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精品学习资料范文电子束实验报告数据 篇一：电子束偏转实验报告 篇一：电子束的偏转实验报告 实验题目： 电子束线的偏转 实验目的 1. 研究带电粒子在电场和磁场中偏转的规律； 2. 了解电子束管的结构和原理。 仪器和用具 实验原理 1电子束在电场中的偏转 假定由阴极发射出的电子其平均初速近似为零，在阳极电压作用下，沿z方向作加速运动，则其最后速度vz可根据功能原理求出来，即eua?移项后得到 vz? 2 12mvz 2 2eua （c.11.1） m e 式中ua为加速阳极相对于阴极的电势，为电子的电荷与质量之比（简称比荷，又称荷 m 质比）如果在垂直于z轴的y方向上设置一个匀强电场，那么以vz速度飞行的电子将在y方向上发生偏转，如图c.11.l所示若偏转电场由一个平行板电容器构成，板间距离为d，极间电势差为u，则电子在电容器中所受到的偏转力为fy?ee? eu （c.11.2） d ?根据牛顿定律 fy?m?y?因此 ?y eu d eu （c.11.3） md 即电子在电容器的y方向上作匀加速运动，而在z方向上作匀速运动，电子横越电容器 的时间为 t? l （c.11.4） vz 当电子飞出电容器后，由于受到的合外力近似为零，于是电子几乎作匀速直线运动，一直打到荧光屏上，如图c.11.l里的f点整理以上各式可得到电子偏离z轴的距离 n?ke u （c.11.5） ua ll?l? 1? 2d?2l? 式中ke? 是一个与偏转系统的几何尺寸有关的常量所以电场偏转的特点是：电子束线偏离z轴（即荧光屏中心）的距离与偏转板两端的电压成正比，与加速极的加速电压成反比 2电子束在磁场中的偏转 如果在垂直于z轴的x方向上设置一个由亥姆霍兹线圈所产生的恒定均匀磁场，那么以速度vz飞越的电子在y方向上也将发生偏转，如图c.11.2所示假定使电子偏转的磁场在l范围内均匀分布，则电子受到的洛伦兹力大小不变，方向与速度垂直，因而电子作匀速圆周运 动，洛伦兹力就是向心力，所以电子旋转的半径r? mvz （c.11.6） eb 当电子飞到a点时将沿着切线方向飞出，直射荧光屏，由于磁场由亥姆霍兹线圈产生，因此磁场强度b?ki （c.11.7） 式中k是与线圈半径等有关的常量，i为通过线圈的电流值将（c.11.1）、（c.11.7）式代人（c.11.6）式，再根据图c.11.2的几何关系加以整理和化简，可得到电于偏离z轴的距离n?km i （c.11.8） a llk?l?e 1? ?2?2l?m 式中km? 也是一个与偏转系统几何尺寸有关的常量所以磁场偏转的特点是：电子束的偏转距离与加速电压的平方根成反比，与偏转电流成正比 1 2 3 22 电子管内部线路图 实验内容 1、 研究和验证示波管中电场偏转的规律。 检验： 加速电压不变时，偏转距离与偏转电压是否成正比， 偏转电压不变时，偏转距离与加速电压是否成反比， 测量：加速电压vk单位(v) 偏转距离n单位(格) 偏转电压vy单位(v) 画出vy-n曲线，验证偏转距离n与偏转电压vy是否成正比，并算出电偏转灵敏度s= n /vy。 根据vy-n图线，证明n1vk1= n2vk2= n3vk3=常量，就验证偏转距离n与加速电压vk 成反比关系。 2.研究和验证显象管中磁场偏转的规律。 检验： 加速电压不变时，偏转距离与偏转电流是否成正比， 偏转电流不变时，偏转距离与加速电压的平方根是否成反比。 测量：加速电压vk单位(v) 偏转距离d单位(格) 偏转电压vd单位(v)，偏转电流id 单位(a) 在坐标纸上画出id-d关系曲线，验证偏转距离d与偏转电流id是否成正比，并算出磁偏转灵敏度s= d /id。根据id-d曲线，证明d1?k1?d2?k2?d3?k3=常量，就验证偏转距离d与加速电压的平方根k成反比关系。 根据id-d曲线，证明d1?k1?d2?k2?d3?k3=常量，就验证偏转距离d与加速电压的平方根k成反比关系。