电磁屏蔽理论基础.ppt

在直角坐标系下，电磁场基本方程中的旋度方程为123456789相关推导1011121314151617181920212223242526272829303132333435363738394041424344454647484950515253545556575859606162636465666768高压输电线路工频电场屏蔽研究试验环境选择500kV输电线下的开阔区域，分别测量架设多种形式的屏蔽线（网）前后的工频电场值。架设的屏蔽线（网）接地良好，测量点取距地面1.5m高处，依照中华人民共和国电力行业标准高压交流架空送电线路、变电站工频电场和磁场测量方法（DL/T988-2005）进行测量。在输电线下，沿输电线路的走向，平行设置长为40米的屏蔽线，线路的高度、各种形式的屏蔽线以及屏蔽网的相对位置、测量点的布置如图2-1所示。屏蔽装置的架设屏蔽装置的架设70架设一根屏蔽线后的效果一根屏蔽线，架设高度相同，水平位置不同。采用一根离地高度为10米的屏蔽线，其位置离输电线路的B相线分别为14.1米，15米，15.9米。71一根屏蔽线，水平位置相同，架设高度不同的效果一根屏蔽线，设置在b位置，与B相线水平位置15米，离地高度分别为10米，8.08米，6.16米，其测量结果如下图。72架设两根屏蔽线后的效果两根屏蔽线，对地高度为10米，设置的位置分别为a-b，a-c，a-a 的垂直排列(相距2米，下同)，其测量结果如下。73架设三根屏蔽线后的工频电场屏蔽情况74三根屏蔽线位置分别在a，b和c，构成一组，离地面高度分别为10米，8.08米和6.16米时，输电线下工频电场测量结果如下：架设屏蔽网后的电场测量75屏蔽线的屏蔽效果预测线路参线路参数数500kV，四四分分裂裂，导导线线三三相相三三角角形形排排列列，三三相相高高度度分分别别为为18.5米米，22米米，18.5米米，水水平平位位置置分分别别为为：-11米米、0、11米米。避避雷雷线线高高度度都都为为25米米，水水平平位位置置分分别别为：为：-7，7。序号序号屏蔽线屏蔽线位置（米）屏蔽线位置（米）高度（米）根数（根）间距（米）10/2931.511，12.5，1433211，13，1543311，14，1755111，12，13，14，1565210，12，14，16，187538，11，14，17，2076 电磁屏蔽分析1.机理机理：表面反射（R 反射损耗）屏蔽材料吸收衰减（A 吸收损耗）多次反射（B 多次反射修正）tu屏蔽效能：u媒质的本征阻抗：良导体 ：772.单层屏蔽体的屏蔽效能均匀平面波垂直入射到无限大、厚度为t的导体板上u传播常数：良导体：u波阻抗：a.远场：b.近场（以电场为主）：c.近场（以磁场为主）：78反射系数：透射系数：12设入射波场强u一次透射：x=0 面上：反射波：透射波：反射波：透射波：x=t 面上：tx21379u二次透射：x=0 面上：反射波：透射波：x=t 面上：反射波：第n 次透射：总透射场强80故：即：相对于铜的电导率，铜：厚度（mm）。吸收损耗 A(dB)相对磁导率；良导体81 反射损耗 R(dB)波阻抗良导体：a.远场：b.近场：电场源媒质本征阻抗频率升高，反射损耗减小c.近场：磁场源频率升高，反射损耗增加82 多次反射修正 B（dB）而故：当 时，则当 时，通常可忽略B。83例 有一个大功率线圈的工作频率为20kHz，在离线圈0.5m处放置一铝板 以屏蔽线圈对设备的影响。设铝板厚度为0.5mm，相对电导率为0.61。试计算其屏蔽效能。解：屏蔽体所处场区：近场对于大功率线圈 产生强磁场，主要为磁屏蔽。故又故返回84