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理论:晶体极管教学首页.doc

上传人:仙人****88 文档编号:5825403 上传时间:2024-11-20 格式:DOC 页数:7 大小:530.50KB 下载积分:10 金币
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资源描述
新会冈州职业技术学校教案首页 课程名称: 电子技术(上册) 授课教师:麦亚勇 授课班级 15汽电 、15制冷 授课日期 2016年9月12日-2016年9月23日 授课内容 (章节名称) 晶体管理论教学 授课方式 讲演练相接合 教 具 万用表、烙铁、电子元件 教学目标 1、学会使用万用表判别二、三极管的管脚 2、通过测量煅炼学生的观察能力、动手能力、实践能力。 教学重点 1、学会判别NPN型三极管的管脚。 教学难点 1、集电极与发射极的判别。 教学过程 时间分配 共 4 课时;其中: 二极管实训2课时 三极管实训2课时 课后体会: 新会冈州职业技术学校教案 第 页 1.1半导体二极管 1.1.1半导体二极管的结构、符号 晶体二极管的电路符号 △半导体是制作晶体二极管、晶体三极管、场效应管和集成电路的材料。 △温度升高,半导体的导电能力增强。 △在半导体材料中掺入微量杂质元素,电阻率下降,导电能力增强。 △半导体的导电能力随着光照强度的增强而增强。 △常用的半导体材料有硅(元素符号为Si)和锗(元素符号为Ge)两种。 △ △杂质半导体有两种: N型半导体和P型半导体 。 (1)N型半导体 在半导体硅(或锗)元素中掺入五价元素,例如磷(元素符号P)。 N型半导体中自由电子占大多数,称为多数载流子;而空穴称为少数载流子。在外电场的作用下电流中主要部分是电子流。 (2)P型半导体 在本征半导体硅(或锗)元素中掺入三价元素,例如硼(元素符号B)。 在P型半导体中空穴占大多数,称为多数载流子;而自由电子称为少数载流子。在外电场的作用下电流中主要部分是空穴流。 1.1.2 PN结和它的单向导电性 △按照制造材料的不同分为硅二极管和锗二极管。 △按照用途分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管等。 △按照制造工艺分类有点接触型、面接触型、平面型等。 1、 2. 将N型半导体与P型半导体采用特殊的工艺结合在一起时,在其交界处会形成一种特殊的层,这就是PN结。 2、PN结具有很重要的特性——单向导电性。 3、PN结加正向电压-导通 △将PN结按照图(a)所示接上电源称为加正向电压,称为PN结处于导通状态。 △ PN结加反向电压——截止 将PN结按照图(b)所示接上电源称为加反向电压,称为PN结处于截止状态。 综上所述,当PN结加正向电压时会导通,加反向电压时会截止,这就是PN结的单向导电性。 1.1.3 伏安特性 3. 二极管两端的电压u与电流i之间的变化规律称为晶体二极管的伏安特性。 4. 晶体二极管伏安特性曲线 5. 1.1.4 二、 半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压UR 3. 最高工作频率fM 1.1.5 三、 特殊二极管 1. 稳压管 2. 发光二极管 发光二极管(LED)是一种直接将电能转化为光能的器件。 1.2半导体三极管 四、 半导体三极管的结构、符号 1. 半导体三极管的外形 课本P4 图1-5 2. 半导体三极管的电路符号 3. 半导体三极管的结构特点 △晶体三极管中间的区域为基区,基区较薄,两边的分别为发射区和集电区。三个电极分别称为基极 (用b表示)、发射极(用e表示)、集电极(用c表示)。 △发射极与基极之间的PN结称为发射结(简称e结);集电极与基极之间的PN结称为集电结(简称c结)。 按照制造材料的不同分为硅二极管和锗二极管。 4. (补充)半导体三极管的分类 △按照制作材料分类:有硅管和锗管。 △按照内部结构分类:有NPN型和PNP型(不论是硅管还是锗管都有NPN型和PNP型)。 △按照用途分类:有放大管和开关管等。 △按照工作频率分类:有低频管和高频管。 △按照功率分类:有小功率管、中功率管和大功率管等。 五、 三极管电流放大作用 1. 三极管放大的外部条件,发射结正偏;集电结反偏。 2. 晶体三极管中的电流分配关系 △当发射结两端的电压变化时IB就要变化,IC也要随之变化,因此IC的变化量与IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大系数,用β表示,即β=ΔIC/ΔIB 3. 三、 六、 伏安特性 1. 三极管的输入特性。 △输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似。当uBE大于门限电压UT以后,iB随着uBE的增加而增加。 2. 输出特性曲线 △在一定的基极电流IB下,输出回路中集电极电流iC与uCE之间的关系曲线称为输出特性曲线。按照图1-10(a)连接电路,改变RB使IB为某一个固定的数值(例如20µA)并保持不变。逐渐增加VCC,测出一系列iC和uCE的值,描点连线即可以得到一条输出特性曲线。 △曲线分成三个区域:当uCE较小时,曲线陡峭,这部分称为饱和区。在饱和区,iB增加时iC变化不大,不同iB下的几条曲线几乎重合,表明iB对iC失去控制,呈现“饱和”现象。 实训报告 晶体管的简单测试 一、 实验目的 (1) 熟悉二极管的管脚与质量的判别。 (2) 熟悉三极管的管脚、管型与质量的判别。 二、 实验知识 第一章第二节半导体二极管、第三节半导体三极管。 三、 实验仪器与器材 万用表,各种型号的二极管、三极管各一个。 四、 实验内容与步骤 1、 二极管管脚与质量的判别 (1) 判别二极管的极性 最简单的判断方法是用一只普通万用表来测量它的正、反向电阻,首先将万用表欧姆挡的量程拨到R*100或R*1K挡位置,然后将两表棒接二极管的两个电极,交换电极再测一次,从而得到两个电阻值。可由测得电阻值小的一次测量来确定其正、负极,即黑表棒接的是二极管的正极,红表棒接的是二极管的负极。 (2) 检测二极管的好坏 检查时,用万用表的红、黑两根表棒,分别正接和反接二极管两端,即可测出大、小两个阻值。如果测得的正、反向电阻值相差很大,则表示二极管的单向导电性能好。反之,如测得的正反向电阻值差不多,则表示二极管性能差。要特别注意两种情况:如果测得正、反向阻值均为∞,则表示二极管内部已经断路;如果测得阻值均为零,则表示二极管的两个电极短路。无论测得正、反向电阻均为零还是为∞都说明二极管已坏,不能再使用。 2、 三极管的管脚、管型与质量的判别 口诀: 假设一基极,黑笔接上去。红笔另两极,都小则成立。 结论应有三,类型材和基。 C极要假设,黑C红接E。B、C加偏置,手指较适宜。读数若较小,假设则成立。 前三句为判断类型、材料、基极的;后三句是按NPN型管写的。 对于NPN管 第一次假设:黑表笔接假设C极,红表笔接假设E极,测得阻值为: 第二次假设:黑表笔接假设C极,红表笔接假设E极,测得阻值为: 哪一次假设正确? 对于PNP管 第一次假设:红表笔接假设C极,黑表笔接假设E极,测得阻值为: 第二次假设:红表笔接假设C极,黑表笔接假设E极,测得阻值为: 哪一次假设正确? 7
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