篇二：电子束电偏转实验报告册 实验项目名称：电子射线束的电偏转和磁偏转 学号：_ 姓名：_ 班级：_实验序号：_ 时间：第_周星期_第_节课 联系方式：_ 实验目的 （1）研究带电粒子在电场及磁场中偏转的规律。 （2）了解电子阴极射线管的结构和原理。 （3）学会用外加磁场的方法使示波管中的电子射线束产生偏转。 实验仪器 ds-电子束实验仪。 实验原理及预习问题 （1）电偏转有什么特点？它主要用在哪些器件中？ （2）在电偏转实验中如何进行仪器的校准调零？ （3）在磁偏转实验中如何进行仪器的校准调零？ （4）简述电、磁偏转的优缺点。 （5）如果电子不是带负电而是带正电，电子束在磁场中如何偏转？ 实验内容和数据处理 电偏转： 1.仪器的校准调零 2.测试x方向电偏转系统的线性及偏转灵敏度 1）选取1个u2值，调节偏转电压udx旋钮，将光点偏转距离d的值和对应偏转电压udx的值一一对应地记录。 2）改变加速电压u2的大小（同时调整聚焦电压，使光斑的大小和亮度适中），重复步骤1）。 y方向电偏转系统的线性及偏转灵敏度 数据处理 1）分析在不同加速电压下，光斑的偏转距离d与偏转电压udx（udy）的关系，画出 d?udx（d?udy）关系曲线。 2）对不同加速电压，算出x（y）方向的电偏转灵敏度。并分析sed与u2之间的关系。 磁偏转： 1.仪器的校准调零 2.研究带电粒子在磁场中的偏转规律 1）选取1个u2值，沿顺时针方向缓慢旋转电流调节旋钮，将光点偏转距离d的值和对应偏转电流的值一一对应地记录。 2）改变加速电压u2的大小（同时调整聚焦电压，使光斑的大小和亮度适中），重复步骤1）。 指导教师签字：_ 数据处理 1） 分析在不同的加速电压下，光斑的偏转距离d与偏转线圈电流i的关系，画出 d?i关系曲线。 2） 在不同加速电压下，算出磁偏转灵敏度smd，并找出smd与u2的关系，画出 smd?u2关系曲线。 实验小结和体会 本次实验感觉最深的是什么？ 教师评语 评分 批改教师签名： 日期： 篇三：电子束的电偏转和磁偏转 电子束的电偏转和磁偏转 ? 实验目的： 1.掌握电子束在外加电场和磁场作用下的偏转的原理和方式。 2.观察电子束的电偏转和磁偏转现象，测定电偏转灵敏度、磁偏转灵敏度、截止栅偏压。 ? 实验原理： 1 电偏转的观测 电子束电偏转原理图如图（1）所示。当加速后的电子以速度v沿x方向进入电场时，将受到电场力作用，作加速运动，电子穿出磁场后，则做匀速直线运动，最后打在荧光屏上。其电偏转的距离d与偏转电压v，加速电压va及示波管结构有关。 图（1）电子束电偏转原理 为了反应电偏转的灵敏程度，定义 ?e? d (1) v ?e称为电偏转灵敏度，用mm/v为单位。?e越大，电偏转的灵敏度越高。实验中d从 荧光屏上读出，记下v，就可验证d与v的线性关系。 2.磁偏转原理 电子束磁偏转原理如图（2）所示。当加速后的电子以速度v沿x方向垂直射入磁场时，将会受到洛伦磁力作用，在均匀磁场b内作匀速圆周运动，电子穿出磁场后，则做匀速直线运动，最后打在荧光屏上。 为了反映磁偏转的灵敏程度，定义 ?m?sli (2) ?m称为磁偏转灵敏，用mm/a为单位。?m越大，表示磁偏转系统灵敏度越高。实验 中s从荧屏上读出，测出i，就可验证s与i的线性关系。 3.截止栅偏压原理 示波管的电子束流通常通过调节负栅压ugk来控制的，调节ugk即调节“辉度调节”电位器，可调节荧光屏上光点的辉度。ugk是一个负电压，通常在-3545之间。负栅压越大，电子束电流越小，光点的辉度越暗。 使电子束流截止的负栅压ugk0称为截止栅偏压。 ? 实验仪器： th-eb型电子束实验仪，示波管组件，030v可调直流电源，多用表 ? 实验步骤： 1. 准备工作。 2. 电偏转灵敏度的测定。 3. 磁偏转灵敏度的测定。 4. 测定截止栅偏压。 ? 