总的来说,在可见光范围,这种特性可以应用于光电器件,如太阳能电池、光电探测器等。如图4、图5、图6所示,这种结构的反射率在可见光范围是从0.1 2上升到0.6 3,在近红外由0增加到0.7 8;透射率在可见光范围是0,在近红外由0.1 5增加到0.9 0;相应地,吸收率在可见光范围从0.3 8上升到0.8 7,在近红外范围从0.7 0迅速下降到0。随着顶层硅厚度的增加,反射率、透射率和吸收率的曲线变化迅速。在这种结构中,顶层硅的厚度极大地影响了器件在可见光范围内的光学传输特性,并且有较高的反射率和吸收率;但是在近红外范围内,顶层硅的厚度对光学传输特性的影响不明显,有较高的反射率和透射率。这种特性可以用来制备光电器件。材料的色散关系是造成器件这种特性的主要原因。硅材料在波长0.3 00.3 7m范围内有巨大的反常色散dn/d=3 0.5m-1,材料-F e S i2在波长0.3 01.1 0m范围内有较大的反常色散dn/d=5m-1。硅材料在波长0.3 70.7 3m有正常色散dn/d=-5.8m-1;在0.7 31.6 0m的波长范围内其折射率实部和虚部是常数,虚部值较大,实部很小,其值接近于0;同样地,材料-F e S i2在1.1 01.6 0m波长内有正常色散dn/d=-2.1m-1。4 结论对于S i/-F e S i2/S i结构,随着顶层硅厚度的变化,该结构可以在可见光和近红外制备高灵敏度的光电器件,如光学带阻滤波器或光学带通滤波器和具有高吸收率的太阳能电池。通过合理调节顶层硅的厚度,可以获得适当的光学传输特性,以得到需要的器件性能。该器件结构简单,制备方便,性能调节容易,与现代硅基集成电路工艺兼容,成本低,有利于-F e S i2应用于S i基器件的设计和制备,获得优良的光学传输性能。本文的研究为设计制备高灵敏度的光学器件提供了理论依据;为设计制备更高光电转换效率的太阳能电池提供了前期研究基础,如果从理论上和实验上进一步研究该结构的光生载流子输运情况,就可以得到具有更高光电转换效率的太阳能电池。参考文献:1 MAK I T AY,OO T S UKAT,F UKAU Z AWAY,e t a l.-F e S i2a s aK a n k y o(e n v i r o n m e n t a l l y f r i e n d l y)s e m i c o n d u c t o rf o rs o l a rc e l l si nt h es p a c ea p p l i c a t i o nC/P r o c e e d i n g s V o l u m e6 1 9 7,P h o t o n i c sf o rS o l a r E n e r g y S y s t e m s,S t r a s b o u r g:S P I E,2 0 0 6.2 L I UZ h e n g x i n,WANGS h i n a n,OT OGAWAN,e t a l.At h i n-f i l ms o l a r c e l l o fh i g h-q u a l i t y-F e S i2/S i h e t e r o j u n c t i o np r e p a r e db ys p u t t e r i n gJ.S o l a rE n e r g yM a t e r i a l sa n dS o l a rC e l l s,2 0 0 6,9 0(3):2 7 6-2 8 2.3 G E I BK M,MAHANJE,L ON GRG,e ta l.E p i t a x i a lo r i e n t a t i o na n dm o r p h o l o g yo f-F e S i2o n(0 0 1)s i l i c o nJ.J o u r n a l o fA p p l i e dP h y s i c s,1 9 9 1,7 0(3):1 7 3 0-1 7 3 6.4 YO S H I TAK E T,YA TA B L E M,I T AKUR A M,e ta l.S e m i c o n d u c t i n gn a n o c r y s t a l l i n ei r o nd i s i l i c i d et h i nf i l m sp r e p a r e db yp u l s e d-l a s e ra b l a t i o nJ.A p p l i e dP h y s i c sL e t t e r s,2 0 0 3,8 3(1 5):3 0 5 7-3 0 5 9.5 WU L i,HUF e i,YAOC h u j u n,e ta l.A n n e a l i n ge f f e c t sa n di n f r a r e dp h o t o e l e c t r i cr e s p o n s eo f-F e S i2o nS i(1 0 0)134熊锡成,谢泉,姜淳,等.