SEPIC电路分析.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,SEPIC电路分析,1,主要内容,1、理想情况下的电路分析,2、实际情况下的电路分析,3、器件的选择,4、损耗的计算,5、电路效率的计算,2,1,、理想情况下电路分析,图1 理想情况下SEPIC电路,3,1、理想情况下电路分析,图2 当MOSFET导通时电路,回路方程：,MOSFET开通时电路,4,1、理想情况下电路分析,图3 MOSFET关断时电路图,回路方程：,MOSFET关断时电路,5,电感伏秒平衡方程,电容充放电平衡方程,1、理想情况下电路分析,6,2、实际情况下的电路分析,图4 实际情况下的电路,7,MOSFET导通时实际电路,图5 当MOSFET导通时实际电路,回路方程：,2、实际情况下的电路分析,8,图6 MOSFET关断时电路图,MOSFET关断时实际电路,2、实际情况下的电路分析,回路方程：,9,电感伏秒平衡方程,电容充放电平衡方程,2、实际情况下电路分析,10,3、器件的选择,1）电感的选择,确定电感的规则是，在最小输入电压时使,得纹波电流的大小约为稳定值得30%。,电感L1的纹波电流：,得,同理可得L2的值,11,3、器件的选择,2）电容的选择,确定电容的规则是，在最小输入电压时使,得纹波电压的大小约为稳定值得5%。,电容C1的纹波电压：,同理可得C2的值,12,3、器件的选择,3）功率MOSFET的选择,流过开关管的最大电流值,其中,承受到最大反向峰峰值电压为,4）电力二极管的选择,流过二极管的最大电流值,承受到最大反向电压为,13,4、损耗的算,a）MOSFET的关断损耗,1）MOSFET的开关损耗,b）MOSFET的开通损耗,d）一个周期内MOSFET总的损耗,图7 MOSFET关断时的波形图,c）MOSFET的导通损耗,14,4、损耗的算,2）电力二极管的损耗,3）电感的的损耗,15,5、效率的计算,16,Thanks！,17,