数据记录及实验数据处理： 1电偏转（va?800伏） 水平电偏转灵敏度d-v曲线： 垂直电偏转灵敏度d-v曲线： 电偏转（va?1000伏）垂直电偏转：2. 2.磁偏转（va?800伏）磁场励磁线圈电阻r=210欧姆磁偏转（va?1000伏）注：偏移量d或s等于加电压时的光点坐标与0伏电压的光点坐标的差值。 3.截止栅偏压：99.73v。 ? 结论： 不同阳极电压下的水平电偏转灵敏度和垂直电偏转灵敏度的d-v成线性关系。 篇二：电子束的偏转实验报告 实验题目： 电子束线的偏转 实验目的 1. 研究带电粒子在电场和磁场中偏转的规律； 2. 了解电子束管的结构和原理。 仪器和用具 实验原理 1电子束在电场中的偏转 假定由阴极发射出的电子其平均初速近似为零，在阳极电压作用下，沿z方向作加速运动，则其最后速度vz可根据功能原理求出来，即eUA?移项后得到 vz? 2 12mvz 2 2eUA （C.11.1） m e 式中UA为加速阳极相对于阴极的电势，为电子的电荷与质量之比（简称比荷，又称荷 m 质比）如果在垂直于z轴的y方向上设置一个匀强电场，那么以vz速度飞行的电子将在y方向上发生偏转，如图C.11.l所示若偏转电场由一个平行板电容器构成，板间距离为d，极间电势差为U，则电子在电容器中所受到的偏转力为Fy?eE? eU （C.11.2） d ?根据牛顿定律 Fy?m?y?因此 ?y eU d eU （C.11.3） md 即电子在电容器的y方向上作匀加速运动，而在z方向上作匀速运动，电子横越电容器 的时间为 t? l （C.11.4） vz 当电子飞出电容器后，由于受到的合外力近似为零，于是电子几乎作匀速直线运动，一直打到荧光屏上，如图C.11.l里的F点整理以上各式可得到电子偏离z轴的距离 N?KE U （C.11.5） UA Ll?l? 1? 2d?2L? 式中KE? 是一个与偏转系统的几何尺寸有关的常量所以电场偏转的特点是：电子束线偏离z轴（即荧光屏中心）的距离与偏转板两端的电压成正比，与加速极的加速电压成反比 2电子束在磁场中的偏转 如果在垂直于z轴的x方向上设置一个由亥姆霍兹线圈所产生的恒定均匀磁场，那么以速度vz飞越的电子在y方向上也将发生偏转，如图C.11.2所示假定使电子偏转的磁 场在l范围内均匀分布，则电子受到的洛伦兹力大小不变，方向与速度垂直，因而电子作匀速圆周运动，洛伦兹力就是向心力，所以电子旋转的半径R? mvz （C.11.6） eB 当电子飞到A点时将沿着切线方向飞出，直射荧光屏，由于磁场由亥姆霍兹线圈产生，因此磁场强度B?kI （C.11.7） 式中k是与线圈半径等有关的常量，I为通过线圈的电流值将（C.11.1）、（C.11.7）式代人（C.11.6）式，再根据图C.11.2的几何关系加以整理和化简，可得到电于偏离z轴的距离N?KM I （C.11.8） A Llk?l?e 1? ?2?2L?m 式中KM? 也是一个与偏转系统几何尺寸有关的常量所以磁场偏转的特点是：电子束的偏转距离与加速电压的平方根成反比，与偏转电流成正比 1 2 3 22 电子管内部线路图 实验内容 1、 研究和验证示波管中电场偏转的规律。 检验： 加速电压不变时，偏转距离与偏转电压是否成正比， 偏转电压不变时，偏转距离与加速电压是否成反比， 测量：加速电压VK单位(V) 偏转距离N单位(格) 偏转电压Vy单位(V) 画出Vy-N曲线，验证偏转距离N与偏转电压Vy是否成正比，并算出电偏转灵敏度S= N /Vy。 根据Vy-N图线，证明N1VK1= N2VK2= N3VK3=常量，就验证偏转距离N与加速电压VK 成反比关系。 2.研究和验证显象管中磁场偏转的规律。 检验： 加速电压不变时，偏转距离与偏转电流是否成正比， 偏转电流不变时，偏转距离与加速电压的平方根是否成反比。 测量：加速电压VK单位(V) 偏转距离D单位(格) 偏转电压VD单位(V)，偏转电流ID 单位(A) 在坐标纸上画出ID-D关系曲线，验证偏转距离D与偏转电流ID是否成正比，并算出磁偏转灵敏度S= D /ID。