硅膜厚度对S i/-F e S i2/S i在宽光谱范围的传输特性影响s u b s t r a t ep r e p a r e db yp u l s e dl a s e rd e p o s i t i o nJ.V a c u u m,2 0 2 1,1 8 8:1 1 0 1 8 3.6 R AHMAN MF,HA B I BMJA,A L IM H,e ta l.D e s i g na n dn u m e r i c a l i n v e s t i g a t i o no fc a d m i u mt e l l u r i d e(C d T e)a n d i r o ns i l i c i d e(F e S i2)b a s e dd o u b l ea b s o r b e r s o l a rc e l l st oe n h a n c ep o w e rc o n v e r s i o ne f f i c i e n c yJ.A I PA d v a n c e s,2 0 2 2,1 2(1 0):1 0 5 3 1 7.7 MOON M M A,A L IM H,R AHMAN M F,e ta l.D e s i g na n ds i m u l a t i o no fF e S i2-b a s e dn o v e lh e t e r o j u n c t i o ns o l a rc e l l s f o rh a r n e s s i n gv i s i b l ea n dn e a r-i n f r a r e dl i g h tJ.P h y s i c aS t a t u sS o l i d i(A),2 0 2 0,2 1 7(6):1 9 0 0 9 2 1.8 OKUHA R A Y,KUR OYAMA T,YOKO ED,e ta l.T h e r m a ld u r a b i l i t yo fs o l a rs e l e c t i v ea b s o r b e r sc o n s i s t i n go f-F e S i2w i t hl o we m i s s i v eA g l a y e r so ns t a i n l e s s s t e e lJ.S o l a rE n e r g yM a t e r i a l s a n dS o l a rC e l l s,2 0 2 0,2 0 6:1 1 0 3 0 4.9 T AKAKUR AKIT KI,S U EMA S U TST,HA S E G AWAF H F.D o n o ra n da c c e p t o r l e v e l si nu n d o p e d-F e S i2f i l m sg r o w no nS i(0 0 1)s u b s t r a t e sJ.J a p a n e s eJ o u r n a l o fA p p l i e dP h y s i c s,2 0 0 1,4 0(3 B):L 2 4 9.1 0 CHA R O E NYU E NYAOP,P R OMR O SN,CHA L E AWP ONGR,e t a l.I m p a c t o f a n n e a l i n g t e m p e r a t u r e a n dc a r b o nd o p i n go n t h ew e t t i n ga n ds u r f a c em o r p h o l o g yo f s e m i c o n d u c t i n g i r o nd i s i l i c i d e f o r m e dv i aR a d i o f r e q u e n c ym a g n e t r o ns p u t t e r i n gJ.T h i nS o l i dF i l m s,2 0 2 0,7 0 9:1 3 8 2 4 8.1 1 KA E N R A I W,P R OMR O S N,S I T T I MA R T P,e ta l.P h o t o v o l t a i cp r o p e r t i e sa n ds e r i e sr e s i s t a n c eo fp-t y p eS i/I n t r i n s i c S i/n-t y p e n a n o c r y s t a l l i n e F e S i2h e t e r o j u n c t i o n s c r e a t e d b y u t i l i z i n g f a c i n g-t a r g e t s d i r e c t-c u r r e n ts p u t t e r i n gJ.J o u r n a l o fN a n o s c i e n c ea n dN a n o t e c h n o l o g y,2 0 1 9,1 9(3):1 4 4 5-1 4 5 0.1 2 XUJ i a x i o n g,YANG Y u a n z h e n g.E f f e c t so fb a n do f f s e ta n dd o p i n gc o n c e n t r a t i o no nt h ep h o t o v o l t a i cp r o p e r t i e so fn-F e S i2/p-S i a n dp-F e S i2/n-S ih e t e r o j u n c t i o ns o l a rc e l l sJ.S u r f a c ea n dI n t e r f a c eA n a l y s i s,2 0 1 4,4 6(4):2 4 8-2 5 3.1 3 X I ON G X i c h e n g,X I E Q u a n,YAN W a n j u n.R e l a t i o n s h i pb e t w e e nt h et h i c k n e s so f-F e S i2t h i nf i l ma n dt h es o l a rp h o t ow a v e l e n g t hJ.C h i n e s eJ o u r n a l o fM e c h a n i c a lE n g i n e e r i n g,2 0 1 2,2 5(2):3 1 5-3 1 9.1 4 熊锡成.