根据ID-D曲线，证明D1?K1?D2?K2?D3?K3=常量，就验证偏转距离D与加速电压的平方根K成反比关系。 根据ID-D曲线，证明D1?K1?D2?K2?D3?K3=常量，就验证偏转距离D与加速电压的平方根K成反比关系。 篇三：青岛科技大学电子束实验报告 篇一：青岛科技大学c语言上机实验报告 实验一 上机操作初步(2学时) 一、实验方式：一人一机 二、实验目的： 1、熟悉vc+语言的上机环境及上机操作过程。 2、了解如何编辑、编译、连接和运行一个c程序。 3、初步了解c程序的特点。 三、实验内容：说明：前三题为必做题目，后两题为选做题目。 1、输出入下信息：(实验指导书p3) * very good * 2、计算两个整数的和与积。(实验指导书p4) 3、从键盘输入一个角度的弧度值x，计算该角度的余弦值，将计算结果输出到屏幕。(书p4) 4、在屏幕上显示一个文字菜单模样的图案： = 1 输入数据 2 修改数据 3 查询数据 4 打印数据 = 5、从键盘上输入两个整数，交换这两个整数。 四、实验答案：（代码+运行结果截屏） 第一题： #include stdio.h main() printf(*n); printf( very goodn); printf(*n); 第二题： #include stdio.h #include math.h main() int a,b,c,d; printf(请输入两个数a,bn); scanf(%d %d, a, c=a+b; d=a*b; printf(下面为两数之和n); printf(%dn,c); printf(下面为两数之积n); printf(%dn,d); 第三题： #include stdio.h #include math.h main() double x,s; printf(请输入角度的弧度值x:n); scanf(%lf, s=cos(x); printf(cos(%lf)=%lfn,x,s); 第四题： #include stdio.h main() printf(=n); printf( 1 输入数据 2 修改数据n); printf( 3 查询数据 4 打印数据n); printf(=n); 第五题： #include stdio.h main() int a,b,c; printf(请输入任意两个整数:a,bn); scanf(%d %d, a, c=b; b=a; a=c; printf(a=%d,b=%dn,a,b) ; 实验二 简单的c程序设计(4学时) 一、实验方式：一人一机 二、实验目的： 1、掌握c语言的数据类型。 2、学会使用c语言的运算符及表达式。 3、掌握不同数据类型的输入输出方法。 三、实验内容：说明：前四题为必做题目，后两题为选做题目。 1、输入r1、r2，求出圆形垫片面积。(实验指导书p10) 2、输入华氏温度h，输出摄氏温度c。(实验指导书p11) 3、从键盘输入一个3位整数，将输出该数的逆序数。(实验指导书p14) 4、输入并运行以下程序，分析运行结果。 #include stdio.h void main( )int i,j; i=8; j=10; printf(“%d,%dn”,+i,+j); i=8; j=10; printf(“%d,%dn”,i+,j+); i=8; j=10; printf(“%d,%dn”,+i,i); printf(“%d,%dn”,i+,i); 5、输入三角形三条边的边长，求三角形的面积。(实验指导书p153) 6、输入3个字符型数据，将其转换成相应的整数后，求它们的平均值并输出。(实验指导p154) 四、实验答案：（代码+运行结果截屏） 第一题： #include stdio.h #define p 3.14 int main() float r1,r2; double s1,s2,s; printf(请输入r1,r2:n); scanf(%f%f, r1, r2); s2=r2*r2*p; s1=r1*r1*p; if(r1 r2) s=s1-s2; else s=s2-s1; printf(该圆环的面积为：); printf(s=%lfn,s); return 0; 第二题： #include stdio.h int main() float h,c;篇二：青岛科技大学实习报告 青岛科技大学实习报告 姓名：陈颜婷 学号：1001030217 学院：化工学院 专业：药物制剂102 指导老师：黄山 公衍玲 青岛科技大学教务处 2013年11月16号前言 1、药物研发发展趋势 从20世纪初至80年代，是化学药物飞速发展的时代，在此期间，发现 及发明了现在所使用的一些最重要的药物，为人类健康做出了贡献。从合成药物发展的历史及现今科学技术的进步来展望21世纪合成药物发展的趋势，可以从下列几个方面加以评述： 1）从药用植物中发现新的先导化合物并进行结构修饰、发明新药仍是 21世纪合成新药研究的重要部分。尤其是由于细胞及分子水平的活性筛选方法的常规化和分离技术的精巧化，有可能从植物中发现极微量的新的化学结构类型。同时，通过现代的筛选模型重新发现20世纪已经筛选过的植物化学成分的新用途，也为合成新药研究提供了更多的 2）从天然来源发现新结构类型抗生素已经很困难，微生物对抗生素的 耐药性的增加，不合理的使用抗生素，使得一种抗生素的使用寿命愈来愈短。这种情况促使半合成及全合成抗生素在21世纪会得到特别发展。 3）组合化学技术应用到获得新化合物分子上，是仿生学的一种发展。 它将一些基本小分子装配成不同的组合，从而建立起具有大量化合物的化学分子库，再结合高通量筛选来寻找到一些具有活性的先导化合物。 4）有机化合物仍然是21世纪合成药物最重要的来源。 5）、20世纪6070年代，仪器分析（光谱、色谱）学科的逐渐形成， 加快了化学合成药物开发的速度，使化学药物质量可控性达到相当完美的程度。进入 21世纪，一批带有高级计算机仪器的发明，分离、分析手段的不断提高，特别是分析方法进一步的微量化等将使化学合成药物的质量更加提高，开发速度也会进一步加快。 6）药理学进一步分枝化为分子药理学、生化药理学、免疫药理学、受 体药理学等，使化学合成药物的有效药理表现更加具有特异性。21世纪，化学合成药物会紧密地推动药理学科的发展，药理学的进展又会促进化学合成药物向更加具有专一性的方向发展，使其不但具有更好的药效，毒副作用也会更加减少。 7）经过半个世纪的积累，通过利用计算机进行合理药物设计的新药研 究和开发，展现出良好的发展前景。21世纪，酶、受体、蛋白的三维空间结构会一个一个地被阐明的，这给利用已阐明这些“生物靶点”进行合理药物设计，从而开发出新的化学合成药物奠定了坚实的基础。8）防治心脑血管疾病、癌症、病毒及艾滋病、老年性疾病、免疫及遗 传性等重要疾病的合成药物是21世纪重点需要开发的新药。 9）分子生物学技术的突飞猛进、人类基因组学的研究成就，将对临床 用药产生重大影响，不但会有助于发现一类新型微量内源性物质，如活性蛋白、细胞因子等药物，也为化学合成药物研究特别是提供新的作用靶点奠定了重要的基础。 10）入21世纪，化学合成药物仍然是最有效、最常用、最大量及最重 要的治疗药物。人类基因组学的研究成就、中药现代化的巨大吸引力为我们带来了美好的前景，引起了包括政府部门、企业家以及媒体的关心与兴趣。将之作为重点科学事业给予支持与鼓励，这是值得赞赏的，但是若因此而形成对化学合成药物的忽视局面，甚至更多的渲染它的毒副作用，或用一些如“回归自然”、“绿色消费”等动听的名词来贬低化学合成药物的重要性和实用性，这是不全面的。当今世界大制药公司新药研究的主题仍是化学合成药物。而利用人类基因组学及中药现代化的成就开发出可以临床使用的药物并占有重要地位是一件十分困难的事业，需要相当时间的积累。假使说用化学方法合成药物是今天该做的事，否则我们与国际水平相比将会有更大的差距。 