基于-F e S i2薄膜的太阳能电池研究D.贵阳:贵州大学,2 0 1 5.X I ONGX i c h e n g.S t u d yo ns o l a rc e l l b a s e d-F e S i2t h i nf i l mD.G u i y a n g:G u i z h o uU n i v e r s i t y,2 0 1 5.1 5 HE AV E N SOS.O p t i c a lp r o p e r t i e so f t h i ns o l i df i l m sM.L o n d o n:B u t t e r w o r t h sS c i e n t i f i cP u b l i c a t i o n s,1 9 5 5.1 6 薛泽利,张澜旭,温莹,等.隔离层掺杂纳米稀土氧化物的S a l i s b u r y屏优化设计J.信阳师范学院学报(自然科学版),2 0 2 1,3 4(2):2 8 3-2 8 6.XU EZ e l i,Z HAN GL a n x u,WE NY i n g,e t a l.O p t i m i z e dd e s i g no fS a l i s b u r ys c r e e nd o p e dw i t hn a n o m e t e r r a r ee a r t ho x i d eJ.J o u r n a l o fX i n y a n gN o r m a lU n i v e r s i t y(N a t u r a lS c i e n c eE d i t i o n),2 0 2 1,3 4(2):2 8 3-2 8 6.1 7 张海丰,李颖,程汉池,等.斜入射时S a l i s b u r y屏电磁参数匹配规律研究J.信阳师范学院学报(自然科学版),2 0 1 9,3 2(1):1 3 7-1 4 0.Z HAN G H a i f e n g,L IY i n g,CHE NG H a n c h i,e ta l.R e s e a r c ho nt h ee l e c t r o m a g n e t i cm a t c h i n gl a w so fS a l i s b u r ys c r e e na t t h eo b l i q u e i n c i d e n c eo fe l e c t r o m a g n e t i cw a v eJ.J o u r n a lo fX i n y a n gN o r m a lU n i v e r s i t y(N a t u r a lS c i e n c eE d i t i o n),2 0 1 9,3 2(1):1 3 7-1 4 0.1 8 J AVANNS,E R D IFR.M a g n e t i c f i e l de f f e c to nF r e s n e l c o e f f i c i e n t so f t h e t h i ns l a bo fg r a p h i t en a n o c o m p o s i t eJ.P l a s m o n i c s,2 0 1 9,1 4(1):2 1 9-2 3 0.1 9 S A F A R IM,KHE R AN INP,E L E F THE R I A D E SGV.M u l t i-f u n c t i o n a lm e t a s u r f a c e:V i s i b l ya n dR Ft r a n s p a r e n t,N I Rc o n t r o l a n d l o wt h e r m a l e m i s s i v i t yJ.A d v a n c e dO p t i c a lM a t e r i a l s,2 0 2 1,9(1 7):2 1 0 0 1 7 6.2 0 MOHAMME DZ H.T h ef r e s n e lc o e f f i c i e n to ft h i nf i l m m u l t i l a y e ru s i n gt r a n s f e rm a t r i x m e t h o dTMMJ.I O PC o n f e r e n c eS e r i e s:M a t e r i a l sS c i e n c ea n dE n g i n e e r i n g,2 0 1 9,5 1 8(3):0 3 2 0 2 6.2 1 闫万珺,谢泉,张晋敏,等.铁硅化合物-F e S i2带间光学跃迁的理论研究J.半导体学报,2 0 0 7,2 8(9):1 3 8 1-1 3 8 7.YAN W a n j u n,X I E Q u