2、药物剂型发展趋势 （1）透皮吸收给药系统 此方面的基础实验研究、透皮制剂组方及现代方法系统研究已取得一定进展。研究表明，部分中药的有效成分能够透皮吸收，尤其在透皮促进剂作用下效果更好。 通过用hplc对透皮接受液中洋金花的主要成分东莨菪碱进行测定，并比较不同透皮促进剂对洋金花透过蛇皮速率的影响，为筛选组方提供了依据；以有效成分之一小檗碱的氘标记物做示踪剂对如意黄金散黑膏进行的透皮示踪研究均取得了良好结果。为中药涂膜剂、膜剂、贴剂奠定理论基础。并可配合应用传统的中医穴位理论，采用穴位透皮给药获得较好的结果。 （2）微囊制剂 此研究使常规中药剂型：片剂、颗粒剂、胶囊剂变得更加有效、安全、方便。制成的微囊， 根据粒径不同，可供制备多种剂型，既可解决某些剂型的质量不稳定问题，又可制备缓释及长效制剂。如驱绦虫中草药鹤草酚片剂，崩解度及释放度均较差，为了增加药物在制剂中的分散性和稳定性，使其在胃肠道中处于分散状态，从而在小肠上段特定部位与寄生虫病原体相接触，充分发挥药物的治疗作用，改为复凝聚法制成微囊颗粒剂，经释放度测定、累计释药率在2小时即达高峰，在小肠上段造成高浓度，制成使药物控速在特定部位释放的新剂型。 （3）缓释、控释和靶向给药系统 成功用于化学药物的定时、定向、恒速释药系统及靶向给药系统已在中药制剂中应用。如雷公藤缓释片所含乙酸乙酯与普通片相当，每日剂量一致，但生物利用度提高，毒副作用减轻。将疗效较好的中药复方“散结化淤冲剂”浸膏和氟尿嘧啶相结合组成的复合抗癌药，加入明胶和磁微粉等制成磁性微球释药系统，该制剂在体外磁场导向下浓集滞留在靶区的癌组织上，缓慢释放药物，从而达到提高疗效，减少用药量和降低毒性的目的。 （4）生物黏附制剂 散剂是治疗口腔溃疡的常见类型，但易随唾液流散，在病灶部位滞留时间短，影响疗效又污染口腔，在口腔散中引入生物黏附技术可明显延长并提高疗效，且药物容量大，可减少用药次数。 3、制剂工程的发展 制剂工程紧紧围绕药物制剂技术的发展和演变而发展。近年来，药物制剂技术的迅速发展，也带动了制剂工程研究的进步，并使之出现了新的趋势。 （1）新工艺得到充分应用 近年来，各种新工艺在制剂工程中得到充分应用，为提高制剂质量作出重要贡献。应用超临界流体萃取技术、大孔树脂吸附分离技术、膜提取分离技术、超声提取技术、高速逆流色谱提取技术、微波萃取技术、高速离心技术、超滤、超微粉碎技术、纳米技术、采用特殊吸附剂的新吸附技术、喷雾干燥、冷冻干燥和一步制粒等新工艺可开发质量上乘的新制剂、新剂型。 其中，纳米技术产品在制剂工程中的应用前景被看好。纳米生物技术在生命科学中的应用相对较新。诸如碳布凯球(buckyballs)、树状聚合物(dendrimers)和金属纳米粒等纳米材料可用于体内和体外释药与诊断，有的产品已上市。目前，篇三：青岛科技大学vb答案实验一 实验一 vb环境和简单应用程序设计（4个学时） 一 、实验目的 1. 熟悉visual basic集成开发环境的使用。 2. 掌握建立、编辑和运行简单的visual basic应用程序的全过程。 3. 掌握窗体对象的属性、事件和方法。 二 、实验内容 1. 在vb的集成开发环境中实现如下的操作： 1）、将“标准”工具栏去掉后再添加上，将“编辑”工具栏添上再去掉。 2)、分别利用“菜单”和“工具栏”中的命令打开“属性窗口”、“工程资源管理器窗口” 3）、将“窗体布局窗口“的”启动位置“设置成“手工”。 4)、在工具箱中任意添加一个active x 控件。 5）、在工程1中增加两个窗体：form1、form2 6）、在工程1中增加两个标准模块：module1 、module2 7）、在工程1中增加一个类模块：class1 8）、在工程资源管理器中将form2、module2 删除。 9）、在在工程资源管理器中利用“切换文件夹”按钮隐藏或显示对象的文件夹 10）、将代码窗口中的字体大小改为18号字。 2设计一个窗体，窗体内有1个文本框和3个命令按钮控件。 要求：